專利名稱：光半導(dǎo)體封裝用套件的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及光半導(dǎo)體封裝用套件。更具體地說(shuō)，本發(fā)明涉及用于封裝發(fā)光元件如 發(fā)光二極管或半導(dǎo)體激光器的封裝件(package)，并涉及光半導(dǎo)體封裝用套件，所述套件在 點(diǎn)亮使用其封裝的發(fā)光元件和光半導(dǎo)體裝置時(shí)抑制了封裝樹(shù)脂的溫度上升。
背景技術(shù)：
通常，使用藍(lán)色LED發(fā)白光的方法包括使用含有磷光體的樹(shù)脂涂布LED芯片的方 法、將含有磷光體的樹(shù)脂罐封(potting)至帽狀LED裝置中的方法、還有對(duì)含有磷光體的片 狀樹(shù)脂層進(jìn)行層壓然后進(jìn)行封裝的方法。
例如，專利文獻(xiàn)1公開(kāi)了一種發(fā)光裝置，其中將半透明樹(shù)脂圍繞LED芯片封裝并固 化，接著使用含有熒光材料的樹(shù)脂將固化的半透明樹(shù)脂封裝。在這樣的裝置中，熒光材料在 LED芯片發(fā)光強(qiáng)度強(qiáng)的上表面方向中幾乎能夠均勻分布，從而使其變得能夠阻止該發(fā)光元 件的發(fā)光顏色的顏色不均勻性和改進(jìn)歸因于熒光材料的波長(zhǎng)轉(zhuǎn)換效率。而且，降低了昂貴 的熒光材料的使用，這使得能夠?qū)崿F(xiàn)低成本的發(fā)光元件。
專利文獻(xiàn)1 JP-A-2000-156528發(fā)明內(nèi)容
然而，在具有如專利文獻(xiàn)1中所述的這種結(jié)構(gòu)的光半導(dǎo)體裝置中，發(fā)射的光被原 樣照射到直接位于LED芯片上的熒光材料上，從而存在以下問(wèn)題在波長(zhǎng)轉(zhuǎn)換時(shí)，通過(guò)損失 能量極大地提高了含有熒光材料的樹(shù)脂部分(含磷光體的樹(shù)脂)的溫度，從而導(dǎo)致樹(shù)脂容 易劣化。
本發(fā)明的目的是提供一種光半導(dǎo)體封裝用套件以及使用所述套件封裝的光半導(dǎo) 體裝置，所述套件包括用于涂布LED芯片的封裝樹(shù)脂(半透明樹(shù)脂)和布置在所述樹(shù)脂上 的含有磷光體的樹(shù)脂(含磷光體的樹(shù)脂)，其中所述套件能夠抑制在LED照明時(shí)封裝樹(shù)脂的溫度上升。
本發(fā)明人已經(jīng)進(jìn)行了深入的研究，用于解決上述問(wèn)題。結(jié)果，已經(jīng)發(fā)現(xiàn)，在包括半 透明樹(shù)脂的第一封裝材料和含磷光體樹(shù)脂的第二封裝材料的光半導(dǎo)體封裝用套件中，通過(guò) 將無(wú)機(jī)粒子分散在第一封裝材料中，能夠抑制第二封裝材料的溫度上升，由此導(dǎo)致本發(fā)明 的完成。
SP，本發(fā)明涉及以下(1)至(7)項(xiàng)。
(1) 一種光半導(dǎo)體封裝用套件，所述套件包括
含有無(wú)機(jī)粒子的液態(tài)第一封裝材料；和
含有磷光體的液態(tài)第二封裝材料。
(2) 一種光半導(dǎo)體封裝用套件，所述套件包括
含有無(wú)機(jī)粒子的片狀第一封裝材料；和
含有磷光體的液態(tài)第二封裝材料。
