專利名稱：相變存儲(chǔ)器的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及半導(dǎo)體技術(shù)領(lǐng)域，特別涉及相變存儲(chǔ)器的制作方法。
背景技術(shù)：
相變存儲(chǔ)器(Phase Change Random Access Memory, PCRAM)技術(shù)是基于 S. R. Ovshinsky在20世紀(jì)60年代末提出相變薄膜可以應(yīng)用于相變存儲(chǔ)介質(zhì)的構(gòu)想建立起來的。作為一種新興的非易失性存儲(chǔ)技術(shù)，相變存儲(chǔ)器在讀寫速度、讀寫次數(shù)、數(shù)據(jù)保持時(shí)間、單元面積、多值實(shí)現(xiàn)等諸多方面對(duì)快閃存儲(chǔ)器都具有較大的優(yōu)越性，已成為目前非易失性存儲(chǔ)器技術(shù)研究的焦點(diǎn)。在相變存儲(chǔ)器中，可以通過對(duì)記錄了數(shù)據(jù)的相變層進(jìn)行熱處理，來改變存儲(chǔ)器的值。構(gòu)成相變層的相變材料會(huì)由于所施加電流的加熱效果而進(jìn)入結(jié)晶狀態(tài)或非晶狀態(tài)。當(dāng)相變層處于結(jié)晶狀態(tài)時(shí)，PCRAM的電阻較低，此時(shí)存儲(chǔ)器賦值為“0”。當(dāng)相變層處于非晶狀態(tài)時(shí)，PCRAM的電阻較高，此時(shí)存儲(chǔ)器賦值為“1”。因此，PCRAM是利用當(dāng)相變層處于結(jié)晶狀態(tài)或非晶狀態(tài)時(shí)的電阻差異來寫入/讀取數(shù)據(jù)的非易失性存儲(chǔ)器?，F(xiàn)有的相變存儲(chǔ)器的制作方法請(qǐng)參考圖1 圖3，所述方法包括首先，請(qǐng)參考圖1，提供半導(dǎo)體襯底100，在所述半導(dǎo)體襯底100上形成層間介質(zhì)層 102，所述層間介質(zhì)層102內(nèi)形成有開口，所述開口露出下方的半導(dǎo)體襯底100。然后，仍然參考圖1，進(jìn)行化學(xué)氣相沉積工藝，在所述開口內(nèi)填充多晶硅層101，所述多晶硅層101與所述層間介質(zhì)層102齊平。接著，請(qǐng)參考圖2，沿所述多晶硅層101的厚度方向刻蝕所述多晶硅層101，在剩余的多晶硅層101上形成溝槽103，所述溝槽103底部露出所述剩余的多晶硅層101。接著，請(qǐng)參考圖3，在所述溝槽103內(nèi)形成相變層106。所述相變層106填充滿所述溝槽103。在公開號(hào)為CN1017^492A的中國專利申請(qǐng)中可以發(fā)現(xiàn)更多關(guān)于現(xiàn)有的相變存儲(chǔ)器的信息。在實(shí)際中發(fā)現(xiàn)，現(xiàn)有技術(shù)的制作的相變存儲(chǔ)器的良率低，工作的可靠性低。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明解決的問題是提供了一種相變存儲(chǔ)器的制作方法，所述方法提高了制作的相變存儲(chǔ)器的良率。為解決上述問題，本發(fā)明提供了一種相變存儲(chǔ)器的制作方法，所述方法包括提供半導(dǎo)體襯底；在所述半導(dǎo)體襯底上形成層間介質(zhì)層和與所述層間介質(zhì)層齊平的多晶硅層，所述層間介質(zhì)層環(huán)繞所述多晶硅層；部分刻蝕所述多晶硅層，在剩余的多晶硅層上方形成溝槽；在所述溝槽底部形成粘附金屬層，所述粘附金屬層的材質(zhì)為金屬硅化物；
