專利名稱：光電二極管以及制造光電二極管的方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明的實施例一般涉及光電二極管和制造光電二極管的方法。
背景技術(shù)：
光電二極管可以作為周圍光源傳感器(ALS)使用，例如作為顯示器的節(jié)能光傳感 器使用，控制諸如移動電話和便攜電腦等便攜裝置的背光，以及用于其它各種類型的光強 度測量與管理。作為更具體的示例，通過檢測明亮和昏暗的周圍光狀況作為控制顯示器和 /或鍵盤背光的方法，周圍光傳感器可以用來減小總顯示系統(tǒng)的功耗并且提高液晶顯示器 (LCD)的使用壽命。在沒有周圍光傳感器時，LCD顯示器背光控制典型地是通過人工完成 的，由此隨著周圍環(huán)境變得更加明亮，使用者將會提高LCD的強度。使用周圍光傳感器時， 使用者可以將IXD亮度調(diào)整至他們的偏好，并且隨著周圍環(huán)境的改變，顯示器亮度調(diào)整使 得顯示器在相同的感知級別上呈現(xiàn)一致；其結(jié)果是電池壽命延長，使用者眼睛壓力減小，并 且IXD的使用壽命延長。類似地，沒有環(huán)境光傳感器時，鍵盤背光的控制嚴(yán)重依賴于使用者 和軟件。例如，鍵盤背光可以通過按壓鍵盤觸發(fā)的觸發(fā)器或者計時器打開10秒鐘。使用周 圍光傳感器時，鍵盤背光可以僅僅在周圍環(huán)境昏暗時才打開，其結(jié)果是電池壽命更長。為了 取得更好的周圍光感測，周圍光傳感器優(yōu)選具有接近于人眼響應(yīng)的光譜響應(yīng)，并且具有極 好的紅外(IR)噪聲抑制。

發(fā)明內(nèi)容
根據(jù)特定的實施例，一種光電二極管包括第一半導(dǎo)體類型表面區(qū)域(例如302)， 和形成在第一半導(dǎo)體類型表面區(qū)域(例如30 的一部分中的第二半導(dǎo)體類型表面層(例 如30 ，因此通過第一半導(dǎo)體類型表面區(qū)域(例如30 和第二半導(dǎo)體類型表面層(例如 303)的PN結(jié)形成有源光電二極管區(qū)域。鈍化涂層(例如314)位于第二半導(dǎo)體表面層(例 如303)上。蝕刻停止涂層(例如315)位于鈍化涂層(例如314)的一部分上。該光電二極 管在至少有源光電二極管區(qū)域的一部分上還包括開口(例如340)，其中該開口(例如340) 向下延伸穿過蝕刻停止涂層(例如315)直到鈍化涂層(例如314)。包括多個電介質(zhì)層的 電介質(zhì)反射涂層濾光器(例如350)填充開口(例如340)的至少一部分并且因此覆蓋有源 光電二極管區(qū)域。開口(例如340)允許入射到光電二極管上的一部分光被有源光電二極 管區(qū)域接收。電介質(zhì)反射涂層濾光器(例如350)反射入射到光電二極管上的光的一部分， 并因此調(diào)整光電二極管的光譜響應(yīng)的形狀。電介質(zhì)反射涂層濾光器(例如350)包括頂面 和側(cè)壁(例如35 ，該頂面通常平行于鈍化涂層(例如314)頂面，該側(cè)壁從頂面向鈍化涂 層(例如314)延伸。根據(jù)一個實施例，暗鏡(例如360)覆蓋電介質(zhì)反射涂層濾光器(例 如350)的頂面和側(cè)壁(355)。根據(jù)可選的實施例，在第二半導(dǎo)體表面層(例如303)上沒有鈍化涂層(例如 314)。在上述實施例中，在有源光電二極管區(qū)域的至少一部分上的開口(例如340)向下延 伸直到第二半導(dǎo)體類型表面層(例如30 或者直到第二半導(dǎo)體類型表面層(例如303)上
的薄氧化物層。在其它實施例中，電介質(zhì)反射涂層濾光器(例如350)在第二半導(dǎo)體類型表面層 (例如303)上形成，并且蝕刻停止涂層(例如315)位于電介質(zhì)反射涂層濾光器(例如350) 的一部分上。在這樣的實施例中，開口(例如340)位于有源光電二極管區(qū)域的至少一部分 上，其中該開口(例如340)向下延伸穿過蝕刻停止涂層(例如315)直到電介質(zhì)反射涂層 濾光器(例如350)。在這樣的實施例中，鈍化涂層(例如314)可以位于或者不位于第二半 導(dǎo)體表面層(例如303)和電介質(zhì)反射涂層濾光器(例如350)之間。本發(fā)明的實施例還針對制造光電二極管的方法。根據(jù)一個實施例，一種方法包括 注入并且因此在第一半導(dǎo)體類型表面區(qū)域(例如30 的一部分中形成第二半導(dǎo)體類型淺 表面層(例如303)，其中通過第一半導(dǎo)體類型表面區(qū)域和第二半導(dǎo)體類型淺表面層的PN結(jié) 形成有源光電二極管區(qū)域。鈍化涂層(例如314)在淺表面層(例如30 上形成，其中該 鈍化涂層(例如314)包含淺表面層(例如303)上的薄氧化物層(例如311)和在該薄氧 化物層上的不同于該薄氧化物層的第二電介質(zhì)層(例如312)。蝕刻停止涂層(例如315) 在第二電介質(zhì)層上形成，其中該蝕刻停止涂層(例如31 包含至少一個抗氧化蝕刻層(例 如316)。然后執(zhí)行層間電介質(zhì)(ILD)工藝、金屬工藝、接觸工藝、通孔工藝和鈍化工藝中的 至少一些工藝，從而得到在蝕刻停止涂層(例如31 上形成的多層。該方法進(jìn)一步包括去 除在蝕刻停止涂層(例如31 上形成的多個層的至少一部分和蝕刻停止涂層(例如315) 的至少一部分來產(chǎn)生開口(例如340)，該開口在有源光電二極管區(qū)域的至少一部分上向下 延伸直到鈍化涂層(例如314)。開口(340)的至少一部分被電介質(zhì)反射涂層濾光器(350) 填充，因此電介質(zhì)反射涂層濾光器(350)覆蓋有源光電二極管區(qū)域的至少一部分。附加地， 電介質(zhì)反射涂層濾光器(350)的頂面(例如357)和側(cè)壁(例如355)可被暗鏡(360)覆蓋。
