專利名稱：有機(jī)el器件制造裝置及制造方法和成膜裝置及成膜方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及有機(jī)EL器件制造裝置及其制造方法和成膜裝置及成膜方法，特別涉 及適用于大型襯底對(duì)準(zhǔn)的有機(jī)EL器件制造裝置及其制造方法和成膜裝置及成膜方法。
背景技術(shù)：
真空蒸鍍法是作為制造有機(jī)EL器件的有力的方法。在真空蒸鍍時(shí)需要對(duì)準(zhǔn)襯底 與掩膜。近年來處理的襯底日趨大型化，G6代的襯底尺寸達(dá)到1500mmX1800mm。若襯底尺 寸大型化，則掩膜也理所當(dāng)然地大型化，其尺寸達(dá)到2000mmX2000mm左右。特別是若使用 鋼制的掩膜，則其重量達(dá)到300Kg。在以往，使襯底與掩膜處于水平并對(duì)位。作為那樣的現(xiàn) 有技術(shù)存在下述的專利文獻(xiàn)1。此外，在真空蒸鍍法中，如圖4所示，使在要蒸鍍的位置具有開口部的掩膜緊貼作 為處理對(duì)象的襯底進(jìn)行處理。由于蒸鍍材料的附著而使孔的形狀改變，該掩膜每隔半天至 一天就需要更換。在以往，如圖14所示，在具有進(jìn)行真空蒸鍍的處理室S的設(shè)備組C中設(shè) 置有保管更換用及已使用的掩膜M的作為真空室的掩膜保管室H，通過進(jìn)行襯底搬運(yùn)的搬 運(yùn)機(jī)械手R將其搬運(yùn)至處理室S并安放(專利文獻(xiàn)2)。此外，在專利文獻(xiàn)3中公開有以下內(nèi)容，為使掩膜尺寸收束在所希望的范圍內(nèi)，將 預(yù)先加溫掩膜的加溫室與處理室相鄰設(shè)置，在必要時(shí)更換處理室的掩膜。然而，在加溫室中 僅記述有加溫設(shè)備，可以認(rèn)為如專利文獻(xiàn)3的第一實(shí)施方式所記述的那樣，使用與專利文 獻(xiàn)2同樣的進(jìn)行襯底搬運(yùn)的搬運(yùn)機(jī)械手等來進(jìn)行其搬入搬出。專利文獻(xiàn)1 日本特開2006-302896號(hào)公報(bào)專利文獻(xiàn)2 日本特開2003-027213號(hào)公報(bào)專利文獻(xiàn)3 日本特開2006-196360號(hào)公報(bào)然而，如圖13所示，專利文獻(xiàn)1所公開的使襯底與掩膜橫放并對(duì)準(zhǔn)的方法由于襯 底及掩膜的薄度和自重而大幅地彎曲。雖然若該彎曲相同，則將其考慮進(jìn)去制作掩膜即可， 但理所當(dāng)然地，該彎曲越接近中心就變的越大，當(dāng)襯底尺寸變大時(shí)，制作變得困難。此外，一 般來說，若襯底的彎曲是dl，掩膜的彎曲是d2，其中心點(diǎn)位置的彎曲量為dl > d2。若襯底 彎曲變大，則由于襯底蒸鍍面與掩膜接觸而產(chǎn)生接觸劃傷，從而不能使其緊貼。因此，存在 當(dāng)分離至景深以上對(duì)準(zhǔn)時(shí)，精度變差，從而變成缺陷產(chǎn)品的問題。特別是顯示裝置用襯底不 能得到高清彩色畫面。此外，在專利文獻(xiàn)1所公開的方法中，由于對(duì)準(zhǔn)襯底與掩膜的機(jī)構(gòu)整體設(shè)置在真 空內(nèi)，所以存在伴隨著驅(qū)動(dòng)部等的移動(dòng)產(chǎn)生粉塵及熱的可能性，前者泄漏至真空內(nèi)會(huì)導(dǎo)致 泄漏粉塵附著在襯底或掩膜上而引起蒸鍍?nèi)毕?，后者的熱量助長(zhǎng)掩膜的熱膨脹，從而使蒸 鍍尺寸變化，存在兩者導(dǎo)致成品率即生產(chǎn)率降低的問題。另外，由于對(duì)準(zhǔn)襯底與掩膜的機(jī)構(gòu)整體設(shè)置在真空內(nèi)，所以一旦驅(qū)動(dòng)部等產(chǎn)生故 障，則維護(hù)需要時(shí)間，存在裝置的運(yùn)轉(zhuǎn)率降低的問題。此外，在專利文獻(xiàn)2、3所公開的方法中需要有能夠搬運(yùn)掩膜的搬運(yùn)機(jī)械手，但存在難以制作與容納滿足上述要求的搬運(yùn)機(jī)械手的處理室的大小所對(duì)應(yīng)的現(xiàn)實(shí)的大小，例 如，5m的角狀的搬運(yùn)室的問題。另外，在專利文獻(xiàn)2、3所公開的方法中，搬運(yùn)機(jī)械手搬運(yùn)掩膜，并且也搬運(yùn)襯底。 因此，在更換襯底時(shí)不能搬運(yùn)掩膜，不僅是掩膜的更換所需的處理室理所當(dāng)然地不能進(jìn)行 處理，在其下游存在的處理室也不能進(jìn)行處理，從而存在運(yùn)轉(zhuǎn)率降低，生產(chǎn)率降低的問題。

發(fā)明內(nèi)容
因此，本發(fā)明的第一目的在于，提供減少襯底和掩膜的彎曲，從而能夠以高精度進(jìn) 行蒸鍍的有機(jī)EL器件制造裝置及其制造方法和成膜裝置及成膜方法。此外，本發(fā)明的第二目的在于，提供能夠使搬運(yùn)室小型化的有機(jī)EL器件制造裝置 及其制造方法和成膜裝置及成膜方法。此外，本發(fā)明的第三目的在于，提供通過將驅(qū)動(dòng)部等配置在大氣側(cè)，減少真空內(nèi)的 粉塵和氣體的產(chǎn)生，生產(chǎn)率高的有機(jī)EL器件制造裝置及其制造方法和成膜裝置及成膜方 法。另外，本發(fā)明的第四目的在于，提供通過將驅(qū)動(dòng)部等配置在大氣側(cè)來提高可維護(hù) 性，運(yùn)轉(zhuǎn)率高的有機(jī)EL器件制造裝置及其制造方法和成膜裝置及成膜方法。本發(fā)明為實(shí)現(xiàn)上述第一或第二目的，其第一特征在于，以使具備襯底和掩膜的下 垂體下垂的狀態(tài)在真空室內(nèi)進(jìn)行上述襯底與上述掩膜的對(duì)準(zhǔn)，在向該襯底蒸鍍蒸鍍材料 時(shí)，移動(dòng)上述下垂體上的接觸部，使上述下垂體垂直，向真空室內(nèi)搬運(yùn)，安放在上述對(duì)位位 置，使上述下垂體的下垂體接觸部與上述進(jìn)行搬運(yùn)的搬運(yùn)機(jī)構(gòu)中的與上述下垂體接觸部接 觸的搬運(yùn)接觸部分離，然后進(jìn)行上述對(duì)準(zhǔn)。此外，本發(fā)明為實(shí)現(xiàn)上述第一或第二目的，在第一特征之外，還具有下面的第二特 征，由使進(jìn)行上述對(duì)準(zhǔn)的對(duì)準(zhǔn)部所具有的使上述下垂體上下運(yùn)動(dòng)的單元進(jìn)行上述分離。另外，為實(shí)現(xiàn)上述第一或第二目的，在第一特征之外，還具有下面的第三特征，上 述分離是使上述搬運(yùn)接觸部從下垂體接觸部分離。此外，為實(shí)現(xiàn)上述第一或第二目的，在第一特征之外，還具有下面的第四特征，上 述下垂體是具備掩膜的下垂體，上述下垂體接觸部是沿上述掩膜設(shè)置的齒條，上述搬運(yùn)接 觸部是小齒輪。此外，為實(shí)現(xiàn)上述第三或第四目的，在第一特征之外，還具有下面的第五特征，將 進(jìn)行上述分離的分離機(jī)構(gòu)的驅(qū)動(dòng)單元設(shè)置在大氣環(huán)境中。發(fā)明的效果根據(jù)本發(fā)明，能夠提供減少襯底和掩膜的彎曲，從而能夠以高精度進(jìn)行蒸鍍的有 機(jī)EL器件制造裝置和成膜裝置。此外，根據(jù)本發(fā)明，能夠提供能夠使搬運(yùn)室小型化的有機(jī)EL器件制造裝置及其制 造方法和成膜裝置及成膜方法。另外，根據(jù)本發(fā)明，通過將驅(qū)動(dòng)部等配置在大氣側(cè)來減少真空內(nèi)的粉塵和氣體的 產(chǎn)生，能夠提供生產(chǎn)率高的有機(jī)EL器件制造裝置及其制造方法和成膜裝置及成膜方法。此外，根據(jù)本發(fā)明，通過將驅(qū)動(dòng)部等配置在大氣側(cè)，能夠提供提高其可維護(hù)性，運(yùn) 轉(zhuǎn)率高的有機(jī)EL器件制造裝置及其制造方法和成膜裝置及成膜方法。


