專(zhuān)利名稱(chēng)：使用定電壓電源供應(yīng)器的多晶封裝結(jié)構(gòu)的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種多晶封裝結(jié)構(gòu)，尤指一種使用定電壓電源供應(yīng)器的多晶封裝結(jié)構(gòu)。
背景技術(shù)：
電燈的發(fā)明可以說(shuō)是徹底地改變了全人類(lèi)的生活方式，倘若我們的生活沒(méi)有電燈，夜晚或天氣狀況不佳的時(shí)候，一切的工作都將要停擺；倘若受限于照明，極有可能使房屋建筑方式或人類(lèi)生活方式都徹底改變，全人類(lèi)都將因此而無(wú)法進(jìn)步，繼續(xù)停留在較落后的年代。是以，今日市面上所使用的照明設(shè)備，例如日光燈、鎢絲燈、甚至到現(xiàn)在較廣為大眾所接受的省電燈泡，皆已普遍應(yīng)用于日常生活當(dāng)中。然而，此類(lèi)電燈大多具有光衰減快、 高耗電量、容易產(chǎn)生高熱、壽命短、易碎或不易回收等缺點(diǎn)。因此，使用發(fā)光二極管的封裝結(jié)構(gòu)因應(yīng)而生。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明要解決的技術(shù)問(wèn)題在于，針對(duì)現(xiàn)有技術(shù)的不足提供一種多晶封裝結(jié)構(gòu)，其可使用定電壓電源供應(yīng)器作為供電的源頭。本發(fā)明提供一種使用定電壓電源供應(yīng)器的多晶封裝結(jié)構(gòu)，其包括一基板單元、一發(fā)光單元、一限流單元、一邊框單元及一封裝單元?；鍐卧哂幸换灞倔w、一位于基板本體上表面的第一置晶區(qū)域、及一位于基板本體上表面的第二置晶區(qū)域。發(fā)光單元具有多個(gè)電性設(shè)置于第一置晶區(qū)域上的發(fā)光二極管芯片。限流單元具有至少一電性設(shè)置于第二置晶區(qū)域上的限流芯片，其中限流芯片電性連接于發(fā)光單元。邊框單元具有一環(huán)繞地成形于基板本體上表面的第一環(huán)繞式邊框膠體及一環(huán)繞地成形于基板本體上表面的第二環(huán)繞式邊框膠體，其中第一環(huán)繞式邊框膠體圍繞上述多個(gè)發(fā)光二極管芯片，以形成一對(duì)應(yīng)于第一置晶區(qū)域的第一膠體限位空間，且第二環(huán)繞式邊框膠體圍繞限流芯片，以形成一對(duì)應(yīng)于第二置晶區(qū)域的第二膠體限位空間。封裝單元具有一填充于第一膠體限位空間內(nèi)以覆蓋上述多個(gè)發(fā)光二極管芯片的第一封裝膠體及一填充于第二膠體限位空間內(nèi)以覆蓋限流芯片的第二封裝膠體。本發(fā)明提供了另一種使用定電壓電源供應(yīng)器的多晶封裝結(jié)構(gòu)，其包括一基板單元、一發(fā)光單元、一限流單元、一邊框單元及一封裝單元?；鍐卧哂幸换灞倔w、兩個(gè)位于基板本體上表面的第一置晶區(qū)域、及一位于基板本體上表面的第二置晶區(qū)域。發(fā)光單元具有至少一用于產(chǎn)生第一種色溫的第一發(fā)光模塊及至少一用于產(chǎn)生第二種色溫的第二發(fā)光模塊，其中第一發(fā)光模塊具有多個(gè)電性設(shè)置于其中一第一置晶區(qū)域上的第一發(fā)光二極管芯片，且第二發(fā)光模塊具有多個(gè)電性設(shè)置于另外一第一置晶區(qū)域上的第二發(fā)光二極管芯片。限流單元具有至少一電性設(shè)置于第二置晶區(qū)域上的限流芯片，且限流芯片電性連接于發(fā)光單元。邊框單元具有兩個(gè)環(huán)繞地成形于基板本體上表面的第一環(huán)繞式邊框膠體及一環(huán)繞地成形于基板本體上表面的第二環(huán)繞式邊框膠體，其中上述兩個(gè)第一環(huán)繞式邊框膠體分別圍繞第一發(fā)光模塊及第二發(fā)光模塊，以分別形成兩個(gè)相對(duì)應(yīng)上述兩個(gè)第一置晶區(qū)域的第一膠體限位空間，且第二環(huán)繞式邊框膠體圍繞限流芯片，以形成一對(duì)應(yīng)于第二置晶區(qū)域的第二膠體限位空間。封裝單元具有兩個(gè)分別填充于上述兩個(gè)第一膠體限位空間內(nèi)以分別覆蓋第一發(fā)光模塊及第二發(fā)光模塊的第一封裝膠體及一填充于第二膠體限位空間內(nèi)以覆蓋限流芯片的第二封裝膠體。本發(fā)明還提供了一種使用定電壓電源供應(yīng)器的多晶封裝結(jié)構(gòu)，其包括一基板單元、一發(fā)光單元、一限流單元、一邊框單元及一封裝單元?；鍐卧哂幸换灞倔w、兩個(gè)位于基板本體上表面的第一置晶區(qū)域、及一位于基板本體上表面的第二置晶區(qū)域。發(fā)光單元具有至少一用于產(chǎn)生第一種色溫的第一發(fā)光模塊及至少一用于產(chǎn)生第二種色溫的第二發(fā)光模塊，其中第一發(fā)光模塊具有多個(gè)電性設(shè)置于其中一第一置晶區(qū)域上的第一發(fā)光二極管芯片，且第二發(fā)光模塊具有多個(gè)電性設(shè)置于另外一第一置晶區(qū)域上的第二發(fā)光二極管芯片。限流單元具有至少一電性設(shè)置于第二置晶區(qū)域上的限流芯片，其中限流芯片電性連接于發(fā)光單元。邊框單元具有兩個(gè)環(huán)繞地成形于基板本體上表面的第一環(huán)繞式邊框膠體及一環(huán)繞地成形于基板本體上表面的第二環(huán)繞式邊框膠體，且其中一個(gè)第一環(huán)繞式邊框膠體圍繞另外一個(gè)第一環(huán)繞式邊框膠體，其中上述兩個(gè)第一環(huán)繞式邊框膠體分別圍繞第一發(fā)光模塊及第二發(fā)光模塊，以分別形成兩個(gè)相對(duì)應(yīng)上述兩個(gè)第一置晶區(qū)域的第一膠體限位空間， 第二發(fā)光模塊位于上述兩個(gè)第一環(huán)繞式邊框膠體之間，且第二環(huán)繞式邊框膠體圍繞限流芯片，以形成一對(duì)應(yīng)于第二置晶區(qū)域的第二膠體限位空間。