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在所述接觸金屬層上方形成相變層，所述相變層填充滿所述溝槽?？蛇x地，所述粘附金屬層制作方法包括在所述層間介質(zhì)層表面和溝槽內(nèi)形成金屬層，所述金屬層覆蓋所述溝槽的側(cè)壁和底部；對(duì)所述金屬層進(jìn)行退火，使得所述金屬層與溝槽底部的多晶硅結(jié)合，在所述溝槽底部形成金屬硅化物，所述金屬硅化物作為所述粘附金屬層；去除所述層間介質(zhì)層表面和溝槽側(cè)壁的所述金屬層?？蛇x地，所述金屬層為鈦或鈷，所述粘附金屬層為鈦硅化合物或鈷硅化合物?？蛇x地，所述退火為快速熱退火，所述快速熱退火的溫度范圍為300 600攝氏度。可選地，所述退火利用氮?dú)膺M(jìn)行?？蛇x地，所述粘附金屬層的制作方法包括在所述層間介質(zhì)層表面和溝槽內(nèi)形成粘附金屬層，所述粘附金屬層覆蓋所述溝槽的側(cè)壁和底部；去除位于所述層間介質(zhì)層表面和溝槽側(cè)壁的粘附金屬層，保留位于溝槽底部的粘
附金屬層。可選地，所述粘附金屬層為鈦硅化合物或鈷硅化合物?？蛇x地，所述粘附金屬層的厚度范圍為30 500埃?？蛇x地，所述溝槽的深度為400 1400埃?？蛇x地，所述層間介質(zhì)層和多晶硅層的制作方法包括在所述半導(dǎo)體襯底上形成多晶硅層；刻蝕所述多晶硅層，在所述多晶硅層內(nèi)形成開口，所述開口環(huán)繞所述多晶硅層；在所述開口內(nèi)沉積絕緣材質(zhì)，形成所述層間介質(zhì)層；平坦化所述層間介質(zhì)層，使得所述層間介質(zhì)層與所述多晶硅層齊平?？蛇x地，所述多晶硅層利用化學(xué)氣相沉積工藝或外延沉積工藝制作。可選地，所述多晶硅層的厚度范圍為550 8000埃?？蛇x地，所述絕緣材質(zhì)為氧化硅、碳化硅、碳化硅或氮氧化硅?？蛇x地，所述絕緣材質(zhì)利用高密度等離子體化學(xué)氣相沉積方法制作。與現(xiàn)有技術(shù)相比，本發(fā)明具有以下優(yōu)點(diǎn)本發(fā)明通過在半導(dǎo)體襯底上形成層間介質(zhì)層和與所述層間介質(zhì)層齊平的多晶硅層，然后在所述多晶硅層上形成溝槽，在所述溝槽底部形成粘附金屬層，在所述粘附金屬層上形成相變層。由于所述相變層與多晶硅層之間增加了粘附金屬層，粘附金屬層為金屬硅化物，從而提高了相變層與多晶硅層之間的粘附性，從而避免了相變層從所述多晶硅層上剝離的問題，提高了相變存儲(chǔ)器的良率，使得后續(xù)的工藝能夠順利進(jìn)行；進(jìn)一步優(yōu)化地，所述層間介質(zhì)層和多晶硅層的制作方法包括在半導(dǎo)體襯底上形成多晶硅層，在所述多晶硅層內(nèi)形成環(huán)繞所述多晶硅層的開口，在所述開口內(nèi)沉積絕緣材質(zhì)，形成所述層間介質(zhì)層，本發(fā)明先制作多晶硅層，再制作層間介質(zhì)層，與現(xiàn)有技術(shù)的先制作層間介質(zhì)層，后制作多晶硅層的方法相比，形成的多晶硅層內(nèi)部沒有空洞，提高了形成的多晶硅層的質(zhì)量，提高了器件的性能。


