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      Pin-fet高靈敏度探測器to-can同軸小型化封裝方法

      文檔序號:6818267閱讀:522來源:國知局
      專利名稱:Pin-fet高靈敏度探測器to-can同軸小型化封裝方法
      技術(shù)領(lǐng)域
      本發(fā)明涉及用于慣性導航系統(tǒng)中的半導體光電器件制造,具體是一種PIN-FET高 靈敏度探測器TO-CAN同軸小型化封裝方法。
      背景技術(shù)
      目前,對于慣性導航光纖陀螺對小型化的要求越來越高,而現(xiàn)有光電器件無法滿 足光纖陀螺的整體體積小型化的使用要求。發(fā)明內(nèi)容
      本發(fā)明所要解決技術(shù)問題是,提供一種能夠減小光電器件的體積、降低功耗的 PIN-FET高靈敏度探測器TO-CAN同軸小型化封裝方法。
      本發(fā)明的方法是a.對鐵鎳鈷合金材料的TO-CAN底座表面鍍金,在焊接了陶瓷熱沉的TO-CAN底座上設(shè) 置用于導熱的Case點;b.采用薄膜濺射工藝對陶瓷熱沉表面鍍金;采用環(huán)氧樹脂焊料將陶瓷熱沉焊接到 TO-CAN底座上;c.將集成芯片、探測器PD芯片、濾波電容采用導電環(huán)氧樹脂焊料焊接到TO-CAN底座上;d.進行金絲焊,接連接芯片外連接導線。
      本發(fā)明的方法同時滿足了性能和可靠性的要求,其實現(xiàn)小型化最為關(guān)鍵的就是將 陶瓷電路板上的分立元件集成在一個以砷化鎵為襯底的集成芯片上,解決分立元件的體積 過大的問題。由于將FET、PNP、NPN這個三個分立的元器件集成在一個芯片上,因而其體積 小便于封裝成TO-CAN同軸小型化,相對傳統(tǒng)的蝶形封裝其體積小、功耗低。
      具體實施方式
      本發(fā)明實施例的方法是a.對鐵鎳鈷合金材料的TO-CAN底座表面鍍金,在焊接了陶瓷熱沉的TO-CAN底座上設(shè) 置用于導熱的Case點;b.采用薄膜濺射工藝對陶瓷熱沉表面鍍金;采用環(huán)氧樹脂焊料將陶瓷熱沉焊接到 TO-CAN底座上;c.將集成芯片、探測器PD芯片、濾波電容采用導電環(huán)氧樹脂焊料焊接到TO-CAN底座上;d.進行金絲焊,接連接芯片外連接導線。
      本發(fā)明發(fā)明方法獲得的器件體積相當于傳統(tǒng)器件體積的30%,從而使得慣導光纖 陀螺的整體體積更小,便于裝備在更多型號上,同時低成本。
      權(quán)利要求
      1. 一種PIN-FET高靈敏度探測器TO-CAN同軸小型化封裝方法,其特征是a.對鐵鎳鈷合金材料的TO-CAN底座表面鍍金,在焊接了陶瓷熱沉的TO-CAN底座上設(shè) 置用于導熱的Case點;b.采用薄膜濺射工藝對陶瓷熱沉表面鍍金;采用環(huán)氧樹脂焊料將陶瓷熱沉焊接到 TO-CAN底座上;c.將集成芯片、探測器PD芯片、濾波電容采用導電環(huán)氧樹脂焊料焊接到TO-CAN底座上;d.進行金絲焊,接連接芯片外連接導線。
      全文摘要
      本發(fā)明涉及用于慣性導航系統(tǒng)中的半導體光電器件制造,具體是一種PIN-FET高靈敏度探測器TO-CAN同軸小型化封裝方法。本發(fā)明的方法是a.對鐵鎳鈷合金材料的TO-CAN底座表面鍍金,在焊接了陶瓷熱沉的TO-CAN底座上設(shè)置用于導熱的Case點;b.采用薄膜濺射工藝對陶瓷熱沉表面鍍金;采用環(huán)氧樹脂焊料將陶瓷熱沉焊接到TO-CAN底座上;c.將集成芯片、探測器PD芯片、濾波電容采用導電環(huán)氧樹脂焊料焊接到TO-CAN底座上;d.進行金絲焊,接連接芯片外連接導線。本發(fā)明將FET、PNP、NPN這個三個分立的元器件集成在一個芯片上,因而其體積小便于封裝成TO-CAN同軸小型化器件,相對傳統(tǒng)的蝶形封裝其體積小、功耗低。
      文檔編號H01L31/18GK102034719SQ20101051790
      公開日2011年4月27日 申請日期2010年10月25日 優(yōu)先權(quán)日2010年10月25日
      發(fā)明者詹敦平 申請人:江蘇飛格光電有限公司
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