專利名稱：發(fā)光二極管器件及其制造方法和發(fā)光裝置的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種發(fā)光二極管器件、一種包括發(fā)光二極管器件的發(fā)光裝置和一種制 造發(fā)光二極管器件的方法，更具體地講，涉及一種因包括涂覆有熒光樹脂的發(fā)光二極管芯 片從而能夠發(fā)白光的發(fā)光二極管器件。
背景技術(shù)：
近來，采用氮化物類半導(dǎo)體的發(fā)光二極管已經(jīng)用作諸如鍵區(qū)、背光、交通燈、飛機(jī) 跑道的導(dǎo)向燈、普通照明燈具等各種領(lǐng)域的白光源。由于發(fā)光二極管芯片的廣泛應(yīng)用，所以 用于發(fā)光二極管芯片的封裝技術(shù)受到關(guān)注。圖1是示出根據(jù)現(xiàn)有技術(shù)的發(fā)光二極管封裝件的示意性剖視圖。對(duì)于參照?qǐng)D1的 發(fā)光二極管封裝件10，第一引線框架13和第二引線框架14設(shè)置在封裝體12內(nèi)部，發(fā)光二 極管11設(shè)置在第一引線框架13上。第一引線框架13和第二引線框架14通過導(dǎo)線W電連 接到發(fā)光二極管11。將封裝體12設(shè)置為杯子的形狀，并且將樹脂部分15置于所述杯子中， 從而保護(hù)發(fā)光二極管11、導(dǎo)線W等。為了發(fā)射白光，在樹脂部分15內(nèi)分散有能夠?qū)陌l(fā)光 二極管U發(fā)射的光的波長(zhǎng)轉(zhuǎn)換的熒光材料。然而，根據(jù)現(xiàn)有技術(shù)的發(fā)光二極管封裝件10有局限性，S卩，使樹脂部分15固化的 工藝會(huì)導(dǎo)致熒光材料下沉到杯子的底部。已經(jīng)下沉的熒光材料不能有效地轉(zhuǎn)換光的波長(zhǎng)而 是起著光擴(kuò)散劑或光吸收劑的作用，從而降低了發(fā)光效率。此外，根據(jù)產(chǎn)品，熒光材料不均勻地分散在空間中，導(dǎo)致發(fā)光效率和色溫的變化 寬，這是不期望的。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的一方面提供了一種與現(xiàn)有技術(shù)的發(fā)光二極管封裝件相比能夠提高發(fā)光 效率并在白光發(fā)射方面實(shí)現(xiàn)均勻的產(chǎn)品特性的發(fā)光二極管器件。本發(fā)明的另一方面提供了 一種通過高效工藝便于制造上述發(fā)光二極管器件的方法。根據(jù)本發(fā)明的一方面提供了一種發(fā)光二極管器件，所述發(fā)光二極管器件包括發(fā) 光二極管芯片，具有第一表面和與第一表面相對(duì)的第二表面，在第一表面上設(shè)置有第一電 極和第二電極；波長(zhǎng)轉(zhuǎn)換部分，包括熒光物質(zhì)并覆蓋發(fā)光二極管芯片的第一表面和側(cè)表面， 其中，側(cè)表面是指位于第一表面和第二表面之間的表面；第一電連接部分和第二電連接部 分，均包括鍍層，分別連接到第一電極和第二電極并暴露于波長(zhǎng)轉(zhuǎn)換部分的外部。熒光物質(zhì)可以僅設(shè)置在波長(zhǎng)轉(zhuǎn)換部分的覆蓋發(fā)光二極管芯片的第一表面的區(qū)域 中。熒光物質(zhì)可以設(shè)置在波長(zhǎng)轉(zhuǎn)換部分的覆蓋發(fā)光二極管芯片的第一表面和側(cè)表面4的全部區(qū)域中。