圖1 圖3是現(xiàn)有技術(shù)的相變存儲(chǔ)器的制作方法剖面結(jié)構(gòu)示意圖；圖4本發(fā)明的相變存儲(chǔ)器的制作方法流程示意圖；圖5 圖11是本發(fā)明一個(gè)實(shí)施例的相變存儲(chǔ)器的制作方法剖面結(jié)構(gòu)示意圖。
具體實(shí)施例方式現(xiàn)有的相變存儲(chǔ)器的良率低。經(jīng)過發(fā)明人研究發(fā)現(xiàn)，在現(xiàn)有的相變存儲(chǔ)器制作過程中，相變層從多晶硅層上脫落(peeling)，使得相變存儲(chǔ)器無法工作，從而影響了相變存儲(chǔ)器的良率，并且使得后續(xù)的工藝步驟無法進(jìn)行。由于相變層的材質(zhì)與多晶硅層的材質(zhì)不同，兩者之間的粘附性較差，從而使得相變層容易從多晶硅層上脫落。并且，現(xiàn)有技術(shù)通常首先制作層間介質(zhì)層，然后再制作多晶硅層，即現(xiàn)有技術(shù)在層間介質(zhì)層內(nèi)形成開口，然后進(jìn)行化學(xué)氣相沉積工藝，在所述開口內(nèi)填充多晶硅層。在進(jìn)行所述化學(xué)氣相沉積工藝過程中，位于開口的側(cè)壁和底部的多晶硅層內(nèi)容易形成空洞，影響了形多晶硅層的質(zhì)量，影響了器件的性能。為了解決上述問題，發(fā)明人提出了一種相變存儲(chǔ)器的制作方法，請(qǐng)結(jié)合附圖4所示的本發(fā)明的相變存儲(chǔ)器的制作方法流程示意圖。所述方法包括步驟Si，提供半導(dǎo)體襯底；步驟S2，在所述半導(dǎo)體襯底上形成層間介質(zhì)層和與所述層間介質(zhì)層齊平的多晶硅層，所述層間介質(zhì)層環(huán)繞所述多晶硅層；步驟S3，部分刻蝕所述多晶硅層，在剩余的多晶硅層上方形成溝槽；步驟S4，在所述溝槽底部形成粘附金屬層，所述粘附金屬層的材質(zhì)為金屬硅化物；步驟S5，在所述接觸金屬層上方形成相變層，所述相變層填充滿所述溝槽。下面結(jié)合具體的實(shí)施例對(duì)本發(fā)明的技術(shù)方案進(jìn)行詳細(xì)地說明。為了更好地說明本發(fā)明的技術(shù)方案，請(qǐng)參考圖5 圖11所示的本發(fā)明一個(gè)實(shí)施例的相變存儲(chǔ)器的制作方法剖面結(jié)構(gòu)示意圖。首先，請(qǐng)參考圖5，提供半導(dǎo)體襯底200。所述半導(dǎo)體襯底200內(nèi)形成有晶體管(未示出)，所述晶體管用于通過后續(xù)形成的多晶硅層，驅(qū)動(dòng)后續(xù)形成的相變層。所述晶體管的結(jié)構(gòu)和制作方法與現(xiàn)有技術(shù)相同，作為本領(lǐng)域技術(shù)人員的公知技術(shù)，在此不做詳細(xì)地說明。本實(shí)施例中，所述半導(dǎo)體襯底200的材質(zhì)為硅，在其他的實(shí)施例中，所述半導(dǎo)體襯底200的材質(zhì)還可以為鍺硅。然后，繼續(xù)參考圖5，在所述半導(dǎo)體襯底200上形成多晶硅層201，所述多晶硅層 201可以利用化學(xué)氣相沉積工藝或外延沉積工藝制作。由于本發(fā)明的多晶硅層201先于后續(xù)形成的層間介質(zhì)層，從而所述多晶硅層201 沉積時(shí)，半導(dǎo)體襯底200的表面平坦，不存在開口或溝槽，從而避免了化學(xué)氣相沉積工藝時(shí)在溝槽或開口的側(cè)壁和底部的覆蓋性不好的問題，從而避免了在多晶硅層201內(nèi)形成空洞的問題，提高了所述多晶硅層201的質(zhì)量。作為一個(gè)實(shí)施例，所述多晶硅層201的厚度范圍為500 8000埃。