在可選的實施例中，在第二半導(dǎo)體表面層(例如30 上沒有形成鈍化涂層(例如 314)。在上述實施例中，通過去除在剩余的蝕刻停止涂層(例如315)上形成的多個層的至 少一部分和剩余的蝕刻停止層的至少一部分來形成開口(例如340)，該開口向下延伸直到 第二半導(dǎo)體類型表面層(例如30 或者直到在第二半導(dǎo)體類型表面層(例如30 上的薄
氧化物層。在其它實施例中，在開口(例如340)形成前，電介質(zhì)反射涂層濾光器(350)在有 源光電二極管區(qū)域的至少一部分上形成。本發(fā)明實施例的更進(jìn)一步和可選的實施例以及特征、方面和優(yōu)點根據(jù)下文中的詳 述、附圖和權(quán)利要求將變得更加顯而易見。


圖1示出沒有任何光譜響應(yīng)調(diào)整的光電二極管的示例性光譜響應(yīng)。圖2示出典型的人眼光譜響應(yīng)。圖3A示出根據(jù)一個實施例的光電二極管300a在其有源光電二極管區(qū)域上被打開 向下直到鈍化涂層的窗口之后的的剖面圖。圖;3B示出根據(jù)一個實施例的光電二極管300b的剖面圖，其包括涂層濾光器填充 有源光電二極管區(qū)域上向下直到鈍化涂層的窗口的一部分的電介質(zhì)反射涂層濾光器。圖3C示出根據(jù)一個實施例的類似于圖:3B的光電二極管300b的光電二極管300c 的剖面圖，但添加了暗反射鏡以覆蓋電介質(zhì)反射涂層濾光器的側(cè)壁和頂面。圖3D示出根據(jù)一個實施例的類似于圖:3B的光電二極管300b的光電二極管300d 的剖面圖，但擴散區(qū)域(因此，有源光電二極管區(qū)域)的面積顯著小于由電介質(zhì)反射涂層濾 光器的側(cè)壁355形成的開口的面積。圖3E示出根據(jù)一個實施例的類似于圖3C的光電二極管300c的光電二極管300e 的剖面圖，但是其中電介質(zhì)反射涂層濾光器填充整個窗口并且延伸到窗口上。圖4示出根據(jù)一個實施例的光電二極管400的剖面圖，其中電介質(zhì)反射涂層濾光 器在窗口打開前形成。圖5A示出在有源光電二極管區(qū)域上向下打開直到光電二極管的擴散區(qū)域或者直 到覆蓋該擴散區(qū)域的薄氧化物的窗口后的光電二極管500a的剖面圖。圖5B示出根據(jù)一個實施例的光電二極管500b的剖面圖，其包括填充有源光電二 極管區(qū)域上向下直到光電二極管的擴散區(qū)域或者直到覆蓋該擴散區(qū)域的薄氧化物的窗口 的一部分的電介質(zhì)反射涂層濾光器。圖5C示出根據(jù)一個實施例的類似于圖5B的光電二極管500b的光電二極管500c 的剖面圖，但是添加了暗反射鏡以覆蓋電介質(zhì)反射涂層濾光器的側(cè)壁和頂面。圖5D示出根據(jù)一個實施例的類似于圖5B的光電二極管500b的光電二極管500d 的剖面圖，但是擴散區(qū)域(因此，有源光電二極管區(qū)域)的面積顯著小于由電介質(zhì)反射涂層 濾光器的側(cè)壁355形成的開口的面積。圖5E示出根據(jù)一個實施例的類似于圖5C的光電二極管500c的光電二極管500e 的剖面圖，但是其中電介質(zhì)反射涂層濾光器填充整個窗口并且延伸到窗口上。圖6示出根據(jù)一個實施例的光電二極管600的剖面圖，其中電介質(zhì)反射涂層濾光器在窗口形成前在擴散區(qū)域上形成。圖7示出如何相對于目標(biāo)響應(yīng)⑴移動過濾器響應(yīng)(F)，以當(dāng)過濾器與具有光電 極管響應(yīng)(P)的光電二極管一起使用時，實現(xiàn)目標(biāo)響應(yīng)(T)。附圖標(biāo)記說明
300a-e, 400，500a-e, 600光電二極管301襯底302第一半導(dǎo)體類型表面區(qū)域303第二半導(dǎo)體類型表面層(也稱作擴散層或擴散區(qū)域)305接觸311薄氧化物層312第二電介質(zhì)層314鈍化涂層315蝕刻停止涂層316抗氧化蝕刻層317氧化物層321,322,323,324,325層間電介質(zhì)(ILD)層326頂層鈍化涂層330金屬化340開口(也稱作窗口或溝槽)350電介質(zhì)反射涂層濾光器355電介質(zhì)反射涂層濾光器的側(cè)壁357電介質(zhì)反身t凃?qū)訛V光器的頂面360暗反射鏡涂層
具體實施例方式
圖1示出沒有任何光譜響應(yīng)形狀調(diào)整的光電二極管的示例性光譜響應(yīng)，例如，該 光電二極管使用過濾器來覆蓋有源光電二極管區(qū)域。圖2所示是人眼的典型光譜響應(yīng)。由 圖1和圖2可以得出，使用光電二極管作為周圍光傳感器的問題是它同時檢測到可見光和不可見光，例如始于大約700nm的紅外(IR)光。對比之下，由圖2可知，人眼檢測不到頂 光。因此，光電二極管的響應(yīng)與人眼的響應(yīng)顯著不同，尤其當(dāng)光是由產(chǎn)生大量頂光的白熾 燈產(chǎn)生的情況下。如果光電二極管被用作周圍光檢測器，例如用來調(diào)整背光或類似時，將提 供遠(yuǎn)低于最優(yōu)的調(diào)整。參考圖3A，根據(jù)一個實施例，光電二極管300a可以通過從襯底(例如P+襯底301) 開始制造，該襯底具有第一半導(dǎo)體類型表面區(qū)域，例如在半導(dǎo)體襯底301的至少一部分上 的P-表面區(qū)域302?？蛇x地，表面區(qū)域302即是襯底301的表面。第二半導(dǎo)體類型淺表面 層，例如N+擴散層303 (也稱作擴散區(qū)域)可在表面區(qū)域302的一部分中形成，從而形成有 源PN結(jié)光電二極管區(qū)域。