專利名稱：光刻膠圖案的形成方法和陣列基板的制造方法
技術領域：
本發(fā)明涉及液晶顯示技術，尤其涉及一種光刻膠圖案的形成方法和陣列基板的制造方法。
背景技術：
液晶顯示器是目前常用的平板顯示器，其中薄膜晶體管液晶顯示器(Thin Film Transistor Liquid Crystal Display，簡稱TFT-LCD)是液晶顯示器中的主流產品。光刻工藝是液晶顯示器制造過程中的重要流程。一次光刻工藝是指使用一個掩模板進行一次曝光顯影的過程，在此過程中可能包括對襯底基板上膜層的多次刻蝕。在刻蝕的過程中，光刻膠會形成包括保留區(qū)域和去除區(qū)域的光刻膠圖案。對于去除區(qū)域的光刻膠圖案，便無法繼續(xù)保護其下方的金屬薄膜。如果期望對某部分光刻膠下方的金屬薄膜進行保護，就需要使這一部分的金屬薄膜上方的光刻膠處于完全保留區(qū)域或者部分保留區(qū)域。 形成過多的、復雜的保留區(qū)域或者部分保留區(qū)域的這種情況，無疑會增加掩模板的使用次數(shù)，或者利用到昂貴的特殊掩模板，是非常不利于降低生產成本的，所以現(xiàn)在迫切需要一種可以不利用特殊掩模板即可實現(xiàn)對某部分金屬薄膜的保護的方法。

發(fā)明內容
本發(fā)明提供一種光刻膠圖案的形成方法和陣列基板的制作方法，以實現(xiàn)在減少光刻工藝次數(shù)的基礎上降低生產成本。本發(fā)明實施例提供了一種光刻膠圖案的形成方法，包括在膜層上涂覆光刻膠，并采用掩模板對所述光刻膠進行曝光顯影，形成包括保留區(qū)域和去除區(qū)域的光刻膠圖案；對形成所述圖案的光刻膠進行加熱處理，以使得光刻膠流至待保護的膜層區(qū)域。本發(fā)明提供一種陣列基板的制造方法，包括在襯底基板上形成導電圖案和絕緣層的步驟，所述導電圖案包括柵電極、源電極、漏電極、半導體層和像素電極，其中，在形成所述半導體層圖案的過程中，所述方法還包括對光刻膠進行加熱處理，以使所述光刻膠流至所述源電極與所述漏電極之間的溝道中。本發(fā)明提供的光刻膠圖案的形成方法和陣列基板的制造方法，通過在形成保留區(qū)域和去除區(qū)域的光刻膠圖案后，對形成上述圖案的光刻膠進行加熱處理，以使得光刻膠變?yōu)榱黧w后流至待保護的膜層區(qū)域，以起到對某一部分處于去除區(qū)域的光刻膠下方的膜層再次受到光刻膠的保護，解決了需要使用半曝光工藝及特殊掩模板所帶來的生產成本提高等問題，實現(xiàn)了簡化工序、降低成本的目的。


圖1為本發(fā)明實施例一提供的光刻膠圖案的形成方法的流程圖；圖2A為根據(jù)本發(fā)明實施例提供的陣列基板的制造方法生產出的陣列基板的局部俯視結構示意圖；圖2B為圖2A中沿A-A線的側視剖切結構示意圖；圖3A至圖3J為根據(jù)本發(fā)明實施例三提供的陣列基板的制造方法制造陣列基板的過程中沿圖2A中A-A線的側視剖切結構示意圖。附圖標記1-襯底基板；2-柵線；3-柵電極；4-柵絕緣層； 5-數(shù)據(jù)線；6-半導體層；61-本征半導體層；62-重摻雜半導體層；7-源電極；8-漏電極；9-鈍化層；10-鈍化層過孔；11-像素電極；12-公共電極線； 13-溝道；14-光刻膠； 15-數(shù)據(jù)線金屬薄膜；30-像素區(qū)域；40-接口區(qū)域。
具體實施例方式為使本發(fā)明實施例的目的、技術方案和優(yōu)點更加清楚，下面將結合本發(fā)明實施例中的附圖，對本發(fā)明實施例中的技術方案進行清楚、完整地描述，顯然，所描述的實施例是本發(fā)明一部分實施例，而不是全部的實施例?；诒景l(fā)明中的實施例，本領域普通技術人員在沒有作出創(chuàng)造性勞動前提下所獲得的所有其他實施例，都屬于本發(fā)明保護的范圍。