(3) 一種光半導(dǎo)體封裝用套件，所述套件包括
含有無(wú)機(jī)粒子的液態(tài)第一封裝材料；和
含有磷光體的片狀第二封裝材料。
(4)根據(jù)(1)至C3)中任一項(xiàng)的光半導(dǎo)體封裝用套件，其中第一封裝材料的構(gòu)成樹(shù) 脂包含硅樹(shù)脂。
(5)根據(jù)(1)至(4)中任一項(xiàng)的光半導(dǎo)體封裝用套件，其中無(wú)機(jī)粒子包含選自二氧 化硅和硫酸鋇的至少一種。
(6)根據(jù)(1)至( 中任一項(xiàng)的光半導(dǎo)體封裝用套件，其中第二封裝材料的構(gòu)成樹(shù) 脂包含硅樹(shù)脂。
(7) 一種光半導(dǎo)體裝置，所述裝置包括
光半導(dǎo)體元件；和
根據(jù)(1)至(6)中任一項(xiàng)的光半導(dǎo)體封裝用套件，
其中所述光半導(dǎo)體元件利用所述第一封裝材料和第二封裝材料按此順序封裝。
本發(fā)明的光半導(dǎo)體封裝用套件是包括半透明樹(shù)脂的第一封裝材料和含磷光體樹(shù) 脂的第二封裝材料作為構(gòu)成成分的光半導(dǎo)體封裝用套件，并且顯示出在LED照明時(shí)能夠抑 制第二封裝材料溫度上升的優(yōu)異效果。


圖1是例示性地示出使用本發(fā)明實(shí)施方式1的光半導(dǎo)體封裝用套件對(duì)LED芯片進(jìn) 行封裝的圖，其中左邊示出了第一封裝材料被罐封的狀態(tài)；中間示出了在使用第一封裝材 料封裝之后第二封裝材料被罐封的狀態(tài)；右邊示出了使用所有封裝材料封裝之后的狀態(tài)。
圖2是例示性地示出使用本發(fā)明實(shí)施方式3的光半導(dǎo)體封裝用套件對(duì)LED芯片進(jìn) 行封裝的圖，其中左邊示出了封裝之前的狀態(tài)；右邊示出了封裝之后的狀態(tài)。
標(biāo)號(hào)和標(biāo)記說(shuō)明
1 第一封裝材料
2 無(wú)機(jī)粒子
3 含磷光體的第二封裝材料
4 模具
5 基材
6 =LED 芯片具體實(shí)施方式
在本發(fā)明的光半導(dǎo)體封裝用套件中，所述套件包括第一封裝材料和第二封裝材料 作為構(gòu)成成分，其中第一封裝材料包含無(wú)機(jī)粒子且第二封裝材料包含磷光體。通過(guò)使用第 一封裝材料和第二封裝材料以此順序?qū)ED芯片(光半導(dǎo)體元件)進(jìn)行封裝，來(lái)具體得到 使用具有這種構(gòu)成的套件封裝的光半導(dǎo)體裝置。由此，從LED發(fā)出的光穿過(guò)第一封裝材料， 其波長(zhǎng)被第二封裝材料中的磷光體轉(zhuǎn)換，接著就此發(fā)射。因此，得到了具有高亮度的發(fā)射 光。然而，穿過(guò)第一封裝材料的發(fā)射光就此到達(dá)磷光體，并在那里轉(zhuǎn)換其波長(zhǎng)。因此，在波 長(zhǎng)轉(zhuǎn)換時(shí)磷光體損失的能量被第二封裝材料吸收，從而導(dǎo)致第二封裝材料溫度上升。因此，在本發(fā)明中，通過(guò)向第一封裝材料中引入無(wú)機(jī)粒子，由所述無(wú)機(jī)粒子的光散射效果能夠?qū)?到達(dá)第二封裝材料的光分散，從而使由于磷光體引起的生熱密度(每單位體積封裝材料的 生熱量)降低。結(jié)果認(rèn)為，整體上能夠抑制生熱。順便提及，作為本發(fā)明的半導(dǎo)體封裝用套 件，根據(jù)各構(gòu)成成分的形狀對(duì)以下三個(gè)實(shí)施方式進(jìn)行舉例說(shuō)明。