P+襯底301、P-表面區(qū)域302以及N+擴散層303可以由硅(Si) 形成，但不限于此。N+擴散層303可以通過例如用As或者Sb摻雜Si來形成，但是不限于 此。在圖3A中，鈍化涂層314在淺表面層303上形成。根據(jù)一個實施例，鈍化涂層314 包括兩個電介質(zhì)層。鈍化涂層314的頂層312可以是氮化物，例如氮化硅(Si3N4)15根據(jù)本 發(fā)明的一個實施例，當(dāng)用于光學(xué)應(yīng)用時，該氮化物層優(yōu)選具有在約20 40nm范圍內(nèi)(例如 30nm)的厚度，以使該氮化物層不會不利地影響該光電二極管的光譜響應(yīng)。然而，氮化物層 的相對淺的厚度可能引起難以在作為蝕刻停止的氮化物上的停止。為了克服上述困難，氮 化物的厚度可以增加，以便在蝕刻期間一些氮化物被蝕刻掉，從而留下在期望的厚度范圍 內(nèi)的氮化物層?？蛇x地，可以增加犧牲蝕刻停止層(例如金屬)來保護(hù)未被頂層金屬覆蓋 的區(qū)域。然后該犧牲蝕刻停止層可以通過另一個掩模步驟去除。鈍化涂層314的底層311 可以是薄二氧化硅(SiO2)層。薄二氧化硅(SiO2)層311(例如1. 5 8nm)減小在下面的 Si和氮化硅(Si3N4)層312或者和鈍化涂層314的其它的第二電介質(zhì)層之間的張力/壓力。 第二電介質(zhì)層(例如Si3N4) 312密封N+擴散層303使之隔離水汽。盡管鈍化涂層314的第 二電介質(zhì)層312通常在此被描述為是氮化硅，但是本發(fā)明不限于使用氮化硅作為第二電介 質(zhì)層312。例如，第二電介質(zhì)層312可以是富硅SiO2、富硅510,或者富硅Si3N4。沉積上述 富硅層的示例性的現(xiàn)有技術(shù)是使用等離子體增強沉積系統(tǒng)。在圖3A中，蝕刻停止涂層315在鈍化涂層314上形成。根據(jù)一個實施例，蝕刻停 止涂層315包括在氧化物(例如SiO2)層317上的至少一個抗氧化蝕刻層316，例如氮化硅 (Si3N4)或者多晶硅。在形成鈍化涂層314和蝕刻停止涂層315后，去除在有源光電二極管區(qū)域外的蝕 刻停止涂層315和鈍化涂層314的一部分直到第一半導(dǎo)體類型表面區(qū)域，例如P-表面區(qū)域 302，以給金屬化預(yù)留空間。可以通過例如使用抗蝕劑圖案化隨后進(jìn)行蝕刻和抗蝕劑去除工 序來實施上述去除。同樣應(yīng)該從CMOS的柵極圖形(未示出)中清除蝕刻停止涂層。在Si 作為蝕刻停止層的情況下，可以使用在下面的氧化物上停止的各種等離子體蝕刻。在Si3N4 作為蝕刻停止層的情況下，可以使用等離子體或者濕法蝕刻，后者通常包括在Si3N4蝕刻停 止層上沉積的氧化物硬質(zhì)掩模材料(約30nm或更厚)。在鈍化涂層314和抗氧化蝕刻的蝕 刻停止層316之間的氧化物層317可以在光致抗蝕劑掩模去除前使用濕化學(xué)法來去除，但 是不限于此。此后，可進(jìn)行層間電介質(zhì)(ILD)、金屬、接觸、通孔和鈍化工藝來增加層間電介質(zhì) (ILD)層321、322、323、3M和325、金屬化層330和頂層鈍化層326 (例如被氮化物層覆蓋的氧化物層)。ILD層321、322、323、3M和325典型地是氧化物，其部分可以通過使用氧化 蝕刻來去除。在圖3A中，金屬化層330耦合到P+接觸305以實現(xiàn)與P-表面區(qū)域302的低 電阻接觸。在圖3A中沒有示出N+擴散接觸。N+擴散接觸可以稱作光電二極管的陰極，并 且P+接觸305可以稱作光電二極管的陽極。此時，在有源光電二極管區(qū)域上存在許多的ILD層(例如層321，322，323，3M和 325)和頂層鈍化層326，這些層影響下面的有源光電二極管區(qū)域的光譜響應(yīng)。即使嘗試最 優(yōu)化這些ILD層的厚度以實現(xiàn)期望的光譜響應(yīng)(例如類似于人眼的光譜響應(yīng))，因為正常的 半導(dǎo)體制造厚度控制在+/-10 20 %范圍內(nèi)，所以存在過多的厚度變化以致于不能提供控 制良好的和可預(yù)料的光譜響應(yīng)。因此，根據(jù)本發(fā)明的具體實施例，在有源光電二極管區(qū)域上 的ILD層和頂部鈍化層被去除。換言之，在有源光電二極管區(qū)域上形成窗口 340。此后，如 將在下文中描述的，濾光器形成在窗口 340中，來提供期望的光譜響應(yīng)(例如類似于人眼的 光譜響應(yīng))。在有源光電二極管區(qū)域上，光致抗蝕劑可以被圖案化以打開窗口 340(也稱作開 口或溝槽)。更具體地說，頂層鈍化涂層3^KILD層和蝕刻停止涂層315的一部分被去除， 以便開口 ；340向下延伸直到位于有源光電二極管區(qū)域的至少一部分上的鈍化涂層314。這 可以包括使用氧化蝕刻去除氧化物層317的至少一部分，并且去除在有源光電二極管區(qū)域 上的蝕刻停止涂層315的至少一部分，來暴露在有源光電二極管區(qū)域上的鈍化涂層314的 至少一部分。根據(jù)一個實施例，開口 340的面積小于有源光電二極管區(qū)域的面積，如圖3A 所示。在上文描述的溝槽340形成后，濾光器350可以在鈍化涂層314上形成。對比半 導(dǎo)體制造的厚度控制，濾光器的厚度控制典型地在+/-1 %的范圍內(nèi)。根據(jù)一個實施例，包 括在有源光電二極管區(qū)域上具有窗口 340的多個光電二極管300a的晶片在半導(dǎo)體制造車 間(通常叫做工廠(fab))中加工。此后，晶片被轉(zhuǎn)移到光電和/或光學(xué)器件制造設(shè)備，在 該處濾光器350被添加。