專(zhuān)利名稱(chēng)：拼裝式薄膜太陽(yáng)能電池組成結(jié)構(gòu)的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明是有關(guān)于一種拼裝式薄膜太陽(yáng)能電池組成結(jié)構(gòu)，尤指一種具有大面積的薄膜太陽(yáng)能電池組成結(jié)構(gòu)。
背景技術(shù)：
薄膜太陽(yáng)能電池可在價(jià)格低廉的玻璃、塑膠或不銹鋼基板上大量制作，以生產(chǎn)出大面積的太陽(yáng)能電池，而其工藝更可直接導(dǎo)入已經(jīng)相當(dāng)成熟的TFT-IXD工藝，此為其優(yōu)點(diǎn)之一，故業(yè)界無(wú)不爭(zhēng)相投入該領(lǐng)域的研究?；旧希∧ぬ?yáng)能電池相對(duì)其他類(lèi)型的太陽(yáng)能電池而言工藝較為簡(jiǎn)單，具有成本低、可大量生產(chǎn)的優(yōu)點(diǎn)。就薄膜太陽(yáng)能電池基板的組成而言，參閱圖1現(xiàn)有習(xí)知的薄膜太陽(yáng)能電池組成結(jié)構(gòu)圖，其基本工藝會(huì)經(jīng)過(guò)三層沉積(deposition)、三道激光劃線(scribe) 手續(xù)，如下面所述首先，先以物理氣相沉積工藝(PVD)在預(yù)訂尺寸的玻璃基板上鍍上一層透明導(dǎo)電薄膜(Transparent Conductive Oxide，TC0)，其選擇透光性高及導(dǎo)電性佳的材質(zhì)，如氧化銦錫(ΙΤ0)、氧化錫(Sn02)、或氧化鋅(SiO)等；接著以紅外線激光劃線定義其前電極圖案(patterning)；至此為第一道沉積與劃線手續(xù)。第二階段為主吸收層 (Active layer)的制作，其一般以等離子輔助化學(xué)氣相沉積(Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition, PECVD)工藝在電極面上長(zhǎng)出一層p_i_n類(lèi)型排列的氫化非晶硅結(jié)構(gòu) (p-a-Si:H/i-a-Si:H/n-a-Si:H)，此主吸收層是以p_n半導(dǎo)體接面(p_njunction)作為光吸收及能量轉(zhuǎn)換的主體結(jié)構(gòu)。此步驟后同樣會(huì)進(jìn)行激光劃線步驟，為制作出的主吸收層定義圖案，至此為第二道沉積與劃線手續(xù)。最后再以濺鍍(sputter)工藝在其上形成鋁/銀材質(zhì)為主的背部電極(backcontact)，并進(jìn)行第三道激光劃線定義出其背部電極圖形。近來(lái)將有建材功能的太陽(yáng)能光電模版導(dǎo)入建筑物本體，讓系統(tǒng)元件不只可以發(fā)電，并且也是建筑外殼的一部分，稱(chēng)為建筑整合型態(tài)陽(yáng)光電系統(tǒng)(BIPV)受到廣泛注意。其是開(kāi)發(fā)具有建材功能的太陽(yáng)光電模版(PV module)，然后以建筑設(shè)計(jì)手法將太陽(yáng)能光電模版導(dǎo)入建筑物本體。因此BIPV是一種可反應(yīng)風(fēng)土氣候的被動(dòng)式(passive)綠色建筑設(shè)計(jì)手法，其不僅具有發(fā)電及儲(chǔ)能的經(jīng)濟(jì)效益，更可進(jìn)而替代既有建材，降低初制成本，并且結(jié)合遮陽(yáng)處理、采光照明等設(shè)計(jì)手法，以獲得建筑節(jié)能效益。先進(jìn)國(guó)家如日本與荷蘭目前均在太陽(yáng)光電的發(fā)展策略與未來(lái)計(jì)劃上均有著重，故BIPV的領(lǐng)域?qū)⒂袠O大的發(fā)展?jié)摿?。目?BIPV的應(yīng)用主要有大樓帷幕墻或外墻、大樓、停車(chē)場(chǎng)的遮陽(yáng)棚、大樓天井、斜頂式屋頂建筑的屋瓦、大型建筑物屋頂/隔音墻等。