專(zhuān)利名稱(chēng)：用于半導(dǎo)體封裝應(yīng)用中的互連導(dǎo)電物薄膜及其相關(guān)方法
用于半導(dǎo)體封裝應(yīng)用中的互連導(dǎo)電物薄膜及其相關(guān)方法發(fā)明 背景1.發(fā)明領(lǐng)域本公開(kāi)一般涉及集成電路封裝。更具體地講，本公開(kāi)的高性能聚酰亞胺薄膜用于 球柵陣列(BGA)或利用互聯(lián)薄膜的其他半導(dǎo)體封裝構(gòu)型中。2.相關(guān)領(lǐng)域描述將集成電路封裝技術(shù)應(yīng)用于集成電路芯片(1)在芯片上提供用于為電路供電的 電流通道；(2)分配信號(hào)到芯片上并離開(kāi)芯片；(3)移除由集成電路芯片所直接或間接產(chǎn)生 的熱量；以及(4)支撐芯片并保護(hù)其免受不利環(huán)境的影響。典型的球柵陣列(BGA)集成電 路封裝包括固定到柔性聚酰亞胺互連導(dǎo)電物薄膜上的集成電路芯片。在此類(lèi)球柵陣列型集 成電路封裝應(yīng)用中，細(xì)焊線(xiàn)用于將集成電路芯片上的焊墊連接到聚酰亞胺互連導(dǎo)電物薄膜 上的導(dǎo)電線(xiàn)路上。導(dǎo)電線(xiàn)路通向焊球，所述焊球?yàn)榘惭b到聚酰亞胺互連導(dǎo)電物薄膜的相對(duì) 側(cè)上并由球柵陣列封裝的底部突出的焊球陣列之一。這些焊球與位于基板(例如印刷電路 板)上的焊墊陣列互連。因此，典型的球柵陣列封裝將集成電路上的每個(gè)焊墊電連接到印 刷電路板上的焊墊上。在此類(lèi)封裝應(yīng)用中，加工溫度有時(shí)會(huì)非常高，例如超過(guò)300°C。在此類(lèi)極高操作溫 度下，互連導(dǎo)電物薄膜可表現(xiàn)出尺度變化。此外，試圖降低加工成本會(huì)需要越來(lái)越高張力下 的雙卷軸操作，而此類(lèi)高張力加工也會(huì)導(dǎo)致互連導(dǎo)電物薄膜表現(xiàn)出尺度變化。工業(yè)中趨向 于較小的尺度變化(互連導(dǎo)電物薄膜表現(xiàn)出的)公差，這是由于每一代新產(chǎn)品中集成電路 芯片、集成電路封裝及相關(guān)電路的尺度不斷減小以便降低生產(chǎn)成本。因此，工業(yè)中需要用于 集成電路封裝應(yīng)用的聚酰亞胺互連導(dǎo)電物薄膜具有改善的熱及尺度穩(wěn)定性。授予Jiang等人的U. S. 6，770，981涉及用于球柵陣列封裝應(yīng)用的復(fù)合互連導(dǎo)電物 薄膜。發(fā)明概述本公開(kāi)的用于集成電路封裝應(yīng)用的互連導(dǎo)電物薄膜組成包括填充的聚酰亞胺基 板及多個(gè)導(dǎo)電區(qū)域。聚酰亞胺基板具有約8至約150微米的厚度并包含約40%至約95重 量％的聚酰亞胺，所述聚酰亞胺衍生自i.至少一種芳族二酸酐，至少約85摩爾％的此類(lèi) 芳族二酸酐為剛棒型二酸酐，ii.至少一種芳族二胺，至少約85摩爾％的此類(lèi)芳族二胺為 剛棒型二胺。本公開(kāi)的聚酰亞胺基板還包含具有初級(jí)顆粒的填料，所述初級(jí)顆粒(作為數(shù) 值平均)i.在至少一個(gè)尺度上小于約800納米；ii.具有大于約3 1的縱橫比；iii.在 所有尺度上小于薄膜厚度；以及iv.以基板的總重量的約5%至約60重量％的量存在。附圖簡(jiǎn)述圖IA示出了根據(jù)本公開(kāi)的一個(gè)實(shí)施方案采用擴(kuò)展引線(xiàn)的面朝下內(nèi)縮型封裝的底 視圖。圖IB示出了根據(jù)本公開(kāi)的一個(gè)實(shí)施方案采用擴(kuò)展引線(xiàn)的面朝下內(nèi)縮型封裝的斷 片剖面圖。圖IC示出了根據(jù)本公開(kāi)的一個(gè)實(shí)施方案在基板的第二表面上具有引線(xiàn)的采用擴(kuò)展引線(xiàn)的面朝下內(nèi)縮型封裝的斷片剖面圖。圖ID示出了根據(jù)本公開(kāi)的一個(gè)實(shí)施方案其中適配層設(shè)置在芯片的外皮表面與基 板的第一表面之間的采用擴(kuò)展引線(xiàn)的面朝下內(nèi)縮型封裝的斷片剖面圖。圖2為微球柵陣列封裝的透視圖。圖3為微球柵陣列封裝的剖面圖。圖4為本發(fā)明優(yōu)選的互連導(dǎo)電物的剖面圖。圖5為連結(jié)到第二階段封裝上的第一階段封裝的剖面圖。圖6為顯示為不含第一階段封裝殼體的圖5中第一階段封裝的剖面圖。優(yōu)選實(shí)施方案詳述定義“導(dǎo)電區(qū)域”旨在表示任何材料，例如導(dǎo)電焊墊、導(dǎo)電電路或線(xiàn)路等。導(dǎo)電區(qū)域由本 公開(kāi)的聚酰胺薄膜支撐。導(dǎo)電區(qū)域至少部分地在集成電路芯片與并非集成電路芯片部件的 主體之間提供導(dǎo)電界面。導(dǎo)電界面使得i.集成電路芯片控制(或影響)并非集成電路芯 片部件的主體(例如，印刷線(xiàn)路板上的電路、輸入/輸出裝置等)；和/或ii.使得并非集 成電路芯片部件的主體控制(或影響)集成電路芯片(例如，為集成電路芯片供電的電連 接)。“薄膜”旨在表示基板上的自立式薄膜或涂層。術(shù)語(yǔ)“薄膜”與術(shù)語(yǔ)“層”互換使用 并且是指覆蓋所期望的區(qū)域。如本文所用，“二酸酐”旨在也包括二酸酐的前體及衍生物(或換句話(huà)講與其相關(guān) 的組合物)，它們?cè)诩夹g(shù)上可以不是二酸酐但是由于能夠與二胺反應(yīng)生成聚酰胺酸(其繼 而可轉(zhuǎn)化成聚酰亞胺)而在功能上等同于二酸酐。