然后具有濾光器的晶片可以被返還到半導(dǎo)體工廠，在該處晶片可 以被切成光電二極管管芯，并且可以被添加封裝以生產(chǎn)光電二極管集成電路(IC)芯片。如 果該設(shè)備被適當(dāng)?shù)匮b配以執(zhí)行半導(dǎo)體和光學(xué)制造兩者，則上述的所有步驟都可能在同樣的 設(shè)備中進(jìn)行。根據(jù)一個實施例，濾光器350是電介質(zhì)反射涂層濾光器。取決于溝槽340的深度 和電介質(zhì)反射涂層濾光器350的厚度，電介質(zhì)反射涂層濾光器350可以僅僅填充溝槽的一 部分，或者可以填充整個溝槽并且甚至延伸于溝槽上。在圖3B中所示的電介質(zhì)反射涂層濾 光器350僅僅填充了光電二極管300b的溝槽340的一部分。電介質(zhì)反射涂層濾光器350可以通過沉積在下面的光學(xué)襯底上的材料薄層來構(gòu) 造，這些材料例如但是不限于硫化鋅，氟化鎂，氟化鈣，和各種金屬氧化物(例如二氧化 鈦)，來制造。通過精確的組分、厚度和這些層的數(shù)量的仔細(xì)選擇，可調(diào)整濾光器350的反射 率和透射率以產(chǎn)生幾乎任何期望的光譜特性。例如，反射率可以被增加到大于99. 99%來生 產(chǎn)高反射器(HR)涂層。反射的水平也可以被調(diào)諧成任何特殊的值，例如產(chǎn)生將落到其上的 在一定波長范圍上的光反射90%、透射10%的反射鏡。上述反射鏡在激光器中經(jīng)常被用作 分束器和輸出耦合器?？蛇x地，濾光器350可以被設(shè)計成使得該反射鏡只反射一個窄帶波 長的光，從而生產(chǎn)反射型濾光器。
高反射涂層與抗反射涂層工作方式相反。通常地，高和低折射系數(shù)材料層一個與 另一個交替。示例性的高折射系數(shù)材料包括硫化鋅(n = 2. 32)和二氧化鈦(n = 2. 4)，以 及示例性的低折射系數(shù)材料包括氟化鎂(n = 1. 38)和二氧化硅(n = 1. 49)。這種周期的 或者交替的結(jié)構(gòu)在稱為帶阻的特定的波長范圍內(nèi)顯著地增強表面的反射，上述帶阻的寬度 僅僅由所使用的兩種折射率之比所決定(對于四分之一波長系統(tǒng))，同時在堆棧中具有多 層的情況下的最大反射率增加到接近100%。層的厚度通常是四分之一波長(因此與由同 樣的材料組成的非四分之一波長系統(tǒng)相比，它們產(chǎn)生最寬的高反射帶)，如此設(shè)計使得反射 束彼此相長地干涉以使反射最大化并且使透射最小化。使用上述結(jié)構(gòu)，高反射涂層在寬波 長范圍內(nèi)(在可見光譜范圍內(nèi)的數(shù)十納米)的反射率可以達(dá)到非常高(例如99.9%)，而 在其它波長范圍內(nèi)的反射率較低，因此達(dá)到期望的光譜響應(yīng)。通過在反射堆棧中操縱層的 精確厚度和組分，反射特性可以被調(diào)整到期望的光譜響應(yīng)，并且可以包含高反射和抗反射 波長區(qū)域二者。涂層可以被設(shè)計為寬帶(long-pass)或窄帶(short-pass)濾光器、帶通濾 光器或者陷波濾光器或者具有特定反射率的反射鏡。根據(jù)本發(fā)明的具體實施例，電介質(zhì)反射涂層濾光器350用于調(diào)整光電二極管的光 譜響應(yīng)的形狀，來獲得類似于典型人眼響應(yīng)的光譜響應(yīng)(如圖2所示)。替代的光譜響應(yīng)是 可能的，并且在本發(fā)明的范疇內(nèi)。現(xiàn)參考圖3C的光電二極管300c，根據(jù)本發(fā)明的一個實施例，為了減小并且優(yōu)選地 使漏光效應(yīng)最小化，暗反射鏡涂層360(也簡單稱作暗鏡)可以被添加以覆蓋電介質(zhì)反射 涂層濾光器350的側(cè)壁355。暗反射鏡360也可以覆蓋電介質(zhì)反射涂層濾光器350的頂面 357，其中側(cè)壁355從該頂面357向下延伸。暗反射鏡涂層360被圖案化，以便使有源光電 二極管區(qū)域上的暗反射鏡涂層中存在開口。暗反射鏡是低反射、低透射的濾光器。在一個 實施例中，暗反射鏡涂層360提供吸收可見光的低反射表面?，F(xiàn)在參考圖3D的光電二極管300d，減小并且優(yōu)選地使漏光效應(yīng)最小化的另一個 方法是，使N+擴散區(qū)域303 (因此，有源光電二極管區(qū)域)的面積顯著小于由電介質(zhì)反射涂 層濾光器350的側(cè)壁355形成的開口的面積。圖3C和3D的實施例也可以結(jié)合，以使N+擴 散區(qū)域303 (因此，有源光電二極管區(qū)域)的面積顯著小于由電介質(zhì)反射涂層濾光器350的 側(cè)壁355形成的開口的面積，并且暗反射鏡涂層360被添加以覆蓋電介質(zhì)反射涂層濾光器 350的側(cè)壁355和頂面357。在圖!3B-3D中，電介質(zhì)反射涂層濾光器350被示出為僅僅填充溝槽340的一部分。 圖3E示出一個實施例，其中電介質(zhì)反射涂層濾光器350填充光電二極管300e的整個開口 340，并且甚至延伸于溝槽340上。為了減小并且優(yōu)選地最小化漏光效應(yīng)，暗反射鏡涂層360 覆蓋電介質(zhì)反射涂層濾光器350的側(cè)壁355和頂面357?？蛇x地，或者附加地，可使N+擴散 區(qū)域303的(因此，有源光電二極管區(qū)域)的面積顯著小于由電介質(zhì)反射涂層濾光器350 的側(cè)壁355形成的開口小得多，如上文參考圖3D中的光電二極管300d所述。在如!3B-3E的實施例中，示出電介質(zhì)反射涂層濾光器350形成在溝槽340形成之 后。根據(jù)可選的實施例，參考圖4描述，光電二極管400的電介質(zhì)反射涂層濾光器350在溝 槽形成前形成。