圖1是表示本發(fā)明的第一實(shí)施方式的有機(jī)EL器件制造裝置的圖。圖2是表示本發(fā)明的第一實(shí)施方式的搬運(yùn)室和處理室的結(jié)構(gòu)的示意圖和動(dòng)作說 明圖。圖3是表示在處理室與掩膜更換室之間搬入搬出掩膜的掩膜搬運(yùn)機(jī)構(gòu)的本發(fā)明 的一個(gè)實(shí)施方式的圖。圖4是表示本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施方式的掩膜的5是表示本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施方式的對(duì)準(zhǔn)部的圖。圖6的圖6 (a)是表示在搬運(yùn)時(shí)搬運(yùn)機(jī)構(gòu)的齒條與小齒輪嚙合的狀態(tài)的圖。圖6 (b) 是表示在對(duì)準(zhǔn)時(shí)搬運(yùn)機(jī)構(gòu)的齒條與小齒輪分離的狀態(tài)的圖。圖7是表示本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施方式的對(duì)準(zhǔn)光學(xué)系統(tǒng)的基本結(jié)構(gòu)的圖。圖8是表示本發(fā)明的第二實(shí)施方式的搬運(yùn)機(jī)構(gòu)及分離機(jī)構(gòu)的圖。圖9是表示本發(fā)明的第二實(shí)施方式的有機(jī)EL器件制造裝置的圖。圖10是表示本發(fā)明的第二實(shí)施方式的有機(jī)EL器件制造裝置的掩膜更換室的結(jié)構(gòu) 及其動(dòng)作的圖。圖11是表示本發(fā)明的第二實(shí)施方式的有機(jī)EL器件制造裝置的掩膜搬入搬出室的 結(jié)構(gòu)及動(dòng)作的圖。圖12是表示本發(fā)明的第三實(shí)施方式的有機(jī)EL器件制造裝置的圖。圖13是說明使掩膜、襯底處于水平進(jìn)行蒸鍍的現(xiàn)有技術(shù)的問題的圖。圖14是說明更換掩膜的現(xiàn)有技術(shù)的圖。其中1-處理室，lad、lbd、Ibu-真空蒸鍍室，2_搬運(yùn)室，3_負(fù)載設(shè)備組，5_掩膜更換室， 6-襯底，6m-襯底的對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記，7-蒸鍍部，8-對(duì)準(zhǔn)部，9-處理交接部，10、10AU0B-閘閥， 12-掩膜搬入搬出室，20-控制裝置，40、45_分離機(jī)構(gòu)，56-更換室搬運(yùn)部，56B-更換室搬運(yùn) 驅(qū)動(dòng)部(掩膜搬運(yùn)驅(qū)動(dòng)機(jī)構(gòu))，56g、86g-小齒輪，71-蒸發(fā)源，81-掩膜，81a 81d-旋轉(zhuǎn)支持 部，81m-掩膜的對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記，81r-齒條，82-對(duì)準(zhǔn)底座，83-對(duì)準(zhǔn)驅(qū)動(dòng)部，83Z-Z軸驅(qū)動(dòng)部，83X-X 軸驅(qū)動(dòng)部，84-對(duì)準(zhǔn)從動(dòng)部，85-對(duì)準(zhǔn)光學(xué)系統(tǒng)，86-處理室搬運(yùn)部，86B-處理室搬運(yùn)驅(qū)動(dòng)部 (掩膜搬運(yùn)驅(qū)動(dòng)機(jī)構(gòu))，87-驅(qū)動(dòng)部分離機(jī)構(gòu)，100,200-有機(jī)EL器件的制造裝置，A D-設(shè)
具體實(shí)施例方式使用圖1至圖7對(duì)本發(fā)明的有機(jī)EL器件制造裝置的第一實(shí)施方式進(jìn)行說明。有 機(jī)EL器件制造裝置不僅是形成發(fā)光材料層(EL層)并用電極夾住該層的結(jié)構(gòu)，而且，為了 在陽極上形成空穴注入層或輸送層，在陰極上形成電子注入層或輸送層等將各種各樣的材 料做成薄膜而構(gòu)成的多層結(jié)構(gòu)，并更換襯底。圖1表示該制造裝置的一個(gè)例子。本實(shí)施方式的有機(jī)EL器件制造裝置100大致包括搬入處理對(duì)象的襯底6的負(fù)載 設(shè)備組13、處理襯底6的四個(gè)設(shè)備組(A D)、設(shè)置在各設(shè)備組之間或者設(shè)備組與負(fù)載設(shè)備 組13或后續(xù)工序(密封工序)之間的五個(gè)交接室14。在本實(shí)施方式中，以襯底的蒸鍍面作為上面來搬運(yùn)，在蒸鍍時(shí)以將襯底立起的方式蒸鍍。負(fù)載設(shè)備組13包括在前后具有用于維持真空的閘閥10的負(fù)載鎖死室13R和從 負(fù)載鎖死室13R接收襯底，旋轉(zhuǎn)并將襯底6搬入交接室1 的搬運(yùn)機(jī)械手15R。各負(fù)載鎖死 室13R及各交接室14在前后具有閘閥10，一邊控制該閘閥10的開閉來維持真空，一邊向負(fù) 載設(shè)備組13或后續(xù)的設(shè)備組等交接襯底。各設(shè)備組(A D)具有具有一臺(tái)搬運(yùn)機(jī)械手15的搬運(yùn)室2、從搬運(yùn)機(jī)械手15接 收襯底，并進(jìn)行規(guī)定的處理的在附圖上上下配置的兩個(gè)處理室1 (第一下標(biāo)a d表示設(shè)備 組，第二下標(biāo)u、d表示上側(cè)下側(cè))。在搬運(yùn)室2與處理室1之間設(shè)置有閘閥10。處理室1的結(jié)構(gòu)根據(jù)處理內(nèi)容而有所不同，以在真空中蒸鍍作為蒸鍍材料的發(fā)光 材料從而形成EL層的真空蒸鍍室Ibu為例進(jìn)行說明。圖2是其時(shí)的搬運(yùn)室2b與真空蒸鍍 室Ibu的結(jié)構(gòu)的示意圖與動(dòng)作說明圖。圖2的搬運(yùn)機(jī)械手15具有整體能夠上下移動(dòng)(參 照箭頭159)、并能夠左右旋轉(zhuǎn)的連桿結(jié)構(gòu)的臂157，在其前端處具有襯底搬運(yùn)用的梳齒狀 手 158。如圖2所示，本實(shí)施方式的處理的基本思路是在一臺(tái)真空蒸鍍室中設(shè)置兩個(gè)處理 線，在一側(cè)的線(例如R線)蒸鍍的期間內(nèi)，在另一側(cè)的L線搬入搬出襯底，并對(duì)準(zhǔn)襯底6 與掩膜81，從而完成蒸鍍的準(zhǔn)備。通過交互地進(jìn)行該處理，能夠減少?zèng)]有對(duì)襯底蒸鍍的無益 的蒸發(fā)(升華)時(shí)間。為實(shí)現(xiàn)上述內(nèi)容，真空蒸鍍室Ibu在右側(cè)R線與左側(cè)L線設(shè)置有兩 套系統(tǒng)，包括進(jìn)行襯底6與掩膜的對(duì)位，對(duì)襯底6的必要部分蒸鍍的對(duì)準(zhǔn)部8 ；與進(jìn)行搬運(yùn) 的機(jī)械手15交接襯底，并使襯底6向蒸鍍部7移動(dòng)的處理交接部9，并且具有在該兩套系統(tǒng) 的線間移動(dòng)，使發(fā)光材料蒸發(fā)(升華)并向襯底6蒸鍍的蒸鍍部7。因此，首先說明處理交接部9。處理交接部9具有能夠不受干擾地與搬運(yùn)機(jī)械手 15的梳齒狀手158交接襯底6、具有固定襯底6的機(jī)構(gòu)94的梳齒狀手91、旋轉(zhuǎn)上述梳齒狀 手91從而使襯底6直立并向?qū)?zhǔn)部8移動(dòng)的手回旋驅(qū)動(dòng)機(jī)構(gòu)93。作為固定襯底6的機(jī)構(gòu) 94，考慮到是在真空中，使用靜電吸附或機(jī)械式的夾子等的機(jī)構(gòu)。蒸鍍部7具有使蒸發(fā)源71沿導(dǎo)軌76r上在上下方向上移動(dòng)的上下驅(qū)動(dòng)機(jī)構(gòu)76、 使蒸發(fā)源71沿導(dǎo)軌75上在左右的對(duì)準(zhǔn)部間移動(dòng)的左右驅(qū)動(dòng)底座74。蒸發(fā)源71在內(nèi)部具 有作為蒸鍍材料的發(fā)光材料，通過對(duì)上述蒸鍍材料進(jìn)行加熱控制(未圖示)來得到穩(wěn)定的 蒸發(fā)速度，如圖2的局部放大圖所示，形成為由排列在蒸發(fā)源71上的多個(gè)孔73噴射的結(jié) 構(gòu)。若有必要，為了提高蒸鍍膜的特性也可以同時(shí)加熱添加劑并蒸鍍。在這種情況下，以將 蒸發(fā)源與一對(duì)或多個(gè)蒸發(fā)源在上下方向上平行地排列的方式蒸鍍。在說明對(duì)準(zhǔn)部8之前，使用圖3對(duì)作為本實(shí)施方式的主要特征的掩膜更換室5的 結(jié)構(gòu)及其動(dòng)作，參照表示對(duì)準(zhǔn)部的圖5進(jìn)行說明。圖3是表示在處理室1與掩膜更換室5 之間搬入搬出構(gòu)成下垂體的掩膜81的掩膜搬運(yùn)機(jī)構(gòu)的一個(gè)實(shí)施方式的圖，圖5是表示對(duì)準(zhǔn) 部的一個(gè)實(shí)施方式的圖。如圖1的局部放大圖所示，在本實(shí)施方式中以與進(jìn)行蒸鍍處理的處理室1相鄰接 并夾有間閥IOB的方式設(shè)置有掩膜更換室5。掩膜更換室5是至少在更換掩膜時(shí)能夠維持 與處理室1相同的真空度的處理室。在下面的說明中，如圖1的局部放大圖所示，以負(fù)責(zé)真 空蒸鍍室Iad的L線與真空蒸鍍室Ibd的R線的掩膜81的更換的掩膜更換室^d為例進(jìn) 行說明。