實施例一本發(fā)明實施例一提供了一種光刻膠圖案的形成方法，其流程圖如圖1所示，該方法包括101 在膜層上涂覆光刻膠，并采用掩模板對光刻膠進行曝光顯影，形成包括保留區(qū)域和去除區(qū)域的光刻膠圖案；其中，基于所采用的掩模板的不同，保留區(qū)域可以為完全保留區(qū)域，和/或，部分保留區(qū)域。102 對形成上述圖案的光刻膠進行加熱處理，以使得光刻膠流至待保護的膜層區(qū)域。其中，可以將光刻膠加熱到50至200攝氏度之間，以使得光刻膠呈流體狀，這種情況下，可以呈現(xiàn)一種漸變的光刻膠形態(tài)，從而對應于漸變的保留區(qū)域和去除區(qū)域，進而形成特殊掩模板都無法形成的光刻膠圖案。本發(fā)明實施例提供了一種光刻膠的形成方法，通過在形成保留區(qū)域和去除區(qū)域的光刻膠圖案后，對形成上述圖案的光刻膠進行加熱處理，以使得光刻膠變?yōu)榱黧w后流至待保護的膜層區(qū)域，以起到對某一部分處于去除區(qū)域的光刻膠下方的膜層再次受到光刻膠的保護，解決了需要使用半曝光工藝及特殊掩模板所帶來的生產成本提高等問題，實現(xiàn)了簡化工序、降低成本的目的。實施例二本發(fā)明實施例二提供了一種陣列基板的制造方法，假設利用該陣列基板的制造方法生產出的陣列基板的局部俯視結構示意圖可以如圖2A所示。圖2B為圖2A中沿A-A線的側視剖切結構示意圖。該陣列基板的制造方法包括在襯底基板1上形成導電圖案和絕緣層圖案的步驟，其中的導電圖案可以包括柵電極3、源電極7、漏電極8、半導體層6和像素電極11。其中，在形成半導體層6的圖案過程中，該陣列基板的制造方法還包括對光刻膠進行加熱處理，以使光刻膠流至源電極7與漏電極8之間的溝道13中。本實施例提供的陣列基板的制造方法，通過在形成半導體層圖案的過程中對光刻膠進行熱處理，使得光刻膠在高溫狀態(tài)下變?yōu)榱黧w流至溝道，有效保護了有源層薄膜中的本征半導體層，克服了 4次光刻中需要使用半曝光工藝及特殊掩模板所帶來的生產成本提高等問題，實現(xiàn)了簡化工序、降低成本的目的。實施例三本發(fā)明實施例三提供了一種陣列基板的制造方法，假設利用該陣列基板的制造方法生產出的陣列基板的局部俯視結構示意圖可以如圖2A所示，下面結合附圖對該陣列基板的制造方法進行說明。圖3A至圖3J根據(jù)本發(fā)明實施例三提供的陣列基板的制造方法制造陣列基板的過程中沿圖2A中A-A線的側視剖切結構示意圖。如圖3A所示，在襯底基板1上沉積柵金屬薄膜，并采用第一塊單色調掩膜板，通過構圖工藝刻蝕該柵金屬薄膜，形成包括柵線2和柵電極3的圖案。如圖;3B所示，在形成柵線2和柵電極3圖案的襯底基板1上通過等離子體化學沉積或其他方式沉積形成柵絕緣層4、半導體層薄膜和數(shù)據(jù)線金屬薄膜15。其中的半導體層薄膜包括本征半導體層61和重摻雜半導體層62。如圖3C所示，在已形成的本征半導體層61、重摻雜半導體層62和數(shù)據(jù)線金屬薄膜 15的襯底基板1上涂布光刻膠14，采用第二塊單色調掩模板，通過構圖工藝刻蝕掉無光刻膠14保護部位的數(shù)據(jù)線金屬薄膜15，形成包括數(shù)據(jù)線5、源電極7和漏電極8的圖案。其中，光刻膠14的厚度可以根據(jù)實際操作過程控制在1微米至4微米之間，材料可以選用AZ (安智)公司的HF-100型正性光刻膠及SR-300型正性光刻膠。如圖3D所示，刻蝕掉無光刻膠14保護部位的重摻雜半導體層62，在柵電極3上形成溝道13。其中，采用第二塊單色調掩模板，通過構圖工藝刻蝕掉無光刻膠14保護部位的數(shù)據(jù)線金屬薄膜15，形成包括數(shù)據(jù)線5、源電極7和漏電極8的圖案，刻蝕掉無光刻膠14保護部位的重摻雜半導體層62，在柵電極3上形成溝道13?？梢跃唧w為以下步驟(1)采用單色調掩模板對光刻膠14進行曝光顯影，形成包括完全保留區(qū)域和完全去除區(qū)域的光刻膠圖案；(2)進行第一次刻蝕，刻蝕掉完全去除區(qū)域對應的數(shù)據(jù)線金屬薄膜15，形成包括數(shù)據(jù)線5、源電極7和漏電極8的圖案；(3)進行第二次刻蝕，刻蝕掉完全去除區(qū)域對應的半導體層薄膜的重摻雜半導體層62，形成溝道13的圖案。如圖3E所示，對光刻膠14進行熱處理，利用光刻膠14在高溫狀態(tài)下的回流特性使其回流至溝道13部位，起到對溝道13部位剩余本征半導體層61的保護作用。加熱溫度可以在50攝氏度到200攝氏度之間的范圍內，具體的加熱時間與光刻膠14的厚度及材料有關。如圖3F所示，刻蝕掉其他無光刻膠14保護部位的本征半導體層61。