類(lèi)似地，“二胺”旨在也包括二胺的前體及衍生物(或換句話(huà)講與其相關(guān)的組合 物)，它們?cè)诩夹g(shù)上可以不是二胺但是由于能夠與二酸酐反應(yīng)生成聚酰胺酸(其繼而可轉(zhuǎn) 化成聚酰亞胺)而在功能上等同于二胺。如本文所用，術(shù)語(yǔ)“包含”、“包括”、“具有”或它們的任何其它變型均旨在涵蓋非排 他性的包括。例如，包括要素列表的方法、工藝、制品或設(shè)備不必僅僅限于那些要素而是可 包括未明確列出的或此類(lèi)方法、工藝、制品或設(shè)備固有的其它要素。此外，除非明確指明相 反，“或”是指包含性的“或”而不是指排他性的“或”。例如，狀況A或B滿(mǎn)足于以下中的任 何一種A為真實(shí)(或存在)的且B為虛假(或不存在)的、A為虛假(或不存在)的且B 為真實(shí)(或存在)的、以及A和B均為真實(shí)(或存在)的。此外，冠詞“一個(gè)”用來(lái)描述本發(fā)明的元件和組件。這樣做僅僅是為了方便并且給 出本發(fā)明的一般含義。該描述應(yīng)理解為包括一個(gè)或至少一個(gè)，并且除非明顯地另有所指，單 數(shù)也包括復(fù)數(shù)。本文所述的實(shí)施方案尤其涉及將芯片連接到微球柵陣列封裝中的焊球上的聚酰 亞胺互連導(dǎo)電物層。然而，應(yīng)當(dāng)理解本公開(kāi)的原理不僅適于微球柵陣列技術(shù)，而且還適于任 何利用互連導(dǎo)電物層的集成電路封裝體系。本公開(kāi)的互連導(dǎo)電物層充分適于任何利用以輥 到輥或雙卷軸加工的互連導(dǎo)電物層的集成電路封裝技術(shù)。本公開(kāi)的互連導(dǎo)電物薄膜在較寬的溫度范圍內(nèi)耐收縮或蠕變(即使處于張力 下，例如雙卷軸加工下)，所述溫度范圍例如大約室溫至超過(guò)400°C、425°C或450°C的溫度。在一個(gè)實(shí)施方案中，本公開(kāi)的互連導(dǎo)電物薄膜在經(jīng)受450°C的溫度30分鐘同時(shí)處于 7. 4-8. OMPa(兆帕斯卡)范圍內(nèi)的應(yīng)力下時(shí)尺度改變小于1%>0. 75%、0. 5%或0. 25%。
本公開(kāi)的聚酰亞胺互連導(dǎo)電物薄膜可加固有熱穩(wěn)定的無(wú)機(jī)織物、紙材(例如云 母紙)、片材、稀松布或它們的組合。在一些實(shí)施方案中，本公開(kāi)的互連導(dǎo)電物薄膜提供i.低表面粗糙度，即小于 1000nm、750nm、500nm、400nm、350nm、300nm或275nm的平 均表面粗糙度(Ra)；ii.低表面缺陷程度；和/或iii.其它有用的表面形態(tài)，以減少或抑制有害缺陷，例如電短路。在一個(gè)實(shí)施方案中，本公開(kāi)的互連導(dǎo)電物薄膜具有介于(并任選地包括)以下任 何兩者之間的范圍內(nèi)的面內(nèi)熱膨脹系數(shù)lppm/0C、5ppm/°C、IOppm/°C、15ppm/°C、20ppm/°C 和25ppm/°C，其中面內(nèi)熱膨脹系數(shù)(CTE)在50°C和350°C之間測(cè)量。在一些實(shí)施方案中， 該范圍內(nèi)的熱膨脹系數(shù)被進(jìn)一步優(yōu)化以進(jìn)一步減少或消除由于根據(jù)本公開(kāi)選擇的任何特 定支撐半導(dǎo)體材料的熱膨脹錯(cuò)配而造成的有害斷裂。一般來(lái)講，當(dāng)形成聚酰亞胺時(shí)，化學(xué)轉(zhuǎn) 化工藝(與熱轉(zhuǎn)化工藝不同)將提供較低熱膨脹系數(shù)的聚酰亞胺薄膜。這在一些實(shí)施方案 中尤其有用，因?yàn)槟軌颢@得極低的熱膨脹系數(shù)值(< 10ppm/°C )，其緊密匹配精密導(dǎo)體及沉 積于其上的半導(dǎo)體層的那些。用于將聚酰胺酸轉(zhuǎn)化成聚酰亞胺的化學(xué)轉(zhuǎn)化工藝為人們所熟 知，因此將不在此處進(jìn)一步描述。聚酰亞胺互連導(dǎo)電物薄膜的厚度也會(huì)影響熱膨脹系數(shù)，其 中較薄的薄膜趨于給出較低的熱膨脹系數(shù)(并且薄膜越厚，則熱膨脹系數(shù)就越高)，因此， 取決于所選擇的任何特定應(yīng)用，薄膜厚度能夠用于微調(diào)薄膜熱膨脹系數(shù)。本公開(kāi)的薄膜具有介于(并任選地包括)以下厚度(單位為微米)的任何兩者 白勺內(nèi)白勺:4μ m>6 μ m>8 μ m、10 μ m、12 μ m、15 μ m、20 μ m>25 μ m、50 μ m>75 μ m、
100 μ m、125 μ m和150 μ m。本公開(kāi)范圍內(nèi)的單體和填料還能夠被選擇或最優(yōu)化以微調(diào)熱膨 脹系數(shù)在以上范圍內(nèi)。取決于所選擇的特定應(yīng)用，普通技術(shù)和實(shí)驗(yàn)在微調(diào)本公開(kāi)的聚酰亞 胺薄膜的任何特定熱膨脹系數(shù)中可能是必要的。本公開(kāi)的聚酰亞胺薄膜的面內(nèi)熱膨脹系數(shù) 能夠利用TA儀器TMA-2940通過(guò)熱機(jī)械分析獲得，所述儀器在10°C /min下運(yùn)行直至380°C， 隨后冷卻并再次加熱至380°C，其中在50°C和350°C之間的再加熱掃描期間獲得熱膨脹系 數(shù)，單位為ppm/°c。本公開(kāi)的聚酰亞胺互連導(dǎo)電物薄膜應(yīng)具有高度的熱穩(wěn)定性，從而薄膜在例如光電 層沉積過(guò)程期間基本上不會(huì)降解、失重、具有降低的機(jī)械特性或者釋放大量揮發(fā)物。本公開(kāi) 的聚酰亞胺互連導(dǎo)電物薄膜應(yīng)足夠薄至不會(huì)增加過(guò)度重量或成本，但是應(yīng)足夠厚至在操作 電壓下提供高電絕緣，所述操作電壓在一些情況下可達(dá)到400伏、500伏、750伏或1000伏 或更多。