此外，因?yàn)檎婵照翦兪襂ad與真空蒸鍍室Ibd的L、R線的叫法與圖2所示的真空 蒸鍍室Ibu的線的叫法上下相反，因而在圖上也是相反。此外，圖1中的掩膜更換室等的下 標(biāo)，第一下標(biāo)從左開始按照a、b、c的順序，第二下標(biāo)u表示上段、d表示下段。其中，為了避 免說明的繁瑣，在沒有必要的情況下省略下標(biāo)。首先，對(duì)圖4表示的在本實(shí)施方式中所使用的掩膜81的一個(gè)例子進(jìn)行說明。掩 膜81大致包括掩膜部81M和支持掩膜部的支架81F。如局部放大圖所示，在掩膜部81M上 與對(duì)襯底6蒸鍍的部分對(duì)應(yīng)的位置具有開口部81h。在本例中，在蒸鍍紅(R)、綠(G)、藍(lán) (B)的發(fā)光材料的掩膜中，表示了與紅對(duì)應(yīng)的開口部。掩膜的尺寸隨著襯底的大型化達(dá)到 2000mmX 2000mm,其重量也超過300kg。其窗的大小根據(jù)顏色而不同，平均寬度為30 μ m、高 度為150 μ m左右。掩膜81M的厚度為50 μ m左右，在今后有變得更薄的趨勢(shì)。另一方面，在 掩膜81M上設(shè)置有四處精密對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記81ms，兩處粗對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記81mr，共計(jì)六處對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記81m。 與其對(duì)應(yīng)地，在襯底上設(shè)置有四處精密對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記6ms，兩處粗對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記6mr，共計(jì)六處對(duì)準(zhǔn) 標(biāo)記6mο接下來，對(duì)在作為真空蒸鍍室的處理室1與掩膜更換室5之間搬入搬出掩膜81的 掩膜搬運(yùn)機(jī)構(gòu)的結(jié)構(gòu)與動(dòng)作進(jìn)行說明。在圖3中，為避免混亂省略了搬運(yùn)機(jī)構(gòu)以外的部分。 在圖3的左側(cè)表示處理室1，在右側(cè)表示掩膜更換室5，以實(shí)線表示掩膜81安放在處理室 1中的狀態(tài)。在上述兩個(gè)處理室之間有用于分隔它們的閘閥10B。在閘閥的兩側(cè)有用于搬 運(yùn)掩膜81的各搬運(yùn)部(更換室搬運(yùn)部56，處理室搬運(yùn)部86)。因?yàn)楦靼徇\(yùn)部基本具有相 同的結(jié)構(gòu)，所以對(duì)于其結(jié)構(gòu)，以掩膜更換室5為主體進(jìn)行說明，對(duì)于后述的掩膜搬運(yùn)驅(qū)動(dòng)機(jī) 構(gòu)，以在后述的說明中參照?qǐng)D5的關(guān)系上的真空蒸鍍室1為主體進(jìn)行說明。因此，在圖3中 為了避免繁瑣省略了附圖及附圖標(biāo)記的一部分。各搬運(yùn)部(56、86)包括保持掩膜81的底座(安放底座52、對(duì)準(zhǔn)底座8 和掩 膜搬運(yùn)驅(qū)動(dòng)機(jī)構(gòu)(更換室搬運(yùn)驅(qū)動(dòng)部56B、處理室搬運(yùn)驅(qū)動(dòng)部86B)。底座具有向底座搬入 掩膜81時(shí)支持掩膜上部的掩膜上部固定部(52u、82u)與在其下部搬運(yùn)掩膜81的多個(gè)輥狀 的搬運(yùn)導(dǎo)軌(56r、82r)。掩膜在其下部具有與放置并固定的掩膜成為一體并移動(dòng)的掩膜下 部固定部81k。掩膜下部固定部81k具有在該固定部的凸部底部上與作為搬運(yùn)接觸部的小 齒輪(小齒輪56g、86g)嚙合的作為下垂體接觸部的齒條81r。兩個(gè)作為掩膜搬運(yùn)部的驅(qū) 動(dòng)齒輪的小齒輪的間隔配置為比掩膜81的橫長(zhǎng)LS短的間隔LD。因此，由于LS>LD，所以 至少一側(cè)的小齒輪與齒條81r嚙合，通過協(xié)調(diào)并控制上述兩個(gè)小齒輪能夠使掩膜前進(jìn)或后 退。為了能夠順暢地搬運(yùn)掩膜81，在掩膜上部固定部的內(nèi)部設(shè)置有如局部放大圖A所 示的由多個(gè)左右導(dǎo)向輥56ur、56ul構(gòu)成的搬運(yùn)導(dǎo)向裝置56h，另一方面，掩膜下部固定部 81k設(shè)置有如局部放大圖B所示的在與齒條側(cè)相對(duì)的一側(cè)的底座處，與小齒輪協(xié)調(diào)，從而夾 住掩膜81并搬運(yùn)的多個(gè)輥56dr。另外，為了即使有齒條81r也能夠順暢地搬運(yùn)掩膜，搬運(yùn) 導(dǎo)軌(56r、82r)具有如局部放大圖B所示的H型的形狀。與更換室搬運(yùn)部56的導(dǎo)向輥56ur、56ul對(duì)應(yīng)的處理室搬運(yùn)部86的導(dǎo)向輥86ur、 86ul(未圖示)，在對(duì)準(zhǔn)時(shí)起到把持固定掩膜的作用。因此，為了在對(duì)準(zhǔn)時(shí)能夠穩(wěn)定地保持 掩膜，將導(dǎo)向輥86ur、86ul間的夾緊程度調(diào)節(jié)為與導(dǎo)向輥56ur、56ul間相比稍緊。為了減 少對(duì)真空蒸鍍有負(fù)面影響的氣體，上述搬運(yùn)輥82r及導(dǎo)向輥使用低潤(rùn)滑脂軸承。此外，為使掩膜81以能夠裝卸并且可靠的方式固定在上述掩膜下部固定部81k上，在上述掩膜下部固 定部81k上設(shè)置有多個(gè)收容設(shè)置在掩膜下部的三角錐狀的突起物的三角錐狀的凹部(未圖 示)°如圖5所示，處理室搬運(yùn)驅(qū)動(dòng)部86B包括位于大氣側(cè)在處理室1的下部壁IY之 下設(shè)置的搬運(yùn)驅(qū)動(dòng)馬達(dá)86m ；與掩膜的齒條Slr嚙合的小齒輪86g ；用于使旋轉(zhuǎn)軸變換90度 的兩個(gè)傘齒輪86kl、86k2 ；齒輪支持體8 及進(jìn)行真空密封的密封部86s。這樣，處理室搬 運(yùn)驅(qū)動(dòng)部86B也與對(duì)準(zhǔn)機(jī)構(gòu)部83同樣地通過密封部設(shè)置在大氣側(cè)，從而不會(huì)將對(duì)真空蒸鍍 造成負(fù)面影響的粉塵等帶入真空內(nèi)。雖然在上述實(shí)施方式中將處理室搬運(yùn)驅(qū)動(dòng)部86B的密封部86s設(shè)置在搬運(yùn)驅(qū)動(dòng)馬 達(dá)86m與傘齒輪86kl之間，但也可以將傘齒輪容納部設(shè)置在從處理室1的下壁IY突出的 筒狀體中，并在傘齒輪容納部與小齒輪之間設(shè)置真空密封，例如磁性流體密封。更換室搬運(yùn) 驅(qū)動(dòng)部56B也具有與處理室搬運(yùn)驅(qū)動(dòng)部86B相同的結(jié)構(gòu)。此外，在本實(shí)施方式中，利用后述圖5所示的對(duì)準(zhǔn)光學(xué)系統(tǒng)85來判斷通過這樣的 搬運(yùn)機(jī)構(gòu)掩膜81是否安放在對(duì)準(zhǔn)底座82的所希望的位置。如圖4所示，控制對(duì)準(zhǔn)，使設(shè)置 在襯底6及掩膜81上的對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記6m、81m重合。因此，若由對(duì)準(zhǔn)光學(xué)系統(tǒng)85的攝像機(jī)一并 拍攝兩個(gè)對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記6m、81m，則可判斷安放情況。當(dāng)然，也可以在掩膜上部固定部82u的端部 處設(shè)置開關(guān)等傳感器。