專利名稱：一種發(fā)光二極管的smd導線架制造方法
技術領域：
本發(fā)明公開一種發(fā)光二極管的SMD導線架制造方法，且特別有關于在導線區(qū)域上進行兩次塑模射出成型。
背景技術：
由于發(fā)光二極管(Light-Emitting Diode, LED)壽命長、無污染、低功耗的特性備受青睞，乃成為當前綠色照明浪潮的主流，無論在功能性照明、景觀裝飾照明、液晶顯示背光照明及汽車照明等市場中，LED所占比率皆高度成長。雖然如此，但LED的封裝仍存在一些技術上的問題，導致LED照明燈具的晶粒壽命比預期的短，不利于LED照明燈具產業(yè)的長期發(fā)
現(xiàn)有發(fā)光二極管的表面貼裝器件(Surface Mounted Devices, SMD)導線架制程技術已揭露于中國臺灣發(fā)明專利公開號第200849535號，其主要制程為在導線區(qū)域上進行塑模射出一晶粒座，然后將接腳折彎。其晶粒座內埋端的接腳可與發(fā)光二極管芯片電性連接， 其折彎后外露于外膠壁的接腳則與電路板(Printed Circuit Board，簡稱PCB)電性連接。 由于此一現(xiàn)有制程所生產發(fā)光二極管的SMD導線架，其外膠壁外的接腳無法完全包覆于塑料之內，必須進行額外的封膠制程，但該封膠制程通常無法完全將外膠壁外的該接腳完全包覆，導致水汽會沿著該外露的接腳滲入，或該外露的接腳易于氧化、硫化，以致發(fā)光二極管芯片毀壞的問題。為了能夠解決現(xiàn)有技術的各項問題，本發(fā)明人基于多年研究開發(fā)與諸多實務經驗，提出一種發(fā)光二極管的SMD導線架制造方法，以改善上述現(xiàn)有技術的缺點并能兼容并蓄其優(yōu)點。

發(fā)明內容
有鑒于上述現(xiàn)有技術的問題，本發(fā)明之一目的即在于提供一種發(fā)光二極管的SMD 導線架制造方法，以改善發(fā)光二極管的SMD導線架晶粒座的接腳外露，易于氧化、硫化，導致發(fā)光二極管使用壽命減少的缺點。緣是，為達上述目的，本發(fā)明提供一種發(fā)光二極管的SMD導線架制造方法，包含步驟 S61 S68。首先于步驟S61，提供一金屬基板；接著于該金屬基板上進行步驟S62，沖壓多數(shù)個導線區(qū)域，并且每一導線區(qū)域包含至少一接腳；于步驟S63，電鍍該金屬基板；之后，于步驟S64，在每一導線區(qū)域上進行第一次塑模射出以成型一基座，該基座具有固接該接腳的功能；其次，于步驟S65，進行沖模裁切下料去除料腳；然后，于步驟S66，進行兩段沖模，將接腳折彎在該基座上；其后，于步驟S67,在該基座上進行第二次塑模射出以成型一絕緣殼體，該絕緣殼體將折彎于該基座上的接腳完全包覆于該絕緣殼體內即成一晶粒座；最后，于步驟S68，進行沖模裁切下料去除料腳，得到具有多數(shù)個發(fā)光二極管的SMD導線架。本發(fā)明一種發(fā)光二極管的SMD導線架制造方法，在另一具體實施例中，亦可將步驟S66中的兩段沖模折彎制程中的第一段沖模折彎制程移至電鍍該金屬基板(步驟S63) 前進行。緣是，本發(fā)明一種發(fā)光二極管的SMD導線架制造方法，其特征在于在發(fā)光二極管的SMD導線架上進行兩次塑模射出。其成品的晶粒座外膠壁上并無外露的接腳，可以避免以現(xiàn)有制程技術制造的發(fā)光二極管的導線架，水汽會沿著外露的接腳滲入，或該外露的接腳易于氧化、硫化或發(fā)光二極管的導線架沿著與PCB接面四周封保護膠卻不易完全封到外露接腳的問題。另外，發(fā)光二極管的下游封裝廠商，將發(fā)光二極管黏晶封裝在導線架之后，為了解決光源不均勻的散色問題，必須將晶粒座的白色表面以各種技術將表面處理成黑色，以吸收外部光線及該發(fā)光二極管本身的反射光線。本發(fā)明的進一步特征在于，第一次塑模射出成型的基座，其材料為具有高反射率的白色塑料，以提升發(fā)光二極管封裝后的出光效率；第二次塑模射出成型的絕緣殼體，其材料為有色塑料，較佳地該有色塑料為完全不透光的黑色塑料，則可簡化下游廠商必須將封裝后的晶粒座以各種技術將表面處理成黑色的制程。承上所述，本發(fā)明的導線架結構，其可具有下述優(yōu)點本發(fā)明的一種發(fā)光二極管的SMD導線架制造方法，其一目的為在導線架上進行兩次塑模射出，解決現(xiàn)有技術產生的接腳外露的問題，同時也解決了發(fā)光二極管的SMD導線架外露的接腳的封膠問題，更一舉克服了產業(yè)界長期以來無法解決的接腳外露，易于氧化、 硫化的問題。