根據(jù)本公開(kāi)，將填料添加到聚酰亞胺薄膜中以增加聚酰亞胺儲(chǔ)能模量。在一些實(shí) 施方案中，本公開(kāi)的填料將保持或降低聚酰亞胺層的熱膨脹系數(shù)(CTE)同時(shí)仍增加模量。 在一些實(shí)施方案中，填料在聚酰亞胺薄膜的玻璃化轉(zhuǎn)變溫度(Tg)之上增加儲(chǔ)能模量。填料 的添加通常使得在高溫下保持機(jī)械特性并且能夠改善處理特性。本公開(kāi)的填料1.在至少一個(gè)尺度上(由于填料可在任何尺度上具有多種形狀并且由于填料 形狀可沿任何尺度改變，所述“至少一個(gè)尺度”旨在為沿著該尺度的數(shù)字平均)具有小于800nm(在一些實(shí)施方案中，小于 750nm、650nm、600nm、550nm、500nm、475nm、450nm、425nm、 40011111、37511111、35011111、32511111、30011111、27511111、25011111、22511111或 20011111)的尺度；2.具有大于 3、4、5、6、7、8、9、10、11、12、13、14 或 15 比 1 的縱橫比；3.在所有尺度上小于薄膜厚度的100%、95%、90%、85%、80%、75%、70%、 65%、60%、55%、50%、45%、40%、35%、30%、25%、20%、15%或 10% ； 4.以基于薄膜的總重量介于并任選地包括以下百分比的任何兩個(gè)之間的量存在 5%、10%、15%、20%、25%、30%、35%、40%、45%、50%、55%和 60%重量。合適的填料一般在超過(guò)450°C的溫度下穩(wěn)定，并且在一些實(shí)施方案中不會(huì)顯著降 低薄膜的電絕緣性能。在一些實(shí)施方案中，填料選自針狀填料、纖維填料、片狀填料以及它 們的混合物。在一個(gè)實(shí)施方案中，本公開(kāi)的填料表現(xiàn)出至少3、4、5、6、7、8、9、10、11、12、13、 14、15比1的縱橫比。在一個(gè)實(shí)施方案中，填料縱橫比為6 1或更大。在另一個(gè)實(shí)施方案 中，填料縱橫比為10 1或更大。在另一個(gè)實(shí)施方案中，縱橫比為12 1或更大。在一些 實(shí)施方案中，填料選自氧化物(例如，包含硅、鈦、鎂和/或鋁的氧化物)、氮化物(例如包含 硼和/或硅的氮化物)或碳化物(例如包含鎢和/或硅的碳化物)。在一些實(shí)施方案中， 填料包含氧和至少一種以下成分鋁、硅、鈦、鎂以及它們的組合。在一些實(shí)施方案中，填料 包括片狀滑石、針狀二氧化鈦和/或針狀二氧化鈦，其中至少一部分所述填料涂覆有氧化 鋁。在一些實(shí)施方案中，填料在全部尺度上小于50 μ m、25 μ m、20 μ m、15 μ m、12 μ m、10 μ m、 8 μ m、6 μ m、5 μ m、4 μ m、$ 2 μ m。在另一個(gè)實(shí)施方案中，碳纖維和石墨能夠與其它填料聯(lián)合使用以增加機(jī)械特性。 然而，必須時(shí)常注意保持石墨和/或碳纖維的裝載低于10%，這是由于石墨和碳纖維填料 能夠降低絕緣性能，并且在許多實(shí)施方案中降低的電絕緣性能并不可取。在一些實(shí)施方案 中，填料涂覆有偶聯(lián)劑。在一些實(shí)施方案中，填料涂覆有氨基硅烷偶聯(lián)劑。在一些實(shí)施方案 中，填料涂覆有分散劑。在一些實(shí)施方案中，填料涂覆有偶聯(lián)劑和分散劑的組合。作為另外 一種選擇，偶聯(lián)劑和/或分散劑能夠直接摻入到薄膜中而不必涂覆到填料上。在一些實(shí)施方案中，過(guò)濾系統(tǒng)用于確保最終薄膜將不包含大于期望的最大填料尺 度的不連續(xù)區(qū)域。在一些實(shí)施方案中，填料在摻入到薄膜中(或摻入到薄膜前體中)時(shí)經(jīng)受 強(qiáng)烈的分散能，例如攪拌和/或高剪切混合或介質(zhì)研磨或其它分散技術(shù)，包括使用分散劑， 以抑制超過(guò)期望的最大填料尺度的不必要的附聚。由于填料的縱橫比增加，因此填料對(duì)齊 或換句話(huà)講自身定位在薄膜外表面之間的趨勢(shì)增加，從而導(dǎo)致光滑度增加的薄膜，尤其是 在薄膜尺度減小時(shí)?！銇?lái)講，表面粗糙度會(huì)增加電或機(jī)械瑕疵的可能性并且會(huì)降低沿著薄膜的性能 一致性。在一個(gè)實(shí)施方案中，填料(及任何其它不連續(xù)區(qū)域)在薄膜形成期間充分分散，使 得填料(及任何其它不連續(xù)區(qū)域)在薄膜形成時(shí)充分介于薄膜表面之間以提供具有小于 1000nm、750nm、500nm或400nm的平均表面粗糙度(Ra)的最終薄膜。如本文所提供的表面 粗糙度可通過(guò)光學(xué)表面形貌術(shù)測(cè)定以提供Ra值，例如，通過(guò)在Veeco Wyco NT1000系列設(shè) 備上以VSI模式于25. 4x或51. 2x下利用Wyco Vision 32軟件測(cè)量。在一些實(shí)施方案中，選擇填料使得其在期望的加工溫度下本身不會(huì)降解或產(chǎn)生廢 氣。類(lèi)似地，在一些實(shí)施方案中，選擇填料使得其不會(huì)有助于聚合物的降解。本公開(kāi)有用的聚酰亞胺衍生自i.至少一種芳族二胺，至少85%、90%、95%、96%,97%,98%,99%,99. 5%或100%摩爾的所述芳族二胺為剛棒型單體；和ii.至少一種芳族二酸酐，至少85%、90%、95%、96%、97%、98%、99%、99. 5%或100%摩爾的芳族 二酸酐為剛棒型單體。