采用本搬運(yùn)機(jī)構(gòu)的實(shí)施方式，在更換掩膜時(shí)，在位于真空蒸鍍室等處理室1與掩 膜更換室5之間的間閥IOB的兩側(cè)，能夠以設(shè)置有驅(qū)動(dòng)在保持在掩膜上的掩膜下部固定部 上設(shè)置的齒條的驅(qū)動(dòng)部的簡(jiǎn)單的機(jī)構(gòu)可靠地移動(dòng)掩膜，在搬入后，能夠通過關(guān)閉間閥IOB 將真空蒸鍍室等處理室與掩膜更換室完全地分離。采用上述說明的搬運(yùn)機(jī)構(gòu)的實(shí)施方式，能夠可靠地在對(duì)準(zhǔn)底座上安放掩膜，從而 能夠提供能夠以高精度蒸鍍的有機(jī)EL器件制造裝置。接下來，使用圖5對(duì)本實(shí)施方式的其他的特征的對(duì)準(zhǔn)部8進(jìn)行說明。在圖5中省 略作為處理室的真空蒸鍍室的壁和閘閥。在本實(shí)施方式中，從真空蒸鍍室的外部搬入掩膜， 并將襯底6固定為幾乎垂直或垂直，使掩膜81下垂并改變掩膜的姿勢(shì)來進(jìn)行對(duì)準(zhǔn)。因此， 在附圖上部設(shè)置進(jìn)行對(duì)準(zhǔn)的機(jī)構(gòu)，在下部設(shè)置作為用于將掩膜從真空蒸鍍室的外部搬入內(nèi) 部的搬運(yùn)機(jī)構(gòu)的搬運(yùn)部86。用于對(duì)準(zhǔn)及掩膜搬運(yùn)的機(jī)構(gòu)部盡可能地設(shè)置在真空蒸鍍室的外 側(cè)的大氣側(cè)，更具體地說，在真空蒸鍍室的上部壁IT之上或下部壁IY之下。此外，將必須 設(shè)置在真空蒸鍍室內(nèi)的部分設(shè)置在從大氣部設(shè)置的凸部中。對(duì)準(zhǔn)部8包括掩膜81、固定掩膜81的對(duì)準(zhǔn)底座82、保持對(duì)準(zhǔn)底座82并規(guī)定對(duì)準(zhǔn) 底座82即掩膜81在TL平面上的姿勢(shì)的對(duì)準(zhǔn)驅(qū)動(dòng)部83、從下方支持對(duì)準(zhǔn)底座82并與對(duì)準(zhǔn) 驅(qū)動(dòng)部83協(xié)調(diào)從而規(guī)定掩膜81的姿勢(shì)的對(duì)準(zhǔn)從動(dòng)部84、檢測(cè)設(shè)置在襯底6與上述掩膜81 上的在圖4中表示的對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記的對(duì)準(zhǔn)光學(xué)系統(tǒng)85、處理對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記的圖像、求得對(duì)準(zhǔn)量并控 制對(duì)準(zhǔn)驅(qū)動(dòng)部83的控制裝置20 (參照?qǐng)D1)。下面，說明在本實(shí)施方式中實(shí)現(xiàn)對(duì)準(zhǔn)方法的基本結(jié)構(gòu)，然后，按順序說明基于基本 的結(jié)構(gòu)的對(duì)準(zhǔn)方法及實(shí)現(xiàn)該方法的驅(qū)動(dòng)機(jī)構(gòu)。掩膜81由保持部82u將其上部固定在對(duì)準(zhǔn)底座82上，并由固定在對(duì)準(zhǔn)底座82上 的多個(gè)輥狀的搬運(yùn)導(dǎo)軌82r支持。使該對(duì)準(zhǔn)底座由在上部設(shè)置的兩處能夠旋轉(zhuǎn)的支持部81a、81b懸掛垂下，通過在Z方向或X方向上主動(dòng)地移動(dòng)(主動(dòng)地驅(qū)動(dòng))該8la、81b，從而 規(guī)定對(duì)準(zhǔn)底座82即掩膜的在)(Z平面上的姿勢(shì)并對(duì)準(zhǔn)。此外，在規(guī)定該姿勢(shì)時(shí)，為了從下方 支持對(duì)準(zhǔn)底座82，支持部81a，81b在各自的下部設(shè)置有能夠旋轉(zhuǎn)的支持部81c、81d，支持部 81c、81d相對(duì)于支持部81a、81b的動(dòng)作從動(dòng)地進(jìn)行動(dòng)作。此外，對(duì)準(zhǔn)底座82形成為回字形 的空腔，從而能夠通過掩膜向襯底6蒸鍍。接下來說明對(duì)準(zhǔn)方法。通過設(shè)置在如圖5所示的四個(gè)位置的對(duì)準(zhǔn)光學(xué)系統(tǒng)85檢 測(cè)襯底中心處的襯底6與掩膜81的位置偏移(Δ X，ΔΖ，θ)。根據(jù)其結(jié)果，使設(shè)置在對(duì)準(zhǔn) 底座82上部的主動(dòng)支持部81b在X方向、Z方向上移動(dòng)，同樣地使設(shè)置在上部的主動(dòng)支持 部81a在Z方向上移動(dòng)。此時(shí)，利用81a、81b的Z方向上的移動(dòng)差進(jìn)行θ修正，以在兩者 在Z方向上的移動(dòng)上加上θ修正的影響的值進(jìn)行ΔΖ修正，以在81b在X方向上的移動(dòng)上 加上θ修正的影響的值進(jìn)行ΔΧ修正，從而進(jìn)行對(duì)準(zhǔn)。在上述說明中，主動(dòng)支持部81a、81b 的兩者間的距離較長(zhǎng)，具有對(duì)于相同的Z方向的動(dòng)作能夠以良好的精度修正θ的優(yōu)點(diǎn)。此外，伴隨著對(duì)準(zhǔn)底座82的上述移動(dòng)，使主動(dòng)支持部81a在X方向上從動(dòng)地移動(dòng)， 使設(shè)置在對(duì)準(zhǔn)底座82下部的從動(dòng)支持部81c、81d在X及Z方向上從動(dòng)地移動(dòng)。主動(dòng)支持 部81b的驅(qū)動(dòng)由具有設(shè)置在真空蒸鍍室Ibu的上部壁IT上的驅(qū)動(dòng)馬達(dá)的對(duì)準(zhǔn)驅(qū)動(dòng)部83R 進(jìn)行，主動(dòng)支持部81a的驅(qū)動(dòng)及受動(dòng)由對(duì)準(zhǔn)驅(qū)動(dòng)部83L進(jìn)行，從動(dòng)支持部81c、81d的從動(dòng)由 設(shè)置在真空蒸鍍室Ibu的下部壁IY的下部的對(duì)準(zhǔn)從動(dòng)部84R、84L進(jìn)行。雖然該掩膜的對(duì)準(zhǔn)是使掩膜下垂而進(jìn)行的，但在如圖6(a)所示的搬運(yùn)時(shí)的狀態(tài) 下，當(dāng)掩膜的齒條81r與小齒輪86g嚙合時(shí)會(huì)妨礙順暢的對(duì)準(zhǔn)。因此，在對(duì)準(zhǔn)時(shí)需要將兩者 以分離機(jī)構(gòu)分離，然后進(jìn)行對(duì)準(zhǔn)。在本實(shí)施方式中的分離動(dòng)作是將掩膜81搬運(yùn)至比對(duì)準(zhǔn)位 置稍下側(cè)，并如圖6(b)那樣將齒條81ι 即對(duì)準(zhǔn)底座82以恒定距離吊起的方式來進(jìn)行。吊 起以使主動(dòng)支持部81a、81b在Z方向上移動(dòng)的方式來進(jìn)行。因此，分離機(jī)構(gòu)40包括使主動(dòng) 支持部81a、81b在Z方向上移動(dòng)的后述的Z驅(qū)動(dòng)部83Z。上述在Z方向上的吊起量為不會(huì) 對(duì)對(duì)準(zhǔn)造成妨礙的程度的量，所以也不必過大。伴隨著吊起動(dòng)作，主動(dòng)支持部81a、81b與從 動(dòng)支持部81c、81d的在Z方向上的可動(dòng)范圍需要取成比該量稍長(zhǎng)。雖然以上說明的方法利用對(duì)準(zhǔn)部8原本所具有的Z方向的動(dòng)作自由度吊起掩膜， 使掩膜與小齒輪分離，但也可以是通過使小齒輪下降來分離。采用上述本實(shí)施方式的分離機(jī)構(gòu)，能夠提供將掩膜81搬運(yùn)至處理室1并安放在對(duì) 準(zhǔn)底座82上，通過使掩膜與小齒輪分離，能夠順暢地以良好的精度進(jìn)行對(duì)準(zhǔn)，能夠以高精 度蒸鍍的有機(jī)EL器件制造裝置。此外，通過作為分離機(jī)構(gòu)使用對(duì)準(zhǔn)部原本所具有的自由度，能夠以簡(jiǎn)單的單元實(shí) 現(xiàn)順暢的對(duì)準(zhǔn)。接下來，返回圖5對(duì)規(guī)定掩膜81的姿勢(shì)的對(duì)準(zhǔn)驅(qū)動(dòng)部83與對(duì)準(zhǔn)從動(dòng)部84進(jìn)行更 詳細(xì)的說明。