專利名稱：半導體裝置的制造方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及使用剝離方法的半導體裝置的制造方法。
背景技術(shù)：
現(xiàn)有的薄型半導體裝置的制造方法中有一種例子，即在耐熱性高的襯底和薄膜集 成電路的基底絕 緣層之間設(shè)置金屬氧化膜，并通過晶化將該金屬氧化膜脆弱化而使薄膜集 成電路剝離，且利用粘合劑將另外準備的柔性襯底與薄膜集成電路的基底絕緣層貼在一起 (例如，參照專利文件1)。[專利文件1]日本專利申請公開2005-229098號公報然而，在基底絕緣層由無機絕緣層如氧化硅膜或氮化硅膜而形成，且粘合劑由有 機化合物如聚合物或有機樹脂而形成的情況下，會發(fā)生一個問題，即，基底絕緣層和粘合劑 的緊密性低。此外，如果將通過上述方法等貼在一起的薄膜集成電路和柔性襯底分割為多個， 就在被分割了的側(cè)面露出基底絕緣層和粘合劑的界面。在基底絕緣層由無機絕緣層如氧化 硅膜或氮化硅膜而形成，且粘合劑由有機化合物如聚合物或有機樹脂而形成的情況下，基 底絕緣層和粘合劑的緊密性低，因此濕氣等從該界面容易進入。結(jié)果發(fā)生一個問題，即從基 底絕緣層剝落柔性襯底。如果從基底絕緣層剝落柔性襯底則發(fā)生另一個問題，即露出薄膜 集成電路，而由于濕氣，薄膜集成電路不正常地工作。

發(fā)明內(nèi)容
于是，本發(fā)明提供一種具有防水性且高可靠性的半導體裝置的制造方法。本發(fā)明的要旨在于提供一種半導體裝置的制造方法，它包括如下步驟將剝離層、 無機絕緣層、具有有機化合物層的元件形成層依次形成在襯底上；將在其表面上形成有無 機絕緣層的元件形成層從襯底分離；將無機絕緣層的一部分或者無機絕緣層和元件形成層 的一部分去掉，而至少將無機絕緣層分離得成為多個部分，以及在分離了的無機絕緣層的 外緣層疊有機化合物層、柔性襯底以及粘合劑中的任兩個或更多；以及將有機化合物層、柔 性襯底以及粘合劑中的任兩個或更多粘結(jié)的區(qū)域分割。此外，本發(fā)明之一為半導體裝置的制造方法，它包括如下步驟在襯底上形成剝離 層；在剝離層上形成無機絕緣層；在無機絕緣層上形成具有有機化合物層的元件形成層； 將第一柔性襯底貼在元件形成層上；將在其表面上形成有無機絕緣層的元件形成層從襯底 分離；將無機絕緣層的一部分去掉而使無機絕緣層分離得成為多個部分，并且使元件形成 層中的有機化合物層的一部分露出；將第二柔性襯底貼在分離了的無機絕緣層以及元件形 成層中的有機化合物層的露出部分上；以及將第一柔性襯底、元件形成層中的有機化合物層的露出部分和第二柔性襯底重疊的區(qū)域切斷。注意，還可以在上述元件形成層以及第一柔性襯底之間形成有機樹脂層。此外，本發(fā)明之一為半導體裝置的制造方法，它包括如下步驟在襯底上形成剝離 層；在剝離層上形成無機絕緣層；在無機絕緣層上形成元件形成層；將第一柔性襯底貼在 元件形成層上；將在其表面上形成有無機絕緣層的元件形成層從襯底分離；將無機絕緣層 以及元件形成層的一部分去掉而使無機絕緣層以及元件形成層分離得成為多個部分，并且 使第一柔性襯底的一部分露出；將第二柔性襯底貼在分離了的無機絕緣層以及第一柔性襯 底的露出部分上；以及將第一柔性襯底的露出部分和第二柔性襯底重疊的區(qū)域切斷。此外，本發(fā)明之一為半導體裝置的制造方法，它包括如下步驟在襯底上形成剝離 層；在剝離層上形成無機絕緣層；在無機絕緣層上形成元件形成層；使用第一粘合劑將第 一柔性襯底貼在元件形成層上；將在其表面上形成有無機絕緣層的元件形成層從襯底分 離；將無機絕緣層以及元件形成層的一部分去掉，而將無機絕緣層以及元件形成層分離得 成為多個部分，并且使第一粘合劑的一部分露出；使用第二粘合劑將第二柔性襯底貼在分 離了的無機絕緣層以及第一粘合劑的露出部分上；以及將第一柔性襯底、第一粘合劑的露 出部分、第二粘合劑和第二柔性襯底重疊的區(qū)域切斷。此外，本發(fā)明之一為半導體裝置的制造方法，它包括如下步驟在襯底上形成剝離 層；在剝離層上形成無機絕緣層；在無機絕緣層上形成元件形成層；在元件形成層上形成 有機樹脂層；將第一柔性襯底貼在有機樹脂層上；將在其表面上形成有無機絕緣層的元件 形成層從襯底分離；將無機絕緣層以及元件形成層的一部分去掉，而將無機絕緣層以及元 件形成層分離得成為多個部分，并且使有機樹脂層的一部分露出；將第二柔性襯底貼在分 離了的無機絕緣層以及有機樹脂層的露出部分上；以及將第一柔性襯底、有機樹脂層的露 出部分和第二柔性襯底重疊的區(qū)域切斷。此外，本發(fā)明之一為半導體裝置的制造方法，它包括如下步驟在襯底上形成剝離 層；在剝離層上形成無機絕緣層；在無機絕緣層上形成元件形成層；在元件形成層上形成 有機樹脂層；使用第一粘合劑將第一柔性襯底貼在有機樹脂層上；將在其表面上形成有無 機絕緣層的元件形成層從襯底分離；將無機絕緣層以及有機樹脂層的一部分去掉，而將無 機絕緣層以及有機樹脂層分離得成為多個部分，并且使第一粘合劑的一部分露出；使用第 二粘合劑將第二柔性襯底貼在分離了的無機絕緣層以及第一粘合劑的露出部分上；以及將 第一柔性襯底、第一粘合劑的露出部分、第二粘合劑和第二柔性襯底重疊的區(qū)域切斷。此外，本發(fā)明之一為半導體裝置的制造方法，它包括如下步驟在襯底上形成剝離 層；在剝離層上形成無機絕緣層；在無機絕緣層上形成元件形成層；將第一柔性襯底貼在 元件形成層上；將在其表面上形成有無機絕緣層的元件形成層從襯底分離；將無機絕緣層 以及元件形成層的一部分去掉而將無機絕緣層以及元件形成層分離得成為多個部分，并且 使第一柔性襯底的一部分露出；將第二柔性襯底貼在分離了的無機絕緣層以及第一柔性襯 底的露出部分上；以及將第一柔性襯底的露出部分和第二柔性襯底重疊的區(qū)域切斷。此外，本發(fā)明之一為半導體裝置的制造方法，它包括如下步驟在襯底上形成剝離 層；在剝離層上形成無機絕緣層；在無機絕緣層上形成元件形成層；將粘合構(gòu)件貼在元件 形成層上；將在其表面上形成有無機絕緣層的元件形成層從襯底分離；將第一柔性襯底貼 在無機絕緣層上；將粘合構(gòu)件去掉；將無機絕緣層以及元件形成層的一部分去掉，而將無機絕緣層以及元件形成層分離得成為多個部分，并且使第一柔性襯底露出；將第二柔性襯 底貼在分離了的元件形成層以及第一柔性襯底的露出部分上；以及將第一柔性襯底的露出 部分和第二柔性襯底重疊的區(qū)域切斷。此外，本發(fā)明之一為半導體裝置的制造方法，它包括如下步驟在襯底上形成剝離 層；在剝離層上形成無機絕緣層；在無機絕緣層上形成元件形成層；將粘合構(gòu)件貼在元件 形成層上；將在其表面上形成有無機絕緣層的元件形成層從襯底分離；使用第一粘合劑將 第一柔性襯底貼在無機絕緣層上；將粘合構(gòu)件去掉；將無機絕緣層以及元件形成層的一部 分去掉，而將無機絕緣層以及元件形成層分離得成為多個部分，并且使第一粘合劑的一部 分露出；使用第二粘合劑將第二柔性襯底貼在分離了的元件形成層以及第一粘合劑的露出 部分上；以及將第一柔性襯底、第一粘合劑的露出部分、第二粘合劑和第二柔性襯底重疊的 區(qū)域切斷。此外，本發(fā)明之一為半導體裝置的制造方法，它包括如下步驟在襯底上形成剝離 層；在剝離層上形成無機絕緣層；在無機絕緣層上形成元件形成層；將在其表面上形成有 無機絕緣層的元件形成層從襯底分離；將第一柔性襯底貼在無機絕緣層上；將無機絕緣層 以及元件形成層的一部分去掉且將無機絕緣層以及元件形成層分離得成為多個部分，并且 使第一柔性襯底的一部分露出；將第二柔性襯底貼在分離了的無機絕緣層以及第一柔性襯 底的露出部分上；以及將第一柔性襯底和第二柔性襯底重疊的區(qū)域切斷。此外，本發(fā)明之一為半導體裝置的制造方法，它包括如下步驟在襯底上形成剝離 層；在剝離層上形成無機絕緣層；在無機絕緣層上形成元件形成層；將在其表面上形成有 無機絕緣層的元件形成層從襯底分離；使用第一粘合劑將第一柔性襯底貼在無機絕緣層 上；將無機絕緣層以及元件形成層的一部分去掉且將無機絕緣層以及元件形成層分離得成 為多個部分，并且使第一粘合劑的一部分露出；將第二柔性襯底貼在分離了的無機絕緣層 以及第一粘合劑的露出部分上；以及將第一柔性襯底、第一粘合劑的露出部分和第二柔性 襯底重疊的區(qū)域切斷。此外，本發(fā)明之一為半導體裝置，它包括第一柔性襯底；薄膜集成電路；與薄膜 集成電路接觸的絕緣層；以及與絕緣層接觸的第二柔性襯底，其中，絕緣層和薄膜集成電路 的界面、以及絕緣層和第二柔性襯底的界面不露出。