以建筑玻璃帷幕為例，采用BIPV具有下列優(yōu)勢(shì)一、可有效利用建筑物的表面積。 二、替代建筑物的外表包覆材料。三、代替屋頂、墻面、窗戶的建材。四、可遮陽(yáng)，降低建筑物外表溫度。五、降低整體建筑成本。六、建筑物外觀較美觀等。為達(dá)到前述目的，市場(chǎng)對(duì)于透明或不透明的大面積BIPV均存在著強(qiáng)大的需求。然而如前所述，現(xiàn)有太陽(yáng)光電模版工藝技術(shù)采用等離子輔助化學(xué)氣相沉積 (Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition, PECVD)工2 豐及胃一M P_i_n類(lèi)型排列的氫化非晶硅結(jié)構(gòu)(p-a-Si:H/i-a-Si:H/n-a-Si:H)作為主吸收層(Active layer)，模版尺寸受限于PECVD反應(yīng)腔室的成膜尺寸(標(biāo)準(zhǔn)尺寸為1. 4X1. Im2)，工藝起始必須先將腔室抽為真空，如需制作用于建筑整合的大面積太陽(yáng)光電模版，例如尺寸為5X5m2的太陽(yáng)光電模版，需研發(fā)大尺寸PECVD工藝設(shè)備，以克服主吸收層成膜不均 (Uniformity)、抽取真空不易等問(wèn)題，成本及售價(jià)殊為高昂，不利使建筑整合光電系統(tǒng)的市場(chǎng)或其他大面積薄膜太陽(yáng)能模組應(yīng)用市場(chǎng)。是故，有必要提供一種大面積太陽(yáng)光電模版，其成本廉宜適用于建筑整合或其他大面積光電模組的推廣應(yīng)用。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的目的在于提供一種薄膜太陽(yáng)能電池組成結(jié)構(gòu)，利用數(shù)個(gè)薄膜太陽(yáng)能電池單元拼合成為一大面積的薄膜太陽(yáng)能電池，并在數(shù)個(gè)拼合的薄膜太陽(yáng)能電池單元上方形成一大面積背板保護(hù)層。習(xí)知薄膜太陽(yáng)能電池結(jié)構(gòu)由下而上包括基板、第一導(dǎo)電層、P-I-N 層、第二導(dǎo)電層及背板保護(hù)層，本發(fā)明則是先形成數(shù)個(gè)薄膜太陽(yáng)能電池單元，其結(jié)構(gòu)下而上包括基板、第一導(dǎo)電層、P-I-N層、第二導(dǎo)電層，再將數(shù)個(gè)單元相互連接拼合。在拼合的薄膜太陽(yáng)能電池單元上粘合一大面積背板保護(hù)層，藉以利用原先小尺寸的PECVD工藝產(chǎn)制大面積的薄膜太陽(yáng)能電池，有效地降低產(chǎn)制大面積電池成本，以應(yīng)用于建筑物或農(nóng)業(yè)大棚等可提高能源再生及回收循環(huán)的利用。本發(fā)明另一目的是藉由選擇拼合數(shù)個(gè)透明或不透明的小尺寸薄膜太陽(yáng)能電池單元，形成透明或不透明的大面積拼裝式薄膜太陽(yáng)能電池模版。其是藉由在各個(gè)小尺寸薄膜太陽(yáng)能電池單元的p-i-n層主吸收層的上方，形成透明導(dǎo)電層，其可以是透明導(dǎo)電電極或薄層單一過(guò)渡金屬或鋁的其中之一。本發(fā)明又另一目的是藉由在大面積拼裝式薄膜太陽(yáng)能電池模組上結(jié)合透明的大面積鋼化玻璃，解決大面積鋼化玻璃不易裁切為小尺寸的問(wèn)題。為了實(shí)現(xiàn)上述目的，依據(jù)本發(fā)明提出的一種拼裝式薄膜太陽(yáng)能電池組成結(jié)構(gòu)，至少包含數(shù)個(gè)薄膜太陽(yáng)能電池單元，每一單元間是相連拼合，以及一背板保護(hù)層，其形成于相連拼合的該薄膜太陽(yáng)能電池單元上。