對(duì)準(zhǔn)驅(qū)動(dòng)部83設(shè)置在真空蒸鍍室Ibu的上部壁IT(也可參照?qǐng)D2)上的大氣中， 包括具有使旋轉(zhuǎn)指示部81a在Z方向上移動(dòng)的Z驅(qū)動(dòng)部83Z的左驅(qū)動(dòng)部83L ；具有使旋轉(zhuǎn) 支持部81b與左驅(qū)動(dòng)部83L同樣地在Z方向上移動(dòng)的Z驅(qū)動(dòng)部83Z與使上述Z驅(qū)動(dòng)部整體 在X方向上(圖5的左右方向)上移動(dòng)的X驅(qū)動(dòng)部83X的右驅(qū)動(dòng)部83R。由于左右驅(qū)動(dòng)部 83L、83R的Z驅(qū)動(dòng)部的基本結(jié)構(gòu)相同，所以標(biāo)示相同的編號(hào)，并且省略一部分編號(hào)。在下面，編號(hào)的標(biāo)示方法、省略方法在其他的機(jī)構(gòu)部中也是相同。以左驅(qū)動(dòng)部83L為例對(duì)Z驅(qū)動(dòng)部83Z進(jìn)行說明。Z驅(qū)動(dòng)部83Z如前所述固定在導(dǎo) 軌83r上的在X方向上從動(dòng)的Z驅(qū)動(dòng)部固定板83k上，由Z方向驅(qū)動(dòng)馬達(dá)83zm通過滾珠絲 杠83η、楔83t在Z方向上移動(dòng)連結(jié)棒83 j。對(duì)準(zhǔn)軸83a通過與其上部連結(jié)的連結(jié)棒83 j在 Z方向上移動(dòng)。楔83t是為了利用對(duì)準(zhǔn)底座82等的重力來防止上述在Z方向的空轉(zhuǎn)而設(shè)置 的，作為其結(jié)果，具有消除遲滯，盡早收束至目標(biāo)值的效果。此外，對(duì)準(zhǔn)軸83a通過一端固定 在設(shè)置在真空蒸鍍室Ibu的上部壁IT上的密封部(未圖示)上的波紋管83v進(jìn)行動(dòng)作，通 過花鍵軸83s無傾斜地在Z方向上垂直、并/或在X方向上平行移動(dòng)。右驅(qū)動(dòng)部83R在上述Z驅(qū)動(dòng)部83Z之外還具有沿X軸導(dǎo)軌83r上驅(qū)動(dòng)Z驅(qū)動(dòng)部固 定板83k的X驅(qū)動(dòng)部83X，該Z驅(qū)動(dòng)部固定板83k固定在真空蒸鍍室1的上部壁IT上，并 安裝有Z驅(qū)動(dòng)部83Z。雖然X驅(qū)動(dòng)部83X的驅(qū)動(dòng)方法是與使X方向驅(qū)動(dòng)馬達(dá)83xm的旋轉(zhuǎn) 力通過滾珠絲杠83η、楔83t等，基本與Z軸驅(qū)動(dòng)部83Z相同，但該驅(qū)動(dòng)力需要具有旋轉(zhuǎn)驅(qū) 動(dòng)對(duì)準(zhǔn)底座82及通過對(duì)準(zhǔn)底座移動(dòng)其他的驅(qū)動(dòng)部或從動(dòng)部的功率。對(duì)準(zhǔn)軸83a與左驅(qū)動(dòng) 部83L的對(duì)準(zhǔn)軸83a同樣地通過花鍵軸83s無傾斜地在Z方向上垂直、并/或在X方向上 平行移動(dòng)。此外，由于對(duì)準(zhǔn)軸83a也在X方向上移動(dòng)，所以該波紋管83v也具有相對(duì)于X方 向的自由度，可以伸縮并在左右方向上柔軟地移動(dòng)。為了能夠?qū)?yīng)旋轉(zhuǎn)支持部81c、81d的前述的從動(dòng)旋轉(zhuǎn)，對(duì)準(zhǔn)從動(dòng)部84具有能夠使 各個(gè)對(duì)準(zhǔn)軸8 在Z方向、X方向上移動(dòng)的左右從動(dòng)部84L、84R。雖然從動(dòng)部在中心部有一 處即可，但在本實(shí)施方式中，為了穩(wěn)定地進(jìn)行動(dòng)作而設(shè)置有兩處。兩個(gè)從動(dòng)部具有基本左右 線對(duì)稱的相同結(jié)構(gòu)，作為其代表，對(duì)84R進(jìn)行說明。對(duì)準(zhǔn)軸8 通過一端固定在設(shè)置在真空 蒸鍍室1的下部壁IY上的密封部8 的密封真空蒸鍍室1的真空的波紋管84v、花鍵軸8如 固定在X軸從動(dòng)板84k上。因此，使在固定在對(duì)準(zhǔn)從動(dòng)部84上的對(duì)準(zhǔn)支持部固定臺(tái)84b上 敷設(shè)的導(dǎo)軌84r的移動(dòng)來進(jìn)行X方向的從動(dòng)。此外，通過上述花鍵軸8如來進(jìn)行Z方向的 從動(dòng)。在上述的對(duì)準(zhǔn)部的實(shí)施方式中，在四處的旋轉(zhuǎn)支持部81中，通過使設(shè)置在真空蒸 鍍室上部的兩處的旋轉(zhuǎn)支持部在Z方向上，此外，其中一處在X方向上主動(dòng)地移動(dòng)(主動(dòng)地 驅(qū)動(dòng))，實(shí)施掩膜的對(duì)準(zhǔn)。在此之外也能夠舉出各種驅(qū)動(dòng)方法。例如，在上部設(shè)置三處旋轉(zhuǎn)支持部，使中央的旋轉(zhuǎn)支持部旋轉(zhuǎn)，以左右的旋轉(zhuǎn)支持 部在Z方向與X方向上主動(dòng)地或從動(dòng)地移動(dòng)，從而進(jìn)行對(duì)準(zhǔn)。而且，在下部至少設(shè)置一處的 從動(dòng)部?；蛘?，使用與上述實(shí)施方式同樣地設(shè)置兩處上部旋轉(zhuǎn)支持部，集中在其一處旋轉(zhuǎn)、 在Z方向及X方向上的主動(dòng)地移動(dòng)，另一處用于從動(dòng)的方法。此外，在上述實(shí)施方式中，雖 然基本是設(shè)為上部為主動(dòng)，下部為從動(dòng)，但也可以與之相反。采用上述用于對(duì)準(zhǔn)的機(jī)構(gòu)部的實(shí)施方式，通過密封部設(shè)置在大氣側(cè)，不會(huì)將對(duì)真 空蒸鍍?cè)斐韶?fù)面影響的粉塵等帶入真空內(nèi)，從而能夠提供生產(chǎn)率高的有機(jī)EL器件制造裝置。此外，采用上述用于對(duì)準(zhǔn)的機(jī)構(gòu)部的實(shí)施方式，能夠提供通過將驅(qū)動(dòng)部等配置大 氣側(cè)而提高可維護(hù)性，運(yùn)轉(zhuǎn)率高的有機(jī)EL器件制造裝置。接下來，對(duì)對(duì)準(zhǔn)光學(xué)系統(tǒng)85進(jìn)行說明。為了能夠獨(dú)立地拍攝前述各個(gè)對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記， 對(duì)準(zhǔn)光學(xué)系統(tǒng)包括對(duì)應(yīng)于四個(gè)精密對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記81ms的四個(gè)精密對(duì)準(zhǔn)光學(xué)系統(tǒng)8 和對(duì)應(yīng)于兩個(gè)粗對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記Slmr的兩個(gè)粗對(duì)準(zhǔn)光學(xué)系統(tǒng)85r，共計(jì)六個(gè)光學(xué)系統(tǒng)。圖7表示了六個(gè)對(duì)準(zhǔn)光學(xué)系統(tǒng)的基本結(jié)構(gòu)。光學(xué)系統(tǒng)的基本結(jié)構(gòu)是所謂透射式的 結(jié)構(gòu)，在夾有掩膜81的對(duì)準(zhǔn)底座8側(cè)設(shè)置有通過固定在真空蒸鍍室Ibu的上部IT的光學(xué) 窗85w照射的光源8 與固定在后述遮擋臂85as上的光源側(cè)反射鏡85km，在襯底6 —側(cè) 設(shè)置有安裝在來自攝像機(jī)容納筒85t的臂8 上的攝像機(jī)側(cè)反射鏡85cm以及容納在攝像 機(jī)容納筒85t中的作為拍攝機(jī)構(gòu)的攝像機(jī)85c。此外，攝像機(jī)容納筒85t、臂8 等能夠以 不會(huì)妨礙在襯底變成垂直姿勢(shì)時(shí)的軌道K的方式通過波紋管85v等移動(dòng)至以虛線表示的臂 85a的位置。由于是透射式結(jié)構(gòu)，所以為使光能夠通過，在掩膜81M上設(shè)置有四邊形的貫通孔 的對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記81m，還在支架81F上也設(shè)置有圓筒狀的貫通孔81k。