實(shí)施方式1 包括含有無(wú)機(jī)粒子的液態(tài)第一封裝材料和含有磷光體的液態(tài)第二封 裝材料的實(shí)施方式；
實(shí)施方式2 包括含有無(wú)機(jī)粒子的片狀第一封裝材料和含有磷光體的液態(tài)第二封 裝材料的實(shí)施方式；和
實(shí)施方式3 包括含有無(wú)機(jī)粒子的液態(tài)第一封裝材料和含有磷光體的片狀第二封 裝材料的實(shí)施方式。
實(shí)施方式1至3的第一封裝材料含有無(wú)機(jī)粒子。
無(wú)機(jī)粒子不受特別限制，只要它們能夠散射可見(jiàn)光即可。然而，無(wú)機(jī)粒子優(yōu)選包括 選自二氧化硅和硫酸鋇的至少一種，更特別為含有二氧化硅的粒子，因?yàn)橥ㄟ^(guò)封裝處理不 會(huì)降低亮度。
無(wú)機(jī)粒子的平均粒度可以是任意值，只要其能夠散射可見(jiàn)光并等于或小于由第一 封裝材料形成的層的厚度即可。其優(yōu)選為0.1至200 μ m，更優(yōu)選為0.3至40 μ m。而且，從 抑制由封裝處理造成的溫度降低的觀點(diǎn)來(lái)看，更加優(yōu)選為5至40 μ m。順便提及，在本說(shuō)明 書(shū)中，能夠通過(guò)后述的實(shí)施例中所述的方法來(lái)測(cè)定無(wú)機(jī)粒子的平均粒度。
無(wú)機(jī)粒子的形狀可以是任何形狀，只要其能夠散射可見(jiàn)光即可，以球狀和破碎狀 為例。但是，從抑制LED亮度降低的觀點(diǎn)來(lái)看，優(yōu)選球狀。
從可均勻分散在第一封裝材料中和抑制第二封裝材料溫度上升的觀點(diǎn)來(lái)看，第一 封裝材料中無(wú)機(jī)粒子的含量?jī)?yōu)選為0. 1至70重量％。而且，從抑制LED亮度降低的觀點(diǎn)來(lái) 看，更優(yōu)選為0. 1至55重量％。
第一封裝材料的構(gòu)成樹(shù)脂不受特別限制，只要其是已常規(guī)用于光半導(dǎo)體封裝的樹(shù) 脂即可。其例子包括半透明樹(shù)脂如硅樹(shù)脂、環(huán)氧樹(shù)脂、苯乙烯樹(shù)脂、丙烯酸樹(shù)脂、聚碳酸酯樹(shù) 脂、聚氨酯樹(shù)脂和聚烯烴樹(shù)脂。可以單獨(dú)使用或作為其兩種以上的組合使用這些樹(shù)脂。尤 其是，從耐久性的觀點(diǎn)來(lái)看，優(yōu)選硅樹(shù)脂。
實(shí)施方式1至3的第二封裝材料含有磷光體。
磷光體不受特別限制，其例子包括在光半導(dǎo)體裝置中使用的已知磷光體。具體地， 例舉黃色磷光體(α -sialon)、YAG、TAG等作為具有將藍(lán)色轉(zhuǎn)換成黃色的功能的合適市售 磷光體。
因?yàn)轭伾旌系某潭入S磷光體的種類和由第二封裝材料形成的層的厚度而變化， 所以沒(méi)有徹底確定磷光體的含量。
第二封裝材料的構(gòu)成樹(shù)脂不受特別限制，只要其是已常規(guī)用于光半導(dǎo)體封裝的樹(shù) 脂即可。作為第二封裝材料的構(gòu)成樹(shù)脂例舉的樹(shù)脂，與作為第一封裝材料的那些構(gòu)成樹(shù)脂 所例舉的類似?？梢詥为?dú)使用或作為其兩種以上的組合使用這些樹(shù)脂。尤其是，從耐久性 的觀點(diǎn)來(lái)看，優(yōu)選硅樹(shù)脂。