本發(fā)明的一種發(fā)光二極管的SMD導線架制造方法，其另一目的在于第一次塑模射出成型的基座，其材料為具有高反射率的白色塑料，以提升發(fā)光二極管封裝后的出光效率。本發(fā)明的一種發(fā)光二極管的SMD導線架制造方法，其又一目的在于第二次塑模射出成型的絕緣殼體，其材料為有色塑料，較佳地該有色塑料為完全不透光的黑色塑料，以簡化下游廠商的制程。茲為使貴審查委員對本發(fā)明的技術特征及所達到的功效有更進一步的了解與認識，謹佐以較佳的實施例及配合詳細的說明如后，然所例舉的具體實施例與圖示僅提供參考與說明用，并非用來對本發(fā)明加以限制者。


圖1為現(xiàn)有技術的發(fā)光二極管導線架的制造方法的流程圖。圖2為現(xiàn)有發(fā)光二極管導線架示意圖。圖3為本發(fā)明一種發(fā)光二極管的SMD導線架制造方法的較佳實施例流程圖。圖4為本發(fā)明一種發(fā)光二極管的SMD導線架制程的較佳實施例示意圖。圖5以本發(fā)明一種發(fā)光二極管的SMD導線架制造方法制造的晶粒座示意圖。主要元件符號說明2導線區(qū)域20晶粒座210接腳230外膠壁
610基座630絕緣殼體Sll S15制造方法步驟S61 S68制造方法步驟
具體實施例方式以下將參照相關圖式，說明依本發(fā)明一種發(fā)光二極管的SMD導線架制造方法的實施例，為使便于理解，下述實施例中的相同元件以相同的符號標示來說明。請同時參閱圖1及圖2。圖1為現(xiàn)有技術的發(fā)光二極管導線架的制造方法的流程圖。圖中顯示現(xiàn)有的發(fā)光二極管導線架的制造方法包含步驟Sll S15，其中步驟Sll S15所述的相關元件如導線區(qū)域2、接腳210以及晶粒座20標示于圖2。首先于步驟S11，提供一金屬基板；接著于該金屬基板上進行步驟S12，沖壓多數(shù)個導線區(qū)域2，并且每一導線區(qū)域2包含至少一接腳210 ；于步驟S13，電鍍該金屬基板；之后，于步驟S14，以射出成型方式在每一導線區(qū)域2上形成晶粒座20，再將接腳210折彎；最后，于步驟S15，在金屬基板上沖模裁切下料，以得到多數(shù)個發(fā)光二極管導線架。請參閱圖2，其為現(xiàn)有發(fā)光二極管導線架示意圖。圖中顯示以現(xiàn)有技術的發(fā)光二極管導線架的制造方法完成的發(fā)光二極管導線架，其與發(fā)光二極管晶粒電性連接之內埋端的接腳210雖可包覆在樹脂封料內，但其外露于外膠壁230的接腳210會讓環(huán)境中的水汽沿著該外露的接腳210滲入，而必須進行額外的封膠制程，但該封膠制程通常無法完全將外膠壁230外的該接腳210完全包覆，另外該外露的接腳210也因暴露于外界環(huán)境而易于氧化及硫化。請參閱圖3、圖4及圖5。圖3為本發(fā)明一種發(fā)光二極管的SMD導線架制造方法的較佳實施例流程圖；圖4為本發(fā)明一種發(fā)光二極管的SMD導線架制程的較佳實施例示意圖。圖中顯示本發(fā)明一種發(fā)光二極管的SMD導線架制造方法包含步驟S61 S68，其中步驟 S61 S68所述的相關元件如導線區(qū)域2、接腳210、基座610、絕緣殼體630以及晶粒座20 標示于圖4及圖5。首先于步驟S61，提供一金屬基板；接著于該金屬基板上進行步驟S62，沖壓多數(shù)個導線區(qū)域2，并且每一導線區(qū)域2包含至少一接腳210 ；于步驟S63，電鍍該金屬基板；之后，于步驟S64，在每一導線區(qū)域2上進行第一次塑模射出以成型一基座610，該基座610 具有固接該接腳210的功能；其次，于步驟S65，進行沖模裁切下料去除料腳；然后，于步驟 S66，進行兩段沖模，將每一導線區(qū)域2上的接腳210折彎在該基座610上；其后，于步驟 S67，在該基座610上進行第二次塑模射出以成型一絕緣殼體630，該絕緣殼體630將折彎于該基座上的接腳210完全包覆于該絕緣殼體630內即成一晶粒座20;最后，于步驟S68，進行沖模裁切下料去除料腳，得到具有多數(shù)個發(fā)光二極管的SMD導線架。請參見圖5，其以本發(fā)明一種發(fā)光二極管的SMD導線架制造方法制造的晶粒座示意圖。圖中，該接腳210完全包覆于該絕緣殼體630內。