其中前述每一薄膜太陽(yáng)能電池單元包括一透明基板，該透明基板的一面是照光面；一第一導(dǎo)電層，其是形成于該透明基板上，用以使通過(guò)透明基板的光線進(jìn)入電池單元內(nèi)部；一 P-i-n半導(dǎo)體層，其是形成于該第一導(dǎo)電層上方，用以在受光照射后產(chǎn)生電子空穴對(duì)(或稱(chēng)為電子電洞對(duì))，以提供光電流并增加光吸收率；以及一第二導(dǎo)電層，其形成于該P(yáng)-i-n半導(dǎo)體層上，用以與前述第一導(dǎo)電層取出電能與提升光電轉(zhuǎn)換的效率。本發(fā)明還可采用以下技術(shù)措施進(jìn)一步實(shí)現(xiàn)。前述的拼裝式薄膜太陽(yáng)能電池組成結(jié)構(gòu)，其中所述的第一導(dǎo)電層為透明導(dǎo)電電極，且第二導(dǎo)電層為透明導(dǎo)電電極或單一過(guò)渡金屬或鋁的其中之一。前述的拼裝式薄膜太陽(yáng)能電池組成結(jié)構(gòu)，其中所述的透明背板的材料為強(qiáng)化玻
^^ ο前述的拼裝式薄膜太陽(yáng)能電池組成結(jié)構(gòu)，其中所述的透明基板的材料為玻璃、石英、透明塑膠、藍(lán)寶石基板或是透明可撓性的材料。
前述的拼裝式薄膜太陽(yáng)能電池組成結(jié)構(gòu)，其中所述的過(guò)渡金屬為銀或鎳，其中銀的厚度介于3nm 25nm之間。前述的拼裝式薄膜太陽(yáng)能電池組成結(jié)構(gòu)，其中所述的第一導(dǎo)電層及第二導(dǎo)電層為氧化鋅鋁(AZO)、氧化鋅鎵(GZO)或氧化鋅硼(ZnO)。本發(fā)明與現(xiàn)有技術(shù)相比具有明顯的優(yōu)點(diǎn)和有益效果。借由上述技術(shù)方案，本發(fā)明的拼裝式薄膜太陽(yáng)能電池組成結(jié)構(gòu)，至少具有下列優(yōu)點(diǎn)一、本發(fā)明的拼裝式薄膜太陽(yáng)能電池組成結(jié)構(gòu)，有效地降低產(chǎn)制大面積電池成本， 以應(yīng)用于建筑物或農(nóng)業(yè)大棚等可提高能源再生及回收循環(huán)的利用。二、本發(fā)明的拼裝式薄膜太陽(yáng)能電池組成結(jié)構(gòu)，可以形成大面積的結(jié)構(gòu)。三、本發(fā)明的拼裝式薄膜太陽(yáng)能電池組成結(jié)構(gòu)，在大面積拼裝式薄膜太陽(yáng)能電池模組上結(jié)合透明的大面積鋼化玻璃，解決大面積鋼化玻璃不易裁切為小尺寸的問(wèn)題。


圖1是現(xiàn)有已知的薄膜太陽(yáng)能電池組成結(jié)構(gòu)圖。圖2是本發(fā)明一具體實(shí)施例的拼裝式薄膜太陽(yáng)能電池組成結(jié)構(gòu)圖。圖3是本發(fā)明一具體實(shí)施例的拼裝式薄膜太陽(yáng)能電池上方視圖。圖4是本發(fā)明一具體實(shí)施例的拼裝式薄膜太陽(yáng)能電池上方視5是本發(fā)明一具體實(shí)施例的薄膜太陽(yáng)能電池的立體視圖。圖6是本發(fā)明另一具體實(shí)施例的拼裝式薄膜太陽(yáng)能電池組成結(jié)構(gòu)圖。100、200、300、600 拼裝式薄膜太陽(yáng)能電池單元101、201、301、601 透明基板102、202、302 第一導(dǎo)電層103、203、303、602 :p-i_n 半導(dǎo)體層104、204、304、603 第二導(dǎo)電層400 背板保護(hù)層
具體實(shí)施例方式為更進(jìn)一步闡述本發(fā)明為達(dá)成預(yù)定發(fā)明目的所采取的技術(shù)手段及功效，以下結(jié)合附圖及較佳實(shí)施例，對(duì)依據(jù)本發(fā)明提出的拼裝式薄膜太陽(yáng)能電池組成結(jié)構(gòu)其具體實(shí)施方式