合適的剛棒型芳族二胺單體包括1，4_ 二氨基苯(PPD)、1，3-二氨 基苯(MPD)、4，4' -二氨基聯(lián)苯基、2，2，-雙(三氟甲基)聯(lián)苯胺(TFMB)、1，4-萘二胺、和 /或1，5-萘二胺。合適的剛棒型芳族二酸酐單體包括均苯四甲酸二酐(PMDA)、和/或3， 3’，4，4’ -聯(lián)苯四甲酸二酐(BPDA)。在一些實(shí)施方案中，取決于本發(fā)明的任何特定應(yīng)用所期望的性能，也可考慮用于 至多15摩爾％的芳族二酸酐和/或至多15摩爾％的芳族二胺中的其它單體，例如3， 4’ - 二氨基二苯醚(3，4’ -0DA)、4，4’ - 二氨基二苯醚(4，4’ -0DA)、4，4’ - 二氨基二苯硫醚、 9，9’ -雙(4-氨基苯基)芴、3，3' ,4,4' - 二苯甲酮四羧酸二酐(BTDA)、4，4’ -氧雙鄰苯 二甲酸酐(ODPA)、3，3’，4，4’-二苯砜四羧酸二酐(DSDA)、2，2_雙(3，4_ 二羧基苯基)六氟 丙烷二酐(6FDA)、以及它們的混合物。本公開(kāi)的聚酰亞胺能夠通過(guò)本領(lǐng)域熟知的方法制備 且其制備不必在此詳細(xì)討論。在一些實(shí)施方案中，通過(guò)將填料摻入到諸如溶劑、單體、預(yù)聚物和/或聚酰胺酸組 合物的薄膜前體材料中制造薄膜。最終，填充的聚酰胺酸組合物一般被流延成薄膜，其經(jīng)受 干燥和固化(化學(xué)固化和/或熱固化)以形成填充的聚酰亞胺自立式或非自立式薄膜。制 造填充聚酰亞胺薄膜的任何常規(guī)或非常規(guī)方法能夠根據(jù)本公開(kāi)使用。填充聚酰亞胺薄膜的 制造為人們所熟知而不必在此進(jìn)一步描述。在一個(gè)實(shí)施方案中，本公開(kāi)的聚酰亞胺具有大 于 300°c、310°c、320°c、330°c、34(rc、35(rc、36(rc、37(rc、38(rc、39(rc或 400°c 的高玻璃 化轉(zhuǎn)變溫度。高玻璃化轉(zhuǎn)變溫度一般有助于在高溫下保持機(jī)械特性，例如儲(chǔ)能模量。在一些實(shí)施方案中，聚酰亞胺互連導(dǎo)電物薄膜的結(jié)晶度及交聯(lián)量可有助于儲(chǔ)能模 量保持。在一個(gè)實(shí)施方案中，480°c下的聚酰亞胺互連導(dǎo)電物薄膜儲(chǔ)能模量(如通過(guò)動(dòng)態(tài)機(jī) 械分析 DMA 所測(cè)量的)為至少400MPa、450MPa、500MPa、550MPa、600MPa、650MPa、700MPa、 750MPa、800MPa、850MPa、900MPa、950MPa、lOOOMPa、1lOOMPa、1200MPa、1300MPa、1400MPa、 1500MPa、1600MPa、1800MPa、2000MPa、2200MPa、2400MPa、2600MPa、2800MPa、3000MPa、 3500MPa、4000MPa、4500MPa、或 5000MPa。在一些實(shí)施方案中，本公開(kāi)的聚酰亞胺互連導(dǎo)電物薄膜在500°C下超過(guò)約30分鐘 時(shí)具有小于1%、0. 75%,0. 5%或0. 3%的等溫重量損失。本公開(kāi)的聚酰亞胺具有一般高于 常見(jiàn)無(wú)機(jī)絕緣體的高介電強(qiáng)度。在一些實(shí)施方案中，本公開(kāi)的聚酰亞胺具有等于或大于10 伏/微米的擊穿電壓。在一些實(shí)施方案中，填料選自氧化物、氮化物、碳化物以及它們的混 合物，并且薄膜具有以下性能中的至少1個(gè)、2個(gè)、3個(gè)、4個(gè)、5個(gè)或所有6個(gè)i.大于300°C 的玻璃化轉(zhuǎn)變溫度，ii.大于500伏/25. 4微米的介電強(qiáng)度，iii.在500°C下超過(guò)30分鐘 時(shí)小于的等溫重量損失，iv.小于25ppm/°C的面內(nèi)熱膨脹系數(shù)，v.小于10X (10)_6/分 鐘的無(wú)應(yīng)力斜率絕對(duì)值，以及vi. 7. 4-8MPa下小于的emax。在一些實(shí)施方案中，本公開(kāi) 的薄膜加固有熱穩(wěn)定的無(wú)機(jī)織物、紙材、片材、稀松布或它們的組合。在一些實(shí)施方案中，可添加電絕緣填料以改進(jìn)薄膜的電性能。在一些實(shí)施方案中， 重要的是聚酰亞胺互連導(dǎo)電物薄膜不含針孔或其它缺陷(雜質(zhì)粒子、凝膠、填料附聚物或 其它污染)，所述缺陷會(huì)不利地影響聚酰亞胺互連導(dǎo)電物薄膜的電氣完整性及介電強(qiáng)度，該 問(wèn)題一般能夠借助過(guò)濾解決。此類(lèi)過(guò)濾能夠在薄膜制造的任何階段進(jìn)行，例如，在溶劑化填料添加到一種或多種單體中之前或之后對(duì)其進(jìn)行過(guò)濾和/或過(guò)濾聚酰胺酸，尤其是當(dāng)聚酰 胺酸為低粘度時(shí)，或換句話(huà)講，在制造工藝的容許過(guò)濾的任何步驟中過(guò)濾。在一個(gè)實(shí)施方案 中，此類(lèi)過(guò)濾在最小的合適過(guò)濾器孔徑下進(jìn)行或者在剛剛超過(guò)所選填充材料的最大尺度的 程度下進(jìn)行。在嘗試減少由薄膜內(nèi)有害的(或過(guò)大的)不連續(xù)相材料造成的缺陷效應(yīng)中會(huì)使得 單層薄膜較厚。作為另外一種選擇，多層聚酰亞胺可用于減少任何特定層中的任何特定缺 陷(尺度能夠傷害期望性能的有害不連續(xù)相材料)的傷害，并且一般而言，此類(lèi)多層將比相 同厚度的單層聚酰亞胺在性能方面具有較少缺陷。利用多層聚酰亞胺薄膜能夠減少或消除 可橫跨薄膜總厚度的缺陷的發(fā)生，這是由于具有在單獨(dú)層的每一個(gè)中重疊的缺陷的可能性 趨于極小。因此，所述層的任一個(gè)中的缺陷不太可能造成穿過(guò)薄膜整個(gè)厚度的電或其它類(lèi) 型的故障。在一些實(shí)施方案中，聚酰亞胺互連導(dǎo)電物薄膜包括兩個(gè)或更多個(gè)聚酰亞胺層。在 一些實(shí)施方案中，聚酰亞胺層相同。在一些實(shí)施方案中，聚酰亞胺層不同。在一些實(shí)施方案 中，聚酰亞胺層可獨(dú)立地包括熱穩(wěn)定填料、增強(qiáng)織物、無(wú)機(jī)纖維紙、片材、稀松布或它們的組 合。任選地，0-55重量％的薄膜還包括其它成分以改進(jìn)任何特定應(yīng)用所期望或需要的性能。