封裝單元具有兩個(gè)分別填充于上述兩個(gè)第一膠體限位空間內(nèi)以分別覆蓋第一發(fā)光模塊及第二發(fā)光模塊的第一封裝膠體及一填充于第二膠體限位空間內(nèi)以覆蓋限流芯片的第二封裝膠體。綜上所述，本發(fā)明實(shí)施例所提供的多晶封裝結(jié)構(gòu)，其可通過(guò)“將上述多個(gè)發(fā)光二極管芯片與上述至少一限流芯片電性連接于同一基板單元上”的設(shè)計(jì)，以使得本發(fā)明的多晶封裝結(jié)構(gòu)可使用定電壓電源供應(yīng)器作為供電的源頭。為使能更進(jìn)一步了解本發(fā)明的特征及技術(shù)內(nèi)容，請(qǐng)參閱以下有關(guān)本發(fā)明的詳細(xì)說(shuō)明與附圖，然而附圖僅提供參考與說(shuō)明用，并非用來(lái)對(duì)本發(fā)明加以限制。


圖IA為本發(fā)明第一實(shí)施例的的立體示意圖；圖IB為本發(fā)明第一實(shí)施例的的側(cè)視剖面示意圖；圖IC為本發(fā)明第一實(shí)施例的的俯視圖；圖ID為本發(fā)明第一實(shí)施例的功能方塊圖；圖2A為本發(fā)明第二實(shí)施例的的俯視圖；圖2B為本發(fā)明第二實(shí)施例的的側(cè)視剖面示意圖；圖3為本發(fā)明第三實(shí)施例的的俯視圖；圖4A為本發(fā)明第四實(shí)施例的的俯視圖；圖4B為本發(fā)明第四實(shí)施例的的側(cè)視剖面示意圖；圖5A為本發(fā)明第五實(shí)施例的的俯視圖；圖5B為本發(fā)明第五實(shí)施例的的側(cè)視剖面示意圖；圖6A為本發(fā)明第六實(shí)施例的的俯視圖6B為本發(fā)明第六實(shí)施例的的側(cè)視剖面示意圖；圖7A為本發(fā)明第七實(shí)施例的的俯視圖；圖7B為本發(fā)明第七實(shí)施例的的側(cè)視剖面示意圖；圖8為本發(fā)明第八實(shí)施例的的俯視圖；圖9A為本發(fā)明第九實(shí)施例的的俯視圖；圖9B為本發(fā)明第九實(shí)施例的的側(cè)視剖面示意圖；圖10為本發(fā)明第十實(shí)施例的的側(cè)視剖面示意圖；以及圖11為本發(fā)明使用多個(gè)備用焊墊的局部俯視圖。主要元件附圖標(biāo)記說(shuō)明定電壓電源供應(yīng)器S多晶封裝結(jié)構(gòu)Z基板單元1基板本體10電路基板100散熱層101導(dǎo)電焊墊102正極焊墊P負(fù)極焊墊N絕緣層103第一置晶區(qū)域11第二置晶區(qū)域12隔熱狹縫13發(fā)光單元2發(fā)光二極管芯片20正極 201負(fù)極 202第一發(fā)光模塊2a第一發(fā)光二極管芯片20a第二發(fā)光模塊2b第一發(fā)光二極管芯片20b限流單元C限流芯片Cl邊框單元3第一環(huán)繞式邊框膠體30第一環(huán)繞式邊框膠體30a第一環(huán)繞式邊框膠體30b圓弧切線(xiàn)T角度 θ高度 H寬度 D第一膠體限位空間300第二環(huán)繞式邊框膠體31第二膠體限位空間310封裝單元4第一封裝膠體40第一封裝膠體40a
第一封裝膠體40b第二封裝膠體41導(dǎo)線(xiàn)單元W導(dǎo)線(xiàn)Wl第一組發(fā)光結(jié)構(gòu)Nl第二組發(fā)光結(jié)構(gòu)N2藍(lán)色光束Ll白色光束L具體實(shí)施例方式第一實(shí)施例請(qǐng)參閱圖IA至圖ID所示，圖IA為立體示意圖，圖IB為側(cè)視剖面示意圖，圖IC為俯視圖，圖ID為功能方塊圖。由上述圖中可知，本發(fā)明第一實(shí)施例提供一種使用定電壓電源供應(yīng)器S的多晶封裝結(jié)構(gòu)Z，其包括一基板單元1、一發(fā)光單元2、一限流單元C、一邊框單元3及一封裝單元4。其中，基板單元1具有一基板本體10、一位于基板本體10上表面的第一置晶區(qū)域 11、及一位于基板本體10上表面的第二置晶區(qū)域12。舉例來(lái)說(shuō)，基板本體10可具有一電路基板100、一設(shè)置于電路基板100底部的散熱層101、多個(gè)設(shè)置于電路基板100上表面的導(dǎo)電焊墊102、及一設(shè)置于電路基板100上表面并用于露出上述多個(gè)導(dǎo)電焊墊102的絕緣層103。因此，散熱層101可用于增加電路基板100的散熱效能，并且上述多個(gè)絕緣層103 可為一種可用于只讓上述多個(gè)導(dǎo)電焊墊102裸露出來(lái)并且達(dá)到局限焊接區(qū)域的防焊層。然而，上述對(duì)于基板本體10的界定并非用以限定本發(fā)明，舉凡任何型式的基板皆為本發(fā)明可應(yīng)用的范疇。例如基板本體10可為一印刷電路板、一軟基板、一鋁基板、一陶瓷基板或一銅基板等。再者，發(fā)光單元2具有多個(gè)電性設(shè)置于第一置晶區(qū)域11上的發(fā)光二極管芯片20。 舉例來(lái)說(shuō)，每一個(gè)發(fā)光二極管芯片20可為一藍(lán)色發(fā)光二極管芯片，且每一個(gè)發(fā)光二極管芯片20可通過(guò)連接焊接(wire-bonding)的方式，以電性地設(shè)置于基板單元1的第一置晶區(qū)域11上。換言之，設(shè)計(jì)者可預(yù)先在基板單元1上規(guī)劃出一特定的第一置晶區(qū)域11，以使得上述多個(gè)發(fā)光二極管芯片20可電性地放置在基板單元1的第一置晶區(qū)域11所界定的范圍內(nèi)。此外，限流單元C具有至少一電性設(shè)置于第二置晶區(qū)域12上的限流芯片Cl，當(dāng)然本發(fā)明也可以因應(yīng)不同的電流需求，而使用多個(gè)電性設(shè)置于第二置晶區(qū)域12上的限流芯片Cl，其中限流芯片Cl電性連接于發(fā)光單元2，以提供一特定的電流給發(fā)光單元2使用。