如圖3G所示，剝離掉光刻膠14。其中，可以通過灰化等方式去除光刻膠14。如圖3H所示，在形成上述圖案的襯底基板1上形成鈍化層9。如圖31所示，采用第三塊單色調掩模板，通過構圖工藝刻蝕鈍化層9形成鈍化層過孔10的圖案。如圖3J所示，在形成上述圖案的襯底基板1上沉積透明導電薄膜，并采用第四塊單色調掩模板，通過構圖工藝刻蝕透明導電薄膜形成包括像素電極11的圖案。本實施例提供的陣列基板的制造方法，通過在刻蝕掉重摻雜半導體層之后對光刻膠進行熱處理，使得光刻膠在高溫狀態(tài)下變?yōu)榱黧w流至溝道，有效保護了半導體層薄膜中的本征半導體層，克服了 4次光刻中需要使用半曝光工藝及特殊掩模板所帶來的生產成本提高等問題，實現(xiàn)了簡化工序、降低成本的目的。利用一次光刻工藝即可以形成源電極、漏電極、溝道及硅島圖案，方法簡單，可操作性強。實施例四本發(fā)明實施例四提供了一種陣列基板的制造方法，假設利用該陣列基板的制造方法生產出的陣列基板的局部俯視結構示意圖可以如圖2A所示，下面結合附圖對該陣列基板的制造方法進行說明，該方法包括在襯底基板1上沉積柵金屬薄膜，并采用第一塊單色調掩膜板，通過構圖工藝刻蝕該柵金屬薄膜，形成包括柵線2和柵電極3的圖案。在形成柵線2和柵電極3圖案的襯底基板1上通過等離子體化學沉積或其他方式沉積形成柵絕緣層4、半導體層薄膜和數(shù)據(jù)線金屬薄膜15。其中的半導體層薄膜包括本征半導體層61和重摻雜半導體層62。在已形成的本征半導體層61、重摻雜半導體層62和數(shù)據(jù)線金屬薄膜15的襯底基板1上涂布光刻膠14，采用第二塊單色調掩模板，通過構圖工藝刻蝕掉無光刻膠14保護部位的數(shù)據(jù)線金屬薄膜15，形成包括數(shù)據(jù)線5、源電極7和漏電極8的圖案，源電極7與漏電極8之間的部位形成為溝道13。其中，光刻膠14的厚度可以根據(jù)實際操作過程控制在1微米至4微米之間，材料可以選用AZ (安智)公司的HF-100型正性光刻膠及SR-300型正性光刻膠。對光刻膠14進行熱處理，利用光刻膠14在高溫狀態(tài)下的回流特性使其回流至溝道13部位，起到對溝道13部位半導體層6的保護作用。加熱溫度可以在50攝氏度到200 攝氏度之間的范圍內，具體的加熱時間與光刻膠14的厚度及材料有關?？涛g掉其他無光刻膠14保護部位的重摻雜半導體層62、以及本征半導體層61。剝離光刻膠14?？涛g掉溝道13部分的重摻雜半導體層62。在形成上述圖案的襯底基板1上形成鈍化層9。采用第三塊單色調掩模板，通過構圖工藝刻蝕鈍化層9形成鈍化層過孔10的圖案。在形成上述圖案的襯底基板1上沉積透明導電薄膜，并采用第四塊單色調掩模板，通過構圖工藝刻蝕透明導電薄膜形成包括像素電極11的圖案。本實施例提供的陣列基板的制造方法，通過在刻蝕半導體層之前對光刻膠進行熱處理，使得光刻膠在高溫狀態(tài)下變?yōu)榱黧w流至溝道，使得刻蝕本征半導體層時不會對溝道部位的本征半導體層造成傷害，剝離光刻膠后對溝道部位的重摻雜半導體層進行刻蝕，對溝道部位的本征半導體層影響很小，有效保護了本征半導體層，克服了 4次光刻中需要使用半曝光工藝及特殊掩模板所帶來的生產成本提高等問題，實現(xiàn)了簡化工序、降低成本的目的。利用一次光刻工藝即可以形成源電極、漏電極、溝道及硅島圖案，方法簡單，可操作性強。 最后應說明的是以上實施例僅用以說明本發(fā)明的技術方案，而非對其限制；盡管參照前述實施例對本發(fā)明進行了詳細的說明，本領域的普通技術人員應當理解其依然可以對前述各實施例所記載的技術方案進行修改，或者對其中部分技術特征進行等同替換；而這些修改或者替換，并不使相應技術方案的本質脫離本發(fā)明各實施例技術方案的精神和范圍。