圖IA和IB分別示出了在接觸支承表面上具有多個(gè)芯片觸點(diǎn)20的芯片10的前視 圖和斷片剖面圖?；ミB導(dǎo)電物層30覆蓋并通常居中位于芯片10的接觸支承表面上以便暴 露芯片觸點(diǎn)20?；ミB導(dǎo)電物層30可僅僅覆蓋芯片10的接觸支承表面；然而，如圖IB所示， 互連導(dǎo)電物層通常利用一薄層粘合材料80粘附于芯片表面上?；ミB導(dǎo)電物層30可包括剛性或柔性材料。優(yōu)選的，互連導(dǎo)電物層包括具有大約2 至100微米厚度的聚酰亞胺薄片?；ミB導(dǎo)電物層30的第一表面在其上具有多個(gè)導(dǎo)電端子 40。端子40通過(guò)沿著基板的相對(duì)側(cè)延伸的相應(yīng)的導(dǎo)電引線(xiàn)50電連接到芯片觸點(diǎn)20上并 通過(guò)導(dǎo)電通路70連接到引線(xiàn)50上。作為另外一種選擇，基板可簡(jiǎn)單移除以便焊球端子直 接置于引線(xiàn)50的末端處而無(wú)需導(dǎo)電通路70。每條引線(xiàn)50具有由互連導(dǎo)電物層30的邊緣延伸的擴(kuò)展部分55。每個(gè)擴(kuò)展部分通 常利用常規(guī)的超聲焊接或熱超聲粘合設(shè)備結(jié)合到相應(yīng)的芯片觸點(diǎn)20上。每個(gè)擴(kuò)展部分55 在結(jié)合操作之前基本平行于互連導(dǎo)電物層30的平面橫向彎曲。優(yōu)選地，每個(gè)擴(kuò)展部分55以 相反的方向橫向彎曲至少兩次(大體“S”型)并且可彎曲兩次以上。如美國(guó)專(zhuān)利5，489，749 和5，536，909中所述，引線(xiàn)50在結(jié)合之前還能夠可分離地連接到支撐結(jié)構(gòu)上。通常，引線(xiàn)的擴(kuò)展部分55用諸如硅氧烷或環(huán)氧化物的合適的包封材料包封，以保 護(hù)其免受污染和損傷。在封裝芯片的操作期間，端子連結(jié)到印刷電路板上且引線(xiàn)50的擴(kuò)展 部分55的橫向彎曲形狀有助于通過(guò)具有獨(dú)立撓曲和彎曲的能力而補(bǔ)償芯片在熱循環(huán)期間 的膨脹和收縮。前述包封材料60在引線(xiàn)50的擴(kuò)展部分55撓曲和彎曲時(shí)對(duì)其進(jìn)行支撐并 且還有助于分散作用在引線(xiàn)上的力。此外，阻焊層或覆蓋層可在粘結(jié)與包封步驟之后置于 基板30的暴露表面之上，使得僅僅暴露端子。圖IC示出了其中引線(xiàn)50'與端子40位于同一側(cè)上的可供選擇的實(shí)施方案的斷片 剖面圖；因此無(wú)需導(dǎo)電通路70(如圖IB所示)。阻焊層/覆蓋層也用于圖IC所示的實(shí)施 方案中，這是由于引線(xiàn)50與端子40位于互連導(dǎo)電物層30的同一側(cè)。阻焊層/覆蓋層提供 介電涂層，以確保將端子連接到印刷電路板觸點(diǎn)上的焊料不會(huì)芯吸至引線(xiàn)或造成其他焊接 端子短路。
圖ID示出了其中圖IB中粘合劑薄層已被柔順材料80'的較厚層取代的可供 選擇的實(shí)施方案的斷片剖面圖，所述取代進(jìn)一步補(bǔ)償熱錯(cuò)配，如美國(guó)專(zhuān)利5，148，265和 5，148，266中所公開(kāi)的。柔順材料80'通常為約50至200微米厚并包括熱固性或熱塑性 材料。圖ID中所示的結(jié)構(gòu)還使得引線(xiàn)50的擴(kuò)展部分55通過(guò)粘結(jié)操作成 型以便其在垂直 于引線(xiàn)50的橫向曲線(xiàn)的方向上彎曲。如上所述，這些橫向和垂直彎曲的引線(xiàn)通常由包封材 料60支撐以便分散在可操作封裝的熱循環(huán)期間作用在其上的力。關(guān)于這些及其他實(shí)施方 案的進(jìn)一步細(xì)節(jié)公開(kāi)于美國(guó)專(zhuān)利5，821，608中。圖2和3示出了其中提供第一階段封裝8的本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施方案，其中類(lèi)似組 件根據(jù)以上