、步驟、結(jié)構(gòu)、特征及其功效詳細(xì)說(shuō)明。請(qǐng)參閱圖2，是本發(fā)明第一實(shí)施例的拼裝式薄膜太陽(yáng)能電池組成結(jié)構(gòu)。本發(fā)明拼裝式薄膜太陽(yáng)能電池組成結(jié)構(gòu)，至少包含數(shù)個(gè)具有相同組成結(jié)構(gòu)的薄膜太陽(yáng)能電池單元 100,200,300,每一單元間是相連拼合，以及一背板保護(hù)層400，其形成于相連拼合的薄膜太陽(yáng)能電池單元100、200、300上。應(yīng)注意的是，拼裝式薄膜太陽(yáng)能電池單元100、200、300 僅為例式性說(shuō)明，視需要可增加或減少相連拼合的薄膜太陽(yáng)能電池單元數(shù)量。各個(gè)單元包括一透明基板101、201、301，該基板的一面是照光面；一第一導(dǎo)電層102、202、302，其是形成于該透明基板101、201、301上方，用以使通過(guò)透明基板101、201、301的光射入電池內(nèi)部的p-i-n半導(dǎo)體層，以及取出電能與提升光電轉(zhuǎn)換的效率。一 p-i-n半導(dǎo)體層103、203、 303，用以使通過(guò)透明基板產(chǎn)生電子空穴對(duì)，以提供光電流并增加光吸收率；以及一第二導(dǎo)電層104、204、304，其是形成于p-i_n半導(dǎo)體層103、203、303上方，用以取出電能與提升光電轉(zhuǎn)換的效率。本發(fā)明進(jìn)一步在第二導(dǎo)電層104、204、304上方形成一大面積背板保護(hù)層， 所形成的拼裝式薄膜太陽(yáng)能電池組成結(jié)構(gòu)相較于現(xiàn)有習(xí)知小尺寸薄膜太陽(yáng)能電池(例如 1.4X1. Im2)具有較大面積，例如5X5m2，其下方視圖請(qǐng)參照?qǐng)D2，其顯示有多個(gè)薄膜太陽(yáng)能電池單元相互連接成為一大面積薄膜太陽(yáng)能電池單元；參照?qǐng)D3，其顯示本發(fā)明一具體實(shí)施例的薄膜太陽(yáng)能電池的上方視圖，另參照?qǐng)D5，顯示其顯示本發(fā)明一具體實(shí)施例的薄膜太陽(yáng)能電池的立體視圖。在第二導(dǎo)電層104、204、304上方形成一大面積背板保護(hù)層的方法是先在第二導(dǎo)電層104、204、304涂敷一層太陽(yáng)能電池封裝用EVA膜，再在PVB膠層上覆蓋一層大面積背板保護(hù)層。使用EVA膠層粘合大面積背板保護(hù)層與相連拼合的多個(gè)薄膜太陽(yáng)能的優(yōu)勢(shì)在于，EVA膜為一種以EVA (Ethylene乙烯、Vinyl乙烯基、Acetate醋酸鹽的簡(jiǎn)稱(chēng))為基礎(chǔ)的熱固性有粘性的膠片，用于放在夾膠玻璃中間，在加熱前呈霧狀，兩面有浮凸的紋路，經(jīng)過(guò)加熱后，變成完全透明的并且有很強(qiáng)的粘著力，在嚴(yán)苛的條件下也有很強(qiáng)的穩(wěn)定性。在本發(fā)明另一具體實(shí)施例中，本發(fā)明的背板保護(hù)層可采取以EVA膠層粘合一大面積鋼化玻璃(Tempered Glass)作為背板保護(hù)層，可作為建筑物的玻璃帷幕，達(dá)到節(jié)能功效， 且由于EVA膠層相較于傳統(tǒng)以PVB粘合的玻璃對(duì)于高頻率的音波有優(yōu)異隔音效果，應(yīng)屬理想。另外，因EVA膠片粘合一大面積鋼化玻璃可以抵抗高溫、潮氣、紫外線等等，并且能長(zhǎng)時(shí)間的在戶外使用，亦可作為農(nóng)業(yè)大棚的屋頂材料，其透光性非常適用于溫室或有機(jī)農(nóng)業(yè)栽培，且具有發(fā)電效益。在本發(fā)明又一具體實(shí)施例中，為使本發(fā)明的薄膜太陽(yáng)能電池具有高度透光特性， 前述第二導(dǎo)電層可為透明導(dǎo)電電極。透明導(dǎo)電電極主要可分為兩種，一種是金屬薄膜，另一種是透明導(dǎo)電氧化物(Transparentconductiveoxide，TC0)。