除了上述無(wú)機(jī)粒子、磷光體和構(gòu)成樹(shù)脂之外，可以將添加劑如固化劑、固化促進(jìn) 劑、防老劑、改性劑、表面活性劑、染料、顏料、變色抑制劑和UV吸收劑作為原材料引入第一封裝材料和第二封裝材料中。
可通過(guò)本領(lǐng)域技術(shù)人員已知的方法來(lái)制備第一封裝材料和第二封裝材料，只要獲 得上述組合物即可。下面對(duì)各形狀進(jìn)行詳細(xì)說(shuō)明。
例如，通過(guò)將用于第一封裝材料的無(wú)機(jī)粒子和用于第二封裝材料的磷光體分別添 加到封裝材料的構(gòu)成樹(shù)脂或所述樹(shù)脂的有機(jī)溶劑溶液中來(lái)獲得液態(tài)封裝材料?；旌戏椒ú?受特別限制。順便提及，有機(jī)溶劑不受特別限制，可使用本領(lǐng)域已知的溶劑。
可通過(guò)以下方法來(lái)形成片狀封裝材料例如，將用于第一封裝材料的無(wú)機(jī)粒子和 用于第二封裝材料的磷光體分別添加到封裝材料的構(gòu)成樹(shù)脂或所述樹(shù)脂的有機(jī)溶劑溶液 中，接著攪拌混合，通過(guò)使用涂布器等將所得材料涂布到例如表面經(jīng)剝離處理的剝離片材 (例如聚乙烯基材)上至適當(dāng)?shù)暮穸?，并在可除去溶劑的溫度下加熱?lái)對(duì)其進(jìn)行干燥。加熱 溫度不能徹底確定，因?yàn)槠潆S樹(shù)脂或溶劑的種類而變化。然而，其優(yōu)選為80到150°C，更優(yōu) 選為90到150°C。順便提及，可以將通過(guò)層壓多個(gè)片材并通過(guò)在20至100°C下對(duì)其進(jìn)行熱 壓來(lái)壓制它們從而使它們一體化而得到的片材用作一個(gè)片狀封裝材料。片狀第一封裝材料 的厚度與片狀第二封裝材料的厚度不同。從對(duì)光半導(dǎo)體元件的封裝性能來(lái)看，片狀第一封 裝材料的厚度優(yōu)選為100到1，000 μ m，更優(yōu)選為300到800 μ m，并且從磷光體濃度和涂布 性能的觀點(diǎn)來(lái)看，片狀第二封裝材料的厚度優(yōu)選為20到300 μ m,更優(yōu)選為30到200 μ m。
由此，獲得了具有各種形狀的第一和第二封裝材料。從增加亮度的觀點(diǎn)來(lái)看，本發(fā) 明的光半導(dǎo)體封裝用套件可包含除上述第一和第二封裝材料之外的另一種封裝材料，只要 將第二封裝材料布置得比第一封裝材料更遠(yuǎn)離LED芯片即可。例如，當(dāng)?shù)谝环庋b材料是片 狀封裝材料時(shí)，從對(duì)基材的粘附性的觀點(diǎn)來(lái)看，使用包括半透明樹(shù)脂的液體封裝材料(也 稱作第三封裝材料)。在這種情況下，第三封裝材料、第一封裝材料和第二封裝材料在基材 上以此順序使用。第三封裝材料的構(gòu)成樹(shù)脂不受特別限制，但是優(yōu)選與第一封裝材料的構(gòu) 成樹(shù)脂相同。