此外，本發(fā)明之一為半導體裝置，它包括薄膜集成電路；與薄膜集成電路接觸的 絕緣層；與薄膜集成電路以及絕緣層接觸的第一柔性襯底；以及與絕緣層接觸的第二柔性 襯底，其中，薄膜集成電路和第一柔性襯底的界面、絕緣層和第一柔性襯底的界面、以及絕 緣層和第二柔性襯底的界面不露出。此外，本發(fā)明之一為半導體裝置，它包括第一柔性襯底；薄膜集成電路；與第一 柔性襯底以及薄膜集成電路的一個面接觸的有機樹脂層；與薄膜集成電路的另一個面接觸 的絕緣層；以及與絕緣層接觸的第二柔性襯底，其中，絕緣層和薄膜集成電路的界面、以及 絕緣層和第二柔性襯底的界面不露出。此外，本發(fā)明之一為半導體裝置，它包括薄膜集成電路；與薄膜集成電路的一個 面接觸的有機樹脂層；與薄膜集成電路的另一個面接觸的絕緣層；與薄膜集成電路和有機 樹脂層接觸的第一柔性襯底；以及與絕緣層接觸的第二柔性襯底，其中，有機樹脂層和第一 柔性襯底的界面、薄膜集成電路和第一柔性襯底的界面、絕緣層和第一柔性襯底的界面、以及絕緣層和第二柔性襯底的界面不露出。此外，本發(fā)明之一為半導體裝置，它包括第一柔性襯底；薄膜集成電路將第一 柔性襯底以及薄膜集成電路的一個面粘結(jié)的第一粘合劑；與薄膜集成電路的另一個面接觸 的絕緣層；第二柔性襯底；以及將絕緣層和第二柔性襯底粘結(jié)的第二粘合劑，其中，絕緣層 和薄膜集成電路的界面、以及絕緣層和第二粘合劑的界面不露出。此外，本發(fā)明之一為半導體裝置，它包括第一柔性襯底；薄膜集成電路；將第一 柔性襯底以及薄膜集成電路的一個面粘結(jié)的第一粘合劑；與薄膜集成電路的另一個面接觸 的絕緣層；第二柔性襯底；以及將絕緣層和第二柔性襯底粘結(jié)的第二粘合劑，其中，薄膜集 成電路和第一粘合劑的界面、薄膜集成電路和絕緣層的界面、以及絕緣層和第二粘合劑的 界面不露出。此外，本發(fā)明之一為半導體裝置，它包括第一柔性襯底；薄膜集成電路；形成在 薄膜集成電路的一個面上的有機樹脂層；將第一柔性襯底以及有機樹脂層粘結(jié)的第一粘 合劑；與薄膜集成電路的另一個面接觸的絕緣層；第二柔性襯底；以及將絕緣層和第二柔 性襯底粘結(jié)的第二粘合劑，其中，絕緣層和第一粘合劑的界面、絕緣層和薄膜集成電路的界 面、以及絕緣層和第二粘合劑的界面不露出。此外，本發(fā)明之一為半導體裝置，它包括第一柔性襯底；薄膜集成電路；形成在 薄膜集成電路的一個面上的有機樹脂層；將第一柔性襯底以及有機樹脂層粘結(jié)的第一粘合 劑；與薄膜集成電路的另一個面接觸的絕緣層；第二柔性襯底；以及將絕緣層和第二柔性 襯底粘結(jié)的第二粘合劑，其中，第一粘合劑和有機樹脂層的界面、有機樹脂層和薄膜集成電 路的界面、薄膜集成電路和絕緣層的界面、以及絕緣層和第二粘合劑的界面不露出。注意，第一柔性襯底、有機樹脂層、以及第二柔性襯底的界面露出?；蛘撸谝蝗嵝砸r底、有機樹脂層、薄膜集成電路以及第二柔性襯底的界面露出。或者，第一柔性襯底以及第二柔性襯底的界面露出?；蛘?，第一柔性襯底、薄膜集成電路以及第二柔性襯底的界面露出。或者，第一柔性襯底、第一粘合劑、有機樹脂層、薄膜集成電路、第二粘合劑、以及 第二柔性襯底的界面露出。或者，第一柔性襯底、第一粘合劑、有機樹脂層、第二粘合劑、以及第二柔性襯底的 界面露出?；蛘?，第一柔性襯底、第一粘合劑、有機樹脂層、薄膜集成電路、以及第二柔性襯底 的界面露出。或者，第一柔性襯底、第一粘合劑、薄膜集成電路、第二粘合劑、以及第二柔性襯底 的界面露出?；蛘?，第一柔性襯底、第一粘合劑、第二粘合劑、以及第二柔性襯底的界面露出。或者，第一柔性襯底、薄膜集成電路、第二粘合劑、以及第二柔性襯底的界面露出?；蛘?，第一柔性襯底、第一粘合劑、薄膜集成電路、以及第二柔性襯底的界面露出。根據(jù)本發(fā)明而制造的半導體裝置具有如下的結(jié)構(gòu)，即在其端部，有機化合物層、由 有機化合物形成的粘合劑、以及由有機化合物形成的柔性襯底中的兩個或更多的層疊體露 出，并且無機絕緣層以及由有機化合物形成的粘合劑接觸的區(qū)域不露出。因此，在半導體裝 置的端部，有機化合物層、由有機化合物形成的粘合劑、以及由有機化合物形成的柔性襯底中的兩個或更多的緊密力高，因而可以抑制濕氣從界面進入到半導體裝置。即，可以制造夾 持薄膜集成電路的多個柔性襯底的緊密力高的半導體裝置。結(jié)果，可以制造具有防水性的 半導體裝置。即，可以制造可靠性高的半導體裝置。此外，由于使用柔性襯底，所以可以制 造薄型半導體裝置。


圖IA至IE為顯示本發(fā)明的半導體裝置的制造步驟的截面圖；圖2A至2E為顯示本發(fā)明的半導體裝置的制造步驟的截面圖；圖3A至3E為顯示本發(fā)明的半導體裝置的制造步驟的截面圖；圖4為顯示本發(fā)明的半導體裝置的結(jié)構(gòu)的截面圖；圖5A至5E為顯示本發(fā)明的半導體裝置的制造步驟的截面圖；圖6A至6E為顯示本發(fā)明的半導體裝置的制造步驟的截面圖；圖7為顯示本發(fā)明的半導體裝置的結(jié)構(gòu)的截面圖；圖8A至8F為顯示本發(fā)明的半導體裝置的制造步驟的截面圖；圖9A和9B為顯示本發(fā)明的半導體裝置的結(jié)構(gòu)的截面圖；圖IOA至IOE為顯示本發(fā)明的半導體裝置的制造步驟的截面圖；圖IlA至IlD為顯示本發(fā)明的半導體裝置的制造步驟的截面圖；圖12為顯示本發(fā)明的半導體裝置的制造步驟的俯視圖；圖13為顯示本發(fā)明的半導體裝置的結(jié)構(gòu)的圖；圖14A至14C為顯示可以適用于本發(fā)明的天線的結(jié)構(gòu)的圖；圖15A至15F為顯示本發(fā)明的半導體裝置的應用實例的圖。
具體實施例方式下面，基于附圖而說明本發(fā)明的實施方式。但是，本領(lǐng)域的普通技術(shù)人員可以很容 易地理解一個事實，就是本發(fā)明可以以多個不同方式而實施，其方式和詳細內(nèi)容可以被變 換為各種各樣的形式，而不脫離本發(fā)明的宗旨及其范圍。因此，本發(fā)明不應該被解釋為僅限 定在本實施方式所記載的內(nèi)容中。注意，在為了說明實施方式的所有附圖中，對共同部分或 具有同樣作用的部分使用相同的符號，而省略重復的說明。實施方式1在本實施方式中，對于在其端部的疊層的緊密性高的半導體裝置的制造步驟進行 說明。如圖IA至IE所示，在襯底101上形成剝離層102，在剝離層102上形成絕緣層 103，在絕緣層103上形成元件形成層104。然后，使用粘合劑105將第一柔性襯底106與元 件形成層104貼在一起。作為襯底101，除了玻璃襯底、石英襯底以外，還可以使用在其表面上形成有絕緣 層的金屬襯底、不銹鋼襯底、硅片等。另外，也可以使用具有可耐本步驟的處理溫度的耐熱 性的塑料襯底等。對于玻璃襯底、在其表面上形成有絕緣層的金屬襯底或不銹鋼襯底的尺 寸和形狀沒有限制，從而例如使用一邊長為1米或更長并且為矩形的襯底作為襯底101，就 可以格外提高生產(chǎn)率。與使用圓形的硅襯底的情況相比，這是很大的優(yōu)點。
剝離層102是通過濺射法、等離子體CVD法、涂敷法、印刷法等將由選自鎢(W)、 鉬(Mo)、鈦(Ti)、鉭(Ta)、鈮(Nb)、鎳(Ni)、鈷(Co)、鋯(&)、鋅(Zn)、釕(Ru)、銠(Rh)、鈀 (Pd)、鋨(Os)、銥(Ir)以及硅(Si)中的元素，以上述元素為主要成分的合金材料，或由以上 述元素為主要成分的化合物材料構(gòu)成的層單獨或?qū)盈B多個層而形成的。含有硅的層的結(jié)晶 結(jié)構(gòu)可以為非晶、微晶、多晶中的任何一種。在剝離層102為單層結(jié)構(gòu)的情況下，優(yōu)選形成鎢層、鉬層或含有鎢和鉬的混合物 的層?；蛘撸纬珊墟u的氧化物或其氧氮化物的層、含有鉬的氧化物或其氧氮化物的層、 或含有鎢和鉬的混合物的氧化物或其氧氮化物的層。注意，鎢和鉬的混合物例如相當于鎢 和鉬的合金。在剝離層102為疊層結(jié)構(gòu)的情況下，優(yōu)選形成鎢層、鉬層或含有鎢和鉬的混合物 的層作為第一層，并且形成含有以下化合物中的任何一種的層作為第二層鎢、鉬或鎢和鉬 的混合物的氧化物；鎢、鉬或鎢和鉬的混合物的氮化物；鎢、鉬或鎢和鉬的混合物的氧氮化 物；或者鎢、鉬或鎢和鉬的混合物的氮氧化物。在作為剝離層102形成鎢層和含有鎢的氧化物的層的疊層結(jié)構(gòu)的情況下，可以利 用如下現(xiàn)象通過形成鎢層并且在其上層形成由氧化物形成的絕緣層，在鎢層和絕緣層的 界面形成含有鎢的氧化物的層。以WOx表示鎢的氧化物。χ在2 □ χ □ 3的范圍內(nèi)，例如有如下情況x為2 (WO2)、 χ 為 2. 5 (W2O5)、χ 為 2. 75 (W4O11)、以及 χ 為 3 (WO3)等。