另一方面，襯底6的對(duì)準(zhǔn) 標(biāo)記6m是與透光性的襯底上的金屬性的形成為四邊形的掩膜的對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記81m相比足夠小 的標(biāo)記。當(dāng)設(shè)置貫通孔81k時(shí)，由于在蒸鍍時(shí)蒸鍍材料進(jìn)入貫通孔并蒸鍍?cè)趯?duì)準(zhǔn)標(biāo)記上， 從接下來的工序開始不能對(duì)準(zhǔn)。為了防止這種情況，在蒸鍍時(shí)進(jìn)行遮擋，從而使蒸鍍材料不 進(jìn)入貫通孔81k內(nèi)。在本實(shí)施方式中，由于在對(duì)準(zhǔn)時(shí)安裝有光源側(cè)反射鏡的安裝臂在蒸鍍 時(shí)會(huì)遮擋蒸鍍的有效區(qū)域，所以將該臂設(shè)置為可移動(dòng)，并且作為具有在蒸鍍時(shí)遮擋貫通孔 81k的結(jié)構(gòu)的遮擋型臂85as。遮擋型臂85as通過在大氣側(cè)設(shè)置的驅(qū)動(dòng)部(未圖示)上在 上下方向上驅(qū)動(dòng)的連結(jié)棒8 伸縮，其一端通過固定在密封部8 上的波紋管85v驅(qū)動(dòng)遮 擋型臂85as。如圖7所示，虛線表示遮擋狀態(tài)，實(shí)線表示對(duì)準(zhǔn)狀態(tài)。在上述實(shí)施方式中，雖然將光源側(cè)反射鏡85km安裝在遮擋臂85as上，但若掩膜的 支架81F的厚度足夠，則也可以在支架81F中設(shè)置L字形的貫通孔81k，并內(nèi)置光源側(cè)反射 鏡85km。在這種情況下不需要遮擋型臂。此外，在上述實(shí)施方式中，雖然由于在對(duì)準(zhǔn)時(shí)光源側(cè)反射鏡85km遮擋蒸鍍區(qū)域而 移動(dòng)遮擋型臂，但在未遮擋的情況下，可以固定遮擋型臂。另一方面，攝像機(jī)容納筒85t具有如圖5所示的從真空蒸鍍室1的上部IT突出的 結(jié)構(gòu)，在前端設(shè)置有光學(xué)窗85w，將攝像機(jī)85c維持在大氣側(cè)，并且，使其能夠拍攝到對(duì)準(zhǔn)標(biāo) 記6m、8Im (附圖標(biāo)記參照?qǐng)D7)。在上述實(shí)施方式中，雖然將攝像機(jī)側(cè)反射鏡設(shè)置在真空中，但也可以延長(zhǎng)攝像機(jī) 容納筒85，并將上述反射鏡內(nèi)置。精密對(duì)準(zhǔn)光學(xué)系統(tǒng)8 與粗對(duì)準(zhǔn)光學(xué)系統(tǒng)85r在結(jié)構(gòu)上的差別點(diǎn)在于，前者用于 高精度地對(duì)準(zhǔn)，具有用于縮小視場(chǎng)并以高清晰度拍攝對(duì)準(zhǔn)的高倍率透鏡85h。與其相伴地， 如圖7所示的襯底及掩膜的對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記6m、81m的尺寸不同。精密對(duì)準(zhǔn)的情況與粗對(duì)準(zhǔn)相比 要小一位以上，最終能夠進(jìn)行μ m級(jí)別的對(duì)準(zhǔn)。因此，在精密對(duì)準(zhǔn)時(shí)，為了配合掩膜81的對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記81m的移動(dòng)而使其不脫離視場(chǎng)， 精密對(duì)準(zhǔn)光學(xué)系統(tǒng)8 也需要追隨移動(dòng)。因此，如圖5所示，在對(duì)準(zhǔn)底座的上部一側(cè)的精密 對(duì)準(zhǔn)光學(xué)系統(tǒng)85s中，使固定攝像機(jī)85c的固定板85p與Z驅(qū)動(dòng)部固定板83k或X軸從動(dòng) 板84k連接并追隨?；蛘?，也可以設(shè)置附帶馬達(dá)的平臺(tái)，通過數(shù)值控制追隨。此外，對(duì)于粗 對(duì)準(zhǔn)光學(xué)系統(tǒng)85r，設(shè)置攝像機(jī)對(duì)位平臺(tái)85d使能夠在初期安裝時(shí)調(diào)整位置。雖然在上述實(shí)施方式中使用了六個(gè)對(duì)準(zhǔn)光學(xué)系統(tǒng)，但根據(jù)對(duì)準(zhǔn)的要求精度，沒有必要設(shè)置粗對(duì)準(zhǔn)光學(xué)系統(tǒng)，進(jìn)而，精密對(duì)準(zhǔn)光學(xué)系統(tǒng)也沒有必要設(shè)置為四個(gè)，包括粗、精密 最低有兩個(gè)即可。在上述對(duì)準(zhǔn)部8的實(shí)施方式中，雖然將對(duì)準(zhǔn)驅(qū)動(dòng)部83、對(duì)準(zhǔn)從動(dòng)部84、對(duì)準(zhǔn)光學(xué)系 統(tǒng)85設(shè)置在真空蒸鍍室Ibu的上部或下部的大氣側(cè)，但也可以設(shè)置在真空蒸鍍室Ibu的側(cè) 壁側(cè)的大氣中。當(dāng)然，也可以分散在上部、下部及側(cè)壁部上。采用上述對(duì)準(zhǔn)光學(xué)系統(tǒng)85的實(shí)施方式，將攝像機(jī)及光源等容納在向真空側(cè)突出 的內(nèi)部在大氣中的容納筒中，從而不會(huì)將對(duì)真空蒸鍍?cè)斐韶?fù)面影響的粉塵等帶入真空內(nèi)， 能夠提供生產(chǎn)率高的有機(jī)EL器件制造裝置。接下來，使用圖8對(duì)搬運(yùn)機(jī)構(gòu)及分離機(jī)構(gòu)的第二實(shí)施方式進(jìn)行說明。雖然在圖8 中沒表示掩膜更換室5，但基本相同。圖8中省略與說明無關(guān)系的附圖標(biāo)記。第二實(shí)施方式與第一實(shí)施方式的不同點(diǎn)如下。第一點(diǎn)，將架811 設(shè)置在固定掩膜 81的掩膜下部固定部81k的側(cè)部處。第二點(diǎn)，隨著第一點(diǎn)的變更，因?yàn)闆]有必要使小齒輪 86g(56g)的旋轉(zhuǎn)軸變更90度，因而不使用傘齒輪，而是使搬運(yùn)驅(qū)動(dòng)馬達(dá)86m(56m)的旋轉(zhuǎn)軸 與小齒輪86g(56g)直接連接。第三點(diǎn)，隨著第一點(diǎn)的變更，搬運(yùn)導(dǎo)軌82r(56r)的形狀沒有 必要為H形，而也可以是平坦的形狀。第四點(diǎn)，作為分離機(jī)構(gòu)45設(shè)置為使小齒輪86g從掩 膜分離而驅(qū)動(dòng)處理室搬運(yùn)驅(qū)動(dòng)部86B整體的驅(qū)動(dòng)部分離機(jī)構(gòu)87。驅(qū)動(dòng)部分離機(jī)構(gòu)87以驅(qū) 動(dòng)馬達(dá)87m旋轉(zhuǎn)球節(jié)87b，從而使放置驅(qū)動(dòng)部分離機(jī)構(gòu)87的分離板Mk在導(dǎo)軌87r上移動(dòng)。 第五點(diǎn)，為使處理室搬運(yùn)驅(qū)動(dòng)部86B也能夠?qū)?yīng)分離動(dòng)作，在密封86s上具有波紋管86v。 此外，在上述說明中，雖然作為分離機(jī)構(gòu)設(shè)置有使小齒輪86分離的驅(qū)動(dòng)部分離機(jī)構(gòu)87，但 也可以使掩膜側(cè)分離。在第二實(shí)施方式中也與第一實(shí)施方式同樣，能夠提供能夠可靠地更換掩膜，并且 通過分離小齒輪與掩膜，能夠順暢地以良好精度進(jìn)行對(duì)準(zhǔn)，能夠以高精度蒸鍍的有機(jī)EL器 件制造裝置。在以上的搬運(yùn)機(jī)構(gòu)的第一及第二實(shí)施方式中，雖然使用所謂的齒條及小齒輪進(jìn)行 說明，但也可以是在設(shè)置在掩膜上的平坦的導(dǎo)軌上以輥驅(qū)動(dòng)來搬運(yùn)。在這種情況下，在不能 得到足夠的摩擦力的情況下，處理導(dǎo)軌或輥表面使摩擦力增大來使用。接下來，使用圖9至圖11對(duì)本發(fā)明的有機(jī)EL器件制造裝置的第二實(shí)施方式進(jìn)行 說明。本第二實(shí)施方式與第一實(shí)施方式的不同點(diǎn)在于，掩膜更換室具有與掩膜更換室5相 鄰接、并能夠更換新的掩膜的掩膜搬入搬出室12。相鄰接的位置在前面或后方，或者是在上 部或下部。在本實(shí)施方式中，如圖3所示，考慮到有效利用掩膜搬運(yùn)機(jī)構(gòu)及空間的因素，設(shè) 置在后方。因此，掩膜更換室5具有使掩膜轉(zhuǎn)換90度方向的方向轉(zhuǎn)換機(jī)構(gòu)，例如轉(zhuǎn)臺(tái)機(jī)構(gòu) 57。