而且，本發(fā)明提供了使用本發(fā)明的光半導(dǎo)體封裝用套件封裝的光半導(dǎo)體裝置。這 樣的裝置是通過(guò)使用第一封裝材料和第二封裝材料，以此順序在光半導(dǎo)體元件上進(jìn)行封裝 的裝置，并且不受特別限制，只要以此順序使用第一封裝材料和第二封裝材料即可。該裝置 能夠通過(guò)本領(lǐng)域技術(shù)人員已知的方法來(lái)制造。下面將描述用于各實(shí)施方式的光半導(dǎo)體封裝 用套件。
通過(guò)首先將液態(tài)第一封裝材料罐封在LED芯片上，接著固化，然后在第一封裝材 料上罐封第二封裝材料，接著固化來(lái)獲得使用實(shí)施方式1的光半導(dǎo)體封裝用套件的光半導(dǎo) 體裝置。
通過(guò)首先將片狀第一封裝材料層壓在LED芯片上，接著固化，然后在第一封裝材 料上罐封第二封裝材料，接著固化來(lái)獲得使用實(shí)施方式2的光半導(dǎo)體封裝用套件的光半導(dǎo) 體裝置。順便提及，當(dāng)使用第三封裝材料時(shí)，通過(guò)將液態(tài)第三封裝材料罐封在LED芯片上， 接著固化，在其上層壓片狀第一封裝材料，接著固化，然后在第一封裝材料上罐封第二封裝 材料，接著固化來(lái)得到上述裝置。
通過(guò)首先將液態(tài)第一封裝材料罐封在LED芯片上，然后在其上層壓片狀第二封裝 材料，接著作為整體進(jìn)行固化來(lái)得到使用實(shí)施方式3的光半導(dǎo)體封裝用套件的光半導(dǎo)體裝置。
根據(jù)本領(lǐng)域技術(shù)人員已知的方法，例如通過(guò)使用模具并在優(yōu)選0. 1至0. 5MPa、更 優(yōu)選0. 1至0. 3MPa的壓力下和優(yōu)選100至160°C下加熱1至10分鐘，能夠進(jìn)行各實(shí)施方式 中樹(shù)脂的固化。順便提及，在壓力成形的情況下，在靜置到形狀變得即使在室溫下也不變之 后，去掉模具并可進(jìn)行后固化。例如，可通過(guò)使用優(yōu)選具有100至150°C溫度的干燥器，靜置 優(yōu)選15分鐘至6小時(shí)來(lái)進(jìn)行后固化。
本發(fā)明的光半導(dǎo)體裝置包含抑制封裝樹(shù)脂溫度上升的本發(fā)明光半導(dǎo)體封裝用套 件作為封裝材料。因此，即使在裝備有高強(qiáng)度LED元件例如藍(lán)色元件、綠色LED元件等的光 半導(dǎo)體裝置中，也抑制了封裝材料的溫度上升，從而抑制其劣化，同時(shí)取得高發(fā)光亮度的狀 態(tài)。因此能夠合適地使用。
實(shí)施例
下面將參考實(shí)施例、比較例和參考例來(lái)描述本發(fā)明。然而，本發(fā)明不應(yīng)該被解釋為 受限于這些實(shí)施例。
[無(wú)機(jī)粒子的平均粒度]
在本說(shuō)明書(shū)中，無(wú)機(jī)粒子的平均粒度是指初始粒子的平均粒度且是指通過(guò)動(dòng)態(tài)光 散射法對(duì)無(wú)機(jī)粒子的粒子分散溶液進(jìn)行測(cè)定并計(jì)算得到的50%體積累積粒徑(D5tl)。
實(shí)施例1
<第一封裝材料>
向9. 95g硅彈性體(ELASTOSIL LR-7665，由瓦克旭化成有機(jī)硅株式會(huì)社制造)中， 加入0. 05g(無(wú)機(jī)粒子含量0. 5重量％ )的二氧化硅(FB-7SDC，由電氣化學(xué)工業(yè)株式會(huì)社 制造，平均粒度5. 8 μ m，球狀)，并手動(dòng)攪拌來(lái)使其均勻地分散，從而獲得液態(tài)的含二氧化 硅樹(shù)脂。