此外，在上述步驟中，雖然與襯底101接觸地形成剝離層102，然而本發(fā)明不局限 于該步驟。還可以與襯底101接觸地形成成為基底的絕緣層，并且與該基底絕緣層接觸地 提供剝離層102。絕緣層103通過濺射法、等離子體CVD法、涂敷法、印刷法等使用無機化合物以單 層或多層形成。作為無機化合物的典型例子，可以舉出氧化硅、氮氧化硅以及氧氮化硅等。 此外，在以多層形成絕緣層103的情況下，可以將氧化硅、氮氧化硅以及氧氮化硅層疊而形 成。此外，還可以在將絕緣層形成在剝離層102上之前，對剝離層102的表面進行熱氧化處 理、氧等離子體處理、N2O等離子體處理、使用臭氧水等的強氧化溶液的處理等而形成氧化 物層。元件形成層104包括形成在絕緣層103上的多個薄膜集成電路。將薄膜晶體管、 二極管、電阻、電容器等的元件適當?shù)厥褂枚纬杀∧ぜ呻娐?。注意，元件形成?04包 括有機化合物層。此外，薄膜集成電路包括天線、整流器電路、存儲電容器、恒壓電路等的電源電路、 解調(diào)電路、時鐘生成/校正電路、代碼認識/判定電路、存儲控制器、存儲器、編碼電路、調(diào)制 電路以及接口等的計算處理單元(發(fā)揮作為所謂CPU的作用)等中的任多個電路。注意， 具有這樣的薄膜集成電路的半導體裝置作為能夠無接觸地傳送數(shù)據(jù)的半導體裝置而發(fā)揮 作用。此外，薄膜集成電路包括像素電路、掃描線驅(qū)動電路、信號線驅(qū)動電路、控制器、計 算處理單元、存儲器、電源電路、聲音處理電路、發(fā)送/接收電路、電池、天線、整流器電路、 存儲電容器、恒壓電路等的電源電路等中的任多個電路。注意，具有這樣薄膜集成電路的半 導體裝置作為顯示器件而發(fā)揮作用。特別，當半導體裝置包括天線、整流器電路、存儲電容器、恒壓電路等的電源電路時，它作為將無接觸地傳送的數(shù)據(jù)能夠顯示的顯示器件而發(fā)揮 作用。此外，可以使用SOI(絕緣體上載硅；Silicon on Insulator)襯底、典型的為 SIMOX(注入氧隔離；S印aration by IMplanted OXygen)襯底作為剝離層102、絕緣層103 以及元件形成層104。典型地可以將硅片作為剝離層102，并將在硅片上的氧化硅層作為絕 緣層103，且將形成在其上的由單晶硅而形成的具有MOS晶體管的層作為元件形成層104。 在此情況下，在圖IB中，可以利用研磨/拋光機或蝕刻劑將硅片去掉，以將絕緣層103以及 元件形成層104從剝離層102分離。作為粘合劑105，使用以丙烯酸樹脂、環(huán)氧樹脂、硅樹脂等為典型的有機樹脂。作為第一柔性襯底106，典型地說，可以使用由PET (聚對苯二甲酸乙二醇酯)、 PEN(聚萘二甲酸乙二醇酯)、PES(聚醚砜)、聚丙烯、聚丙烯硫化物、聚碳酸酯、聚醚亞胺、聚 苯硫醚、聚苯醚、聚砜或聚鄰苯二甲酰胺等構(gòu)成的襯底，或者由纖維材料構(gòu)成的紙?；蛘?，作為第一柔性襯底106，也可以使用其表面為熱塑性樹脂層的薄膜(層壓薄 膜(包括聚丙烯、聚酯、乙烯基、聚氟乙烯、氯乙烯等))。通過加熱處理使提供在其最外層的 熱塑性樹脂層(不是粘接層)熔化并加壓，可以將層壓薄膜粘接到被處理物上。下面，如圖IB所示，將絕緣層103從襯底101剝離。作為剝離方法，在剝離層102和絕緣層103的界面中，使用物理辦法將襯底101以 及元件形成層104剝離。物理辦法指的是力學的辦法或機械的辦法，即將什么力學的能量 (機械的能量)變化的辦法。物理辦法典型地是施加機械的力量的辦法(例如，使用人的 手或夾握工具剝下的辦法，或者使?jié)L子轉(zhuǎn)動的分離處理)。注意，也可以在使用粘合劑105 將第一柔性襯底106與元件形成層104貼在一起之前，對元件形成層104輻照激光而形成 從絕緣層103直形成到元件形成層104的開口部分(使剝離層102的一部分露出的開口部 分)。通過進行該處理，在用物理辦法而做剝離時，在剝離層102和絕緣層103的界面中容 易剝離了，因此可以提高成品率以及生產(chǎn)率。作為另外的剝離方法，還可以使用如下的剝離方法，即使用有透光性的襯底作為 襯底101，使用含氫的非晶硅膜作為剝離層102，通過從襯底101 —側(cè)輻照激光來使作為剝 離層102的非晶硅膜包含的氫氣化，而在襯底101和剝離層102之間、或者剝離層102和絕 緣層103之間剝離。此外，還可以使用從絕緣層103剝離襯底101的方法，即通過機械地拋光襯底101 而去掉它的方法，或者利用HF等的使襯底溶解的溶液來去掉襯底101的方法。在此情況下， 也可以不使用剝離層102。此外，在利用粘合劑105將第一柔性襯底106與元件形成層104貼在一起之前，在 元件形成層104以及絕緣層103中形成開口部分，并將氟化鹵氣體諸如NF3、BrF3、ClF3等輸 入于該開口部分，且用氟化鹵氣體來蝕刻剝離層102而去掉。此后，利用粘合劑105將第一 柔性襯底106與元件形成層104貼在一起，而將元件形成層104從襯底101剝離。此外，在利用粘合劑105將第一柔性襯底106與元件形成層104貼在一起之前，在 元件形成層104以及絕緣層103中形成開口部分，并將氟化鹵氣體諸如NF3、BrF3^ ClF3等 輸入于該開口部分，且用氟化鹵氣體來蝕刻剝離層102的一部分而去掉。此后，利用粘合劑 105將第一柔性襯底106與元件形成層104貼在一起，而通過物理辦法將元件形成層104從襯底101剝離。在此，如圖IB所示，通過物理辦法在剝離層102和絕緣層103的界面進行分離，而 將元件形成層104從襯底101剝離。下面，如圖IC所示，有選擇地去掉絕緣層103的一部分來使元件形成層104的一 部分露出，而形成分離了的絕緣層111。如圖12所示，優(yōu)選將在元件形成層104中的與形 成有薄膜集成電路的區(qū)域116的周邊部分117重疊的絕緣層103有選擇地去掉。作為將絕 緣層103的一部分有選擇地去掉的方法，可以將使用干蝕刻法或濕蝕刻法等的化學去掉方 法、或使用刀片的切割方法或激光切割方法等的物理去掉方法適當?shù)厥褂?。通過使用上述物理去掉方法，而多少蝕刻元件形成層104的表面。此時，使被蝕刻 了的表面成為不平坦。因為在以后使用粘合劑將柔性襯底與元件形成層104的表面貼在一 起的情況下，使用粘合劑114的元件形成層104和第二柔性襯底115之間的緊密性就提高， 因此優(yōu)選使被蝕刻了的元件形成層104的表面如此成為不平坦。此外，通過有選擇地去掉絕緣層103而露出的元件形成層104的表面優(yōu)選由有機 化合物形成。并且，在元件形成層104的表面不是有機化合物層的情況下，可以去掉元件形 成層的一部分，而使元件形成層中的有機化合物層露出。結(jié)果，在以后使用粘合劑將柔性襯 底與元件形成層104的表面貼在一起的情況下，元件形成層和粘接劑的緊密性就提高。下面，如圖ID所示，使用粘合劑114將第二柔性襯底115與分離了的絕緣層111 以及元件形成層104的露出部分貼在一起?？梢詫⑴c粘合劑105和第一柔性襯底106同樣 的材料分別適當?shù)厥褂糜谡澈蟿?14以及第二柔性襯底115。在此，因為在分離了的絕緣 層111的周圍，元件形成層104的有機化合物層的表面和由有機化合物形成的粘合劑粘在 一起，所以在該區(qū)域中緊密性高。下面，將元件形成層104以及粘合劑114粘在一起的區(qū)域，即第一柔性襯底106、 粘合劑105、元件形成層104、粘合劑114、第二柔性襯底115層疊的區(qū)域用切斷裝置112切 斷。結(jié)果，如圖IE所示，可以制造由分離了的第一柔性襯底106a、分離了的粘合劑105a、分 離了的元件形成層104(以下，也表示為薄膜集成電路104a)、分離了的絕緣層111、分離了 的粘合劑114a、以及分離了的第二柔性襯底115a構(gòu)成的半導體裝置113。在此處的半導體裝置113的端部分離了的絕緣層111不露出。換句說話，分離了 的絕緣層111的端部位于第二柔性襯底115a的端部的內(nèi)側(cè)。即，在端部，分離了的絕緣層 111和薄膜集成電路104a的界面、分離了的絕緣層111和分離了的粘合劑114a的界面等的 緊密性不好的界面不露出，而分離了的第一柔性襯底106a、分離了的粘合劑105a、薄膜集 成電路104a、分離了的粘合劑114a、以及分離了的第二柔性襯底115a的界面露出。因此， 在該端部各層的緊密性高。作為切斷裝置112，可以適當?shù)厥褂们懈钛b置、劃線裝置、激光輻 照裝置等。注意，在使用表面為熱塑性樹脂層的襯底作為第一柔性襯底的情況下，可以不使 用粘合劑而將元件形成層與第一柔性襯底粘在一起。具體地，如果一邊給第一柔性襯底 加熱一邊將它壓力粘結(jié)在元件形成層，其表面的熱塑性樹脂層則被增塑而為粘合劑發(fā)揮作 用，且將元件形成層與第一柔性襯底粘結(jié)。此后，通過冷卻第一柔性襯底，使熱塑性樹脂層 固化。結(jié)果，可以將元件形成層與第一柔性襯底粘在一起，而不使用粘合劑。注意，在將表 面為熱塑性樹脂層的襯底使用為第二柔性襯底的情況下，也是同樣。