舉例來(lái)說(shuō)，限流芯片Cl可通過(guò)連接焊接(wire-bonding)的方式，以電性設(shè)置于基板單元1的第二置晶區(qū)域12上且電性連接于定電壓源供應(yīng)器S與發(fā)光單元2之間(如圖ID所示)。 換言之，設(shè)計(jì)者可預(yù)先在基板單元1上規(guī)劃出一特定的第二置晶區(qū)域12，以使得限流芯片 Cl可電性地放置在基板單元1的第二置晶區(qū)域12所界定的范圍內(nèi)。另外，因?yàn)橄蘖餍酒?Cl可作為定電壓源供應(yīng)器S與發(fā)光單元2之間的橋梁，以使得發(fā)光單元2能夠從定電壓源供應(yīng)器S得到穩(wěn)定的電流供應(yīng)。另外，邊框單元3具有一可通過(guò)涂布的方式而環(huán)繞地成形于基板本體10上表面的第一環(huán)繞式邊框膠體30及一可通過(guò)涂布的方式而環(huán)繞地成形于基板本體10上表面的第二環(huán)繞式邊框膠體31，其中第一環(huán)繞式邊框膠體30圍繞些發(fā)光二極管芯片20，以形成一對(duì)應(yīng)于第一置晶區(qū)域11的第一膠體限位空間300，且第二環(huán)繞式邊框膠體31圍繞限流芯片Cl， 以形成一對(duì)應(yīng)于第二置晶區(qū)域12的第二膠體限位空間310。此外，第一環(huán)繞式邊框膠體30 與第二環(huán)繞式邊框膠體31彼此分離一特定距離。舉例來(lái)說(shuō)，第一環(huán)繞式邊框膠體30 (或第二環(huán)繞式邊框膠體31)的制作方法，至少包括下列幾個(gè)步驟(1)首先，環(huán)繞地涂布液態(tài)膠材(圖未示)于基板本體10上表面，其中液態(tài)膠材可被隨意地圍繞成一特定的形狀(例如圓形、方形、長(zhǎng)方形等等)，液態(tài)膠材的觸變指數(shù)(thixotropic index)可介于4至6之間，涂布液態(tài)膠材于基板本體10上表面的壓力可介于350至450kpa之間，涂布液態(tài)膠材于基板本體10上表面的速度可介于5至15mm/ s之間，并且環(huán)繞地涂布液態(tài)膠材于基板本體10上表面的起始點(diǎn)與終止點(diǎn)為大約相同的位置，因此起始點(diǎn)與終止點(diǎn)會(huì)有一膠體些許凸出的外觀(guān)；( 然后，再固化液態(tài)膠材以形成第一環(huán)繞式邊框膠體30，其中液態(tài)膠材可通過(guò)烘烤的方式硬化，烘烤的溫度可介于120至140 度之間，且烘烤的時(shí)間可介于20至40分鐘之間。因此，第一環(huán)繞式邊框膠體30的上表面可呈現(xiàn)一圓弧形，第一環(huán)繞式邊框膠體30相對(duì)于基板本體10上表面的圓弧切線(xiàn)T的角度 θ可介于40至50度之間，第一環(huán)繞式邊框膠體30的頂面相對(duì)于基板本體10上表面的高度H可介于0. 3至0. 7mm之間，第一環(huán)繞式邊框膠體30底部的寬度D可介于1. 5至3mm之間，第一環(huán)繞式邊框膠體30的觸變指數(shù)可介于4至6之間，且第一環(huán)繞式邊框膠體30可為一混有無(wú)機(jī)添加物的白色熱硬化邊框膠體。再者，封裝單元4具有一填充于第一膠體限位空間300內(nèi)以覆蓋上述多個(gè)發(fā)光二極管芯片20的第一封裝膠體40及一填充于第二膠體限位空間310內(nèi)以覆蓋限流芯片Cl 的第二封裝膠體41，其中第一封裝膠體40與第二封裝膠體41彼此分離一特定距離，且第一環(huán)繞式邊框膠體30與第二封裝膠體41彼此分離一特定距離。舉例來(lái)說(shuō)，由于第一封裝膠體40可為一透光膠體(例如熒光膠體或透明膠體)，因此上述多個(gè)發(fā)光二極管芯片20 (例如多個(gè)藍(lán)色發(fā)光二極管芯片)所投射出來(lái)的藍(lán)色光束Ll可穿過(guò)第一封裝膠體40 (例如熒光膠體)，以產(chǎn)生類(lèi)似日光燈源的白色光束L2。另外，第二封裝膠體41可為一不透光膠體， 其用于覆蓋限流芯片Cl，以避免限流芯片Cl受到上述白色光束L2的照射而產(chǎn)生損壞的情況。另外，第一實(shí)施例的基板單元1更進(jìn)一步包括有至少一貫穿基板本體10的隔熱狹縫13，且隔熱狹縫13可位于發(fā)光單元2與限流單元C之間或位于第一環(huán)繞式邊框膠體 30與第二環(huán)繞式邊框膠體31之間。因此，通過(guò)隔熱狹縫13的使用，可大大減少限流單元C 與發(fā)光單元2之間的熱傳路徑，進(jìn)而使得本發(fā)明可有效減緩由限流單元C的一或多個(gè)限流芯片Cl所產(chǎn)生的熱量傳導(dǎo)至發(fā)光單元2的速度。第二實(shí)施例請(qǐng)參閱圖2A與圖2B所示，圖2A為立體示意圖，圖2B為側(cè)視剖面示意圖。由上述圖中可知，本發(fā)明第二實(shí)施例提供一種使用定電壓電源供應(yīng)器(圖未示)的多晶封裝結(jié)構(gòu) Z，其包括一基板單元1、一發(fā)光單元2、一限流單元C、一邊框單元3及一封裝單元4。由圖 2A與圖IA(或圖2B與圖1B)的比較可知，本發(fā)明第二實(shí)施例與第一實(shí)施例最大的差別在于第二實(shí)施例的基板單元1可省略隔熱狹縫13的制作。舉例來(lái)說(shuō)，當(dāng)限流單元C不會(huì)產(chǎn)生過(guò)多的熱量時(shí)，則可考慮使用本發(fā)明第二實(shí)施例的方案。第三實(shí)施例請(qǐng)參閱圖3所示，其為俯視圖。由上述圖中可知，本發(fā)明第三實(shí)施例提供一種使用定電壓電源供應(yīng)器(圖未示)的多晶封裝結(jié)構(gòu)Z，其包括一基板單元1、一發(fā)光單元2、一限流單元C、一邊框單元3及一封裝單元4。由圖3與圖IC的比較可知，本發(fā)明第三實(shí)施例與第一實(shí)施例最大的差別在于限流單元C位于第一環(huán)繞式邊框膠體30與第二環(huán)繞式邊框膠體31之間，第二環(huán)繞式邊框膠體31圍繞第一環(huán)繞式邊框膠體30，第二封裝膠體41圍繞第一封裝膠體40，且第一環(huán)繞式邊框膠體30與第二封裝膠體41彼此相連。