<第二封裝材料>
向8. 4g硅彈性體(LR-7665)中，加入1. 6g (磷光體含量16重量％ )的YAG，并手 動(dòng)攪拌使其均勻分散，從而獲得液態(tài)的含磷光體樹(shù)脂。
<光半導(dǎo)體封裝>
將適中量的液態(tài)第一封裝材料放置在其上安裝了光半導(dǎo)體元件(波長(zhǎng)區(qū)域 450nm)的平面基材上。將直徑為8mm且高度為500 μ m的模具置于其上，并且在0. IMPa和 160°C的條件下使用真空壓制裝置(V-130，由日合摩頓株式會(huì)社(Nichigo-Morton Co.， Ltd.)制造)壓制5分鐘，從而以第一封裝材料進(jìn)行封裝。然后，將適中量的液態(tài)第二封裝 材料置于第一封裝材料上，以與上述相同的方式來(lái)進(jìn)行壓力成形，從而獲得光半導(dǎo)體裝置。
實(shí)施例2
<第一封裝材料>
向9. 95g硅彈性體(LR-7665)中，加入0. 05g(無(wú)機(jī)粒子含量0· 5重量％ )的二 氧化硅(ra-7SDC)，并手動(dòng)攪拌使其均勻分散，從而獲得液態(tài)的含二氧化硅樹(shù)脂。
<第二封裝材料>
向8. 4g硅彈性體(LR-7665)中，加入1. 6g (磷光體含量16重量％ )的YAG，并手 動(dòng)攪拌使其均勻分散。通過(guò)使用涂布器將所得含磷光體的樹(shù)脂涂布至100 μ m的厚度，并在 100°C下干燥10分鐘以獲得含磷光體的樹(shù)脂片。
<光半導(dǎo)體封裝>
將適中量的液態(tài)第一封裝材料放置在其上安裝了光半導(dǎo)體元件(波長(zhǎng)區(qū)域 450nm)的平面基材上，并將含磷光體的樹(shù)脂片置于其上。在含磷光體的樹(shù)脂片上放置直徑 為8mm且高度為500 μ m的模具，在0. IMI^a和160°C的條件下使用真空壓制裝置(V-130)壓 制5分鐘，從而獲得光半導(dǎo)體裝置。
實(shí)施例3
除了將第一封裝材料中的硅彈性體(LR-7660和二氧化硅(FB-7SDC)的量分別變 為9. 5g和0. 5g(無(wú)機(jī)粒子含量5重量％ )之外，以與實(shí)施例2中相同的方式來(lái)得到光半 導(dǎo)體裝置。
實(shí)施例4
除了將第一封裝材料中的硅彈性體(LR-7665)和二氧化硅(FB-7SDC)的量分別變 為7. Og和3. 0g(無(wú)機(jī)粒子含量30重量％ )之外，以與實(shí)施例2中相同的方式來(lái)得到光半 導(dǎo)體裝置。
實(shí)施例5
除了將第一封裝材料中的硅彈性體(LR-7660和二氧化硅(FB-7SDC)的量分別變 為5. Og和5. 0g(無(wú)機(jī)粒子含量50重量％ )之外，以與實(shí)施例2中相同的方式來(lái)得到光半 導(dǎo)體裝置。
實(shí)施例6
除了將第一封裝材料中的硅彈性體(LR-7660和二氧化硅(FB-7SDC)的量分別變 為3. Og和7. 0g(無(wú)機(jī)粒子含量70重量％ )之外，以與實(shí)施例2中相同的方式來(lái)得到光半 導(dǎo)體裝置。
實(shí)施例7