當使用表面為熱塑性樹脂層的襯底作為第一柔性襯底106以及第二柔性襯底115 時，在圖IA中第一柔性襯底106與元件形成層104接觸，并且在圖ID中第二柔性襯底115 與元件形成層104接觸。此外，在使用該襯底而制造的半導體裝置的端部，分離了的第一柔 性襯底106a、薄膜集成電路104a、以及分離了的第二柔性襯底115a的界面露出。注意，如圖2A所示，也可以在元件形成層104上設(shè)置厚度為5至10 μ m的有機樹 脂層107。通過這樣在元件形成層104上形成有機樹脂層107，可以防止在剝離步驟中在元 件形成層中出現(xiàn)裂縫，并且可以提高成品率。此后，如圖2B至2E所示，通過跟圖IB至IE 同樣的步驟，可以制造半導體裝置118。注意，分離了的第一柔性襯底106a、分離了的粘合劑105a、分離了的有機樹脂層 107a、薄膜集成電路104a、分離了的絕緣層111、分離了的粘合劑114a、以及分離了的第二 柔性襯底115a層疊而形成半導體裝置118。在此處的半導體裝置118的端部，分離了的絕 緣層111不露出。換句說話，分離了的絕緣層111的端部位于第二柔性襯底115a的端部的 內(nèi)側(cè)。即，在端部，分離了的絕緣層111和薄膜集成電路104a的界面、分離了的絕緣層111 和分離了的粘合劑114a的界面等的緊密性不好的界面不露出，而分離了的第一柔性襯底 106a、分離了的粘合劑105a、分離了的有機樹脂層107a、薄膜集成電路104a、分離了的粘合 劑114a、以及分離了的第二柔性襯底115a的界面露出。因此，在該端部各層的緊密性高。當使用表面為熱塑性樹脂層的襯底作為第一柔性襯底106以及第二柔性襯底115 時，在圖2A中第一柔性襯底106與有機樹脂層107接觸，并且在圖2D中第二柔性襯底115 與元件形成層104接觸。此外，在使用該襯底而制造的半導體裝置的端部，分離了的第一柔 性襯底106a、分離了的有機樹脂層107a、薄膜集成電路104a、以及分離了的第二柔性襯底 115a的界面露出。根據(jù)本實施方式，可以提供一種夾持薄膜集成電路的柔性襯底的緊密性高的半導 體裝置的制造方法。結(jié)果，可以制造具有防水性的半導體裝置。即，可以制造可靠性高的半 導體裝置。實施方式2在本實施方式中，參照圖3A至3E和圖4，而說明跟實施方式1不同，除了絕緣層 103以外還蝕刻元件形成層104之后，將第二柔性襯底貼在一起的方式。此外，參照圖5A至 5E，而說明跟實施方式1不同，除了絕緣層103以外還蝕刻元件形成層104以及有機樹脂層 之后，將第二柔性襯底貼在一起的方式。如圖3A所示，跟實施方式1同樣地，在襯底101上形成剝離層102，在剝離層102 上形成絕緣層103，在絕緣層103上形成元件形成層104。然后，使用粘合劑105將第一柔 性襯底106與元件形成層104粘在一起。下面，如圖3B所示，跟實施方式1同樣地，將絕緣層103從剝離層102剝離。下面，如圖3C所示，有選擇地去掉絕緣層103以及元件形成層104的各一部分來 使粘合劑105的一部分露出，而形成分離了的絕緣層111以及分離了的元件形成層104 (以 下，也表示為薄膜集成電路121)。也在本實施方式中，優(yōu)選將在元件形成層104中的形成薄 膜集成電路的區(qū)域的周邊部分、以及形成在該區(qū)域中的絕緣層有選擇地去掉。下面，如圖3D所示，使用粘合劑114將第二柔性襯底115與分離了的絕緣層111以 及粘合劑105的露出部分貼在一起?？梢詫⑴c粘合劑105以及第一柔性襯底106同樣的材料分別適當?shù)厥褂糜谡澈蟿?14以及第二柔性襯底115。在此，因為在分離了的絕緣層111 以及薄膜集成電路121的周圍，由有機化合物形成的粘合劑105和粘合劑114粘在一起，所 以在該區(qū)域中緊密性高。下面，將粘合劑105以及粘合劑114粘在一起的區(qū)域，即第一柔性襯底106、粘合劑 105、粘合劑114、第二柔性襯底115層疊的區(qū)域用切斷裝置112切斷。結(jié)果，如圖3E所示， 可以制造由分離了的第一柔性襯底106a、分離了的粘合劑105a、薄膜集成電路121、分離了 的絕緣層111、分離了的粘合劑114a、以及分離了的第二柔性襯底115a構(gòu)成的半導體裝置 122。在此處的半導體裝置122的端部，分離了的絕緣層111以及薄膜集成電路121不 露出。換句說話，分離了的絕緣層111的端部和薄膜集成電路121的端部位于第二柔性襯底 115a的內(nèi)側(cè)。即，在端部，分離了的絕緣層111、薄膜集成電路121和分離了的粘合劑114a 的緊密性不好的界面不露出，而分離了的第一柔性襯底106a、分離了的粘合劑105a、分離 了的粘合劑114a、以及分離了的第二柔性襯底115a的界面露出。因此，在該端部各層的緊 密性高。作為切斷裝置112，可以適當?shù)厥褂脤嵤┓绞?所示的裝置。當使用表面為熱塑性樹脂層的襯底作為第一柔性襯底106以及第二柔性襯底115 時，在圖3A中第一柔性襯底106與元件形成層104接觸，并且在圖3D中第二柔性襯底115 與第一柔性襯底106、分離了的絕緣層111以及薄膜集成電路121的端部接觸。此外，在使 用該襯底而制造的半導體裝置的端部，分離了的第一柔性襯底106a和分離了的第二柔性 襯底115a的界面露出。注意，在圖3A中，也可以在元件形成層104上設(shè)置有機樹脂層。此后，在圖3C中， 將絕緣層103、元件形成層104的一部分有選擇地去掉來使有機樹脂層的一部分露出。此 后，使用粘合劑114將第二柔性襯底115與分離了的絕緣層111以及露出的有機樹脂層貼 在一起。此后，在圖3D中，使用切斷裝置112將有機樹脂層和粘合劑接觸的區(qū)域，即第一柔 性襯底106、粘合劑105、有機樹脂層、粘合劑114、第二柔性襯底115層疊的區(qū)域切斷。結(jié)果，可以提供如圖4所示的半導體裝置124。分離了的第一柔性襯底106a、分離 了的粘合劑105a、分離了的有機樹脂層123、薄膜集成電路121、分離了的絕緣層111、分離 了的粘合劑114a、以及分離了的第二柔性襯底115a層疊而形成該半導體裝置124。在此處 的半導體裝置124的端部，分離了的絕緣層111以及薄膜集成電路121不露出。換句說話， 分離了的絕緣層111的端部和薄膜集成電路121的端部位于第二柔性襯底115a的端部的 內(nèi)側(cè)。即，在端部，分離了的絕緣層111、薄膜集成電路121、分離了的粘合劑114a的緊密性 不好的界面不露出，而分離了的第一柔性襯底106a、分離了的粘合劑105a、分離了的有機 樹脂層123、分離了的粘合劑114a、以及分離了的第二柔性襯底115a的界面露出。因此，在 該端部各層的緊密性高。當使用表面為熱塑性樹脂層的襯底作為第一柔性襯底106以及第二柔性襯底115 時，可以得到具有如下結(jié)構(gòu)的半導體裝置。即，在該半導體裝置的端部，分離了的第一柔性 襯底106a、分離了的有機樹脂層123、分離了的第二柔性襯底115a的界面露出。此外，如圖5A所示，跟實施方式1同樣地，在襯底101上形成剝離層102，在剝離 層102上形成絕緣層103，在絕緣層103上形成元件形成層104，在元件形成層104上形成 有機樹脂層107。然后，使用粘合劑105將第一柔性襯底106與有機樹脂層107粘在一起。