換言之，第一環(huán)繞式邊框膠體30只圍繞上述多個(gè)發(fā)光二極管芯片20，而第二環(huán)繞式邊框膠體31同時(shí)圍繞上述多個(gè)發(fā)光二極管芯片20、第一環(huán)繞式邊框膠體30及限流芯片Cl，因此第一環(huán)繞式邊框膠體30與第二環(huán)繞式邊框膠體31排列成一類(lèi)似同心圓的圖案。再者，與第一實(shí)施例相同的是，基板單元1可更進(jìn)一步包括有至少一貫穿基板本體10的隔熱狹縫13，且隔熱狹縫13可位于發(fā)光單元2與限流單元C之間或位于第一環(huán)繞式邊框膠體30與第二環(huán)繞式邊框膠體31之間。因此，通過(guò)隔熱狹縫13的使用，可大大減少限流單元C與發(fā)光單元2之間的熱傳路徑，進(jìn)而使得本發(fā)明可有效減緩由限流單元C的一或多個(gè)限流芯片Cl所產(chǎn)生的熱量傳導(dǎo)至發(fā)光單元2的速度。當(dāng)然，第二實(shí)施例亦可依據(jù)不同的設(shè)計(jì)需求而省略隔熱狹縫13的制作。第四實(shí)施例請(qǐng)參閱圖4A與圖4B所示，圖4A為俯視圖，圖4B為側(cè)視剖面示意圖。由上述圖中可知，本發(fā)明第四實(shí)施例提供一種使用定電壓電源供應(yīng)器(圖未示)的多晶封裝結(jié)構(gòu)Z，其包括一基板單元1、一發(fā)光單元2、一限流單元C、一邊框單元3及一封裝單元4。其中，基板單元1具有一基板本體10、兩個(gè)位于基板本體10上表面的第一置晶區(qū)域11、及一位于基板本體10上表面的第二置晶區(qū)域12。舉例來(lái)說(shuō)，基板本體10可具有一電路基板100、一設(shè)置于電路基板100底部的散熱層101、多個(gè)設(shè)置于電路基板100上表面的導(dǎo)電焊墊102、及一設(shè)置于電路基板100上表面并用于露出上述多個(gè)導(dǎo)電焊墊102的絕緣層 103。再者，發(fā)光單元2具有至少一用于產(chǎn)生第一種色溫的第一發(fā)光模塊加及至少一用于產(chǎn)生第二種色溫的第二發(fā)光模塊2b，其中第一發(fā)光模塊加具有多個(gè)電性設(shè)置于其中一第一置晶區(qū)域11上的第一發(fā)光二極管芯片20a，且第二發(fā)光模塊2b具有多個(gè)電性設(shè)置于另外一第一置晶區(qū)域11上的第二發(fā)光二極管芯片20b。舉例來(lái)說(shuō)，每一個(gè)第一發(fā)光二極管芯片20a與每一個(gè)第二發(fā)光二極管芯片20b皆為藍(lán)色發(fā)光二極管芯片，且每一個(gè)第一發(fā)光二極管芯片20a與每一個(gè)第二發(fā)光二極管芯片20b皆可通過(guò)連接焊接(wire-bonding)的方式，以分別電性設(shè)置于上述兩個(gè)第一置晶區(qū)域11上。此外，限流單元C具有至少一電性設(shè)置于第二置晶區(qū)域12上的限流芯片Cl，其中限流芯片Cl電性連接于發(fā)光單元2，以提供一特定的電流給發(fā)光單元2使用。當(dāng)然本發(fā)明也可以因應(yīng)不同的電流需求，而使用多個(gè)電性設(shè)置于第二置晶區(qū)域12上的限流芯片Cl (例如使用兩個(gè)限流芯片Cl，其分別應(yīng)用于第一發(fā)光模塊加與第二發(fā)光模塊2b)。舉例來(lái)說(shuō)， 限流芯片Cl可通過(guò)連接焊接(wire-bonding)的方式，以電性設(shè)置于基板單元1的第二置晶區(qū)域12上且電性連接于定電壓源供應(yīng)器(圖未示)與發(fā)光單元2之間。因此，限流芯片Cl可作為定電壓源供應(yīng)器(圖未示)與發(fā)光單元2之間的橋梁，以使得發(fā)光單元2能夠從定電壓源供應(yīng)器(圖未示)得到穩(wěn)定的電流供應(yīng)。另外，邊框單元3具有兩個(gè)環(huán)繞地成形于基板本體10上表面的第一環(huán)繞式邊框膠體30及一環(huán)繞地成形于基板本體10上表面的第二環(huán)繞式邊框膠體31，其中上述兩個(gè)第一環(huán)繞式邊框膠體30分別圍繞第一發(fā)光模塊加及第二發(fā)光模塊2b，以分別形成兩個(gè)相對(duì)應(yīng)上述兩個(gè)第一置晶區(qū)域11的第一膠體限位空間300，且第二環(huán)繞式邊框膠體31圍繞限流芯片Cl，以形成一對(duì)應(yīng)于第二置晶區(qū)域12的第二膠體限位空間310。此外，上述兩個(gè)第一環(huán)繞式邊框膠體30彼此分離一特定距離，且上述兩個(gè)第一環(huán)繞式邊框膠體30彼此并聯(lián)地排列在基板本體10上，另外每一個(gè)第一環(huán)繞式邊框膠體30與第二環(huán)繞式邊框膠體31彼此分離一特定距離。再者，封裝單元4具有兩個(gè)分別填充于上述兩個(gè)第一膠體限位空間300內(nèi)以分別覆蓋第一發(fā)光模塊加及第二發(fā)光模塊2b的第一封裝膠體40a、40b及一填充于第二膠體限位空間310內(nèi)以覆蓋限流芯片Cl之第二封裝膠體41，其中每一個(gè)第一封裝膠體40a、40b與第二封裝膠體41彼此分離一特定距離，且每一個(gè)第一環(huán)繞式邊框膠體30與第二封裝膠體 41彼此分離一特定距離。舉例來(lái)說(shuō)，其中一第一封裝膠體40a可為一具有一第一顏色的熒光膠體，另外一第一封裝膠體40b可為一具有一第二顏色的熒光膠體，且第二封裝膠體41 可為一具有遮光效果的不透光膠體。另外，第四實(shí)施例的基板單元1更進(jìn)一步包括有至少一貫穿基板本體10的隔熱狹縫13，且隔熱狹縫13可位于發(fā)光單元2與限流單元C之間或位于其中一第一環(huán)繞式邊框膠體30與第二環(huán)繞式邊框膠體31之間。