在發(fā)光二極管芯片的第二表面上可以不存在波長(zhǎng)轉(zhuǎn)換部分。在波長(zhǎng)轉(zhuǎn)換部分的位于在發(fā)光二極管芯片的第一表面上并圍繞第一電極和第二 電極的側(cè)表面的區(qū)域中可以不存在熒光物質(zhì)。根據(jù)本發(fā)明的另一方面提供了一種發(fā)光裝置，所述發(fā)光裝置包括芯片安裝部分， 包括第一導(dǎo)體和第二導(dǎo)體，從而使得來自外部的功率施加到芯片的安裝部分；發(fā)光二極管 器件包括發(fā)光二極管芯片、波長(zhǎng)轉(zhuǎn)換部分、第一電連接部分和第二電連接部分，發(fā)光二極管 芯片具有第一表面和與第一表面相對(duì)的第二表面，在第一表面上設(shè)置有第一電極和第二電 極，波長(zhǎng)轉(zhuǎn)換部分包括熒光物質(zhì)并覆蓋發(fā)光二極管芯片的第一表面和側(cè)表面，其中，側(cè)表面 是指位于第一表面和第二表面之間的表面，第一電連接部分和第二電連接部分均包括鍍層 并且分別連接到第一電極和第二電極并暴露于波長(zhǎng)轉(zhuǎn)換部分的外部；導(dǎo)線，將第一電連接 部分連接到第一導(dǎo)體，將第二電連接部分連接到第二導(dǎo)體?？梢詫l(fā)光二極管器件設(shè)置成第二表面面對(duì)芯片安裝部分。芯片安裝部分可以是電路板。根據(jù)本發(fā)明的另一方面提供了一種制造發(fā)光二極管器件的方法，所述方法包括以 下步驟準(zhǔn)備包括主體和穿透主體的導(dǎo)電通孔的熒光基底，在所述主體中，熒光物質(zhì)分散在 樹脂內(nèi)；將具有第一表面和與第一表面相對(duì)的第二表面的發(fā)光二極管芯片設(shè)置在熒光基底 上，第一電極和第二電極形成在所述第一表面上，使得第一電極和第二電極連接到導(dǎo)電通 孔；形成樹脂部分以至少包封發(fā)光二極管芯片的側(cè)表面，其中，側(cè)表面是指位于第一表面和 第二表面之間的表面。每個(gè)導(dǎo)電通孔可以包括鍍層?？梢詧?zhí)行將發(fā)光二極管芯片設(shè)置在熒光基底上的步驟，以使第一表面面對(duì)熒光基底。所述方法還可以包括在將發(fā)光二極管芯片設(shè)置在熒光基底上的步驟之后，對(duì)由在 發(fā)光二極管芯片與熒光基底之間的第一電極和第二電極形成的區(qū)域進(jìn)行底部填充的步驟。在底部填充的步驟中，可以將包括熒光物質(zhì)的底部填充樹脂注入到所述區(qū)域中。
樹脂部分可以包括熒光物質(zhì)。準(zhǔn)備熒光基底的步驟可以包括在載帶膜上形成具有開口的圖案；在所述開口中 形成導(dǎo)電通孔；去除圖案；在載帶膜上形成圍繞導(dǎo)電通孔的熒光樹脂。所述方法還可以包括在形成樹脂部分之后，去除載帶膜并使導(dǎo)電通孔暴露。


通過下面結(jié)合附圖的詳細(xì)描述，本發(fā)明的上述和其他方面、特征和其它優(yōu)點(diǎn)將被 理解得更加清楚，附圖中圖1是示出根據(jù)現(xiàn)有技術(shù)的發(fā)光二極管封裝件的示意性剖視圖；圖2是示出根據(jù)本發(fā)明示例性實(shí)施例的發(fā)光二極管器件的示意性透視圖；圖3是示出使用圖2中描述的發(fā)光二極管器件的發(fā)光裝置的示意性剖視圖；圖4A至圖9是根據(jù)本發(fā)明示例性實(shí)施例用于解釋制造發(fā)光二極管器件的方法的 剖視圖；5
圖10和圖11是示出根據(jù)本發(fā)明其它示例性實(shí)施例的發(fā)光二極管器件的示意性透 視圖。