下面，如圖5B所示，跟實施方式1同樣地，將絕緣層103從剝離層102剝離。下面，如圖5C所示，有選擇地去掉絕緣層103、元件形成層104、以及有機樹脂層 107的各一部分來使粘合劑105的一部分露出，而形成分離了的絕緣層111、薄膜集成電路 121、以及分離了的有機樹脂層141。也在本實施方式中，優(yōu)選將在元件形成層104中的形成 薄膜集成電路的區(qū)域的周邊部分、以及形成在該區(qū)域中的絕緣層以及有機樹脂層有選擇地 去掉。下面，如圖5D所示，使用粘合劑114將第二柔性襯底115與分離了的絕緣層111、 薄膜集成電路121、有機樹脂層141以及粘合劑105的露出部分貼在一起?？梢詫⑴c粘合 劑105以及第一柔性襯底106同樣的材料分別適當?shù)厥褂糜谡澈蟿?14以及第二柔性襯底 115。在此，因為在分離了的絕緣層111以及薄膜集成電路121的周圍，粘合劑105和粘合 劑114粘在一起，所以在該區(qū)域中緊密性高。下面，將粘合劑105、粘合劑114、第一柔性襯底106以及第二柔性襯底115粘在一 起的區(qū)域使用切斷裝置112切斷，并且，如圖5E所示，可以制造由分離了的第一柔性襯底 106a、分離了的粘合劑105a、分離了的有機樹脂層141、薄膜集成電路121、分離了的絕緣層 111、分離了的粘合劑114a、以及分離了的第二柔性襯底11 構(gòu)成的半導體裝置142。在此處的半導體裝置142的端部，分離了的絕緣層111、薄膜集成電路121以及分 離了的有機樹脂層141不露出。換句說話，分離了的絕緣層111的端部、薄膜集成電路121 的端部和分離了的有機樹脂層141的端部位于第二柔性襯底11 的端部的內(nèi)側(cè)。即，在端 部，分離了的絕緣層111、薄膜集成電路121、分離了的有機樹脂層141和分離了的粘合劑 114a的緊密性不好的界面不露出，而分離了的第一柔性襯底106a、分離了的粘合劑105a、 分離了的粘合劑114a、以及分離了的第二柔性襯底11 的界面分別露出。因此，在該端部 各層的緊密性高。作為切斷裝置112，可以適當?shù)厥褂脤嵤┓绞?所示的裝置。當使用表面為熱塑性樹脂層的襯底作為第一柔性襯底106以及第二柔性襯底115 時，在圖5A中第一柔性襯底106與有機樹脂層107接觸，并且在圖5D中第二柔性襯底115 與第一柔性襯底106、分離了的絕緣層111、薄膜集成電路121的端部、以及分離了的有機樹 脂層107的端部接觸。此外，在使用該襯底而制造的半導體裝置的端部，分離了的第一柔性 襯底106a、分離了的粘合劑11 和分離了的第二柔性襯底11 的界面露出。根據(jù)本實施方式，可以提供一種夾持薄膜集成電路的柔性襯底的緊密性高的半導 體裝置的制造方法。結(jié)果，可以制造具有防水性的半導體裝置。即，可以制造可靠性高的半 導體裝置。實施方式3在本實施方式中，參照圖6A至6E和圖7，而說明跟實施方式2不同，除了絕緣層 103和元件形成層104以外還蝕刻粘合劑105之后，將柔性襯底貼在分離了的絕緣層111和 薄膜集成電路121上的方式。如圖6A所示，跟實施方式1同樣地，在襯底101上形成剝離層102，在剝離層102 上形成絕緣層103，在絕緣層103上形成元件形成層104。然后，使用粘合劑105將第一柔 性襯底106與元件形成層104粘在一起。下面，如圖6B所示，跟實施方式1同樣地，將絕緣層103從剝離層102剝離。下面，如圖6C所示，有選擇地去掉絕緣層103、元件形成層104以及粘合劑105的各一部分來使第一柔性襯底106的一部分露出，而形成分離了的絕緣層111、薄膜集成電路 121以及分離了的粘合劑131。也在本實施方式中，優(yōu)選將在元件形成層104中的形成薄膜 集成電路的區(qū)域的周邊部分、以及形成在該區(qū)域中的絕緣層以及粘合劑有選擇地去掉。下面，如圖6D所示，使用粘合劑114將第二柔性襯底115與分離了的絕緣層111、 薄膜集成電路121、分離了的粘合劑131、以及第一柔性襯底106的露出部分貼在一起。可 以將與粘合劑105以及第一柔性襯底106同樣的材料分別適當?shù)厥褂糜谡澈蟿?14以及第 二柔性襯底115。在此，因為在分離了的絕緣層111以及薄膜集成電路121的周圍，粘合劑 114和第一柔性襯底106粘在一起，所以在該區(qū)域中緊密性高。下面，將粘合劑114以及第一柔性襯底106粘在一起的區(qū)域，即第一柔性襯底106、 粘合劑114、第二柔性襯底115層疊的區(qū)域用切斷裝置112切斷。結(jié)果，如圖6E所示，可以 制造由分離了的第一柔性襯底106a、分離了的粘合劑131、薄膜集成電路121、分離了的絕 緣層111、分離了的粘合劑114a、以及分離了的第二柔性襯底11 層疊而構(gòu)成的半導體裝 置 132。在此處的半導體裝置132的端部，分離了的絕緣層111、薄膜集成電路121、以及分 離了的粘合劑10 不露出。換句說話，分離了的絕緣層111的端部位于第二柔性襯底11 的端部的內(nèi)側(cè)。即，在端部，分離了的絕緣層111、薄膜集成電路121、分離了的粘合劑131、 以及分離了的粘合劑IHa的緊密性不好的界面不露出，而分離了的第一柔性襯底106a、分 離了的粘合劑114a、以及分離了的第二柔性襯底11 的界面露出。因此，在該端部各層的 緊密性高。作為切斷裝置112，可以適當?shù)厥褂脤嵤┓绞?所示的裝置。當使用表面為熱塑性樹脂層的襯底作為第一柔性襯底106以及第二柔性襯底115 時，在圖6A中第一柔性襯底106與元件形成層104接觸，并且在圖6D中第二柔性襯底115 與第一柔性襯底106、絕緣層103、以及薄膜集成電路121的端部接觸。此外，在使用該襯底 而制造的半導體裝置的端部，分離了的第一柔性襯底106a和分離了的第二柔性襯底11 的界面露出。注意，在圖6A中，也可以在元件形成層104上設(shè)置有機樹脂層。此后，在圖6C中， 將絕緣層103、元件形成層104、有機樹脂層、以及粘合劑105的各一部分有選擇地去掉。此 后，使用粘合劑將第二柔性襯底115與分離了的絕緣層111以及露出的第一柔性襯底106 貼在一起。此后，在圖6D中，使用切斷裝置112將粘合劑114、第一柔性襯底106以及第二 柔性襯底115接觸的區(qū)域，即第一柔性襯底106、粘合劑114、第二柔性襯底115層疊的區(qū)域 切斷。結(jié)果，可以提供如圖7所示的半導體裝置134。分離了的第一柔性襯底106a、分離了 的粘合劑131、分離了的有機樹脂層133、薄膜集成電路121、分離了的絕緣層111、分離了的 粘合劑114a、以及分離了的第二柔性襯底11 層疊而形成該半導體裝置134。在此處的半導體裝置134的端部，分離了的絕緣層111、薄膜集成電路121、分離了 的有機樹脂層133、以及分離了的粘合劑131不露出。換句說話，分離了的絕緣層111的端 部、薄膜集成電路121的端部、分離了的有機樹脂層133的端部以及分離了的粘合劑131的 端部位于第二柔性襯底11 的端部的內(nèi)側(cè)。即，在端部，分離了的絕緣層111、薄膜集成電 路121、分離了的有機樹脂層133、分離了的粘合劑131以及分離了的粘合劑11 的緊密性 不好的界面不露出，而分離了的第一柔性襯底106a、分離了的粘合劑11 以及分離了的第 二柔性襯底11 的界面露出。因此，在該端部各層的緊密性高。
當使用表面為熱塑性樹脂層的襯底作為第一柔性襯底106以及第二柔性襯底115 時，可以得到具有如下結(jié)構(gòu)的半導體裝置。即，在該半導體裝置的端部，分離了的第一柔性 襯底106a和分離了的第二柔性襯底11 的界面露出。根據(jù)本實施方式，可以提供一種夾持薄膜集成電路的柔性襯底的緊密性高的半導 體裝置的制造方法。結(jié)果，可以制造具有防水性的半導體裝置。即，可以制造可靠性高的半 導體裝置。實施方式4在本實施方式中，參照圖8A至8F、圖9A和9B，而說明包括如下步驟的一種方式， 即在襯底上層疊剝離層、絕緣層以及元件形成層，并從剝離層剝離絕緣層，且使用粘合劑將 第一柔性襯底與絕緣層粘在一起后，將絕緣層至元件形成層的一部分去掉來使粘合劑的一 部分露出，將第二柔性襯底貼在一起。如圖8A所示，跟實施方式1同樣地，在襯底101上形成剝離層102，在剝離層102 上形成絕緣層103，在絕緣層103上形成元件形成層104。接著，將粘合構(gòu)件108貼在元件 形成層104上。作為粘合構(gòu)件108，可以使用光學塑性粘合薄膜、熱塑性粘合薄膜、壓接薄膜等的 具有粘合層的構(gòu)件。注意，可以適當?shù)厥褂镁€帶、薄板、襯底等代替薄膜。再者，代替粘合構(gòu) 件，還可以利用靜電力或吸附力而將線帶、薄板、襯底等的構(gòu)件粘合設(shè)置在元件形成層104 的表面上。下面，如圖8B所示，跟實施方式1同樣地，將絕緣層103從剝離層102剝離。下面，如圖8C所示，使用粘合劑152將第一柔性襯底151與絕緣層103貼在一起。 此后，將粘合構(gòu)件108從元件形成層104剝下。下面，如圖8D所示，有選擇地去掉元件形成層104以及絕緣層103的各一部分來 使粘合劑152的一部分露出，而且形成分離了的絕緣層154、分離了的元件形成層(以下，也 表示為薄膜集成電路15 。也在本實施方式中，優(yōu)選將在元件形成層104中的形成薄膜集 成電路的區(qū)域的周邊部分、以及形成在該區(qū)域中的絕緣層有選擇地去掉。