因此，通過(guò)隔熱狹縫13的使用，可大大減少限流單元C與發(fā)光單元2之間的熱傳路徑，進(jìn)而使得本發(fā)明可有效減緩由限流單元C的一或多個(gè)限流芯片Cl所產(chǎn)生的熱量傳導(dǎo)至發(fā)光單元2的速度。再者，第一組發(fā)光結(jié)構(gòu)m可包括基板本體10、多個(gè)第一發(fā)光二極管芯片20a、其中一第一環(huán)繞式邊框膠體30及其中一第一封裝膠體40a。第二組發(fā)光結(jié)構(gòu)N2可包括基板本體10、多個(gè)第二發(fā)光二極管芯片20b、另外一第一環(huán)繞式邊框膠體30及另外一第一封裝膠體40b。第五實(shí)施例請(qǐng)參閱圖5A與圖5B所示，圖5A為俯視圖，圖5B為側(cè)視剖面示意圖。由上述圖中可知，本發(fā)明第五實(shí)施例提供一種使用定電壓電源供應(yīng)器(圖未示)的多晶封裝結(jié)構(gòu)Z，其包括一基板單元1、一發(fā)光單元2、一限流單元C、一邊框單元3及一封裝單元4。由圖5A 與圖4A(或圖5B與圖4B)的比較可知，本發(fā)明第五實(shí)施例與第四實(shí)施例最大的差別在于 邊框單元3的兩個(gè)第一環(huán)繞式邊框膠體30可彼此并聯(lián)排列且連接在一起。第六實(shí)施例請(qǐng)參閱圖6A與圖6B所示，圖6A為俯視圖，圖6B為側(cè)視剖面示意圖。由上述圖中可知，本發(fā)明第六實(shí)施例提供一種使用定電壓電源供應(yīng)器(圖未示)的多晶封裝結(jié)構(gòu)Z，其包括一基板單元1、一發(fā)光單元2、一限流單元C、一邊框單元3及一封裝單元4。由圖6A 與圖5A(或圖6B與圖5B)的比較可知，本發(fā)明第五實(shí)施例與第四實(shí)施例最大的差別在于 在第五實(shí)施例中，依據(jù)不同的設(shè)計(jì)需求，每一個(gè)第一環(huán)繞式邊框膠體30可為熒光膠體。換句話(huà)說(shuō)，本發(fā)明可隨著不同的需求而選擇性地添加熒光粉于每一個(gè)第一環(huán)繞式邊框膠體30內(nèi)，進(jìn)而有效降低發(fā)生于封裝單元4的兩個(gè)第一封裝膠體40a、40b之間的暗帶情況。第七實(shí)施例請(qǐng)參閱圖7A與圖7B所示，圖7A為俯視圖，圖7B為側(cè)視剖面示意圖。由上述圖中可知，本發(fā)明第七實(shí)施例提供一種使用定電壓電源供應(yīng)器(圖未示)的多晶封裝結(jié)構(gòu)Z，其包括一基板單元1、一發(fā)光單元2、一限流單元C、一邊框單元3及一封裝單元4。其中，基板單元1具有一基板本體10、兩個(gè)位于基板本體10上表面的第一置晶區(qū)域11、及一位于基板本體10上表面的第二置晶區(qū)域12。發(fā)光單元2具有至少一用于產(chǎn)生第一種色溫的第一發(fā)光模塊加及至少一用于產(chǎn)生第二種色溫的第二發(fā)光模塊2b，其中第一發(fā)光模塊加具有多個(gè)電性設(shè)置于其中一第一置晶區(qū)域11上的第一發(fā)光二極管芯片20a， 且第二發(fā)光模塊2b具有多個(gè)電性設(shè)置于另外一第一置晶區(qū)域11上的第二發(fā)光二極管芯片 20b。限流單元C具有至少一電性設(shè)置于第二置晶區(qū)域12上的限流芯片Cl，其中限流芯片 Cl電性連接于發(fā)光單元2。再者，邊框單元3具有兩個(gè)環(huán)繞地成形于基板本體10上表面的第一環(huán)繞式邊框膠體30a、30b及一環(huán)繞地成形于基板本體10上表面的第二環(huán)繞式邊框膠體31，且其中一個(gè)第一環(huán)繞式邊框膠體30b圍繞另外一個(gè)第一環(huán)繞式邊框膠體30a，因此上述兩個(gè)第一環(huán)繞式邊框膠體30a、30b排列成一類(lèi)似同心圓的圖案。上述兩個(gè)第一環(huán)繞式邊框膠體30a、30b分別圍繞第一發(fā)光模塊加及第二發(fā)光模塊2b，以分別形成兩個(gè)相對(duì)應(yīng)上述兩個(gè)第一置晶區(qū)域11的第一膠體限位空間300，第二發(fā)光模塊2b位于上述兩個(gè)第一環(huán)繞式邊框膠體30a、 30b之間，且第二環(huán)繞式邊框膠體31圍繞限流芯片Cl，以形成一對(duì)應(yīng)于第二置晶區(qū)域12的第二膠體限位空間310。封裝單元4具有兩個(gè)分別填充于上述兩個(gè)第一膠體限位空間300 內(nèi)以分別覆蓋第一發(fā)光模塊加及第二發(fā)光模塊2b的第一封裝膠體40a、40b及一填充于第二膠體限位空間310內(nèi)以覆蓋限流芯片Cl的第二封裝膠體41。再者，與第一實(shí)施例相同的是，基板單元1可更進(jìn)一步包括有至少一貫穿基板本體10的隔熱狹縫13，且隔熱狹縫13可位于發(fā)光單元2與限流單元C之間或位于其中一第一環(huán)繞式邊框膠體30b與第二環(huán)繞式邊框膠體31之間。因此，通過(guò)隔熱狹縫13的使用，可大大減少限流單元C與發(fā)光單元2之間的熱傳路徑，進(jìn)而使得本發(fā)明可有效減緩由限流單元C的一或多個(gè)限流芯片Cl所產(chǎn)生的熱量傳導(dǎo)至發(fā)光單元2的速度。當(dāng)然，第七實(shí)施例亦可依據(jù)不同的設(shè)計(jì)需求而省略隔熱狹縫13的制作。另外，第一組發(fā)光結(jié)構(gòu)m可包括基板本體10、多個(gè)第一發(fā)光二極管芯片20a、其中一第一環(huán)繞式邊框膠體30a及其中一第一封裝膠體40a。第二組發(fā)光結(jié)構(gòu)N2可包括基板本體10、多個(gè)第二發(fā)光二極管芯片20b、另外一第一環(huán)繞式邊框膠體30b及另外一第一封裝膠體40b。其中，具有較低色溫的第一組發(fā)光結(jié)構(gòu)m被設(shè)置于內(nèi)圈，而具有較高色溫的第二組發(fā)光結(jié)構(gòu)N2則設(shè)置于外圈。