除了將第一封裝材料中二氧化硅的種類變?yōu)槎趸?FB-40S，由電氣化學(xué)工業(yè) 株式會(huì)社制造，平均粒度39. SymjtW)之外，以與實(shí)施例4中相同的方式來(lái)得到光半導(dǎo)體裝置。
實(shí)施例8
除了將第一封裝材料中二氧化硅的種類變?yōu)槎趸?SFP-20M，由電氣化學(xué)工業(yè) 株式會(huì)社制造，平均粒度0. 3 μ m，球狀)之外，以與實(shí)施例4中相同的方式來(lái)得到光半導(dǎo)體直ο
實(shí)施例9
除了將第一封裝材料中二氧化硅的種類變?yōu)槎趸?CryStalite5X，由龍森株 式會(huì)社制造，平均粒度1. 5μπι，破碎狀)之外，以與實(shí)施例4中相同的方式來(lái)得到光半導(dǎo)體直ο
實(shí)施例10
除了將第一封裝材料中無(wú)機(jī)粒子的種類變?yōu)榱蛩徜^(W-6，由竹原化學(xué)工業(yè)株式會(huì) 社制造，平均粒度5. O μ m,破碎狀)之外，以與實(shí)施例3中相同的方式來(lái)得到光半導(dǎo)體裝置。
實(shí)施例11
除了將第一封裝材料中二氧化硅的種類變?yōu)槎趸?FB-40Q之外，以與實(shí)施 例5中相同的方式來(lái)得到光半導(dǎo)體裝置。
比較例1
除了不向第一封裝材料中添加無(wú)機(jī)粒子之外，以與實(shí)施例2中相同的方式來(lái)得到 光半導(dǎo)體裝置。
參考例1
除了將第一封裝材料中無(wú)機(jī)粒子的種類變?yōu)檠趸X(AS-50，由昭和電工株式會(huì)社 制造，平均粒度9μπι，球狀)之外，以與實(shí)施例3中相同的方式來(lái)得到光半導(dǎo)體裝置。
對(duì)于所得光半導(dǎo)體裝置，根據(jù)以下試驗(yàn)例1和2來(lái)評(píng)價(jià)特性。其結(jié)果示于表1中。
試驗(yàn)例1 (第二封裝材料的溫度)
將適中量的熱輻射有機(jī)硅(SCH-30，由寸> “Y卜株式會(huì)社(Sunhayato Corp.) 制造，熱導(dǎo)率0.96W/mK)滴在散熱器(材料銅)上，并將光半導(dǎo)體裝置固定于其上。將電 流值以IOOmA/秒的速度增加直至從開(kāi)始發(fā)光起達(dá)10秒，并在達(dá)到500mA之后的3分鐘后， 對(duì)第二封裝材料的最高溫度進(jìn)行測(cè)定。順便提及，通過(guò)使用溫度記錄儀(CPA1000，由Chino Corp.制造)并從光半導(dǎo)體裝置的上方關(guān)注發(fā)光(lighting)來(lái)進(jìn)行溫度測(cè)定。而且，優(yōu)選 較低的封裝材料溫度。
試驗(yàn)例2 (發(fā)光亮度)
使每個(gè)光半導(dǎo)體裝置在50mA下發(fā)光，并根據(jù)半球面亮度測(cè)定來(lái)對(duì)那時(shí)的發(fā)光亮 度進(jìn)行測(cè)定。順便提及，將積分球用于亮度測(cè)定，并通過(guò)使用多個(gè)測(cè)光系統(tǒng)(MCPD-3000，由 大冢電子株式會(huì)社制造)來(lái)進(jìn)行測(cè)定。而且，發(fā)光亮度(Y值)更優(yōu)選為2，000以上。
權(quán)利要求
1.一種光半導(dǎo)體封裝用套件，所述套件包含 含有無(wú)機(jī)粒子的液態(tài)第一封裝材料；和 含有磷光體的液態(tài)第二封裝材料。