注意，跟元件形成層104以及絕緣層103—起，也可以有選擇地去掉粘合劑152的 一部分，來使第一柔性襯底151的一部分露出。下面，如圖8E所示，使用粘合劑155將第二柔性襯底156與薄膜集成電路153以 及粘合劑152的露出部分貼在一起?？梢詫⑴c粘合劑105以及第一柔性襯底106同樣的材 料分別適當?shù)厥褂糜谡澈蟿?55以及第二柔性襯底156。在此，因為在分離了的絕緣層IM 以及薄膜集成電路153的周圍，粘合劑155和粘合劑152粘在一起，所以在該區(qū)域中緊密性高。當使用表面為熱塑性樹脂層的襯底作為第一柔性襯底151以及第二柔性襯底156 時，在圖8C中第一柔性襯底151與絕緣層103接觸，并且在圖8E中第二柔性襯底156與第 一柔性襯底151、薄膜集成電路153、以及分離了的絕緣層154的端部接觸。此外，在使用該 襯底而制造的半導體裝置的端部，分離了的第一柔性襯底151a和分離了的第二柔性襯底 156a的界面露出。下面，將粘合劑152、粘合劑155、第一柔性襯底151以及第二柔性襯底156粘在 一起的區(qū)域用切斷裝置112切斷。結(jié)果，如圖8F所示，可以制造由分離了的第一柔性襯底151a、分離了的粘合劑152a、分離了的絕緣層154、薄膜集成電路153、分離了的粘合劑 155a、以及分離了的第二柔性襯底156a構(gòu)成的半導體裝置157。在此處的半導體裝置157的端部，分離了的絕緣層154以及薄膜集成電路153不 露出。換句說話，分離了的絕緣層154的端部和薄膜集成電路153的端部位于第二柔性襯 底156a的端部的內(nèi)側(cè)。即，在端部，分離了的絕緣層154、薄膜集成電路153以及分離了的 粘合劑15 的界面、分離了的絕緣層154、分離了的薄膜集成電路153以及分離了的粘合劑 152a的界面等的緊密性不好的界面不露出，而分離了的第一柔性襯底151a、分離了的粘合 劑155a、分離了的粘合劑15 以及分離了的第二柔性襯底156a的界面露出。因此，在該端 部各層的緊密性高。作為切斷裝置112，可以適當?shù)厥褂脤嵤┓绞?所示的裝置。注意，在圖8A中，也可以在元件形成層104上設(shè)置有機樹脂層之后，將粘合構(gòu)件 108貼在有機樹脂層上。此后，在圖8D中，將絕緣層103、元件形成層104以及有機樹脂層的 各一部分有選擇地去掉，而使粘合劑152的一部分露出。此后，在圖8E中，使用粘合劑155 將第二柔性襯底156與分離了的有機樹脂層以及粘合劑152的露出部分貼在一起。此后， 使用切斷裝置112將第一柔性襯底151、粘合劑152、粘合劑155以及第二柔性襯底156接 觸的區(qū)域切斷。結(jié)果，可以提供如圖9A所示的半導體裝置159。分離了的第一柔性襯底151a、分 離了的粘合劑152a、分離了的絕緣層154、薄膜集成電路153、分離了的有機樹脂層158、分 離了的粘合劑15 以及分離了的第二柔性襯底156a層疊而形成該半導體裝置159。在此處的半導體裝置159的端部，分離了的絕緣層154、薄膜集成電路153以及分 離了的有機樹脂層158不露出。換句說話，分離了的絕緣層154的端部、薄膜集成電路153 的端部和分離了的有機樹脂層158的端部位于第二柔性襯底156a的端部的內(nèi)側(cè)。即，在端 部分離了的絕緣層154、薄膜集成電路153、分離了的有機樹脂層158、以及分離了的粘合劑 155a的界面、分離了的絕緣層154、薄膜集成電路153、分離了的有機樹脂層158、以及分離 了的粘合劑15 的界面等的緊密性不好的界面不露出，而分離了的第一柔性襯底151a、分 離了的粘合劑152a、分離了的粘合劑15 以及分離了的第二柔性襯底156a的界面露出。 因此，在該端部各層的緊密性高。當使用表面為熱塑性樹脂層的襯底作為第一柔性襯底151以及第二柔性襯底156 時，可以得到具有如下結(jié)構(gòu)的半導體裝置。即，在該半導體裝置的端部，分離了的第一柔性 襯底151a和分離了的第二柔性襯底156a的界面露出。進而，在圖8A所示的元件形成層104內(nèi)形成的各薄膜集成電路的表面上形成連 接端子，并使用具有起天線作用的多個導電層的襯底作為圖8E所示的第二柔性襯底156， 且使用各向異性導電粘合劑作為粘合劑巧5之后，通過利用切斷裝置112將第一柔性襯底 151、粘合劑152、各向異性導電粘合劑、以及第二柔性襯底156接觸的區(qū)域切斷。結(jié)果，可以提供如圖9B所示的半導體裝置166。分離了的第一柔性襯底151a、分離 了的粘合劑15 、分離了的絕緣層154、在其表面上具有連接端子165的薄膜集成電路153、 分離了的各向異性導電粘合劑164以及分離了的第二柔性襯底162層疊而形成該半導體裝 置 166。在此處的半導體裝置166的端部，分離了的絕緣層154以及薄膜集成電路153不 露出。換句說話，分離了的絕緣層154的端部和薄膜集成電路153的端部位于第二柔性襯底162的端部的內(nèi)側(cè)。即，在端部分離了的絕緣層154、薄膜集成電路153、以及分離了的粘 合劑15 的界面、分離了的絕緣層154、薄膜集成電路153、以及分離了的各向異性導電粘 合劑164的界面等的緊密性不好的界面不露出，而分離了的第一柔性襯底151a、分離了的 粘合劑152a、分離了的各向異性導電粘合劑164、分離了的第二柔性襯底162的界面露出。 因此，在該端部各層的緊密性高。注意，導電粒子163被分散于分離了的各向異性導電粘合劑164中。通過導電粒 子163，連接端子165與設(shè)置在分離了的第二柔性襯底162上且起天線作用的導電層161電 連接。作為各向異性導電粘合劑164，可以舉出如環(huán)氧樹脂、酚醛樹脂等的粘結(jié)性樹脂。 該粘結(jié)性樹脂包括分散了的導電粒子163 (粒徑為幾nm至幾十μ m,優(yōu)選為3至7 μ m左 右)。此外，導電粒子163由選自金、銀、銅、鈀和鉬中的一個元素，或者多個元素形成。此 外，也可以使用具有由上述元素構(gòu)成的多層結(jié)構(gòu)的粒子。再者，也可以使用在由樹脂形成的 粒子的表面上形成有薄膜的導電粒子。該薄膜由選自金、銀、銅、鈀和鉬中的一個元素，或者 多個元素形成。根據(jù)本實施方式，可以提供一種夾持薄膜集成電路的柔性襯底的緊密性高的半導 體裝置的制造方法。結(jié)果，可以制造具有防水性的半導體裝置。即，可以制造可靠性高的半 導體裝置。實施例1在本實施例中，參照圖13而說明能夠無接觸地傳送數(shù)據(jù)的半導體裝置的結(jié)構(gòu)。本實施例的半導體裝置包括天線部分2001、電源部分2002、邏輯部分2003作為主 要的結(jié)構(gòu)部分。天線部分2001包括為了進行接收外部信號和發(fā)送數(shù)據(jù)的天線2011。此外，作為半 導體裝置的傳送信號的方式，可以使用電磁耦合方式、電磁感應方式或微波方式等。在將電磁耦合方式或者電磁感應方式(例如，13. 56MHz頻帶)應用于半導體裝置 的信號傳送方式的情況下，為了利用磁場密度的改變引起的電磁感應，天線2011的形狀可 以為如圖14A所示的方形線圈狀271，或者圓形線圈狀(例如，螺旋天線)。此外，天線2011 的形狀可以為如圖14B所示的方形環(huán)狀272，或者圓形環(huán)狀。此外，在應用微波方式(例如，UHF頻帶(860至960MHz頻帶)、2. 45GHz頻帶等) 的情況下，通過考慮用于信號傳送的電磁波的波長，可以適當?shù)卦O(shè)定起天線作用的導電層 的長短等的形狀。例如，可以使用如圖14C所示的直線型偶極狀273、曲線型偶極狀、或平面 形狀(例如平板天線)。電源部分2002包括整流電路2021、存儲電容器2022、以及恒壓電路2023。所述整 流電路2021用通過天線2011從外部接收的信號而制造電源，所述存儲電容器2022保持制 造了的電源，且所述恒壓電路2023制造供給于各個電路的恒定電壓。邏輯部分2003包括將接收了的信號解調(diào)的解調(diào)電路2031、產(chǎn)生時鐘信號的時鐘 生成/校正電路2032、各代碼認識/判定電路2033、根據(jù)接收了的信號而產(chǎn)生從存儲器讀 出數(shù)據(jù)的信號的存儲控制器2034、將編碼信號調(diào)制為接收了的信號的調(diào)制電路2035、將讀 出的數(shù)據(jù)編碼的編碼電路2037、以及保持數(shù)據(jù)的掩模ROM 2039。注意，調(diào)制電路2035包括 調(diào)制用電阻2036。