第八實(shí)施例請(qǐng)參閱圖8所示，其為俯視圖。由上述圖中可知，本發(fā)明第八實(shí)施例提供一種使用定電壓電源供應(yīng)器(圖未示)的多晶封裝結(jié)構(gòu)Z，其包括一基板單元1、一發(fā)光單元2、一限流單元C、一邊框單元3及一封裝單元4。由圖8與圖7A的比較可知，本發(fā)明第八實(shí)施例與第七實(shí)施例最大的差別在于在第八實(shí)施例中，第一組發(fā)光結(jié)構(gòu)W與第二組發(fā)光結(jié)構(gòu)N2 的位置相互顛倒，因此具有較低色溫的第一組發(fā)光結(jié)構(gòu)m被設(shè)置于外圈，而具有較高色溫的第二組發(fā)光結(jié)構(gòu)N2則設(shè)置于內(nèi)圈。第九實(shí)施例請(qǐng)參閱圖9A與圖9B所示，圖9A為俯視圖，圖9B為側(cè)視剖面示意圖。 由上述圖中可知，本發(fā)明第九實(shí)施例提供一種使用定電壓電源供應(yīng)器(圖未示)的多晶封裝結(jié)構(gòu)Z，其包括一基板單元1、一發(fā)光單元2、一限流單元C、一邊框單元3及一封裝單元 4。由圖9A與圖7A(或圖9B與圖7B)的比較可知，本發(fā)明第九實(shí)施例與第七實(shí)施例最大的差別在于在第九實(shí)施例中，依據(jù)不同的設(shè)計(jì)需求，上述兩個(gè)第一環(huán)繞式邊框膠體30a、30b 皆可為熒光膠體。換句話(huà)說(shuō)，本發(fā)明可隨著不同的需求而選擇性地添加熒光粉于上述兩個(gè)第一環(huán)繞式邊框膠體30a、30b內(nèi)，以使得光源(如圖9B中向上的箭頭所示)能夠被導(dǎo)引至上述兩個(gè)第一封裝膠體40a、40b之間，進(jìn)而降低發(fā)生于上述兩個(gè)第一封裝膠體40a、40b之間的暗帶情況。第十實(shí)施例請(qǐng)參閱圖10所示，其為側(cè)視剖面示意圖。由上述圖中可知，本發(fā)明第十實(shí)施例提供一種使用定電壓電源供應(yīng)器(圖未示)的多晶封裝結(jié)構(gòu)Z，其包括一基板單元1、一發(fā)光單元2、一限流單元C、一邊框單元3及一封裝單元4。由圖10與圖7B的比較可知，本發(fā)明第十實(shí)施例與第七實(shí)施例最大的差別在于在第十實(shí)施例中，依據(jù)不同的設(shè)計(jì)需求，內(nèi)圈的第一環(huán)繞式邊框膠體30a可為熒光膠體，而外圈的第一環(huán)繞式邊框膠體30b可為反光膠體。換句話(huà)說(shuō)，本發(fā)明可隨著不同的需求而選擇性地添加熒光粉于內(nèi)圈的第一環(huán)繞式邊框膠體30a內(nèi)，以使得光源(如圖10中向上的箭頭所示)能夠被導(dǎo)引至上述兩個(gè)第一封裝膠體40a、40b之間，進(jìn)而降低發(fā)生于上述兩個(gè)第一封裝膠體40a、40b之間的暗帶情況。此外， 通過(guò)“外圈的第一環(huán)繞式邊框膠體30b為反光膠體”的設(shè)計(jì)，以使得本發(fā)明所投出的光源能得到較佳的聚光效果。第一實(shí)施例至第十實(shí)施例再者，請(qǐng)參閱圖11所示，上述第一實(shí)施例至第十實(shí)施例中，基板單元1具有多個(gè)設(shè)置于基板本體10上表面的正極焊墊P及多個(gè)設(shè)置于基板本體10上表面的負(fù)極焊墊N，每一個(gè)發(fā)光二極管芯片20具有一正極201及一負(fù)極202，每一個(gè)發(fā)光二極管芯片20的正極201 相對(duì)應(yīng)上述多個(gè)正極焊墊P中的至少兩個(gè)，且每一個(gè)發(fā)光二極管芯片20的負(fù)極202相對(duì)應(yīng)上述多個(gè)負(fù)極焊墊N中的至少兩個(gè)。另外，本發(fā)明更進(jìn)一步包括一導(dǎo)線(xiàn)單元W，其具有多條導(dǎo)線(xiàn)Wl，其中每?jī)蓷l導(dǎo)線(xiàn)Wl分別電性連接于每一個(gè)發(fā)光二極管芯片20的正極201與上述至少兩個(gè)正極焊墊P中的其中一個(gè)之間及電性連接于每一個(gè)發(fā)光二極管芯片20的負(fù)極 202與上述至少兩個(gè)負(fù)極焊墊N中的其中一個(gè)之間。因?yàn)槊恳粋€(gè)發(fā)光二極管芯片的正極201與負(fù)極202分別具有至少一個(gè)備用正極焊墊P及至少一個(gè)備用負(fù)極焊墊N，所以當(dāng)導(dǎo)線(xiàn)Wl的一末端打在(焊接在)其中一個(gè)正極焊墊P或負(fù)極焊墊N上而失敗時(shí)(造成浮焊，亦即導(dǎo)線(xiàn)Wl與“正極焊墊P或負(fù)極焊墊N”之間沒(méi)有產(chǎn)生電性連接)，制造者不需清除因?yàn)檫B接焊接失敗而形成于正極焊墊P表面上的焊渣(或負(fù)極焊墊N表面上的焊渣)，導(dǎo)線(xiàn)Wl的一末端即可打在另外一個(gè)正極焊墊P (或另外一個(gè)負(fù)極焊墊N)上，以節(jié)省連接焊接的時(shí)間(提升連接焊接的效率)并增加連接焊接的良率。綜上所述，本發(fā)明通過(guò)涂布的方式以成形一可為任意形狀的第一環(huán)繞式邊框膠體 (例如環(huán)繞式白色膠體)，并且通過(guò)第一環(huán)繞式邊框膠體以局限一第一封裝膠體(例如熒光膠體)的位置并且調(diào)整第一封裝膠體的表面形狀，因此本發(fā)明的多晶封裝結(jié)構(gòu)能夠“提高發(fā)光二極管芯片的發(fā)光效率”及“控制發(fā)光二極管芯片的出光角度”。換言之，通過(guò)第一環(huán)繞式邊框膠體的使用，以使得第一封裝膠體被限位在第一膠體限位空間內(nèi)，進(jìn)而可控制“第一封裝膠體的使用量及位置”；再者通過(guò)控制第一封裝膠體的使用量及位置，以調(diào)整第一封裝膠體的表面形狀及高度，進(jìn)而控制“上述多個(gè)發(fā)光二極管芯片所產(chǎn)生的白色光束的出光角度”。