接著，請(qǐng)參考圖6，刻蝕所述多晶硅層201，在所述多晶硅層201內(nèi)形成開口，所述開口環(huán)繞所述多晶硅層201。所述開口用于填充層間介質(zhì)層，以將相鄰的多晶硅層201電學(xué)絕緣。作為一個(gè)實(shí)施例，所述多晶層201的刻蝕方法包括在所述多晶硅層201表面形成光刻膠層，所述光刻膠層內(nèi)定義了光刻膠開口，所述光刻膠開口露出需要進(jìn)行刻蝕的多晶硅層201 ；以所述光刻膠層為掩膜，沿所述光刻膠開口進(jìn)行刻蝕工藝，在所述多晶硅層201 內(nèi)形成開口，所述開口露出下方的半導(dǎo)體襯底200，所述刻蝕工藝可以為濕法刻蝕工藝；利用等離子體刻蝕工藝或濕法刻蝕工藝，去除所述光刻膠層。然后，請(qǐng)參考圖7，在所述開口內(nèi)沉積絕緣材質(zhì)，所述絕緣材質(zhì)包圍所述多晶硅層 201，所述絕緣材質(zhì)形成所述層間介質(zhì)層202。所述絕緣材質(zhì)可以為氧化硅、氮化硅、氮氧化硅、碳化硅等絕緣材質(zhì)。作為一個(gè)實(shí)施例，所述絕緣材質(zhì)為氧化硅。作為優(yōu)選的實(shí)施例，所述絕緣材質(zhì)利用高密度等離子體化學(xué)氣相沉積工藝填充在所述開口內(nèi)，利用所述高密度等離子體化學(xué)氣相沉積工藝形成的絕緣材質(zhì)結(jié)構(gòu)致密，具有良好的絕緣性能。然后通過化學(xué)機(jī)械拋光的方式將層間介質(zhì)層磨到與多晶硅齊平。然后，請(qǐng)參考圖8，部分刻蝕所述多晶硅層201，所述刻蝕為沿所述多晶硅層201的厚度方向刻蝕，在剩余的多晶硅層202上方形成溝槽203。所述溝槽203的底部露出所述剩余的多晶硅層201。所述刻蝕的方法為濕法刻蝕的方法。所述溝槽203的深度應(yīng)根據(jù)要形成的相變層的厚度進(jìn)行設(shè)置。作為一個(gè)實(shí)施例， 所述溝槽203的深度范圍為400 1400埃。所述溝槽203的底部將在后續(xù)的工藝步驟中依次形成粘附金屬層和相變金屬層。 本發(fā)明所述粘附金屬層用于提高所述相變層與多晶硅層201之間的粘附性，從而防止相變層從多晶硅層201上剝離。發(fā)明人發(fā)現(xiàn)，粘附金屬層的材質(zhì)會(huì)影響相變層與多晶硅201層之間的粘附性。具體地，發(fā)明人進(jìn)行了測試，利用金屬鋁、金屬鈦、金屬鉭、氧化鋁、氧化鈦、氧化鉭等作為粘附金屬層，但是改善相變層與多晶硅層201之間的粘附性的效果均不理想，表現(xiàn)為相變層仍然會(huì)從多晶硅層201上剝離，而利用鈦硅化合物(TixSiy，x+y = 1)或鈷硅化合物(CouSiv, u+v = 1)制作粘附金屬層，能夠明顯改善相變層與多晶硅層201之間的粘附性，表現(xiàn)為相變層與多晶硅層201之間粘附良好，消除了相變層從多晶硅層201上剝離的問題。