具體實(shí)施例方式現(xiàn)在將參照附圖來詳細(xì)描述本發(fā)明的示例性實(shí)施例。然而，本發(fā)明可以以很多不同的方式實(shí)施并且不應(yīng)解釋為限于這里所闡述的實(shí)施 例。而是，提供這些實(shí)施例使得本公開將是徹底和完全的，并且會(huì)將本發(fā)明的范圍充分表達(dá) 給本領(lǐng)域技術(shù)人員。附圖中，為了清楚起見會(huì)夸大元件的形狀和尺寸。附圖中相同的標(biāo)號(hào) 表示相同的元件，因而將省略對(duì)相同的元件的描述。圖2是示出根據(jù)本發(fā)明示例性實(shí)施例的發(fā)光二極管器件的示意性透視圖。參照?qǐng)D 2，根據(jù)本示例性實(shí)施例的發(fā)光二極管器件100包括發(fā)光二極管芯片101和覆蓋發(fā)光二極管 芯片101的表面并將從發(fā)光二極管芯片101發(fā)射的光的波長(zhǎng)轉(zhuǎn)換的波長(zhǎng)轉(zhuǎn)換部分102。為 此，波長(zhǎng)轉(zhuǎn)換部分102可使用將熒光物質(zhì)P分散在透明樹脂部分中的結(jié)構(gòu)。由于通過波長(zhǎng) 轉(zhuǎn)換部分102轉(zhuǎn)換的光與從發(fā)光二極管芯片101發(fā)射的光混合，所以發(fā)光二極管器件100 能夠發(fā)射白光?？赏ㄟ^將η型半導(dǎo)體層、發(fā)光層和P型半導(dǎo)體層堆疊來構(gòu)造發(fā)光二極管芯 片101，并將第一電極103a和第二電極10 形成在發(fā)光二極管芯片101的一個(gè)表面上。參照?qǐng)D2，將發(fā)光二極管芯片101的放置有第一電極103a和第二電極10 的表面 定義為第一表面，將發(fā)光二極管芯片101的與第一表面相對(duì)的第二表面定義為第二表面， 將發(fā)光二極管芯片101的置于第一表面和第二表面之間的表面定義為側(cè)表面。就此而言， 波長(zhǎng)轉(zhuǎn)換部分102可覆蓋發(fā)光二極管芯片101的第一表面(即，形成電極的表面)和側(cè)表 面，如圖2中所示。這使得來自發(fā)光二極管芯片101的光沿參照?qǐng)D2的向上和向側(cè)面的方 向發(fā)射。根據(jù)本示例性實(shí)施例，將波長(zhǎng)轉(zhuǎn)換部分102設(shè)置為沿發(fā)光二極管芯片101的表面 設(shè)置的薄涂層的形式，從而與將熒光物質(zhì)設(shè)置在杯狀的封裝體中的現(xiàn)有技術(shù)相比，實(shí)現(xiàn)了 完全均勻的光。此外，在不使用單獨(dú)的封裝體的情況下，將波長(zhǎng)轉(zhuǎn)換部分102直接應(yīng)用到發(fā) 光二極管芯片101的表面上，從而實(shí)現(xiàn)器件尺寸的減小。對(duì)于與發(fā)光二極管芯片101的電連接，本示例性實(shí)施例采用包括鍍層的第一電連 接部分10 和第二電連接部分104b來代替引線框架。詳細(xì)地講，第一電連接部分10 和 第二電連接部分104b被構(gòu)造為分別與第一電極103a和第二電極10 連接。第一電連接 部分10 和第二電連接部分104b都包括鍍層。第一電連接部分10 和第二電連接部分 104b穿過波長(zhǎng)轉(zhuǎn)換部分102暴露到外部，以用作用于引線鍵合等的區(qū)域。與現(xiàn)有技術(shù)的普 通封裝件相比，發(fā)光二極管器件100具有簡(jiǎn)化的結(jié)構(gòu)，并且可以適用于諸如板上芯片(COB) 型或封裝型的各種類型的發(fā)光裝置。圖3是示出使用圖2中描述的發(fā)光二極管器件的發(fā)光裝置的示意性剖視圖。