由于本發(fā)明一種發(fā)光二極管的SMD導線架制造方法，在該導線區(qū)域2進行第一次塑模射出時，將接腳210的一端固接于該基座610上，再以兩段沖模折彎該接腳210的另一端，并以第二次塑模射出成型絕緣殼體630將該折彎的接腳210完全包覆在樹脂封料內，因此現(xiàn)有技術接腳210外露的問題迎刃而解。本發(fā)明一種發(fā)光二極管的SMD導線架制造方法，在本較佳實施例中，在第一次塑模射出成型與沖模裁切下料(步驟S64與步驟S6Q后，進行步驟S66的兩段沖模折彎制程。 但在另一具體實施例中，亦可將步驟S66中的兩段沖模折彎制程中的第一段沖模折彎制程移至電鍍該金屬基板(步驟S6!3)前進行。本發(fā)明一種發(fā)光二極管的SMD導線架制造方法，在另一較佳實施例中，于第一次塑模射出成型的基座610，其材料為具有高反射率的白色塑料，以提升發(fā)光二極管封裝后的出光效率。本發(fā)明一種發(fā)光二極管的SMD導線架制造方法，在又一較佳實施例中，該第二次塑模射出成型的絕緣殼體630，其材料為有色塑料，該有色塑料較佳為完全不透光的黑色塑料。本發(fā)明一種發(fā)光二極管的SMD導線架制造方法，亦可應用于其他固態(tài)發(fā)光元件的導線架制造，如有機發(fā)光二極管(Organic Light Emitting Diode，0LED)的導線架制造、電激發(fā)光(Electro Luminescence, EL)的導線架制造。以上具體實施例所述僅為本發(fā)明的例舉，而非為限制性者。任何未脫離本發(fā)明的精神與范疇，而對其進行的等效修改或變更，均應包含于后附的權利要求書中。
權利要求
1.一種發(fā)光二極管的SMD導線架制造方法，其特征在于，包含下列步驟提供一金屬基板；在該金屬基板上沖壓多數(shù)個導線區(qū)域，并且每一導線區(qū)域包含至少一接腳；然后，電鍍該金屬基板；之后，在每一導線區(qū)域進行第一次塑模射出以成型一基座；其次，進行沖模裁切下料去除料腳；然后，進行兩段沖模將每一導線區(qū)域上的接腳折彎在該等基座上；其后， 在該等基座上進行第二次塑模射出以成型一絕緣殼體，以將折彎于該等基座上的接腳完全包覆于該等絕緣殼體內；最后，進行沖模裁切下料去除料腳，以得到具有多數(shù)個發(fā)光二極管的SMD導線架。
2.一種發(fā)光二極管的SMD導線架制造方法，其特征在于，包含下列步驟提供一金屬基板；在該金屬基板上沖壓多數(shù)個導線區(qū)域，并且每一導線區(qū)域包含至少一接腳；然后，進行第一段沖模將每一導線區(qū)域上的接腳折彎；其后，電鍍該金屬基板；之后，在每一導線區(qū)域進行第一次塑模射出以成型一基座；其次，進行沖模裁切下料去除料腳；然后，進行第二段沖模將每一導線區(qū)域上的接腳折彎在該等基座上；其后，在該等基座上進行第二次塑模射出以成型一絕緣殼體，以將折彎于該等基座上的接腳完全包覆于該等絕緣殼體內；最后，進行沖模裁切下料去除料腳，以得到具有多數(shù)個發(fā)光二極管的SMD導線架。
3.如權利要求1或2所述的一種發(fā)光二極管的SMD導線架制造方法，其中該等基座，其材料為具有高反射率的白色塑料，以提升發(fā)光二極管封裝后的出光效率。
4.如權利要求1或2所述的一種發(fā)光二極管的SMD導線架制造方法，其中該等絕緣殼體，其材料為有色塑料，且該有色塑料為完全不透光的黑色塑料。
5.如權利要求1或2所述的一種發(fā)光二極管的SMD導線架制造方法，其中該導線架包括有機發(fā)光二極管(OLED)的導線架及電激發(fā)光(EL)的導線架。
全文摘要
本發(fā)明公開一種發(fā)光二極管的SMD導線架制造方法，其特征在于在導線區(qū)域上進行兩次塑模射出。首先在導線區(qū)域進行第一次塑模射出以成型一基座，其目的在固接導線架的接腳；其次將該導線區(qū)域的接腳進行兩次沖模折彎于該基座上；然后在該基座上進行第二次塑模射出成型一絕緣殼體，該絕緣殼體將折彎于該基座上的接腳完全包覆于該絕緣殼體內完成一晶粒座。本發(fā)明的進一步特征在于，該第二次塑模射出成型的絕緣殼體，其材料為不可透光的有色塑料，該有色塑料較佳為黑色。
文檔編號H01L33/00GK102290497SQ20101051119
公開日2011年12月21日 申請日期2010年10月13日 優(yōu)先權日2010年10月13日
發(fā)明者吳金寶 申請人:連得科技股份有限公司