作為存儲器2038，適當?shù)厥褂肈RAM(動態(tài)隨機存取存儲器)、SRAM(靜態(tài)隨機存取 存儲器)、FERAM (鐵電隨機存取存儲器)、掩模R0M(只讀存儲器)、EPROM (電可編程只讀存 儲器)、EEPR0M(電可擦可編程只讀存儲器)、快閃存儲器、有機存儲器等。在此，作為存儲 器2038，示出掩模ROM 2039和可記錄存儲器2040。該可記錄存儲器2040包括DRAM、SRAM、 FERAM、EPROM、EEPROM、快閃存儲器以及有機存儲器中的任一個或更多。各代碼認識/判定電路2033所識別及確定的代碼為幀結(jié)束信號(EOF，End of Frame)、幀起始信號(S0F，Start of Frame)、標志、指令代碼、掩模長度、掩模值等等。另外， 各代碼認識/判定電路2033還包括識別發(fā)送錯誤的循環(huán)冗余校驗(CRC)功能。實施例2在本實施例中，參照圖10A至10E和圖IlA至IlD而說明能夠無接觸地傳送數(shù)據(jù) 的半導體裝置的制造步驟。注意，在本實施例中，示出在實施例1和圖13所示的天線以及 電源部分2002中的恒壓電路2023的一部分、邏輯部分2003中的存儲器2038的可記錄存 儲器2040以及時鐘生成/校正電路2032的一部分的截面圖。此外，作為邏輯部分2003中 的時鐘生成/校正電路2032的一部分示出η溝道型TFT以及ρ溝道型TFT，并作為存儲器 2038的可記錄存儲器2040示出有源矩陣型的有機存儲器，且作為電源部分2002中的恒壓 電路2023的一部分示出η溝道型TFT。如圖10Α所示，在襯底901上形成剝離層902，在剝離層902上形成絕緣層903，在 絕緣層903上形成薄膜晶體管904以及將構(gòu)成薄膜晶體管的導電層絕緣的層間絕緣層905， 形成連接到薄膜晶體管的半導體層的源極/漏極906、907以及導電層908。在此，使用玻璃襯底作為襯底901。作為剝離層902，通過濺射法形成厚度為30nm 的鎢層。接著，對剝離層902的表面照射N2O等離子體后，通過CVD法分別依次形成厚度為 200nm的氧化硅層、厚度為50nm的氮氧化硅層、厚度為IOOnm的氧氮化硅層而作為絕緣層 903。薄膜晶體管904包括具有源區(qū)、漏區(qū)和溝道形成區(qū)的半導體層、柵絕緣層、柵極。 按照各電路的功能，將η溝道型TFT或ρ溝道型TFT適當?shù)厥褂糜诒∧ぞw管904。半導體層具有結(jié)晶結(jié)構(gòu)。對厚度為66nm的非晶硅膜輻照連續(xù)振蕩激光器的光，或 者輻照重復頻率為IOMHz或更多且脈沖寬度為1納秒或更小，優(yōu)選為1至100微微秒的高 重復頻率的超短脈沖的光，而形成具有結(jié)晶結(jié)構(gòu)的半導體膜。此后，使用通過光刻步驟形成 的抗蝕劑掩模有選擇地蝕刻具有結(jié)晶結(jié)構(gòu)的半導體膜，而形成具有結(jié)晶結(jié)構(gòu)的半導體層。作為柵絕緣層，通過CVD法而形成厚度為40nm的氧化硅層。作為柵極，通過濺射法將厚度為30nm的氮化鉭層以及厚度為370nm的鎢層依次層 疊而形成。作為將構(gòu)成薄膜晶體管的導電層絕緣的層間絕緣層905，通過CVD法將厚度為 50nm的氧氮化硅層、厚度為IOOnm的氮化硅層、厚度為600nm的氧氮化硅層分別依次形成。作為源極/漏極906、907以及導電層908，通過濺射法依次形成鈦層、鋁層以及鈦 層后，使用通過光刻步驟形成的抗蝕劑掩模有選擇地蝕刻而形成。注意，形成薄膜晶體管904的同時，可以形成在圖13所示的掩模R0M2039。掩模 ROM包括多個晶體管。此時，通過將連接到例如晶體管的漏區(qū)的布線用的接觸孔開或不開， 可以寫入數(shù)據(jù)。例如，通過開接觸孔，可以將1(接通)的數(shù)據(jù)(信息)寫入到存儲單元中，并且通過不開接觸孔，將0(不接通)的數(shù)據(jù)(信息)寫入到存儲單元中。在使形成在層間絕緣層905上的光抗蝕劑曝光的步驟中，在使用如分檔器等的曝 光裝置而通過標線(光掩模)進行曝光的步驟之前或之后，對在上述接觸孔被開的區(qū)域上 的光抗蝕劑輻照電子束或激光。此后，跟通常同樣，進行顯影、蝕刻、光抗蝕劑的剝離等的步 驟。通過這樣，不交換標線(光掩模)而只選擇輻照電子束或激光的區(qū)域，就可以將上述開 接觸孔的圖案和不開接觸孔的圖案分別制造。即，通過選擇輻照電子束或激光的區(qū)域，就在 制造時可以制造不同數(shù)據(jù)被寫入于每個半導體裝置的掩模ROM。通過使用這種掩模ROM，在制造時可以形成每個半導體裝置中的固有標識符 (UID Unique Identifier)等。下面，如圖IOB所示，形成覆蓋薄膜晶體管904、層間絕緣層905、源極/漏極906、 907、導電層908的絕緣層911。接著，在絕緣層911上形成導電層912至914，以分別連接 到源極/漏極906、907以及導電層908。接著，形成覆蓋導電層912以及913的端部的絕緣 層 915 至 917。作為絕緣層911，通過旋涂法涂上非感光性聚酰亞胺，將非感光性聚酰亞胺在 300°C下加熱后，將非感光性聚酰亞胺有選擇地蝕刻，來使源極/漏極906、907以及導電層 908的一部分露出。此外，作為絕緣層915至917，通過旋涂法涂上感光性聚酰亞胺，并曝光 以及顯影感光性聚酰亞胺以使導電層912至914的一部分露出，將感光性聚酰亞胺在300°C 下加熱且焙燒而形成。注意，使此時的絕緣層915至917的厚度為1. 5 μ m。作為導電層912 至914，通過濺射法形成厚度為200nm的鈦層后，使用通過光刻步驟形成了的抗蝕劑掩模有 選擇地蝕刻而形成。下面，如圖IOC所示，在導電層914上形成厚度為5至20μπι的導電層918。在此， 通過印刷法而印刷具有銀粒子的組成物，并在200°C下加熱30分鐘而焙燒組成物以形成導 電層918。注意，導電層914和導電層918起天線作用。注意，也可以由鎳層形成導電層914后，將襯底浸在包含Cu的鍍液中，且通過電鍍 法而形成導電層918。因為Ag很貴，所以通過使用Cu的電鍍法而形成導電層918，就可以 削減成本。下面，如圖IOD所示，在導電層912、913以及覆蓋其端部的絕緣層916、絕緣層915 以及絕緣層917的一部分上氣相沉積包含有機化合物的層919，并在包含有機化合物的層 919上氣相沉積導電層920。由導電層912、包含有機化合物的層919以及導電層920可以 形成存儲元件。作為包含有機化合物的層919，可以使用通過隧道效應從導電層920或?qū)щ?層912將空穴或電子的電荷注入到含有有機化合物的層919的層(厚度為Inm以上4nm以 下(包括Inm和4nm))、以及包括具有空穴傳輸性的有機化合物或具有電子傳輸性的有機化 合物的層來形成。在此，作為包含有機化合物的層919，通過用金屬掩模的氣相沉積法形成 厚度為Inm的CaF2層之后，形成厚度為IOnm的NPB層。作為導電層920，通過用金屬掩模 的氣相沉積法將厚度為IOnm的h-Sn合金層和厚度為IOOnm的鋁層層疊而形成。注意，作為包含有機化合物的層919可以使用以LiF、NaF、KF、RbF、CsF、BeF2、MgF2、 SrF2, BaF2, A1F3、NF3> SF6, AgF、以及MnF3等為典型的具有絕緣性的氟化物；以LiCl、NaCl, KCl、BeCl2、CaCl2、BaCl2、AlCl3、SiCl4、GeCl4、SnCl4、AgCl、ZnCl2、TiCl4、TiCl3、ZrCl4、FeCl3、 PdCl2, SbCl3、SbCl2, SrCl2, TlCl3, CuCl、CuCl2, MnCl2、以及 RuCl2 等為典型的具有絕緣性的氯化物等，而代替CaF2。此外，還可以使用酞菁(縮寫H2Pc)、酞菁銅(縮寫CuPc)、N， N，- 二苯基-N，N，-雙(3-甲基苯)_1，1，-聯(lián)苯_4，4，- 二胺(縮寫TPD)、三(8-喹啉醇 合)鋁(縮寫=Alq3)、雙甲基-8-喹啉醇合)(4-苯基苯酚)鋁(縮寫B(tài)Alq)、紅菲咯 啉(縮寫=BPhen)、浴銅靈(縮寫B(tài)CP)、聚乙烯咔唑(縮寫PVK) ,2,3-雙(4- 二苯基氨基 苯基)喹喔啉(縮寫=TPAQn) ,2,7- 二 (N-咔唑基)-螺_9，9，-聯(lián)芴(縮寫=SFDCz)、TPQ、 9，10- 二 (2-萘基)-2-tert- 丁基蒽(縮寫:t_BuDNA)等，而代替 NPB。本實施例的存儲元件通過將電壓施加到導電層912、920而改變存儲元件的電阻， 就可以寫入數(shù)據(jù)。此外，通過由透光性導電層諸如ITO(氧化銦錫)、IZO(氧化銦鋅)、包含 氧化硅的ITO形成導電層920，并對存儲元件輻照激光或電子束，而改變存儲元件的電阻， 就可以寫入數(shù)據(jù)。