在圖4中，電介質(zhì)反射涂層濾光器350在鈍化涂層314上形成。此后，蝕刻 停止涂層315在電介質(zhì)反射涂層濾光器350上形成。根據(jù)一個實施例，蝕刻停止涂層315 包括位于氧化物(SiO2)層317上的至少一層抗氧化蝕刻層316，例如氮化硅(Si3N4)或者多晶硅。在鈍化涂層314、電介質(zhì)反射涂層濾光器350、和蝕刻停止涂層315形成后，在有源光 電二極管區(qū)域外的蝕刻停止涂層315和鈍化涂層314的一部分被向下去除直到第一半導(dǎo)體 類型表面區(qū)域，例如P-表面區(qū)域302，以給金屬化預(yù)留空間。此后，可進(jìn)行ILD、金屬、接觸、 通孔和鈍化工藝以增加層間電介質(zhì)(ILD)層321、322、323、3 和325、金屬化330和頂層鈍 化層3 (例如被氮化物層覆蓋的氧化物層)。此時，在有源光電二極管上存在許多的ILD層(例如層321，322，323，3 和325) 和頂層鈍化層326，這些層影響下面的有源光電二極管區(qū)域的光譜響應(yīng)。在有源光電二極管 區(qū)域上的ILD層和頂層鈍化層被去除。換言之，窗口 340形成在有源光電二極管區(qū)域上，該 窗口向下延伸直到電介質(zhì)反射涂層濾光器350。以與上文中結(jié)合圖3A討論的類似的方式， 光致抗蝕劑可以被圖案化以打開該窗口 340(也稱作開口或溝槽)。根據(jù)一個實施例，包括多個有源光電二極管區(qū)域(例如在區(qū)域302和303之間的 PN結(jié))的晶片在半導(dǎo)體工廠中制造。此后，晶片被轉(zhuǎn)移到光電的和/或光學(xué)器件制造設(shè)備， 在該處電介質(zhì)反射涂層濾光器350幾乎在整個晶片上形成。然后具有電介質(zhì)反射涂層濾 光器的晶片可以被返還到半導(dǎo)體工廠，在該處可以對每一個有源光電二極管區(qū)域進(jìn)行圖案 化，并且可進(jìn)行ILD、金屬、接觸、通孔和鈍化工藝來增加層間電介質(zhì)(ILD)層321、322、323、 324和325、金屬化330和頂層鈍化層3 (例如被氮化物層覆蓋的氧化物層)。然后可以為 每一個光電二極管區(qū)域打開窗口 340。然后晶片可以被切成光電二極管管芯，并且可以添加 封裝以生產(chǎn)光電二極管集成電路(IC)芯片。上述的所有步驟都可在同樣的設(shè)備中進(jìn)行，如 果該設(shè)備被適當(dāng)?shù)匮b配來執(zhí)行半導(dǎo)體和光學(xué)制造兩者。在參考圖!3B-3E和4描述的實施例中，電介質(zhì)反射涂層濾光器350被描述為在鈍 化涂層315之上形成。如參考圖5A-5E和6描述的那樣，根據(jù)可選的實施例，電介質(zhì)反射涂 層濾光器350在擴散層303或者在擴散層303上的薄氧化物層之上直接形成。在這樣的實 施例中，電介質(zhì)反射涂層濾光器350的底層可以被設(shè)計成執(zhí)行鈍化涂層315的功能。例如， 電介質(zhì)反射涂層濾光器350的最底層可以是氧化物(例如SiO2)以提供壓力釋放，并且從 最底層起第二層可以是氮化物(例如Si3N4)以保護(hù)有源光電二極管區(qū)域使之隔離水汽。圖5A說明蝕刻停止涂層315可以在擴散層303上直接形成，使得它延伸超出擴散 層303的邊界。在有源光電二極管區(qū)域外的蝕刻停止涂層315的一部分被向下去除直到第 一半導(dǎo)體類型表面區(qū)域，例如P-表面區(qū)域302，以給金屬化預(yù)留空間。此后，可執(zhí)行ILD、金 屬、接觸、通孔和鈍化工藝以增加層間電介質(zhì)(ILD)層321、322、323、3M和325、金屬鍍層 330以及頂層鈍化層326(例如被氮化物層覆蓋的氧化物層)。此時，在有源光電二極管區(qū)域 上有多個ILD層(例如層321，322，323，3 和325)和頂層鈍化層326，這些層影響下面的 有源光電二極管區(qū)域的光譜響應(yīng)。然后，窗口 340在有源光電二極管區(qū)域上形成，該窗口向 下延伸直到擴散區(qū)域303，或者可選地，蝕刻停止涂層315的氧化物薄層317可被保留。以 與上文中結(jié)合圖3A所討論的類似的方式，光致抗蝕劑可以被圖案化以打開該窗口 340(也 稱作開口或溝槽)?，F(xiàn)參考圖5B-5E，然后電介質(zhì)反射涂層濾光器350可被添加。取決于溝槽340的 深度和電介質(zhì)反射涂層濾光器350的厚度，電介質(zhì)反射涂層濾光器350可以僅僅填充溝槽 的一部分(像圖5B的光電二極管500b)，或者可以填充整個溝槽并且甚至延伸于溝槽之上 (像圖5E的光電二極管500e)。如圖5C和5E所示，暗反射鏡涂層360可以被添加以覆蓋電介質(zhì)反射涂層濾光器350的側(cè)壁355和頂面357?？蛇x地，或者附加地，如圖5D所示，以 與上文中參考圖3D所討論的類似的方法，N+擴散區(qū)域303(因此，有源光電二極管區(qū)域)的 面積被制作得顯著小于由電介質(zhì)反射涂層濾光器350的側(cè)壁355形成的開口的面積。圖5C 和5D的實施例被組合以便N+擴散區(qū)域303 (因此，有源光電二極管區(qū)域)的面積被制作得 顯著小于由電介質(zhì)反射涂層濾光器350的側(cè)壁355形成的開口的面積，并且暗反射鏡涂層 被添加以覆蓋電介質(zhì)反射涂層濾光器350的側(cè)壁355和頂面357。根據(jù)可選的實施例，參考圖6描述，光電二極管600的電介質(zhì)反射涂層濾光器350 在溝槽形成前在擴散區(qū)域303上形成。此后，蝕刻停止涂層315在電介質(zhì)反射涂層濾光器 350上形成。