因此，在后續(xù)的工藝步驟中，本發(fā)明將在所述溝槽203的底部形成鈦硅化合物或鈷硅化合物。然后，請(qǐng)參考圖9，在所述層間介質(zhì)層202的表面和溝槽203內(nèi)形成金屬層204，所述金屬層204覆蓋所述溝槽203的側(cè)壁和底部。所述金屬層204的厚度取決于將要形成的粘附金屬層的厚度，作為一個(gè)實(shí)施例， 所述金屬層204的厚度范圍為30 500埃。作為一個(gè)實(shí)施例，所述金屬層204的材質(zhì)為鈦。金屬鈦可以在低溫(300 600攝氏度)加熱的情況下，與多晶硅層201的硅結(jié)合，形成鈦硅化合物，金屬鈦與層間介質(zhì)層202 的氧化硅(或氮化硅、碳化硅、氮氧化硅)不會(huì)發(fā)生反應(yīng)，因此，所述金屬層204的在后續(xù)的工藝步驟中進(jìn)行低溫加熱時(shí)，位于所述溝槽203的底部的金屬層204將與多晶層201反應(yīng)， 形成鈦硅化合物，所述鈦硅化合物作為粘附金屬層；而位于所述溝槽203的側(cè)壁和層間介質(zhì)層202表面的硅不反應(yīng)，仍然為金屬鈦。發(fā)明人發(fā)現(xiàn)，金屬鈦與鈦硅化合物在刻蝕時(shí)具有刻蝕選擇比，兩者的刻蝕選擇比大于等于8，在去除金屬鈦時(shí)不會(huì)損傷鈦硅化合物，從而不會(huì)影響粘附金屬層質(zhì)量。作為本發(fā)明的又一實(shí)施例，所述金屬層204的材質(zhì)還可以為鈷。金屬鈷與金屬鈦的性質(zhì)相似，即金屬鈷在低溫(300 600攝氏度)加熱的情況下，能夠與多晶硅層201的硅結(jié)合，形成鈷硅化合物，而金屬鈷與層間介質(zhì)層202的氧化硅(或氮化硅、碳化硅、氮氧化硅)不會(huì)發(fā)生反應(yīng)，仍然為金屬鈷。因此，基于與金屬鈦相似的原理，利用金屬層204可以在所述溝槽203的底部形成鈷硅化合物，所述鈷硅化合物作為粘附金屬層。接著，請(qǐng)繼續(xù)參考圖9，對(duì)所述金屬層204進(jìn)行退火，使得所述金屬層204與溝槽 203底部的多晶硅結(jié)合，在所述溝槽203底部形成金屬硅化物，所述金屬硅化物作為所述粘附金屬層。而位于溝槽202側(cè)壁和層間介質(zhì)層202表面的金屬層204不與層間介質(zhì)層202 的氧化硅(或氮化硅、碳化硅、氮氧化硅)發(fā)生反應(yīng)。所述退火為快速熱退火。所述退火的溫度范圍為300 600攝氏度，例如所述退火的溫度可以為300攝氏度、450攝氏度或600攝氏度。所述退火利用氮?dú)膺M(jìn)行，在氮?dú)獾沫h(huán)境下退火，有利于半導(dǎo)體襯底200表面受熱均勻，從而有利于所述金屬層204與溝槽203底部的多晶硅發(fā)生反應(yīng)，形成厚度均勻的粘附
^^^J^l J^ ο然后，請(qǐng)參考圖10，進(jìn)行刻蝕工藝，去除所述溝槽203的側(cè)壁和所述層間介質(zhì)層 203表面的金屬層204(結(jié)合圖9)，保留位于溝槽203底部的粘附金屬層205。所述粘附金屬層205的厚度范圍為30 500埃，所述刻蝕工藝為濕法刻蝕工藝。由于所述溝槽203的側(cè)壁和所述層間介質(zhì)層203 表面的金屬層204在退火時(shí)未與層間介質(zhì)層203發(fā)生反應(yīng)，而位于溝槽203底部的金屬層 204由于在退火時(shí)與多晶硅層202的多晶硅反應(yīng)，形成粘附金屬層205。