參照 圖3，可通過將如上所述構(gòu)造的發(fā)光二極管器件安裝在板105上來實(shí)現(xiàn)發(fā)光裝置。因此，在 圖3中省略了表示這樣的發(fā)光二極管器件的標(biāo)號(hào)。板105包括第一導(dǎo)體和第二導(dǎo)體，從而 使得來自外部的功率施加到板105上。板105可使用具有形成在絕緣底板(base)上的電 路圖案的電路板，導(dǎo)線被設(shè)置為連接發(fā)光二極管器件與電路圖案。考慮到發(fā)光二極管器件 發(fā)射光穿過如上所述發(fā)光二極管芯片的第一表面和側(cè)表面，安裝發(fā)光二極管器件使得發(fā)光 二極管芯片的第二表面面對(duì)板105。即使在圖中僅示出了發(fā)光二極管器件相對(duì)于板105的安裝，但可將發(fā)光二極管器件安裝在引線框架上從而設(shè)置為普通的封裝件。如果將發(fā)光二 極管器件設(shè)置為封裝件，則這里不需要將熒光物質(zhì)注入到杯狀的封裝體中，并且可以在每 個(gè)發(fā)光方向上實(shí)現(xiàn)均勻的色溫。在下文中，將描述高效地制造如上所述構(gòu)造的發(fā)光二極管器件的方法。圖4A至圖 9是根據(jù)本發(fā)明示例性實(shí)施例用于順序地解釋制造發(fā)光二極管器件的方法的剖視圖。首先，由預(yù)先形成發(fā)光二極管器件的第一電連接部分和第二電連接部分以及用于 構(gòu)成發(fā)光二極管器件的波長(zhǎng)轉(zhuǎn)換部分的部分的工藝準(zhǔn)備熒光基底。這里，熒光基底是指熒 光物質(zhì)分散在絕緣主體的樹脂內(nèi)并且設(shè)置有穿過絕緣主體的導(dǎo)電通孔的基底。圖4A至圖 4C示出了準(zhǔn)備熒光基底的工藝。首先，如圖4A中所述，均包括鍍層的第一電連接部分10 和第二電連接部分104b形成在載帶膜201上。為此，載帶膜201可經(jīng)受在先的工藝處理，盡 管未在圖中示出，但是該工藝與在載帶膜201上形成種子層以及形成具有與第一電連接部 分10 和第二電連接部分104b的形狀對(duì)應(yīng)的開口的圖案有關(guān)。通過后面的工藝，第一電 連接部分10 和第二電連接部分104b可用作熒光基底中的導(dǎo)電通孔。具體來說，準(zhǔn)備熒 光基底的步驟可以包括在載帶膜上形成具有開口的圖案；在所述開口中形成導(dǎo)電通孔； 去除所述圖案；在載帶膜上形成圍繞導(dǎo)電通孔的熒光樹脂。此后，如圖4B中所示，包含熒光物質(zhì)的樹脂(S卩，熒光樹脂)形成在載帶膜201上， 并且該樹脂結(jié)構(gòu)與熒光基底的絕緣主體102對(duì)應(yīng)。此外，如上所述，熒光樹脂固化，從而形 成發(fā)光二極管器件中的波長(zhǎng)轉(zhuǎn)換部分102。因此，可將絕緣主體和波長(zhǎng)轉(zhuǎn)換部分看作基本相 同(在下文中，這兩個(gè)術(shù)語彼此可互換使用)。熒光樹脂形成在第一電連接部分10 和第 二電連接部分104b的周圍。如圖4B所示，在用熒光樹脂覆蓋第一電連接部分10 和第二 電連接部分104b的情況下，會(huì)需要由通過打磨(grinding)等來部分地去除熒光樹脂以將 第一電連接部分10 和第二電連接部分104b暴露到外部的工藝。在這種情況下，圖4C中 示出的去除熒光樹脂的工藝也可以以精確地控制從發(fā)光二極管器件發(fā)射的光的色坐標(biāo)的 方式執(zhí)行?？梢詫⒌谝浑娺B接部分10 和第二電連接部分104b的暴露區(qū)域設(shè)置為最終的 發(fā)光二極管器件中的引線鍵合區(qū)域。