再者，通過測定存儲元件的電阻，就可以讀出數(shù)據(jù)。下面，如圖IOE所示，在絕緣層911、絕緣層915至917、導電層920、導電層擬8上 形成由有機樹脂或聚合物形成的厚度為5至10 μ m的絕緣層922。絕緣層922起密封材料 作用，且可以防止雜質(zhì)從外部侵入到薄膜晶體管904。此外，通過設(shè)置絕緣層922，可以防止 在后面的剝離步驟中，在薄膜晶體管904、起天線作用的導電層914、918、形成存儲元件921 的層中發(fā)生裂縫，而可以提高成品率。在此，通過印刷法來印刷環(huán)氧樹脂，且在160°C下加熱 30分鐘而形成絕緣層922。下面，將第一柔性襯底擬4貼在絕緣層922上。在此，使用具有由熱塑性材料形 成的層923的PET薄膜作為第一柔性襯底924。此外，通過在80至120°C下將第一柔性襯 底擬4熱壓力粘結(jié)而使熱塑性材料可塑化后使它冷卻到室溫，夾著由熱塑性材料形成的層 923將絕緣層922與第一柔性襯底擬4粘結(jié)。在此，將從絕緣層903到絕緣層922的疊層體作為元件形成層925。下面，如圖IlA所示，在剝離層902和絕緣層903的界面，通過物理辦法將具有剝 離層902的襯底901以及元件形成層925剝離。在本實施例中，在剝離層和絕緣層之間形 成金屬氧化膜，并在該金屬氧化膜中使用物理辦法將元件形成層925剝離。在本實施例中， 物理辦法指的是在襯底901的表面上設(shè)置粘合層并使它固定，且使具有粘合層的滾子轉(zhuǎn)動 在第一柔性襯底擬4上，來將第一柔性襯底擬4貼在具有粘合層的滾子上，而且可以在剝離 層902和絕緣層903之間分離的辦法。下面，如圖IlB所示，在元件形成層925中，將從形成薄膜集成電路的區(qū)域的周邊 部分的絕緣層903到絕緣層922(即，絕緣層903、層間絕緣層905、絕緣層911、絕緣層915 以及絕緣層92 的一部分分別去掉。在本實施例中，對從絕緣層903到絕緣層922(即，絕 緣層903、層間絕緣層905、絕緣層911、絕緣層915以及絕緣層922)的一部分輻照激光而去 掉。作為激光，使用YAG激光器的第四高次諧波(波長S^enm)。注意，輻照激光后，在激 光被輻照的區(qū)域中，絕緣層922的一部分露出。將一部分被去掉的絕緣層922表示為絕緣 層926，將一部分被去掉的絕緣層903表示為絕緣層927。下面，如圖IlC所示，將第二柔性襯底934與絕緣層927以及絕緣層擬6貼在一起。 在此，跟第一柔性襯底924同樣，使用具有由熱塑性材料形成的層933的PET薄膜作為第二 柔性襯底934。此外，跟第一柔性襯底924同樣地，將第二柔性襯底934通過熱壓力粘結(jié)來 使熱塑性材料可塑化后，使它冷卻到室溫，夾著由熱塑性材料形成的層933將絕緣層927以 及絕緣層擬6與第二柔性襯底934粘結(jié)。在此，第一柔性襯底924、由有機樹脂層形成的絕緣層926以及第二柔性襯底934都由有機化合物形成，而且它們被粘結(jié)。因此，在第一柔性 襯底924、由有機樹脂層形成的絕緣層926以及第二柔性襯底934的界面的緊密性高。下面，對第一柔性襯底924、絕緣層926以及第二柔性襯底934接觸的區(qū)域輻照激 光935，而由第一柔性襯底擬4以及第二柔性襯底934夾持的層分割為多個。結(jié)果，制造如圖 IlD所示的半導體裝置936。該半導體裝置936中，分離了的絕緣層927和分離了的由熱塑 性材料形成的層933的界面、或分離了的層間絕緣層905和分離了的由熱塑性材料形成的 層933的界面等的緊密性不好的界面不露出，而分離了的第一柔性襯底941、分離了的由熱 塑性材料形成的層942、分離了的絕緣層943、分離了的由熱塑性材料形成的層944、分離了 的第二柔性襯底945的界面露出。在此，使用YAG激光器的第四高次諧波(波長為
作為激光935。通過上述步驟，可以制造能夠無接觸地傳送數(shù)據(jù)而且可靠性高的半導體裝置。實施例3在上述實施例中所示的能夠無接觸地傳送數(shù)據(jù)的半導體裝置的用途是很廣泛的。 例如，可通過在諸如紙幣、硬幣、有價證券、無記名債券、證書(駕駛證或居民卡等，參照圖 15A)、包裝用容器(包裝紙或瓶子等，參照圖15C)、記錄介質(zhì)(DVD軟件或錄像帶等，參照圖 15B)、交通工具(自行車等，參照圖15D)、個人物品(袋子或眼鏡等)、食品、植物、衣物、生 活用品、電子器具等的商品、以及行李的行李標簽(參照圖15E和15F)等的物品上提供來 使用。還可以將半導體裝置安裝在動物、人體上或?qū)雽w裝置嵌入于動物、人體中。注意， 電子器具指的是液晶顯示器件、EL顯示器件、電視器件(也簡稱為電視、電視機或電視接收 機)、以及手機等。本實施例的半導體裝置9210通過安裝在印刷電路板上、附著在表面上、或嵌入在 內(nèi)部，來固定在物品上。例如，通過將半導體裝置嵌入在紙中來固定在書上，或通過將其嵌 入在有機樹脂中來固定在由有機樹脂構(gòu)成的包裹上。因為本實施例的半導體裝置9210可 以實現(xiàn)小型化、薄型化、以及輕量化，所以可以不損害物品本身的設(shè)計地將半導體裝置固定 到物品中。并且，當在紙幣、硬幣、有價證券、無記名債券、證書等上提供本實施例的半導體 裝置9210時，可以提供認證功能，并且通過利用該認證功能，就可以防止偽造。此外，當在 包裝用容器、記錄介質(zhì)、個人物品、食品、衣物、生活用品、以及電子器具等上提供本實施例 的半導體裝置9210時，可以謀求實現(xiàn)檢查系統(tǒng)等系統(tǒng)的效率的提高。本說明書根據(jù)2005年12月2日在日本專利局受理的日本專利申請編號 2005-348968而制作，所述申請內(nèi)容包括在本說明書中。
權(quán)利要求
1.一種半導體裝置，它包括 第一柔性襯底；與所述第一柔性襯底接觸的薄膜集成電路； 與所述薄膜集成電路接觸的絕緣層；以及 與所述絕緣層接觸的第二柔性襯底，其中，所述薄膜集成電路和所述絕緣層的界面以及所述絕緣層和所述第二柔性襯底的 界面不露出。
2.一種半導體裝置，它包括 第一柔性襯底；第二柔性襯底；夾持在所述第一柔性襯底和所述第二柔性襯底之間的薄膜集成電路；以及 夾持在所述第二柔性襯底和所述薄膜集成電路之間的絕緣層， 其中，所述絕緣層的端部設(shè)置在所述第二柔性襯底的端部的內(nèi)側(cè)。
3.一種半導體裝置，它包括 第一柔性襯底；第二柔性襯底；夾持在所述第一柔性襯底和所述第二柔性襯底之間的薄膜集成電路；以及 夾持在所述第二柔性襯底和所述薄膜集成電路之間的絕緣層， 其中，所述絕緣層的端部不露出。
4.一種半導體裝置，它包括 第一柔性襯底；第二柔性襯底；夾持在所述第一柔性襯底和所述第二柔性襯底之間的薄膜集成電路； 夾持在所述第二柔性襯底和所述薄膜集成電路之間的絕緣層；以及 夾持在所述第二柔性襯底和所述絕緣層之間的粘合劑， 其中，所述粘合劑與所述第一柔性襯底接觸。
5.一種半導體裝置，它包括 第一柔性襯底；第二柔性襯底；夾持在所述第一柔性襯底和所述第二柔性襯底之間的薄膜集成電路； 夾持在所述第一柔性襯底和所述薄膜集成電路之間的第一絕緣層； 夾持在所述第二柔性襯底和所述薄膜集成電路之間的第二絕緣層；以及 夾持在所述第二柔性襯底和所述第二絕緣層之間的粘合劑， 其中，所述粘合劑與所述第一絕緣層接觸。
6.根據(jù)權(quán)利要求1至5中的任一項所述的半導體裝置，其中所述第一柔性襯底的端部 和所述第二柔性襯底的端部露出。
7.根據(jù)權(quán)利要求4所述的半導體裝置，其中所述第一柔性襯底包括有機樹脂。
8.根據(jù)權(quán)利要求5所述的半導體裝置，其中所述第一絕緣層包括有機樹脂。
全文摘要
本發(fā)明的目的在于提供一種有防水性且可靠性高的半導體裝置的制造方法，包括如下步驟在襯底上依次形成剝離層、無機絕緣層、包括有機化合物層的元件形成層；將剝離層和無機絕緣層剝離或者將襯底和無機絕緣層剝離；將無機絕緣層的一部分或無機絕緣層以及元件形成層的一部分去掉來至少使無機絕緣層分離得成為多個部分，并在分離了的無機絕緣層的外緣層疊有機化合物層、柔性襯底和粘合劑中的任兩個或更多；以及將有機化合物層、柔性襯底和粘合劑中的任兩個或更多層疊的區(qū)域分割。
文檔編號H01L21/77GK102097439SQ20101053911
公開日2011年6月15日 申請日期2006年12月4日 優(yōu)先權(quán)日2005年12月2日
發(fā)明者山田大干 申請人:株式會社半導體能源研究所