下面，按順序?qū)ρ谀じ鼡Q室5與掩膜搬入搬出室12的結(jié)構(gòu)與動(dòng)作進(jìn)行說明。圖9中的掩膜更換室5在圖3所示的具有更換室搬運(yùn)部56的類型中具有在使更 換室搬運(yùn)部90度旋轉(zhuǎn)的轉(zhuǎn)臺(tái)機(jī)構(gòu)57和掩膜搬入搬出室12之間附加閘閥IOA的結(jié)構(gòu)。圖10是表示本發(fā)明的第二實(shí)施方式的掩膜更換室5的更詳細(xì)的結(jié)構(gòu)與其動(dòng)作的 圖，表示更換室搬運(yùn)部56與轉(zhuǎn)臺(tái)機(jī)構(gòu)57。更換室搬運(yùn)部56的基本的結(jié)構(gòu)如已在圖3中所 說明的內(nèi)容。與圖3的不同點(diǎn)在于，將在作為更換室搬運(yùn)驅(qū)動(dòng)部56B的一部分的搬運(yùn)驅(qū)動(dòng) 馬達(dá)56m等之外的更換室搬運(yùn)部56固定在轉(zhuǎn)臺(tái)57t上。在左右的真空蒸鍍室1或位于后方的掩膜搬入搬出室12之間，為了搬入搬出掩膜81，更換室搬運(yùn)驅(qū)動(dòng)部56B需要配置在圖 9的點(diǎn)劃線的交叉位置。例如，將更換室搬運(yùn)驅(qū)動(dòng)部56B的搬運(yùn)驅(qū)動(dòng)馬達(dá)56m的旋轉(zhuǎn)中心配 置到轉(zhuǎn)臺(tái)57t的旋轉(zhuǎn)中心位置。通過將驅(qū)動(dòng)馬達(dá)配置在轉(zhuǎn)臺(tái)57t的旋轉(zhuǎn)中心位置，驅(qū)動(dòng)馬 達(dá)可以不設(shè)置在轉(zhuǎn)臺(tái)上，作為其結(jié)果，能夠?qū)Ⅱ?qū)動(dòng)馬達(dá)設(shè)置在大氣側(cè)。此外，轉(zhuǎn)臺(tái)機(jī)構(gòu)57包括在其周圍具有齒輪57r的轉(zhuǎn)臺(tái)57t與轉(zhuǎn)臺(tái)驅(qū)動(dòng)部57B。轉(zhuǎn) 臺(tái)驅(qū)動(dòng)部57B包括在大氣側(cè)的掩膜更換室5的下部壁5Y的下部設(shè)置的轉(zhuǎn)臺(tái)驅(qū)動(dòng)馬達(dá)57m、 進(jìn)行真空密封的密封部57s、與轉(zhuǎn)臺(tái)57t的齒輪57r嚙合的齒輪57g以及在掩膜更換室5的 下部壁5Y上行進(jìn)的多個(gè)行進(jìn)輪57k。采用本實(shí)施方式，能夠?qū)崛胙谀じ鼡Q室5的掩膜向左右處理室1或掩膜搬入搬 出室12搬入搬出。接下來，使用圖11說明圖9表示的掩膜搬入搬出室12的結(jié)構(gòu)及動(dòng)作。掩膜搬入 搬出室12具有掩膜保管部121 (下面，將其略稱為保管部)。保管部121包括與安放底座 52具有基本相同的結(jié)構(gòu)并配置有多個(gè)的保管底座122 ；安裝有保管底座的保管臺(tái)121d;以 及通過轉(zhuǎn)臺(tái)57t和保管臺(tái)121d移動(dòng)掩膜的與如圖5所示的更換室搬運(yùn)驅(qū)動(dòng)部56B具有相 同結(jié)構(gòu)的搬入搬出室搬運(yùn)驅(qū)動(dòng)部126B。搬入搬出室搬運(yùn)驅(qū)動(dòng)部U6B(驅(qū)動(dòng)馬達(dá)配 置為使連結(jié)處理室搬運(yùn)驅(qū)動(dòng)部86B(搬運(yùn)驅(qū)動(dòng)馬達(dá)86m)和更換室搬運(yùn)驅(qū)動(dòng)部56B(搬運(yùn)驅(qū) 動(dòng)馬達(dá)56m)的直線與連結(jié)更換室搬運(yùn)驅(qū)動(dòng)部56B(搬運(yùn)驅(qū)動(dòng)馬達(dá)56m)和搬入搬出室搬運(yùn) 驅(qū)動(dòng)部1 (驅(qū)動(dòng)馬達(dá)的直線成直角。保管底座122的轉(zhuǎn)臺(tái)57t側(cè)設(shè)置為從保管臺(tái) 121d突出α =搬入搬出室搬運(yùn)驅(qū)動(dòng)部126Β+β寬度的量的狀態(tài)。因此，通過在將保管臺(tái) 121d向箭頭A方向移動(dòng)的同時(shí)向箭頭B方向移動(dòng)，能夠使全部的保管底座122與搬入搬出 室搬運(yùn)驅(qū)動(dòng)部126B嚙合。此外，附圖標(biāo)記121r是保管臺(tái)121d的行進(jìn)導(dǎo)軌。圖11是從箭頭C方向觀察圖9所示的掩膜搬入搬出室12的圖，其是僅表示一臺(tái) 保管底座122并將搬入搬出室搬運(yùn)部1 作為主體表示的圖。圖11以閘閥IOA為分界，左 側(cè)是掩膜更換室5，右側(cè)是處理室1或搬運(yùn)室2。雖然搬入搬出室搬運(yùn)部1 與更換室搬運(yùn) 部56基本相同，但在以下的點(diǎn)有所不同。第一點(diǎn)，若以搬運(yùn)機(jī)構(gòu)的角度來考慮，搬入搬出室搬運(yùn)驅(qū)動(dòng)部126B的配置位置需 要位于與圖3的處理室搬運(yùn)驅(qū)動(dòng)部86B相同的位置。通過該位置，搬入搬出室搬運(yùn)驅(qū)動(dòng)部 126B能夠與更換室搬運(yùn)部56交接掩膜。第二點(diǎn)，掩膜上部固定部122u形成為可開閉。這是為了在由設(shè)置在掩膜搬入搬出 室12的天棚的可開閉地的開口部(未圖示)由吊車(未圖示)搬入掩膜81，并安放在搬運(yùn) 輥122r上時(shí)不造成妨礙。在安放后將設(shè)置在掩膜上部固定部122u上的安放爪122t插入 安放孔122h，保持掩膜81，從而穩(wěn)定地由導(dǎo)向輥U6ur搬運(yùn)。雖然掩膜搬入搬出室12也可以是大氣環(huán)境的處理室，但通過將其做成真空室，在 打開閘閥IOA時(shí)，能夠以不降低掩膜更換室5的真空度，或者非要說的話以不降低處理室1 的真空度的方式更換掩膜。作為其結(jié)果，能夠縮短用于吸至真空的時(shí)間，從而能夠提供運(yùn)轉(zhuǎn) 率高的有機(jī)EL器件制造裝置。如上所述，雖然在實(shí)施方式中在掩膜搬入搬出室12中設(shè)置有保管部121，但也可 以在掩膜更換室5中設(shè)置。采用上述本發(fā)明的有機(jī)EL器件制造裝置的第二實(shí)施方式，在掩膜更換時(shí)，能夠以對(duì)襯底搬運(yùn)系統(tǒng)不造成影響的方式進(jìn)行處理，從而能夠提供運(yùn)轉(zhuǎn)率以及生產(chǎn)率高的有機(jī)EL 器件制造裝置及制造方法。此外，采用上述本發(fā)明的有機(jī)EL器件制造裝置的第二實(shí)施方式，作為掩膜搬入搬 出場(chǎng)所通過設(shè)置作為封閉空間的掩膜搬入搬出室12，能夠抑制真空蒸鍍室的真空度降低， 因而能夠在相同的真空蒸鍍室內(nèi)繼續(xù)進(jìn)行其他的處理。因此，能夠提供運(yùn)轉(zhuǎn)率高的有機(jī)EL 器件制造裝置及制造方法。還能夠提供至少能夠縮短掩膜的更換時(shí)間，從而使運(yùn)轉(zhuǎn)率及生產(chǎn)率高的有機(jī)EL 器件制造裝置及制造方法。接下來，使用圖12對(duì)本發(fā)明的第三實(shí)施方式的有機(jī)EL器件制造裝置進(jìn)行說明。本 實(shí)施方式的有機(jī)EL器件制造裝置200表示了將圖1所示的有機(jī)EL器件制造裝置的設(shè)備組 A D由六邊形的搬運(yùn)室2與在六邊形中設(shè)置在相對(duì)的兩邊處的交接室14f、14g與剩余的 四邊處的具有作為處理線的一條線的真空蒸鍍室等處理室1構(gòu)成的裝置。本有機(jī)EL器件制造裝置200也是如圖3所示的使襯底與掩膜幾乎垂直或垂直地 蒸鍍的裝置?？梢允撬降匕徇\(yùn)襯底并使其垂直，也可以是從最初開始以垂直的姿勢(shì)搬運(yùn) 襯底。在圖12中也與圖9同樣地在各真空蒸鍍室1的橫向上設(shè)置掩膜更換室5，進(jìn)而與掩 膜更換室5相鄰接地設(shè)置掩膜搬入搬出室12。掩膜更換室5通過間閥IOB進(jìn)行與真空蒸鍍 室1的掩膜搬運(yùn)，通過閘閥IOA進(jìn)行與掩膜搬入搬出室12的掩膜搬運(yùn)。然后，本有機(jī)EL器 件制造裝置200使用了本發(fā)明的有機(jī)EL器件制造裝置的由第一或第二實(shí)施方式表示的搬 運(yùn)機(jī)構(gòu)、分離機(jī)構(gòu)以及對(duì)準(zhǔn)機(jī)構(gòu)。因此，第三實(shí)施方式也能夠起到第一或第二實(shí)施方式所示的效果。在以上的說明中，對(duì)將與真空蒸鍍室等處理室相鄰接的方式設(shè)置掩膜更換室的實(shí) 施方式進(jìn)行了說明。例如，本發(fā)明也能夠用于以如圖3所示的搬運(yùn)機(jī)構(gòu)在多個(gè)處理室之間 中繼的形式在處理室之間搬運(yùn)，在各個(gè)處理室中分離并對(duì)準(zhǔn)，從而進(jìn)行處理的有機(jī)EL器件 制造裝置，并能夠起到與上述的實(shí)施方式相同的效果。此外，在以上的說明中對(duì)搬運(yùn)掩膜、使掩膜下垂并對(duì)準(zhǔn)的實(shí)施方式進(jìn)行了說明。也 可以將用于掩膜的技術(shù)轉(zhuǎn)而用于搬運(yùn)襯底、使襯底下垂并對(duì)準(zhǔn)。另外，在以上說明中，雖然以有機(jī)EL器件為例進(jìn)行了說明，但也能夠用于在與有 機(jī)EL器件相同的背景中進(jìn)行蒸鍍處理的成膜裝置。