因?yàn)槌私^緣主體由熒光樹脂形成之外，上面參照?qǐng)D4A至圖4C描述的準(zhǔn)備熒光 基底的工藝與制造印刷電路板的普通工藝類似，所以熒光基底會(huì)易于準(zhǔn)備。此外，以上述方 式形成的熒光基底的絕緣主體構(gòu)成了波長(zhǎng)轉(zhuǎn)換部分102，并且根據(jù)預(yù)先測(cè)量的發(fā)光二極管 芯片的通量(flux)或波長(zhǎng)可以以該絕緣主體的厚度或熒光物質(zhì)的含量的條件來適當(dāng)?shù)乜?制該絕緣主體。因此，可根據(jù)發(fā)光二極管芯片的各種特性在將波長(zhǎng)轉(zhuǎn)換部分適當(dāng)調(diào)整之后 采用之。因此，在最終的發(fā)光二極管器件中，能夠使色坐標(biāo)的變化最小化。此后，如圖5中所示，將發(fā)光二極管芯片101設(shè)置在熒光基底上。詳細(xì)地講，設(shè)置 在每個(gè)發(fā)光二極管芯片101的一個(gè)表面上的第一電極103a和第二電極10 分別與暴露在 熒光基底上的第一電連接部分10 和第二電連接部分104b連接。為此，盡管在圖中未示 出印刷的焊料、焊料球、焊料塊等，但是它們可以形成在第一電極103a和第一電連接部分 10 之間以及第二電極10 和第二電連接部分104b之間。此后，如圖6A中所示，在發(fā)光二極管芯片101和熒光基底之間的空間中執(zhí)行底部 填充(underfilling)，以形成底部填充樹脂部分106。底部填充樹脂部分106可構(gòu)成發(fā)光 二極管器件中的波長(zhǎng)轉(zhuǎn)換部分，并且可以具有熒光物質(zhì)分散在透明樹脂內(nèi)的結(jié)構(gòu)，如在熒光基底的絕緣主體中一樣。可選地，如圖6B中所示，底部填充部分106'可僅由透明樹脂形 成而不具有熒光物質(zhì)。然而，這里描述的底部填充工藝不是必須的，可以用隨后的形成樹脂 部分的工藝中的樹脂來填充發(fā)光二極管芯片101與熒光基底之間的空間。此后，如圖7A中所示，形成樹脂部分107以包封發(fā)光二極管芯片101的側(cè)表面。與 熒光體的絕緣主體(即，波長(zhǎng)轉(zhuǎn)換部分10 和底部填充樹脂部分106相同，樹脂部分107可 具有在透明樹脂內(nèi)分散有熒光物質(zhì)的結(jié)構(gòu)。然而，如圖7B中所示，考慮到從發(fā)光二極管芯 片101的側(cè)表面發(fā)射的光與從第一表面發(fā)射的光相比具有較低水平的強(qiáng)度，樹脂部分107 可僅由透明樹脂形成而不具有熒光物質(zhì)。此后，如圖8中所示，去除載帶膜201，從而暴露第一電連接部分10 和第二電連 接部分104b。在圖8中，示出了可認(rèn)為具有與上述構(gòu)造相同的熒光基底的主體、底部填充 樹脂部分106和樹脂部分107，如同形成單個(gè)的波長(zhǎng)轉(zhuǎn)換部分102 —樣。隨后，如圖9中所 示，將連接多個(gè)發(fā)光二極管器件100的單個(gè)的波長(zhǎng)轉(zhuǎn)換部分102切成單獨(dú)的器件。在單獨(dú) 制造發(fā)光二極管器件100的情況下，不需要該工藝。然而，由于多個(gè)發(fā)光二極管芯片101被 安裝在熒光基底上，所以該工藝會(huì)有利于多個(gè)發(fā)光二極管器件100的制造。圖10和圖11是分別示出根據(jù)本發(fā)明其它示例性實(shí)施例的發(fā)光二極管器件的示意 性透視圖。