圖1A-1D編號(hào)。在集成電路封裝工業(yè)中，通常將集成電路芯片放置于合適的封 裝內(nèi)稱(chēng)作“第一階段”封裝。將集成電路封裝放置或安裝在合適的印刷電路板(PCB)或其 他基板上稱(chēng)作“第二階段”封裝。各種印刷電路板或其他載體在電子器件內(nèi)的互連(例如， 通過(guò)利用主板)稱(chēng)作“第三階段”封裝。在一個(gè)實(shí)施方案中，封裝8為具有多個(gè)焊球40的球柵陣列(BGA)封裝，所述焊球 將封裝互連到印刷電路板上(參見(jiàn)圖5和6)。如圖2和3所示，在該封裝8中，制備的芯片 10用于與第二階段封裝結(jié)合。如圖5所示，球柵陣列封裝的集成電路芯片10通過(guò)焊墊88 安裝到印刷電路板82上并通過(guò)通常由模制的塑性材料構(gòu)成的剛性外殼或封蓋84包封。圖 6示出了不含封裝殼體84的微球柵陣列封裝的可供選擇的實(shí)施方案。本領(lǐng)域的普通技術(shù)人員將理解芯片10為眾多不同集成電路類(lèi)型中的一類(lèi)。例如， 芯片10可源自大范圍的集成電路產(chǎn)品，例如微處理器、協(xié)處理器、數(shù)字信號(hào)處理器、圖形處 理器、微控制器、存儲(chǔ)器器件、可再編程器件、可編程邏輯器件、以及邏輯陣列等。芯片連結(jié)材料80提供在芯片10的中部上。焊球陣列40提供在芯片連結(jié)材料上。 焊球陣列40起到連接至下一階段封裝上的作用。芯片連結(jié)材料80可為硅氧烷彈性體或環(huán) 氧化物改性的彈性體材料。焊球40優(yōu)選相對(duì)柔韌并因此能夠補(bǔ)償印刷電路板或封裝的任 何不平整。此外，將焊球組裝成陣列，并因此提供較高產(chǎn)量。在一個(gè)優(yōu)選的實(shí)施方案中，焊 球由諸如Sn63Pb37的錫/鉛(SnPb)共晶材料制成并具有約0. 3mm至0. 5mm的直徑?；ミB導(dǎo)電物薄膜30延伸于芯片連結(jié)材料80之上以與焊球陣列40形成連接?；?連導(dǎo)電物薄膜30上的焊球40的凸點(diǎn)節(jié)距可小至約0. 25mm至1mm，更優(yōu)選約0. 5mm。引線(xiàn) 50由互連導(dǎo)電物薄膜30延伸以在芯片焊墊20上與芯片10形成連接。引線(xiàn)優(yōu)選由金線(xiàn)制 成，并且優(yōu)選在擴(kuò)展部分55中以低彎度S形熱超聲粘結(jié)以順應(yīng)由于熱膨脹導(dǎo)致的變形。圖4以橫截面更具體地示出了互聯(lián)薄膜30?；ミB導(dǎo)電物薄膜30包括復(fù)合聚酰亞 胺芯100及優(yōu)選由銅制成的導(dǎo)電線(xiàn)路102和104。聚酰亞胺芯100優(yōu)選具有約25 μ m的厚 度。銅線(xiàn)優(yōu)選具有約12 μ m的厚度?；ミB導(dǎo)電物薄膜100增加的剛度有利地使得互連導(dǎo)電物薄膜在封裝制造期間易 于處理。對(duì)于具有例如4. 5至SGPa范圍內(nèi)的模量的常規(guī)互連導(dǎo)電物薄膜，互連導(dǎo)電物在封 裝組合期間利用如上所述的金屬框架進(jìn)行。相比之下，優(yōu)選實(shí)施方案中的復(fù)合互連導(dǎo)電物 具有可不必利用金屬框架的較高模量。例如，可添加填料以便互連導(dǎo)電物的模量比單獨(dú)的 聚酰亞胺芯的模量高約5%至500%。這從而簡(jiǎn)化了制造，并且互連導(dǎo)電物薄膜增加的剛度 使得有可能通過(guò)不利用金屬框架的設(shè)備直接處理互連導(dǎo)電物薄膜。無(wú)需金屬框架有助于加 工精度并且降低處理難度和成本。
此外，優(yōu)選實(shí)施方案中較剛性的互連導(dǎo)電物還防止芯片分層。這是由于較剛性的 互連導(dǎo)電物可做得更平整并因此可更有效地粘附到芯片連結(jié)材料上。應(yīng)當(dāng)理解，本文所述的互連導(dǎo)電物層不僅可用于微球柵陣列封裝，而且還可用于 其他集成電路封裝。如本領(lǐng)域的技術(shù)人員所已知的，集成電路封裝應(yīng)用的其他類(lèi)型包括但 不限于利用柔性基板的任何封裝。以上舉例說(shuō)明和描述的實(shí)施方案僅僅作為本發(fā)明的某些優(yōu)選實(shí)施方案的實(shí)例提 供。如所附權(quán)利要求所限定的，本領(lǐng)域的技術(shù)人員在不違背本發(fā)明的實(shí)質(zhì)和范圍的情況下 可對(duì)本文所列出的實(shí)施方案作出各種變化和修改。
實(shí)施例本發(fā)明將在以下實(shí)施例中進(jìn)一步描述，所述實(shí)施例并不旨在限制權(quán)利要求中所述 的本發(fā)明范圍。在這些實(shí)施例中，“預(yù)聚物”是指用略微化學(xué)計(jì)量過(guò)量的二胺單體(大約 2% )制備的較低分子量的聚合物以得到在25°C下50-100泊范圍內(nèi)的Brookfield溶液粘 度。增加分子量(和溶液粘度)通過(guò)添加小增量的附加二酸酐實(shí)現(xiàn)以便接近二酸酐與二胺 的化學(xué)當(dāng)量。實(shí)施例1將BPDA/PPD預(yù)聚物(無(wú)水DMAC中69. 3g 17. 5重量％的溶液)與5. 62g針狀 TiO2(FTL-110，Ishihara Corporation, USA)組合并對(duì)所得漿液攪拌24小時(shí)。在單獨(dú)容器 中，通過(guò)將 0.9g PMDA(Aldrich 412287,Allentown,PA)與 15mL DMAC 組合來(lái)制備 6 重量％ 的均苯四甲酸酐(PMDA)溶液。將PMDA溶液緩慢添加到預(yù)聚物漿液中以實(shí)現(xiàn)653泊的最終粘度。將該制劑在0°C 下貯藏過(guò)夜以使其脫氣。利用25mil的刮粉刀將該制劑流延到玻璃板表面上以形成3” X4”的薄膜。玻璃 用隔離劑預(yù)處理以有利于將薄膜從玻璃表面上除去。使薄膜在熱板上于80°C下干燥20分 鐘。隨后將薄膜提離表面并安裝在3” X4”的針板架上。進(jìn)一步在室溫下真空干燥12小時(shí)后，將固定好的薄膜置于爐子(Thermolyne， F6000箱式爐)中。爐子用氮?dú)獯祾卟⒏鶕?jù)以下溫度方案進(jìn)行加熱· 125 "C(30min) 1251至 3501(以 4°C· 350 °C(30min)· 350°C至 450°C(以 5°C‘ 450 °C(20min)· 450 至 40°C(以 8°C比較實(shí)施例A利用與實(shí)施例1中所述相同的步驟，不同的是無(wú)TiO2填料添加到預(yù)聚物溶液中。 流延前的最終粘度為993泊。實(shí)施例2利用與實(shí)施例1中所述相同的步驟，不同的是將69. 4g BPDA/PPD預(yù)聚物(DMAC中 17. 5重量％ )與5. 85g TiO2 (FTL-200, Ishihara USA)組合。流延前的制劑最終粘度為524