另外，本發(fā)明亦可通過(guò)第一環(huán)繞式邊框膠體的使用，以使得上述多個(gè)發(fā)光二極管芯片所產(chǎn)生的光束投射到第一環(huán)繞式邊框膠體的內(nèi)壁而產(chǎn)生反射，進(jìn)而可增加本發(fā)明的發(fā)光效率。再者，本發(fā)明每一個(gè)發(fā)光二極管芯片的正極與負(fù)極分別相對(duì)應(yīng)至少兩個(gè)正極焊墊及至少兩個(gè)負(fù)極焊墊，因此每一個(gè)發(fā)光二極管芯片的正極與負(fù)極分別具有至少一個(gè)備用正極焊墊及至少一個(gè)備用負(fù)極焊墊，以使得本發(fā)明可有效節(jié)省連接焊接的時(shí)間(提升連接焊接的效率)并增加連接焊接的成功率。另外，本發(fā)明可通過(guò)“將上述多個(gè)發(fā)光二極管芯片與上述至少一限流芯片電性連接于同一基板單元上”的設(shè)計(jì)，以使得本發(fā)明的多晶封裝結(jié)構(gòu)可使用定電壓電源供應(yīng)器作為供電的源頭。以上所述僅為本發(fā)明的較佳可行實(shí)施例，非因此局限本發(fā)明的專(zhuān)利保護(hù)范圍，故凡運(yùn)用本發(fā)明說(shuō)明書(shū)及附圖內(nèi)容所為的等效技術(shù)修改，均包含于本發(fā)明的保護(hù)范圍內(nèi)。
權(quán)利要求
1.一種使用定電壓電源供應(yīng)器的多晶封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于，包括一基板單元，其具有一基板本體、一位于該基板本體上表面的第一置晶區(qū)域、及一位于該基板本體上表面的第二置晶區(qū)域；一發(fā)光單元，其具有多個(gè)電性設(shè)置于該第一置晶區(qū)域上的發(fā)光二極管芯片；一限流單元，其具有至少一電性設(shè)置于該第二置晶區(qū)域上的限流芯片，其中上述至少一限流芯片電性連接于該發(fā)光單元；一邊框單元，其具有一環(huán)繞地成形于該基板本體上表面的第一環(huán)繞式邊框膠體及一環(huán)繞地成形于該基板本體上表面的第二環(huán)繞式邊框膠體，其中該第一環(huán)繞式邊框膠體圍繞上述多個(gè)發(fā)光二極管芯片，以形成一對(duì)應(yīng)于該第一置晶區(qū)域的第一膠體限位空間，且該第二環(huán)繞式邊框膠體圍繞上述至少一限流芯片，以形成一對(duì)應(yīng)于該第二置晶區(qū)域的第二膠體限位空間；以及一封裝單元，其具有一填充于該第一膠體限位空間內(nèi)以覆蓋上述多個(gè)發(fā)光二極管芯片的第一封裝膠體及一填充于該第二膠體限位空間內(nèi)以覆蓋上述至少一限流芯片的第二封裝膠體。
2.如權(quán)利要求1所述的使用定電壓電源供應(yīng)器的多晶封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于，該基板本體具有一電路基板、一設(shè)置于該電路基板底部的散熱層、多個(gè)設(shè)置于該電路基板上表面的導(dǎo)電焊墊、及一設(shè)置于該電路基板上表面并用于露出上述多個(gè)導(dǎo)電焊墊的絕緣層；每一個(gè)發(fā)光二極管芯片為一藍(lán)色發(fā)光二極管芯片，該第一封裝膠體為一熒光膠體或一透明膠體，且該第二封裝膠體為一不透光膠體。
3.如權(quán)利要求1所述的使用定電壓電源供應(yīng)器的多晶封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于，該第一環(huán)繞式邊框膠體的上表面為一圓弧形，該第一環(huán)繞式邊框膠體相對(duì)于該基板本體上表面的圓弧切線(xiàn)的角度介于40至50度之間，該第一環(huán)繞式邊框膠體的頂面相對(duì)于該基板本體上表面的高度介于0. 3至0. 7mm之間，該第一環(huán)繞式邊框膠體底部的寬度介于1. 5至3mm之間，該第一環(huán)繞式邊框膠體的觸變指數(shù)(thixotropic index)介于4至6之間，且該第一環(huán)繞式邊框膠體為一混有無(wú)機(jī)添加物的白色熱硬化邊框膠體。
4.如權(quán)利要求1所述的使用定電壓電源供應(yīng)器的多晶封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于，該基板單元具有多個(gè)設(shè)置于該基板本體上表面的正極焊墊及多個(gè)設(shè)置于該基板本體上表面的負(fù)極焊墊，每一個(gè)發(fā)光二極管芯片具有一正極及一負(fù)極，每一個(gè)發(fā)光二極管芯片的正極相對(duì)應(yīng)上述多個(gè)正極焊墊中的至少兩個(gè)，且每一個(gè)發(fā)光二極管芯片的負(fù)極相對(duì)應(yīng)上述多個(gè)負(fù)極焊墊中的至少兩個(gè)。
5.如權(quán)利要求4所述的使用定電壓電源供應(yīng)器的多晶封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于，更進(jìn)一步包括一導(dǎo)線(xiàn)單元，其具有多條導(dǎo)線(xiàn)，其中每?jī)蓷l導(dǎo)線(xiàn)分別電性連接于每一個(gè)發(fā)光二極管芯片的正極與上述至少兩個(gè)正極焊墊中的其中一個(gè)之間及電性連接于每一個(gè)發(fā)光二極管芯片的負(fù)極與上述至少兩個(gè)負(fù)極焊墊中的其中一個(gè)之間。
6.如權(quán)利要求1所述的使用定電壓電源供應(yīng)器的多晶封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于，該第一環(huán)繞式邊框膠體與該第二環(huán)繞式邊框膠體彼此分離一特定距離，該第一封裝膠體與該第二封裝膠體彼此分離一特定距離，且該第一環(huán)繞式邊框膠體與該第二封裝膠體彼此分離一特定距尚。