在有源光電二極管區(qū)域外的蝕刻停止涂層315和電介質(zhì)反射涂層濾光器350 的一部分被向下去除直到第一半導(dǎo)體類型表面區(qū)域，例如P-表面區(qū)域302，以給金屬化預(yù) 留空間。此后，可進(jìn)行ILD、金屬、接觸、通孔和鈍化工藝來增加層間電介質(zhì)(ILD)層321、 322,323,324和325、金屬鍍層330和頂層鈍化層326 (例如被氮化物層覆蓋的氧化物層)。此時，在有源光電二極管上存在許多的ILD層(例如層321，322，323，3 和325) 和頂層鈍化層326，這些層影響下面的有源光電二極管區(qū)域的光譜響應(yīng)。在有源光電二極 管區(qū)域外的ILD層和頂層鈍化層被去除。換言之，以與上文中結(jié)合圖4討論的類似的方式， 窗口 340在有源光電二極管區(qū)域上形成，該窗口向下延伸直到電介質(zhì)反射涂層濾光器350。 以與上文中結(jié)合圖3討論的類似的方式，光致抗蝕劑可以被圖案化以打開窗口 340 (也稱作 開口或者溝槽)。返回參考圖1，可以得出光電二極管的光譜響應(yīng)(沒有被電介質(zhì)反射涂層濾光器 覆蓋)是不平坦的。因此，如果期望提供有著類似于典型人眼(如圖2所示)的光譜響應(yīng) 的光電二極管，那么反射涂層濾光器的光譜響應(yīng)要被適當(dāng)?shù)钠脕硌a償下面的光電二極管 響應(yīng)。換言之，如果F是由電介質(zhì)反射光涂層組成的濾光器響應(yīng)，T是目標(biāo)響應(yīng)(例如，類 似于圖2中所示的典型人眼的響應(yīng))，并且P是光電二極管的響應(yīng)(例如，類似于圖1所示 的響應(yīng))，那么濾光器的響應(yīng)F應(yīng)該被設(shè)計為使F = T/P。這在圖7中說明，其示出了濾光 器響應(yīng)(F)相對于目標(biāo)響應(yīng)(T)被移動，從而當(dāng)濾光器與具有光電二極管響應(yīng)(P)的光電 二極管一起使用時，實現(xiàn)目標(biāo)響應(yīng)(T)。根據(jù)一個實施例，目標(biāo)響應(yīng)(從而該響應(yīng)類似于人 眼)在約500nm (+/-IOnm)處具有低頻50%截止，在約550nm(+/_10nm)處具有一個峰，在約 600nm(+/-IOnm)處具有高頻50%截止。已嘗試使用電介質(zhì)反射涂層濾光器來覆蓋硅晶片。但是，此類嘗試將電介質(zhì)反射 涂層濾光器設(shè)置在頂層鈍化涂層(例如類似涂層326)上，其結(jié)果是產(chǎn)生包括由于在頂層鈍 化層處的干涉影響引起的不希望的波紋的光譜響應(yīng)。在此描述的本發(fā)明的實施例顯著地減 小(或者消除)了用于標(biāo)準(zhǔn)工藝的鈍化涂層的厚度，因此在光譜響應(yīng)中減小了此類波紋。雖 然被描述為對制造周圍光傳感器(ALS)特別有用，但在此描述的光電二極管結(jié)構(gòu)可以與用 于其它應(yīng)用的可選電介質(zhì)反射涂層濾光器設(shè)計(例如但是不限于紅(R)、綠(G)和藍(lán)(B)傳 感器)一起使用。在上文描述的實施例中，目標(biāo)響應(yīng)經(jīng)常被描述成類似于典型人眼觀察傳播的光。 但是，不一定是這種情況。例如，光學(xué)傳感器可具有僅僅檢測特定顏色的光的其它目標(biāo)響 應(yīng)，例如探測紅光、綠光或藍(lán)光。這樣的光電二極管可用于例如數(shù)碼相機、彩色掃描儀、彩色 影印機或類似設(shè)備。在這些實施例中，電介質(zhì)反射涂層濾光器350可以針對特定的顏色最優(yōu)化，并且可以單獨使用或者與過濾掉碰巧透過電介質(zhì)反射光涂層350的頂光的各種技術(shù) 結(jié)合使用。例如，一個或更多的光電二極管可以被最優(yōu)化來檢測綠光，一個或甚至更多的光 電二極管可以被最優(yōu)化來檢測紅光，以及一個或甚至更多個光電二極管可以被最優(yōu)化來檢 測藍(lán)光，且這些光電二極管的一個或更多個包括電介質(zhì)反射涂層濾光器。在上文描述的實施例中，N區(qū)域被描述為被注入在P區(qū)域中。例如，N+擴散區(qū)域 303被注入在P-區(qū)域302中。在替代的實施例中，半導(dǎo)體材料導(dǎo)電類型顛倒。即，P區(qū)域被 注入在N區(qū)域中。作為具體的示例，在輕摻雜Nb區(qū)域中注入重?fù)诫sP+區(qū)域，以形成有源光 電二極管區(qū)域。本發(fā)明的特定實施例還針對產(chǎn)生光電流的方法，該光電流是光源的目標(biāo)波長的主 要指示，例如可見光的波長的主要指示。換言之，本發(fā)明的實施例也針對提供具有目標(biāo)光譜 響應(yīng)(例如類似于人眼的響應(yīng))的光電二極管的方法。附加地，本發(fā)明的實施例還針對使 用上述光電二極管的方法。雖然已在前文中描述了本發(fā)明的各個實施例，但應(yīng)當(dāng)理解它們作為示例給出，而 非作為限制。本領(lǐng)域技術(shù)人員顯而易見的是，可對此處的形式與細(xì)節(jié)作出各種改變而不背 離本發(fā)明的精神與范圍。本發(fā)明的廣度與范圍不應(yīng)受任何上述示例性實施例限制，而應(yīng)僅根據(jù)所附權(quán)利要 求及其等效范圍來限定。
權(quán)利要求