/min升溫) /min升溫) /min冷卻)
11泊。實(shí)施例3利用與實(shí)施例1中所述相同的步驟，不同的是將69. 4g BPDA/PPD預(yù)聚物與5. 85g 針狀TiO2 (FTL-300，Ishihara USA)組合。流延前的最終粘度為394泊。實(shí)施例4A利用與實(shí)施例1中所述相同的步驟，不同的是將69. 3g BPDA/PPD預(yù)聚物(DMAC中 17. 5 重量％ )與 5. 62g 針狀 TiO2 (FTL-100, IshiharaUSA)組合。在DMAC中的PMDA溶液添加之前使材料過(guò)濾通過(guò)80微米的過(guò)濾介質(zhì)(Millipore， 聚丙烯篩網(wǎng)，80微米，PP 8004700)。流延前的最終粘度為599泊。實(shí)施例4遵循與實(shí)施例1中所述相同的步驟，不同的是將139g BPDA/PPD預(yù)聚物(DMAC中 17. 5 重量 ％ )與 11. 3g 針狀 TiO2 (FTL-100)組合。將 BPDA/PPD 預(yù)聚物與針狀 TiO2 (FTL-110) 的混合物置于小容器中。裝備有方孔、高剪切篩網(wǎng)的Silverson L4RT型高剪切攪拌器 (SilversonMachines, LTD, Chesham Baucks, England)用于攪拌制劑(葉片速度為大約 4000rpm)20分鐘。在攪拌操作期間利用冰浴來(lái)保持制劑冷卻。流延前材料的最終粘度為310泊。實(shí)施例5利用與實(shí)施例4中所述相同的步驟，不同的是將133. 03g BPDA/PPD預(yù)聚物(DMAC 中 17. 5 重量％ )與 6. 96g 針狀 TiO2 (FTL-110)組合。將材料置于小容器中并用高剪切攪拌器(葉片速度為大約4000rpm)攪拌大 約lOmin。隨后使材料過(guò)濾通過(guò)45微米的過(guò)濾介質(zhì)(Millipore，45微米的聚丙烯篩網(wǎng)， PP4504700)。流延前的最終粘度為大約1000泊。實(shí)施例6利用與實(shí)施例5中所述相同的步驟，不同的是將159.28g BPDA/PPD預(yù)聚物與 10. 72g針狀TiO2(FTL-IlO)組合。用高剪切攪拌器攪拌材料5_10分鐘。流延前的最終制劑粘度為大約1000泊。實(shí)施例7利用與實(shí)施例5中所述相同的步驟，不同的是將157. 3g BPDA/PPD預(yù)聚物與12. 72 克針狀TiO2 (FTL-110)組合。用高剪切攪拌器混合材料大約10分鐘。流延前的最終粘度為大約1000泊。實(shí)施例8利用與實(shí)施例5中所述類(lèi)似的步驟，不同的是將140. 5g BMAC與24. 92g TiO2(FTL-IlO)組合。利用高剪切攪拌器混合該漿液大約10分鐘。在250mL的三口圓底燒瓶中將該漿液(57. 8g)與107. 8g BPDA/PPD預(yù)聚物(DMAC 中17. 5重量％)組合。在緩慢氮?dú)獯祾呦掠脻{式攪拌器緩慢攪拌混合物過(guò)夜。再一次 用高剪切攪拌器混合材料(大約10min，4000rpm)并隨后過(guò)濾通過(guò)45微米的過(guò)濾介質(zhì) (Millipore,45 微米的聚丙烯，PP4504700)。
最終粘度為400泊。實(shí)施例9利用與實(shí)施例8中所述相同的步驟，不同的是將140. 49g DMAC與24. 89g滑石 (Flex Talc 610，Kish Company, Mentor, OH)組合。利用實(shí)施例8中所述的高剪切攪拌步 驟混合材料。將該漿液(69.34g)與 129. 25g BPDA/PPD 預(yù)聚物(DMAC 中 17. 5 重量 ％ )組 合，再次利用高剪切攪拌器混合，隨后過(guò)濾通過(guò)25微米的過(guò)濾介質(zhì)(Millipore，聚丙烯， PP2504700)并在1600泊下流延。實(shí)施例10以與實(shí)施例9相比類(lèi)似的體積％ (含有TiO2, FTL-110)制備該制劑。利用與實(shí) 施例1中所述相同的步驟。將67. Olg BPDA/PPD預(yù)聚物(17. 5重量％)與79. 05克針狀 TiO2 (FTL-110)粉末組合。完成后的制劑在流延前的粘度為255泊。利用動(dòng)態(tài)機(jī)械分析儀(DMA)表征比較實(shí)施例A和實(shí)施例10的機(jī)械行為。動(dòng)態(tài) 機(jī)械分析操作基于經(jīng)受小的振蕩應(yīng)變(例如，10 μ m)的聚合物的粘彈響應(yīng)(TA儀器，New Castle, DE, USA, DMA 2980)，所述振蕩應(yīng)變?yōu)闇囟群蜁r(shí)間的函數(shù)。薄膜在張力和多頻應(yīng)變 模式下操作，其中有限尺度的矩形標(biāo)本夾在固定夾具和活動(dòng)夾具之間。將寬6-6. 4mm、厚 0. 03-0. 05mm和長(zhǎng)IOmm的樣本在縱向用3in_lb的扭力扣緊。