權利要求
1.一種光刻膠圖案的形成方法，其特征在于，包括在膜層上涂覆光刻膠，并采用掩模板對所述光刻膠進行曝光顯影，形成包括保留區(qū)域和去除區(qū)域的光刻膠圖案；對形成所述圖案的光刻膠進行加熱處理，以使得光刻膠流至待保護的膜層區(qū)域。
2.根據(jù)權利要求1所述的光刻膠圖案的形成方法，其特征在于，所述保留區(qū)域包括完全保留區(qū)域和/或部分保留區(qū)域。
3.根據(jù)權利要求1或2所述的光刻膠圖案的形成方法，其特征在于，所述對形成所述圖案的光刻膠進行加熱處理，包括將所述光刻膠加熱到50至200攝氏度之間，使得所述光刻膠呈流體狀。
4.一種陣列基板的制造方法，包括在襯底基板上形成導電圖案和絕緣層的步驟，所述導電圖案包括柵電極、源電極、漏電極、半導體層和像素電極，其特征在于，在形成所述半導體層圖案的過程中，所述方法還包括對光刻膠進行加熱處理，以使所述光刻膠流至所述源電極與所述漏電極之間的溝道中。
5.根據(jù)權利要求4所述的陣列基板的制造方法，其特征在于，所述半導體層包括重摻雜半導體層和本征半導體層，相應的，所述形成所述半導體層圖案包括采用單色調掩模板，通過構圖工藝刻蝕所述半導體層中的重摻雜半導體層和本征半導體層。
6.根據(jù)權利要求5所述的陣列基板的制造方法，其特征在于，所述在形成所述半導體層圖案過程中，對光刻膠進行加熱處理，以使所述光刻膠流至所述源電極與所述漏電極之間的溝道中，具體包括在刻蝕所述重摻雜半導體層之前，對光刻膠進行加熱處理，以使所述光刻膠流至所述源電極與所述漏電極之間的溝道中。
7.根據(jù)權利要求6所述的陣列基板的制造方法，其特征在于，所述刻蝕所述半導體層中的本征半導體層之后，所述方法還包括剝離所述光刻膠，通過構圖工藝刻蝕所述溝道內剩余的重摻雜半導體層。
8.根據(jù)權利要求5所述的陣列基板的制造方法，其特征在于，所述在形成所述半導體層圖案過程中，對光刻膠進行加熱處理，以使所述光刻膠流至所述源電極與所述漏電極之間的溝道中，包括在刻蝕所述重摻雜半導體層之后，對光刻膠進行加熱處理，以使所述光刻膠流至所述源電極與所述漏電極之間的溝道中。
9.根據(jù)權利要求8所述的陣列基板的制造方法，其特征在于，所述刻蝕所述半導體層中的本征半導體層之后，所述方法還包括剝離所述光刻膠。
10.根據(jù)權利要求4至9中任一項所述的陣列基板的制造方法，其特征在于，所述對所述光刻膠進行熱處理，以使所述光刻膠流至所述溝道，具體包括將所述光刻膠加熱到50至200攝氏度之間，使得所述光刻膠呈流體狀，流入所述溝道。
11.根據(jù)權利要求4至9中任一項所述的陣列基板的制造方法，其特征在于，所述光刻膠的厚度在1微米至4微米之間。
全文摘要
本發(fā)明公開了一種光刻膠圖案的形成方法和陣列基板的制造方法。該光刻膠圖案的形成方法包括在金屬薄膜上涂覆光刻膠，并采用掩模板對所述光刻膠進行曝光顯影，形成包括保留區(qū)域和去除區(qū)域的光刻膠圖案；對形成所述圖案的光刻膠進行加熱處理，以使得所述光刻膠流至待保護的膜層區(qū)域。該陣列基板的制造方法包括在襯底基板上形成導電圖案和絕緣層的步驟，導電圖案包括柵電極、源電極、漏電極、半導體層和像素電極，在形成半導體層圖案的過程中，方法還包括對光刻膠進行加熱處理，以使光刻膠流至源電極與漏電極之間的溝道中。本發(fā)明實施例提供的方案，實現(xiàn)了簡化工序、降低成本的目的。
文檔編號H01L21/027GK102455593SQ20101052510
公開日2012年5月16日 申請日期2010年10月25日 優(yōu)先權日2010年10月25日
發(fā)明者儲培鳴 申請人:京東方科技集團股份有限公司, 合肥鑫晟光電科技有限公司