以TCO而言，在本實(shí)施例，該第一透明導(dǎo)電氧化物可為氧化鋅鋁(ΑΖ0)、氧化鋅鎵 (GZO)或氧化鋅硼(SiO)等透明導(dǎo)電氧化物，由于氧化鋅在室溫下的激子束縛能(60meV)與氮化鎵的激子束縛能(GaN 25meV)相比高出很多，而較大的激子束縛能代表更高的發(fā)光效率，因此是光電元件主動(dòng)層的很好材枓。上述透明導(dǎo)電氧化物具有較低的電阻率，俾使增加光的穿透率。以金屬薄膜而言，可為單一過(guò)渡金屬或鋁其中之一，該過(guò)渡金屬例如為銀或鎳等等，以銀為例，銀的厚度介于3nm 25nm之間，且銀的特性在可見(jiàn)光范圍有良好的透光性且因銀具降低電阻值的特性，因此具有良好的導(dǎo)電性質(zhì)，較佳地，銀的厚度介于3nm 5nm、 IOnm 15nm及20nm 25nm。另外因銀的厚度很薄，使薄膜太陽(yáng)能電池的整體厚度降低。 藉由半透明導(dǎo)電金屬層取代現(xiàn)有習(xí)知的透明導(dǎo)電膜，有效地增加光層及穿透長(zhǎng)度，并增加光反射特性，以增加整體轉(zhuǎn)換效率。在本實(shí)施例中，該透明基板的材料可使用一般的玻璃、石英、透明塑膠、藍(lán)寶石基板或是透明可撓性的材料等等。當(dāng)該透明基板101、201、301的照光面受到太陽(yáng)光照射，則光線藉由穿透該透明基板101、201、301及透明的第一導(dǎo)電層102、202、302進(jìn)入至該p-i-n半導(dǎo)體層103、203、303， 使太陽(yáng)光照射于Pn接面上，俾使部份電子因擁有足夠的能量，離開(kāi)原子而變成自由電子， 失去電子的原子因而產(chǎn)生空穴，并透過(guò)P型半導(dǎo)體及η型半導(dǎo)體分別吸引空穴與電子，把正
6電和負(fù)電分開(kāi)，在pn接面兩端因而產(chǎn)生電位差，再藉由第一導(dǎo)電層102、202、302及第二導(dǎo)電層104、204、304連接一電路(圖未示)，使電子得以通過(guò)，并與在pn接面另一端的空穴再次結(jié)合，便產(chǎn)生電流，再藉由該第一導(dǎo)電層102、202、302及第二導(dǎo)電層104、204、304取出電能，以轉(zhuǎn)換成可利用的功率，且因本發(fā)明的第二導(dǎo)電層104、204、304可為過(guò)渡金屬例如為銀或鎳等，其具有良好的導(dǎo)電性，且為使在可見(jiàn)光范圍有良好的透光性，本發(fā)明第一導(dǎo)電層102、202、302及第二導(dǎo)電層104、204、304的厚度適中，以避免產(chǎn)生不連續(xù)島膜致使導(dǎo)電率下降。請(qǐng)參閱圖6，是本發(fā)明另一實(shí)施例的拼裝式薄膜太陽(yáng)能電池單元600的組成結(jié)構(gòu)圖，至少包含一透明基板601，該透明基板601的一面是一照光面；一 p-i-n半導(dǎo)體層602， 是形成于該該透明基板601的上方，用以產(chǎn)生電子空穴對(duì)，以提供電流并增加光吸收率；以及數(shù)個(gè)第二導(dǎo)電層603，是形成于p-i-n半導(dǎo)體層602的上方，用以取出電能與提升光電轉(zhuǎn)換的效率。本發(fā)明進(jìn)一步在第二導(dǎo)電層104、204、304上方形成一大面積背板保護(hù)層，所形成的拼裝式薄膜太陽(yáng)能電池組成結(jié)構(gòu)相較于現(xiàn)有習(xí)知小尺寸薄膜太陽(yáng)能電池(例如 1.4X1. Im2)具有較大面積，例如5X5m2，其下方視圖請(qǐng)參照?qǐng)D2，其顯示有多個(gè)薄膜太陽(yáng)能電池單元相互連接成為一大面積薄膜太陽(yáng)能電池單元；上方視圖請(qǐng)參照?qǐng)D3，其顯示為一大面積的薄膜太陽(yáng)能電池。雖然本發(fā)明已以較佳實(shí)施例揭露如上，然并非用以限定本發(fā)明實(shí)施的范圍，依據(jù)本發(fā)明的權(quán)利要求書(shū)及說(shuō)明內(nèi)容所作的簡(jiǎn)單的等效變化與修飾，仍屬于本發(fā)明技術(shù)方案的范圍。