長(zhǎng)度方向的靜力為0. 05N，其 中自動(dòng)張力為125%。在IHz的頻率下以3°C/min的速率將薄膜由0°C加熱至500°C。室 溫、500°C和480°C下的儲(chǔ)能模量記錄于表1中。比較實(shí)施例A和實(shí)施例10的熱膨脹系數(shù)通過(guò)熱力學(xué)分析(TMA)測(cè)量。將2940型號(hào) 的TA儀器設(shè)置為張力模式并配備有30-50mL/min速率的N2吹掃和機(jī)械冷卻器。在縱向(流 延)方向?qū)⒈∧で懈畛?. Omm的寬度并縱向夾在薄膜夾具之間，所述夾具容許7. 5-9. Omm 的長(zhǎng)度。預(yù)載張力設(shè)置為5克力。隨后以10°C /min的速率將薄膜由0°C加熱至400°C，保 持3分鐘，回冷至0°C并以相同的速度再次加熱至400°C。報(bào)道用于流延方向(縱向)的 60°C至400°C的單位為ym/m-C (或ppm/°C)的熱膨脹系數(shù)的計(jì)算，第二加熱循環(huán)超過(guò)60°C 至400°C，并且還有超過(guò)60°C至350°C。熱重量分析儀器(TA，Q5000)用于樣本的重量損失測(cè)量。測(cè)量在流動(dòng)氮?dú)庵羞M(jìn)行。 溫度程序涉及以20°C /min的速率加熱至500°C。在500°C下保持30分鐘后的重量損失通 過(guò)歸一化至200°C下的重量進(jìn)行計(jì)算，其中已除去任何吸附的水分，以測(cè)定聚合物在超過(guò) 200°C溫度下的分解。表權(quán)利要求
1.一種形成用于集成電路封裝的互連導(dǎo)電物薄膜的方法，所述方法包括 將多個(gè)導(dǎo)電區(qū)域沉積到基板上，其中所述基板包含a)所述基板的40%至95重量％的量的聚酰亞胺，所述聚酰亞胺衍生自i)至少一種芳族二酸酐，至少85摩爾％的所述芳族二酸酐為剛棒型二酸酐，和 )至少一種芳族二胺，至少85摩爾％的所述芳族二胺為剛棒型二胺；以及b)填料，所述填料a)在至少一個(gè)尺度上小于800納米；b)具有大于3 1的縱橫比；c)在所有尺度上小于所述薄膜的厚度；以及d)以所述薄膜的總重量的5%至60重量％的量存在， 所述基板具有4至150微米的厚度，其中所述導(dǎo)電區(qū)域的沉積在所述基板的連續(xù)纖維網(wǎng)上實(shí)現(xiàn)。
2.根據(jù)權(quán)利要求1的方法，其中所述連續(xù)的基板纖維網(wǎng)為雙卷軸工藝中的組件。
3.根據(jù)權(quán)利要求1的方法，其中所述填料包括針狀二氧化鈦。
4.根據(jù)權(quán)利要求1的方法，其中所述填料包括針狀二氧化鈦，至少一部分所述針狀二 氧化鈦涂覆有氧化鋁。
5.根據(jù)權(quán)利要求1的方法，其中a)所述剛棒型二酸酐選自由下列組成的組3，3’，4，4’-聯(lián)苯四甲酸二酐(BPDA)、均苯 四甲酸二酐(PMDA)、以及它們的混合物；并且b)所述剛棒型二胺選自1，4_二氨基苯(PPD)、4，4' -二氨基聯(lián)苯基、2，2，_雙(三氟 甲基)聯(lián)苯胺(TFMB)、1，5-萘二胺、1，4_萘二胺、以及它們的混合物。
6.根據(jù)權(quán)利要求1的方法，其中至少25摩爾％的所述二胺為1，5_萘二胺。
7.根據(jù)權(quán)利要求1的方法，其中所述基板包含偶聯(lián)劑、分散劑或它們的組合。
8.根據(jù)權(quán)利要求1的方法，其中所述基板加固有熱穩(wěn)定的無(wú)機(jī)織物、紙材、片材、稀松 布或它們的組合。
9.一種用于集成電路封裝的互連導(dǎo)電物薄膜，所述互連導(dǎo)電物薄膜包括由基板支撐的 多個(gè)導(dǎo)電區(qū)域，其中所述基板包含a)所述基板的40%至95重量％的量的聚酰亞胺，所述聚酰亞胺衍生自i)至少一種芳族二酸酐，至少85摩爾％的所述芳族二酸酐為剛棒型二酸酐，和 )至少一種芳族二胺，至少85摩爾％的所述芳族二胺為剛棒型二胺；以及b)填料，所述填料a)在至少一個(gè)尺度上小于800納米；b)具有大于3 1的縱橫比；c)在所有尺度上小于所述薄膜的厚度；以及d)以所述薄膜的總重量的5%至60重量％的量存在， 所述基板具有8至150微米的厚度，其中a)所述剛棒型二酸酐選自由下列組成的組3，3’，4，4’-聯(lián)苯四甲酸二酐(BPDA)、均苯 四甲酸二酐(PMDA)、以及它們的混合物；并且b)所述剛棒型二胺選自1，4_ 二氨基苯(PPD)、4，4' -二氨基聯(lián)苯基、2，2，_雙(三氟 甲基)聯(lián)苯胺(TFMB)、1，5-萘二胺、1，4_萘二胺、以及它們的混合物。
10.根據(jù)權(quán)利要求9的互連導(dǎo)電物薄膜，其中所述填料包括針狀二氧化鈦，至少一部分 針狀二氧化鈦涂覆有氧化鋁。
11.根據(jù)權(quán)利要求17的互連導(dǎo)電物薄膜，其中至少25摩爾％的所述二胺為1，5_萘二胺。
全文摘要
本發(fā)明公開(kāi)了用于集成電路封裝的互連導(dǎo)電物薄膜。所述互連導(dǎo)電物薄膜包括支撐多個(gè)導(dǎo)電區(qū)域的基板。所述基板包含剛棒型聚酰亞胺及約5-60重量％的填料。所述填料具有至少一個(gè)(平均)小于約800納米的尺度，并且所述填料還具有大于約3∶1的平均縱橫比。
文檔編號(hào)H01L21/48GK102110617SQ201010550388
公開(kāi)日2011年6月29日 申請(qǐng)日期2010年11月9日 優(yōu)先權(quán)日2009年11月20日
發(fā)明者B·C·奧曼, K·庫(kù)塔基斯, S·布薩德 申請(qǐng)人:E.I.內(nèi)穆?tīng)柖虐罟?br>