參照?qǐng)D10，與先前的實(shí)施例一樣，發(fā)光二極管器件300包括具有第一電極303a 和第二電極30 的發(fā)光二極管芯片301、波長(zhǎng)轉(zhuǎn)換部分302、第一電連接部分30 和第二 電連接部分304b。其與圖2描述的結(jié)構(gòu)的區(qū)別在于，設(shè)置在發(fā)光二極管芯片301的側(cè)表面 上的樹脂部分由透明樹脂形成而沒有熒光物質(zhì)。通過使用圖7B中描述的工藝可以獲得具 有上述結(jié)構(gòu)的發(fā)光二極管器件300。此后，與先前的實(shí)施例一樣，在圖11中示出的發(fā)光二極管器件400包括具有第一 電極403a和第二電極40 的發(fā)光二極管芯片401、波長(zhǎng)轉(zhuǎn)換部分402、第一電連接部分 40 和第二電連接部分404b。其與圖2描述的結(jié)構(gòu)的區(qū)別在于，位于在發(fā)光二極管芯片 401的第一表面上并圍繞第一電極403a和第二電極40 的底部填充樹脂部分406由透明 樹脂形成而沒有熒光物質(zhì)。通過使用圖6B中描述的工藝可以獲得具有上述結(jié)構(gòu)的發(fā)光二 極管器件400。如上所述，根據(jù)本發(fā)明的示例性實(shí)施例，提供了一種能夠提高發(fā)光效率并在白光 發(fā)射方面實(shí)現(xiàn)均勻的產(chǎn)品特性的發(fā)光二極管器件。此外，提供了用于容易并高效地制造上 述發(fā)光二極管器件的工藝。盡管已經(jīng)結(jié)合示例性實(shí)施例示出并描述了本發(fā)明，但是本領(lǐng)域技術(shù)人員應(yīng)該清 楚，在不脫離由權(quán)利要求所限定的本發(fā)明的精神和范圍的情況下，可以作出修改和改變。8
權(quán)利要求
1.一種發(fā)光二極管器件，包括發(fā)光二極管芯片，具有第一表面和與第一表面相對(duì)的第二表面，在第一表面上設(shè)置有 第一電極和第二電極；波長(zhǎng)轉(zhuǎn)換部分，包括熒光物質(zhì)并覆蓋發(fā)光二極管芯片的第一表面和側(cè)表面，其中，側(cè)表 面是指位于第一表面和第二表面之間的表面；第一電連接部分和第二電連接部分，均包括鍍層，分別連接到第一電極和第二電極并 暴露于波長(zhǎng)轉(zhuǎn)換部分的外部。
2.如權(quán)利要求1所述的發(fā)光二極管器件，其中，熒光物質(zhì)僅設(shè)置在波長(zhǎng)轉(zhuǎn)換部分的覆 蓋發(fā)光二極管芯片的第一表面的區(qū)域中。
3.如權(quán)利要求1所述的發(fā)光二極管器件，其中，熒光物質(zhì)設(shè)置在波長(zhǎng)轉(zhuǎn)換部分的覆蓋 發(fā)光二極管芯片的第一表面和側(cè)表面的全部區(qū)域中。
4.如權(quán)利要求1所述的發(fā)光二極管器件，其中，在發(fā)光二極管芯片的第二表面上不存 在波長(zhǎng)轉(zhuǎn)換部分。
5.如權(quán)利要求1所述的發(fā)光二極管器件，其中，在波長(zhǎng)轉(zhuǎn)換部分的位于發(fā)光二極管芯 片的第一表面上并圍繞第一電極和第二電極的側(cè)表面的區(qū)域中不存在熒光物質(zhì)。