在相同的刻蝕溶液的情況下，所述粘附金屬層205和金屬層204具有刻蝕選擇比，且刻蝕選擇比大于8。因此， 在進(jìn)行濕法刻蝕工藝去除所述金屬層204時(shí)，不會(huì)對(duì)所述粘附金屬層205造成損傷。作為一個(gè)實(shí)施例，所述濕法刻蝕的溶液為H2A和氨水)的混合溶液，所述濕法刻蝕的時(shí)間范圍為2 20min。需要說明的是，本發(fā)明所述的粘附金屬層205還可以利用其他的方法制作。作為一個(gè)實(shí)施例，所述粘附金屬層的制作方法還可以為在所述溝槽內(nèi)和層間介質(zhì)層上形成粘附金屬層，所述粘附金屬層覆蓋所述溝槽的側(cè)壁和底部；去除位于所述層間介質(zhì)層表面和溝槽側(cè)壁的粘附金屬層，保留位于溝槽底部的粘
附金屬層。其中，所述粘附金屬層的材質(zhì)為鈦硅化合物或鈷硅化合物，所述粘附金屬層可以利用物理氣相沉積或化學(xué)氣相沉積工藝制作。所述粘附金屬層的厚度范圍為30 500埃。然后，請(qǐng)參考圖11，在所述溝槽203(結(jié)合圖10)內(nèi)填充相變層206。所述相變層 206可以利用化學(xué)氣相沉積工藝制作，所述相變層206的材質(zhì)為硫族化合物合金，所述硫族化合物合金可以為 Si-Sb-TeAGe-Sb-TeAAgHn-iTe 或 Ge-Bi-iTe。綜上，本發(fā)明提供的相變存儲(chǔ)器的制作方法，在相變層和多晶硅層之間形成粘附金屬層，改善了相變層和多晶硅層之間的粘附性，防止了相變層從多晶硅層上剝離的問題， 提高了制作的相變存儲(chǔ)器的良率。本發(fā)明雖然已以較佳實(shí)施例公開如上，但其并不是用來限定本發(fā)明，任何本領(lǐng)域技術(shù)人員在不脫離本發(fā)明的精神和范圍內(nèi)，都可以利用上述揭示的方法和技術(shù)內(nèi)容對(duì)本發(fā)明技術(shù)方案做出可能的變動(dòng)和修改，因此，凡是未脫離本發(fā)明技術(shù)方案的內(nèi)容，依據(jù)本發(fā)明的技術(shù)實(shí)質(zhì)對(duì)以上實(shí)施例所作的任何簡單修改、等同變化及修飾，均屬于本發(fā)明技術(shù)方案的保護(hù)范圍。
權(quán)利要求
1.一種相變存儲(chǔ)器的制作方法，其特征在于，包括 提供半導(dǎo)體襯底；在所述半導(dǎo)體襯底上形成層間介質(zhì)層和與所述層間介質(zhì)層齊平的多晶硅層，所述層間介質(zhì)層環(huán)繞所述多晶硅層；部分刻蝕所述多晶硅層，在剩余的多晶硅層上方形成溝槽； 在所述溝槽底部形成粘附金屬層，所述粘附金屬層的材質(zhì)為金屬硅化物； 在所述接觸金屬層上方形成相變層，所述相變層填充滿所述溝槽。
2.如權(quán)利要求1所述的相變存儲(chǔ)器的制作方法，其特征在于，所述粘附金屬層制作方法包括在所述層間介質(zhì)層表面和溝槽內(nèi)形成金屬層，所述金屬層覆蓋所述溝槽的側(cè)壁和底部；對(duì)所述金屬層進(jìn)行退火，使得所述金屬層與溝槽底部的多晶硅結(jié)合，在所述溝槽底部形成金屬硅化物，所述金屬硅化物作為所述粘附金屬層；去除所述層間介質(zhì)層表面和溝槽側(cè)壁的所述金屬層。