權(quán)利要求
1.一種拼裝式薄膜太陽(yáng)能電池組成結(jié)構(gòu)，其特征在于至少包含數(shù)個(gè)薄膜太陽(yáng)能電池單元，每一單元間是相連拼合；以及一背板，其面積大于前述每一薄膜太陽(yáng)能電池單元的面積，形成相連拼合的該等薄膜太陽(yáng)能電池單元上；其中前述每一薄膜太陽(yáng)能電池單元包括一透明基板，該透明基板的一面是照光面；一第一導(dǎo)電層，其是透明導(dǎo)電電極且形成于該透明基板上，用以使通過(guò)透明基板的光線進(jìn)入電池單元內(nèi)部；一 p-i-n半導(dǎo)體層，其是形成于該第一導(dǎo)電層上方，用以在受光照射后產(chǎn)生電子空穴對(duì)，以提供光電流并增加光吸收率；及一第二導(dǎo)電層，其形成于該P(yáng)-i-n半導(dǎo)體層上，用以與前述第一導(dǎo)電層取出電能與提升光電轉(zhuǎn)換的效率。
2.如權(quán)利要求1所述的拼裝式薄膜太陽(yáng)能電池組成結(jié)構(gòu)，其特征在于其中所述的第二導(dǎo)電層為透明導(dǎo)電電極或單一過(guò)渡金屬或鋁的其中之一。
3.如權(quán)利要求1所述的拼裝式薄膜太陽(yáng)能電池組成結(jié)構(gòu)，其特征在于其中所述的背板的材料為強(qiáng)化玻璃。
4.如權(quán)利要求2所述的拼裝式薄膜太陽(yáng)能電池組成結(jié)構(gòu)，其特征在于其中所述的背板的材料為強(qiáng)化玻璃。
5.如權(quán)利要求1所述的拼裝式薄膜太陽(yáng)能電池組成結(jié)構(gòu)，其特征在于其中所述的透明基板的材料為玻璃、石英、透明塑膠、藍(lán)寶石基板或是透明可撓性的材料。
6.如權(quán)利要求2所述的拼裝式薄膜太陽(yáng)能電池組成結(jié)構(gòu)，其特征在于其中所述的透明基板的材料為玻璃、石英、透明塑膠、藍(lán)寶石基板或是透明可撓性的材料。
7.如權(quán)利要求2所述的拼裝式薄膜太陽(yáng)能電池組成結(jié)構(gòu)，其特征在于其中所述的過(guò)渡金屬為銀或鎳。
8.如權(quán)利要求7所述的拼裝式薄膜太陽(yáng)能電池組成結(jié)構(gòu)，其特征在于其中所述的銀的厚度介于3nm 25nm之間。
9.如權(quán)利要求1所述的拼裝式薄膜太陽(yáng)能電池組成結(jié)構(gòu)，其特征在于其中所述的第一導(dǎo)電層為氧化鋅鋁、氧化鋅鎵或氧化鋅硼。
10.如權(quán)利要求2所述的拼裝式薄膜太陽(yáng)能電池組成結(jié)構(gòu)，其特征在于其中所述的第一導(dǎo)電層及第二導(dǎo)電層為氧化鋅鋁、氧化鋅鎵或氧化鋅硼。
全文摘要
本發(fā)明是有關(guān)一種拼裝式薄膜太陽(yáng)能電池組成結(jié)構(gòu)，至少包含數(shù)個(gè)薄膜太陽(yáng)能電池單元，每一單元間是相連拼合，以及一背板保護(hù)層，其形成于相連拼合的該薄膜太陽(yáng)能電池單元上。其中前述每一薄膜太陽(yáng)能電池單元包括一透明基板，該透明基板之一面是照光面；一第一導(dǎo)電層，其形成于該透明基板上，用以使通過(guò)透明基板的光線進(jìn)入電池單元內(nèi)部；一p-i-n半導(dǎo)體層，其形成于該第一導(dǎo)電層上方，用以在受光照射后產(chǎn)生電子空穴對(duì)，以提供光電流并增加光吸收率；以及一第二導(dǎo)電層，其形成于該p-i-n半導(dǎo)體層上，用以與前述第一導(dǎo)電層取出電能與提升光電轉(zhuǎn)換的效率。
文檔編號(hào)H01L31/075GK102479843SQ20101056011
公開(kāi)日2012年5月30日 申請(qǐng)日期2010年11月24日 優(yōu)先權(quán)日2010年11月24日
發(fā)明者劉吉人, 劉幼海, 張一熙 申請(qǐng)人:吉富新能源科技(上海)有限公司