1.一種光電二極管，包括 第一半導(dǎo)體類型表面區(qū)域；形成在所述第一半導(dǎo)體類型表面區(qū)域的一部分中的第二半導(dǎo)體類型表面層，其中通過 所述第一半導(dǎo)體類型表面區(qū)域和所述第二半導(dǎo)體類型表面層的PN結(jié)形成有源光電二極管 區(qū)域；在所述第二半導(dǎo)體類型表面層上的鈍化涂層； 在所述鈍化涂層的一部分上的蝕刻停止涂層；在所述有源光電二極管區(qū)域的至少一部分上的開口，所述開口向下延伸穿過所述蝕刻 停止涂層直到所述鈍化涂層；包含多個電介質(zhì)層的電介質(zhì)反射涂層濾光器，所述電介質(zhì)反射涂層濾光器填充所述開 口的至少一部分從而覆蓋所述有源光電二極管區(qū)域的至少一部分；其中所述開口允許入射在所述光電二極管上的光的一部分被所述有源光電二極管區(qū) 域接收；以及其中所述電介質(zhì)反射涂層濾光器反射入射在所述光電二極管上的光的一部分從而調(diào) 整所述光電二極管的光譜響應(yīng)。
2.如權(quán)利要求1所述的光電二極管，其特征在于，所述電介質(zhì)反射涂層濾光器填充整 個所述開口。
3.如權(quán)利要求1所述的光電二極管，其特征在于所述電介質(zhì)反射涂層濾光器包括頂面和側(cè)壁，所述頂面大體上平行于所述鈍化涂層的 頂面，所述側(cè)壁從所述電介質(zhì)反射涂層濾光器的所述頂面向所述鈍化涂層延伸；以及 更進(jìn)一步包括覆蓋所述電介質(zhì)反射涂層濾光器的所述頂面和所述側(cè)壁的暗反射鏡。
4.如權(quán)利要求1所述的光電二極管，其特征在于 所述第一半導(dǎo)體類型是P型和N型中的一種；以及 所述第二半導(dǎo)體類型是P型和N型中的另一種。
5.如權(quán)利要求1所述的光電二極管，其特征在于所述鈍化涂層包括在所述第二半導(dǎo)體類型表面層上的氧化物層和在所述氧化物層上 的不同于所述氧化物層的第二電介質(zhì)層；以及所述鈍化涂層的所述第二電介質(zhì)層延伸超出所述第二半導(dǎo)體類型表面層。
6.如權(quán)利要求1所述的光電二極管，其特征在于，所述鈍化涂層的一部分上的所述蝕 刻停止涂層包括氧化物層上的抗氧化蝕刻層。
7.如權(quán)利要求1所述的光電二極管，其特征在于，所述鈍化涂層的一部分的上方存在 所述蝕刻停止涂層，所述部分包括所述鈍化涂層的外圍部分。
8.如權(quán)利要求1所述的光電二極管，其特征在于，所述蝕刻停止涂層包括氮化硅和多 晶硅中的至少一種，并且位于所述第二半導(dǎo)體表面層的外圍部分上方并延伸超過所述外圍 部分。
9.一種光電二極管，包括 第一半導(dǎo)體類型表面區(qū)域；形成在所述第一半導(dǎo)體類型表面區(qū)域的一部分中的第二半導(dǎo)體類型表面層，其中通過 所述第一半導(dǎo)體類型表面區(qū)域和所述第二半導(dǎo)體類型表面層的PN結(jié)形成有源光電二極管區(qū)域；在所述第一半導(dǎo)體類型表面區(qū)域的一部分上形成的蝕刻停止涂層，所述蝕刻停止涂層 包圍所述第二半導(dǎo)體類型表面層；在所述有源光電二極管區(qū)域的至少一部分上的開口，所述開口向下延伸穿過所述蝕刻 停止涂層直到所述第二半導(dǎo)體類型層或者直到在所述第二半導(dǎo)體類型表面層上的薄氧化 物層；包含多個電介質(zhì)層的電介質(zhì)反射涂層濾光器，所述電介質(zhì)反射涂層濾光器覆蓋所述開口；其中所述開口允許入射在所述光電二極管上的光的一部分被所述有源光電二極管區(qū) 域接收；以及其中所述電介質(zhì)反射涂層濾光器反射入射在所述光電二極管上的光的一部分從而調(diào) 整所述光電二極管的光譜響應(yīng)。
10.如權(quán)利要求9所述的光電二極管，其特征在于 所述電介質(zhì)反射涂層濾光器填充所述開口的至少一部分；所述的電介質(zhì)反射涂層濾光器包括頂面和側(cè)壁，所述頂面大體上平行于所述鈍化涂層 的頂面，所述側(cè)壁從所述電介質(zhì)反射涂層濾光器的所述頂面向所述第二半導(dǎo)體類型表面層 延伸；以及進(jìn)一步包含覆蓋所述電介質(zhì)反射涂層濾光器的所述頂面和所述側(cè)壁的暗反射鏡。
11.一種光電二極管，包括 第一半導(dǎo)體類型表面區(qū)域；形成在所述第一半導(dǎo)體類型表面區(qū)域的一部分中的第二半導(dǎo)體類型表面層，其中通過 所述第一半導(dǎo)體類型表面區(qū)域和所述第二半導(dǎo)體類型表面層的PN結(jié)形成有源光電二極管 區(qū)域；位于所述第二半導(dǎo)體類型表面層上方的包括多個電介質(zhì)層的電介質(zhì)反射涂層濾光器；在所述電介質(zhì)反射涂層濾光器的一部分上的蝕刻停止涂層；在所述有源光電二極管區(qū)域的至少一部分上的開口，所述開口向下延伸穿過所述蝕刻 停止涂層直到所述電介質(zhì)反射涂層濾光器；其中所述開口允許入射在所述光電二極管上的光的一部分被所述有源光電二極管區(qū) 域接收；以及其中所述電介質(zhì)反射涂層濾光器反射入射在所述光電二極管上的光的一部分從而調(diào) 整所述光電二極管的光譜響應(yīng)。
12.如權(quán)利要求11所述的光電二極管，其特征在于，所述電介質(zhì)反射涂層濾光器位于 所述第二半導(dǎo)體類型表面層上。
13.如權(quán)利要求11所述的光電二極管，其特征在于，進(jìn)一步包括位于所述第二類型半導(dǎo)體表面層和所述電介質(zhì)反射涂層濾光器之間的鈍化涂層。
14.如權(quán)利要求13所述的光電二極管，其特征在于所述鈍化涂層包含在所述第二半導(dǎo)體類型表面層上的氧化物層和在所述氧化物層上 的不同于所述氧化物層的第二電介質(zhì)層；以及所述鈍化涂層的所述第二電介質(zhì)層延伸超出所述第二半導(dǎo)體類型表面層。
15.如權(quán)利要求11所述的光電二極管，其特征在于，在所述鈍化涂層的一部分上的所 述蝕刻停止涂層包括在氧化物層上的抗氧化蝕刻層。