權(quán)利要求
1.一種有機(jī)EL器件制造裝置，其具有真空室和真空蒸鍍室，上述真空室具備以使具備 襯底或掩膜的下垂體下垂的狀態(tài)進(jìn)行上述襯底與上述掩膜的對(duì)位的對(duì)準(zhǔn)部，上述真空蒸鍍 室具備向該襯底蒸鍍蒸鍍材料的蒸鍍部，該有機(jī)EL器件制造裝置的特征在于，在上述真空室內(nèi)和鄰接處理室內(nèi)設(shè)置搬運(yùn)機(jī)構(gòu)，該搬運(yùn)機(jī)構(gòu)與上述下垂體相接觸地將 上述下垂體以垂直姿勢(shì)從與上述真空室相鄰接的鄰接處理室向上述真空室搬運(yùn)，并具備在 上述下垂體的接觸部即下垂體接觸部上移動(dòng)的搬運(yùn)接觸部，并且，將分離上述下垂體接觸 部與上述搬運(yùn)接觸部的分離機(jī)構(gòu)設(shè)置在上述真空室內(nèi)。
2.如權(quán)利要求1所述的有機(jī)EL器件制造裝置，其特征在于，上述下垂體是具備掩膜的下垂體，上述下垂體接觸部是沿上述掩膜設(shè)置的齒條，并且 上述搬運(yùn)接觸部是小齒輪，或者，上述下垂體接觸部是沿下垂體本身或上述掩膜設(shè)置的導(dǎo) 軌，并且上述搬運(yùn)接觸部是旋轉(zhuǎn)驅(qū)動(dòng)輥。
3.如權(quán)利要求1所述的有機(jī)EL器件制造裝置，其特征在于， 上述分離機(jī)構(gòu)的驅(qū)動(dòng)單元設(shè)置在大氣環(huán)境中。
4.如權(quán)利要求2所述的有機(jī)EL器件制造裝置，其特征在于， 上述下垂體接觸部是上述下垂體的底部。
5.如權(quán)利要求4所述的有機(jī)EL器件制造裝置，其特征在于，上述對(duì)準(zhǔn)部具備使上述下垂體上下地移動(dòng)的上下驅(qū)動(dòng)單元，上述分離機(jī)構(gòu)具有上述上 下驅(qū)動(dòng)單元。
6.如權(quán)利要求2所述的有機(jī)EL器件制造裝置，其特征在于， 上述下垂體接觸部是上述下垂體的下部側(cè)部。
7.如權(quán)利要求4所述的有機(jī)EL器件制造裝置，其特征在于，上述分離機(jī)構(gòu)是將上述搬運(yùn)接觸部從下垂體接觸部分離的單元。
8.如權(quán)利要求6所述的有機(jī)EL器件制造裝置，其特征在于，上述分離機(jī)構(gòu)是將上述搬運(yùn)接觸部從下垂體接觸部分離的單元。
9.如權(quán)利要求1至8的任意一項(xiàng)所述的有機(jī)EL器件制造裝置，其特征在于， 上述真空室與上述真空蒸鍍室是同一個(gè)處理室。
10.如權(quán)利要求1所述的有機(jī)EL器件制造裝置，其特征在于， 上述鄰接處理室是用于更換上述掩膜的掩膜更換室。
11.如權(quán)利要求10所述的有機(jī)EL器件制造裝置，其特征在于， 上述掩膜更換室在上述更換時(shí)維持規(guī)定的真空度。
12.如權(quán)利要求11所述的有機(jī)EL器件制造裝置，其特征在于，具有與上述掩膜更換室相鄰接，用于搬入搬出上述掩膜的大氣環(huán)境中的掩膜搬入搬出室。
13.如權(quán)利要求1所述的有機(jī)EL器件制造裝置，其特征在于， 上述鄰接處理室是其他的真空蒸鍍室。
14.如權(quán)利要求1、10、13中的任意一項(xiàng)所述的有機(jī)EL器件制造裝置，其特征在于， 在上述真空室與鄰接處理室之間設(shè)置真空遮擋部。
15.一種有機(jī)EL器件制造方法，其在使具備襯底或掩膜的下垂體下垂的狀態(tài)進(jìn)行真空 室內(nèi)上述襯底與上述掩膜的對(duì)準(zhǔn)，并對(duì)該襯底蒸鍍蒸鍍材料，其特征在于，移動(dòng)上述下垂體上的接觸部，使上述下垂體垂直后向真空室內(nèi)搬運(yùn)，并安放在上述對(duì) 位位置，并使上述下垂體的下垂體接觸部與上述進(jìn)行搬運(yùn)的搬運(yùn)機(jī)構(gòu)的與上述下垂體接觸 部接觸的搬運(yùn)接觸部分離，然后進(jìn)行上述對(duì)準(zhǔn)。
16.如權(quán)利要求15所述的有機(jī)EL器件制造方法，其特征在于，由進(jìn)行上述對(duì)準(zhǔn)的對(duì)準(zhǔn)部所具有的使上述下垂體上下移動(dòng)的單元進(jìn)行上述分離。
17.如權(quán)利要求15所述的有機(jī)EL器件制造方法，其特征在于，上述分離是將上述搬運(yùn)接觸部從下垂體接觸部分離。
18.如權(quán)利要求15所述的有機(jī)EL器件制造方法，其特征在于，上述下垂體是具備掩膜的下垂體，上述下垂體接觸部是沿上述掩膜設(shè)置的齒條，上述 搬運(yùn)接觸部是小齒輪。
19.一種成膜裝置，其具有真空室和真空蒸鍍室，上述真空室具備以使具備襯底或掩膜 的下垂體下垂的狀態(tài)進(jìn)行上述襯底與上述掩膜的對(duì)位的對(duì)準(zhǔn)部，上述真空蒸鍍室具備向該 襯底蒸鍍蒸鍍材料的蒸鍍部，該成膜裝置的特征在于，在上述真空室內(nèi)和鄰接處理室內(nèi)設(shè)置搬運(yùn)機(jī)構(gòu)，該搬運(yùn)機(jī)構(gòu)與上述下垂體相接觸地將 上述下垂體以垂直姿勢(shì)從與上述真空室相鄰接的鄰接處理室向上述真空室搬運(yùn)，并具備在 上述下垂體的接觸部即下垂體接觸部上移動(dòng)的搬運(yùn)接觸部，并且，將分離上述下垂體接觸 部與上述搬運(yùn)接觸部的分離機(jī)構(gòu)設(shè)置在上述真空室內(nèi)。
20.一種成膜方法，其在使具備襯底或掩膜的下垂體下垂的狀態(tài)進(jìn)行真空室內(nèi)上述襯 底與上述掩膜的對(duì)準(zhǔn)，并對(duì)該襯底蒸鍍蒸鍍材料，其特征在于，移動(dòng)上述下垂體上的接觸部，使上述下垂體垂直后向真空室內(nèi)搬運(yùn)，并安放在上述對(duì) 位位置，并使上述下垂體的下垂體接觸部與上述進(jìn)行搬運(yùn)的搬運(yùn)機(jī)構(gòu)的與上述下垂體接觸 部接觸的搬運(yùn)接觸部分離，然后進(jìn)行上述對(duì)準(zhǔn)。
全文摘要
本發(fā)明提供減少襯底和掩膜的彎曲，從而能夠以高精度蒸鍍，此外，能夠使搬運(yùn)室小型化，或者通過將驅(qū)動(dòng)部等配置在大氣側(cè)來減少真空內(nèi)的粉塵和氣體的產(chǎn)生，生產(chǎn)率高或者運(yùn)轉(zhuǎn)率高的有機(jī)EL器件制造裝置及其制造方法和成膜裝置及成膜方法。本發(fā)明的特征在于，以使具備襯底或者掩膜的下垂體下垂的狀態(tài)在真空室內(nèi)進(jìn)行上述襯底與上述掩膜的對(duì)準(zhǔn)，在向該襯底蒸鍍蒸鍍材料時(shí)，移動(dòng)上述下垂體上的接觸部，使上述下垂體垂直后向真空室內(nèi)搬運(yùn)，安放在上述對(duì)位位置，分離上述下垂體的下垂體接觸部與上述進(jìn)行搬運(yùn)的搬運(yùn)機(jī)構(gòu)中與上述下垂體接觸部接觸的搬運(yùn)接觸部，然后進(jìn)行上述對(duì)準(zhǔn)。
文檔編號(hào)H01L51/50GK102056360SQ20101052185
公開日2011年5月11日 申請(qǐng)日期2010年10月25日 優(yōu)先權(quán)日2009年10月27日
發(fā)明者弓場(chǎng)賢治, 落合行雄, 韮澤信廣, 龜山大樹 申請(qǐng)人:株式會(huì)社日立高新技術(shù)