7.如權(quán)利要求1所述的使用定電壓電源供應(yīng)器的多晶封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于，該第二環(huán)繞式邊框膠體圍繞該第一環(huán)繞式邊框膠體，該第二封裝膠體圍繞該第一封裝膠體，且該第一環(huán)繞式邊框膠體與該第二封裝膠體彼此相連。
8.如權(quán)利要求1所述的使用定電壓電源供應(yīng)器的多晶封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于，該基板單元具有至少一貫穿該基板本體的隔熱狹縫，且上述至少一隔熱狹縫位于該發(fā)光單元與該限流單元之間或位于該第一環(huán)繞式邊框膠體與該第二環(huán)繞式邊框膠體之間。
9.一種使用定電壓電源供應(yīng)器的多晶封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于，包括一基板單元，其具有一基板本體、兩個(gè)位于該基板本體上表面的第一置晶區(qū)域、及一位于該基板本體上表面的第二置晶區(qū)域；一發(fā)光單元，其具有至少一用于產(chǎn)生第一種色溫的第一發(fā)光模塊及至少一用于產(chǎn)生第二種色溫的第二發(fā)光模塊，其中上述至少一第一發(fā)光模塊具有多個(gè)電性設(shè)置于其中一第一置晶區(qū)域上的第一發(fā)光二極管芯片，且上述至少一第二發(fā)光模塊具有多個(gè)電性設(shè)置于另外一第一置晶區(qū)域上的第二發(fā)光二極管芯片；一限流單元，其具有至少一電性設(shè)置于該第二置晶區(qū)域上的限流芯片，其中上述至少一限流芯片電性連接于該發(fā)光單元；一邊框單元，其具有兩個(gè)環(huán)繞地成形于該基板本體上表面的第一環(huán)繞式邊框膠體及一環(huán)繞地成形于該基板本體上表面的第二環(huán)繞式邊框膠體，其中上述兩個(gè)第一環(huán)繞式邊框膠體分別圍繞上述至少一第一發(fā)光模塊及上述至少一第二發(fā)光模塊，以分別形成兩個(gè)相對(duì)應(yīng)上述兩個(gè)第一置晶區(qū)域的第一膠體限位空間，且該第二環(huán)繞式邊框膠體圍繞上述至少一限流芯片，以形成一對(duì)應(yīng)于該第二置晶區(qū)域的第二膠體限位空間；以及一封裝單元，其具有兩個(gè)分別填充于上述兩個(gè)第一膠體限位空間內(nèi)以分別覆蓋上述至少一第一發(fā)光模塊及上述至少一第二發(fā)光模塊的第一封裝膠體及一填充于該第二膠體限位空間內(nèi)以覆蓋上述至少一限流芯片的第二封裝膠體。
10.一種使用定電壓電源供應(yīng)器的多晶封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于，包括一基板單元，其具有一基板本體、兩個(gè)位于該基板本體上表面的第一置晶區(qū)域、及一位于該基板本體上表面的第二置晶區(qū)域；一發(fā)光單元，其具有至少一用于產(chǎn)生第一種色溫的第一發(fā)光模塊及至少一用于產(chǎn)生第二種色溫的第二發(fā)光模塊，其中上述至少一第一發(fā)光模塊具有多個(gè)電性設(shè)置于其中一第一置晶區(qū)域上的第一發(fā)光二極管芯片，且上述至少一第二發(fā)光模塊具有多個(gè)電性設(shè)置于另外一第一置晶區(qū)域上的第二發(fā)光二極管芯片；一限流單元，其具有至少一電性設(shè)置于該第二置晶區(qū)域上的限流芯片，其中上述至少一限流芯片電性連接于該發(fā)光單元；一邊框單元，其具有兩個(gè)環(huán)繞地成形于該基板本體上表面的第一環(huán)繞式邊框膠體及一環(huán)繞地成形于該基板本體上表面的第二環(huán)繞式邊框膠體，且其中一個(gè)第一環(huán)繞式邊框膠體圍繞另外一個(gè)第一環(huán)繞式邊框膠體，其中上述兩個(gè)第一環(huán)繞式邊框膠體分別圍繞上述至少一第一發(fā)光模塊及上述至少一第二發(fā)光模塊，以分別形成兩個(gè)相對(duì)應(yīng)上述兩個(gè)第一置晶區(qū)域的第一膠體限位空間，上述至少一第二發(fā)光模塊位于上述兩個(gè)第一環(huán)繞式邊框膠體之間，且該第二環(huán)繞式邊框膠體圍繞上述至少一限流芯片，以形成一對(duì)應(yīng)于該第二置晶區(qū)域的第二膠體限位空間；以及一封裝單元，其具有兩個(gè)分別填充于上述兩個(gè)第一膠體限位空間內(nèi)以分別覆蓋上述至少一第一發(fā)光模塊及上述至少一第二發(fā)光模塊的第一封裝膠體及一填充于該第二膠體限位空間內(nèi)以覆蓋上述至少一限流芯片的第二封裝膠體。
全文摘要
一種使用定電壓電源供應(yīng)器的多晶封裝結(jié)構(gòu)，其包括一基板單元、一發(fā)光單元、一限流單元、一邊框單元及一封裝單元；基板單元具有一第一置晶區(qū)域及一第二置晶區(qū)域；發(fā)光單元具有多個(gè)電性設(shè)置于第一置晶區(qū)域上的發(fā)光二極管芯片；限流單元具有至少一電性設(shè)置于第二置晶區(qū)域上且電性連接于發(fā)光單元的限流芯片；邊框單元具有一圍繞上述多個(gè)發(fā)光二極管芯片的第一環(huán)繞式邊框膠體及一圍繞限流芯片的第二環(huán)繞式邊框膠體；封裝單元具有一被第一環(huán)繞式邊框膠體所圍繞且用于覆蓋上述多個(gè)發(fā)光二極管芯片的第一封裝膠體及一被第二環(huán)繞式邊框膠體所圍繞且用于覆蓋限流芯片的第二封裝膠體。本發(fā)可提高發(fā)光二極管芯片的發(fā)光效率。
文檔編號(hào)H01L33/62GK102466148SQ201010542870
公開(kāi)日2012年5月23日 申請(qǐng)日期2010年11月10日 優(yōu)先權(quán)日2010年11月10日
發(fā)明者戴世能, 鐘嘉珽 申請(qǐng)人:柏友照明科技股份有限公司