16.如權(quán)利要求11所述的光電二極管，其特征在于所述第一半導(dǎo)體類型是P型和N型中的一種；以及所述第二半導(dǎo)體類型是P型和N型中的另一種。
17.—種制造光電二極管的方法，包括(a)注入并且因此在第一半導(dǎo)體類型表面區(qū)域的一部分中形成第二半導(dǎo)體類型淺表面 層，其中通過所述第一半導(dǎo)體類型表面區(qū)域和所述第二半導(dǎo)體類型淺表面層的PN結(jié)形成 有源光電二極管區(qū)域；(b)在所述淺表面層上形成鈍化涂層，其中所述鈍化涂層包含在所述淺表面層上的薄 氧化物層，以及在所述薄氧化物層上的不同于所述薄氧化物層的第二電介質(zhì)層；(c)在所述第二電介質(zhì)層上形成蝕刻停止涂層，其中所述蝕刻停止涂層包括至少一個 抗氧化蝕刻層；(d)執(zhí)行層間電介質(zhì)(ILD)工藝、金屬工藝、接觸工藝、通孔工藝和鈍化工藝中的至少 一些工藝以在所述蝕刻停止涂層上形成多個層；(e)去除在步驟(d)中形成的所述多個層的至少一部分和所述蝕刻停止涂層的至少一 部分以產(chǎn)生開口，所述開口在所述有源光電二極管區(qū)域的至少一部分上向下延伸直到所述 鈍化涂層；以及(f)用電介質(zhì)反射涂層濾光器填充所述開口的至少一部分，從而所述電介質(zhì)反射涂層 濾光器覆蓋所述有源光電二極管區(qū)域的所述至少一部分。
18.如權(quán)利要求17所述的方法，其特征在于，步驟(f)包括用所述電介質(zhì)反射涂層濾光 器填充整個所述開口。
19.如權(quán)利要求17所述的方法，其特征在于，在步驟(f)之后，所述電介質(zhì)反射涂層濾 光器包括頂面和側(cè)壁，所述頂面大體上平行于所述鈍化涂層的頂面，且所述側(cè)壁從所述頂 面向所述鈍化涂層延伸，以及進(jìn)一步包括(g)用暗反射鏡覆蓋所述電介質(zhì)反射涂層濾光器的所述頂面和所述側(cè)壁。
20.一種制造光電二極管的方法，包括(a)注入并且因此在第一半導(dǎo)體類型表面區(qū)域的一部分中形成第二半導(dǎo)體類型淺表面 層，其中通過所述第一半導(dǎo)體類型表面區(qū)域和所述第二半導(dǎo)體類型淺表面層的PN結(jié)形成 有源光電二極管區(qū)域；(b)在所述第二半導(dǎo)體類型淺表面層上形成蝕刻停止涂層，其中所述蝕刻停止涂層包 括至少一個抗氧化蝕刻層(316)；(c)執(zhí)行層間電介質(zhì)(ILD)工藝、金屬工藝、接觸工藝、通孔工藝和鈍化工藝中的至少 一些工藝，以在所述蝕刻停止涂層上形成多個層；(d)去除在步驟(c)中形成的所述多個層的至少一部分和所述蝕刻停止涂層的至少一 部分以產(chǎn)生開口，該開口在所述有源光電二極管區(qū)域的至少一部分上方向下延伸直到所述 第二半導(dǎo)體類型淺表面層或者直到覆蓋所述第二半導(dǎo)體類型淺表面層的薄氧化物層；以及(e)用電介質(zhì)反射涂層濾光器填充所述開口的至少一部分，從而所述電介質(zhì)反射涂層濾光器覆蓋所述有源光電二極管區(qū)域的所述至少一部分。
21.如權(quán)利要求20所述的方法，其特征在于，步驟(e)包括用所述電介質(zhì)反射涂層濾光 器填充整個所述開口。
22.如權(quán)利要求20所述的方法，其特征在于，在步驟(e)之后，所述電介質(zhì)反射涂層濾 光器包括頂面和側(cè)壁，所述頂面大體上平行于所述鈍化涂層的頂面，所述側(cè)壁從所述頂面 向所述鈍化涂層延伸，以及進(jìn)一步包括(f)用暗反射鏡覆蓋所述電介質(zhì)反射涂層濾光器的所述頂面和所述側(cè)壁。
23.一種制造光電二極管的方法，包括(a)注入并且因此在第一半導(dǎo)體類型表面區(qū)域的一部分中形成第二半導(dǎo)體類型淺表面 層，其中通過所述第一半導(dǎo)體類型表面區(qū)域和所述第二半導(dǎo)體類型淺表面層的PN結(jié)形成 有源光電二極管區(qū)域；(b)在所述有源光電二極管區(qū)域的至少一部分上形成電介質(zhì)反射涂層濾光器；(c)在所述電介質(zhì)反射涂層濾光器上形成蝕刻停止涂層，其中所述蝕刻停止涂層包括 至少一個抗氧化蝕刻層；(d)執(zhí)行層間電介質(zhì)(ILD)工藝、金屬工藝、接觸工藝、通孔工藝和鈍化工藝中的至少 一些工藝，以在所述蝕刻停止涂層上形成多個層；以及(e)去除在步驟(d)中形成的所述多個層的至少一部分和所述蝕刻停止涂層的至少一 部分以產(chǎn)生開口，所述開口在所述有源光電二極管區(qū)域的至少一部分上向下延伸直到所述 電介質(zhì)反射涂層濾光器。
24.如權(quán)利要求23所述的方法，進(jìn)一步包括在步驟(a)和步驟(b)之間，在所述淺表面層上形成鈍化涂層，其中所述鈍化涂層包含 在所述淺表面層上的薄氧化物層，以及在所述薄氧化物層上的不同于所述薄氧化物層的第 二電介質(zhì)層；以及其中步驟(b)包括在所述鈍化涂層上形成所述電介質(zhì)反射涂層濾光器。
全文摘要
一種光電二極管包括在有源光電二極管區(qū)域上的開口，從而頂層鈍化層和層間介電層(ILD)不會影響到光電二極管的光譜響應(yīng)。包括多個電介質(zhì)層的電介質(zhì)反射涂層濾光器填充開口的至少一部分并且因此覆蓋有源二極管區(qū)域，以調(diào)整光電二極管的光譜響應(yīng)?？蛇x地，電介質(zhì)反射涂層濾光器在開口之前形成，并且通過去除頂層鈍化涂層和ILD使電介質(zhì)反射涂層濾光器暴露以形成開口。
文檔編號H01L31/18GK102064228SQ20101054344
公開日2011年5月18日 申請日期2010年9月21日 優(yōu)先權(quán)日2009年9月22日
發(fā)明者D·鄭, J·瓊斯 申請人:英特賽爾美國股份有限公司