3.如權(quán)利要求2所述的相變存儲(chǔ)器的制作方法，其特征在于，所述金屬層為鈦或鈷，所述粘附金屬層為鈦硅化合物或鈷硅化合物。
4.如權(quán)利要求2所述的相變存儲(chǔ)器的制作方法，其特征在于，所述退火為快速熱退火， 所述快速熱退火的溫度范圍為300 600攝氏度。
5.如權(quán)利要求4所述的相變存儲(chǔ)器的制作方法，其特征在于，所述退火利用氮?dú)膺M(jìn)行。
6.如權(quán)利要求1所述的相變存儲(chǔ)器的制作方法，其特征在于，所述粘附金屬層的制作方法包括在所述層間介質(zhì)層表面和溝槽內(nèi)形成粘附金屬層，所述粘附金屬層覆蓋所述溝槽的側(cè)壁和底部；去除位于所述層間介質(zhì)層表面和溝槽側(cè)壁的粘附金屬層，保留位于溝槽底部的粘附金屬層。
7.如權(quán)利要求6所述的相變存儲(chǔ)器的制作方法，其特征在于，所述粘附金屬層為鈦硅化合物或鈷硅化合物。
8.如權(quán)利要求1 7中任一權(quán)利要求所述的相變存儲(chǔ)器的制作方法，其特征在于，所述粘附金屬層的厚度范圍為30 500埃。
9.如權(quán)利要求1所述的相變存儲(chǔ)器的制作方法，其特征在于，所述溝槽的深度為400 1400 埃。
10.如權(quán)利要求1所述的相變存儲(chǔ)器的制作方法，其特征在于，所述層間介質(zhì)層和多晶硅層的制作方法包括在所述半導(dǎo)體襯底上形成多晶硅層；刻蝕所述多晶硅層，在所述多晶硅層內(nèi)形成開口，所述開口環(huán)繞所述多晶硅層；在所述開口內(nèi)沉積絕緣材質(zhì)，形成所述層間介質(zhì)層；平坦化所述層間介質(zhì)層，使得所述層間介質(zhì)層與所述多晶硅層齊平。
11.如權(quán)利要求10所述的相變存儲(chǔ)器的制作方法，其特征在于，所述多晶硅層利用化學(xué)氣相沉積工藝或外延沉積工藝制作。
12.如權(quán)利要求10所述的相變存儲(chǔ)器的制作方法，其特征在于，所述多晶硅層的厚度范圍為550 8000埃。
13.如權(quán)利要求10所述的相變存儲(chǔ)器的制作方法，其特征在于，所述絕緣材質(zhì)為氧化硅、碳化硅、碳化硅或氮氧化硅。
14.如權(quán)利要求10所述的相變存儲(chǔ)器的制作方法，其特征在于，所述絕緣材質(zhì)利用高密度等離子體化學(xué)氣相沉積方法制作。
全文摘要
本發(fā)明提供了一種相變存儲(chǔ)器的制作方法，所述方法包括提供半導(dǎo)體襯底；在所述半導(dǎo)體襯底上形成層間介質(zhì)層和與所述層間介質(zhì)層齊平的多晶硅層，所述層間介質(zhì)層環(huán)繞所述多晶硅層；部分刻蝕所述多晶硅層，在剩余的多晶硅層上方形成溝槽；在所述溝槽底部形成粘附金屬層，所述粘附金屬層的材質(zhì)為金屬硅化物；在所述接觸金屬層上方形成相變層，所述相變層填充滿所述溝槽。本發(fā)明提高了制作的相變存儲(chǔ)器的良率。
文檔編號(hào)H01L45/00GK102468434SQ201010548610
公開日2012年5月23日 申請(qǐng)日期2010年11月17日 優(yōu)先權(quán)日2010年11月17日
發(fā)明者程永亮, 符云飛, 荊學(xué)珍, 郭世璧 申請(qǐng)人:中芯國際集成電路制造(北京)有限公司