6.一種發(fā)光裝置，包括芯片安裝部分，包括第一導(dǎo)體和第二導(dǎo)體，從而使得來自外部的功率施加到芯片安裝 部分；發(fā)光二極管器件，包括發(fā)光二極管芯片，具有第一表面和與第一表面相對(duì)的第二表 面，在第一表面上設(shè)置有第一電極和第二電極；波長(zhǎng)轉(zhuǎn)換部分，包括熒光物質(zhì)并覆蓋發(fā)光二 極管芯片的第一表面和側(cè)表面，其中，側(cè)表面是指位于第一表面和第二表面之間的表面；第 一電連接部分和第二電連接部分，均包括鍍層，分別連接到第一電極和第二電極并暴露于 波長(zhǎng)轉(zhuǎn)換部分的外部；導(dǎo)線，將第一電連接部分連接到第一導(dǎo)體，將第二電連接部分連接到第二導(dǎo)體。
7.如權(quán)利要求6所述的發(fā)光裝置，其中，發(fā)光二極管器件被設(shè)置成使第二表面面對(duì)芯 片安裝部分。
8.如權(quán)利要求6所述的發(fā)光裝置，其中，芯片安裝部分是電路板。
9.一種制造發(fā)光二極管器件的方法，所述方法包括以下步驟準(zhǔn)備包括主體和穿透主體的導(dǎo)電通孔的熒光基底，在所述主體中，熒光物質(zhì)分散在樹 脂內(nèi)；將具有第一表面和與第一表面相對(duì)的第二表面的發(fā)光二極管芯片設(shè)置在熒光基底上， 第一電極和第二電極形成在所述第一表面上，使得第一電極和第二電極連接到導(dǎo)電通孔；形成樹脂部分以至少包封發(fā)光二極管芯片的側(cè)表面，其中，側(cè)表面是指位于第一表面 和第二表面之間的表面。
10.如權(quán)利要求9所述的方法，其中，每個(gè)導(dǎo)電通孔包括鍍層。
11.如權(quán)利要求9所述的方法，其中，執(zhí)行將發(fā)光二極管芯片設(shè)置在熒光基底上的步 驟，以使第一表面面對(duì)熒光基底。
12.如權(quán)利要求9所述的方法，所述方法還包括在將發(fā)光二極管芯片設(shè)置在熒光基底 上的步驟之后，對(duì)由在發(fā)光二極管芯片與熒光基底之間的第一電極和第二電極形成的區(qū)域進(jìn)行底部填充的步驟。
13.如權(quán)利要求12所述的方法，其中，在底部填充的步驟中，將包括熒光物質(zhì)的底部填 充樹脂注入到所述區(qū)域中。
14.如權(quán)利要求9所述的方法，其中，樹脂部分包括熒光物質(zhì)。
15.如權(quán)利要求9所述的方法，其中，準(zhǔn)備熒光基底的步驟包括 在載帶膜上形成具有開口的圖案；在所述開口中形成導(dǎo)電通孔； 去除所述圖案；在載帶膜上形成圍繞導(dǎo)電通孔的熒光樹脂。
16.如權(quán)利要求15所述的方法，所述方法還包括在形成樹脂部分之后，去除載帶膜并 使導(dǎo)電通孔暴露。
全文摘要
本發(fā)明提供了一種發(fā)光二極管器件。所述發(fā)光二極管器件包括發(fā)光二極管芯片，具有第一表面和與第一表面相對(duì)的第二表面，在第一表面上設(shè)置有第一電極和第二電極；波長(zhǎng)轉(zhuǎn)換部分，包括熒光物質(zhì)并覆蓋發(fā)光二極管芯片的第一表面和側(cè)表面，其中，側(cè)表面是指位于第一表面和第二表面之間的表面；第一電連接部分和第二電連接部分，均包括鍍層，分別連接到第一電極和第二電極并暴露于波長(zhǎng)轉(zhuǎn)換部分的外部。從而，提供了一種能夠提高發(fā)光效率并實(shí)現(xiàn)在白光發(fā)射方面均勻的產(chǎn)品特性的發(fā)光二極管器件。此外，提供了用于容易并高效地制造上述發(fā)光二極管器件的工藝。
文檔編號(hào)H01L33/50GK102044617SQ201010508578
公開日2011年5月4日 申請(qǐng)日期2010年10月13日 優(yōu)先權(quán)日2009年10月13日
發(fā)明者樸正圭 申請(qǐng)人:三星Led株式會(huì)社