2.一種光半導(dǎo)體封裝用套件，所述套件包含 含有無(wú)機(jī)粒子的片狀第一封裝材料；和 含有磷光體的液態(tài)第二封裝材料。
3.一種光半導(dǎo)體封裝用套件，所述套件包含 含有無(wú)機(jī)粒子的液態(tài)第一封裝材料；和 含有磷光體的片狀第二封裝材料。
4.權(quán)利要求1所述的光半導(dǎo)體封裝用套件，其中第一封裝材料的構(gòu)成樹(shù)脂包含硅樹(shù)脂。
5.權(quán)利要求1所述的光半導(dǎo)體封裝用套件，其中無(wú)機(jī)粒子包含選自二氧化硅和硫酸鋇 的至少一種。
6.權(quán)利要求1所述的光半導(dǎo)體封裝用套件，其中第二封裝材料的構(gòu)成樹(shù)脂包含硅樹(shù)脂。
7.一種光半導(dǎo)體裝置，所述裝置包含 光半導(dǎo)體元件；和權(quán)利要求1的光半導(dǎo)體封裝用套件，其中所述光半導(dǎo)體元件利用所述第一封裝材料和第二封裝材料按此順序封裝。
8.權(quán)利要求2所述的光半導(dǎo)體封裝用套件，其中第一封裝材料的構(gòu)成樹(shù)脂包含硅樹(shù)脂。
9.權(quán)利要求2所述的光半導(dǎo)體封裝用套件，其中無(wú)機(jī)粒子包含選自二氧化硅和硫酸鋇 的至少一種。
10.權(quán)利要求2所述的光半導(dǎo)體封裝用套件，其中第二封裝材料的構(gòu)成樹(shù)脂包含硅樹(shù)脂。
11.一種光半導(dǎo)體裝置，所述裝置包含 光半導(dǎo)體元件；和權(quán)利要求2的光半導(dǎo)體封裝用套件，其中所述光半導(dǎo)體元件利用所述第一封裝材料和第二封裝材料按此順序封裝。
12.權(quán)利要求3所述的光半導(dǎo)體封裝用套件，其中第一封裝材料的構(gòu)成樹(shù)脂包含硅樹(shù)脂。
13.權(quán)利要求3所述的光半導(dǎo)體封裝用套件，其中無(wú)機(jī)粒子包含選自二氧化硅和硫酸 鋇的至少一種。
14.權(quán)利要求3所述的光半導(dǎo)體封裝用套件，其中第二封裝材料的構(gòu)成樹(shù)脂包含硅樹(shù)脂。
15.一種光半導(dǎo)體裝置，所述裝置包含 光半導(dǎo)體元件；和權(quán)利要求3的光半導(dǎo)體封裝用套件，其中所述光半導(dǎo)體元件利用所述第一封裝材料和第二封裝材料按此順序封裝。
全文摘要
本發(fā)明涉及光半導(dǎo)體封裝用套件。具體地，本發(fā)明涉及包括含有無(wú)機(jī)粒子的液態(tài)第一封裝材料和含有磷光體的液態(tài)第二封裝材料的光半導(dǎo)體封裝用套件；包括含有無(wú)機(jī)粒子的片狀第一封裝材料和含有磷光體的液態(tài)第二封裝材料的光半導(dǎo)體封裝用套件；以及包括含有無(wú)機(jī)粒子的液態(tài)第一封裝材料和含有磷光體的片狀第二封裝材料的光半導(dǎo)體封裝用套件。
文檔編號(hào)H01L33/48GK102034918SQ20101050838
公開(kāi)日2011年4月27日 申請(qǐng)日期2010年10月8日 優(yōu)先權(quán)日2009年10月7日
發(fā)明者松田廣和, 藤岡和也, 赤澤光治 申請(qǐng)人:日東電工株式會(huì)社