專利名稱：基板處理裝置及其清潔方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種清潔處理室內(nèi)的基板處理裝置、其清潔方法以及記錄有程序的記 錄介質(zhì)，其中，該處理室內(nèi)具備例如載置半導(dǎo)體晶圓、FPD基板等基板的基板載置臺(tái)。
背景技術(shù)：
制造半導(dǎo)體設(shè)備的基板處理裝置構(gòu)成為設(shè)置有載置臺(tái)和處理室，其中，上述載置 臺(tái)例如載置半導(dǎo)體晶圓、液晶基板等基板并具備下部電極，上述處理室具備與上述下部電 極相對(duì)地配置的上部電極。在這種基板處理裝置中進(jìn)行蝕刻、成膜等等離子體處理的情況 下，在載置臺(tái)上的靜電卡盤等上載置并吸附保持基板，將規(guī)定的處理氣體導(dǎo)入到處理室內(nèi)， 在電極之間產(chǎn)生等離子體，由此對(duì)基板實(shí)施等離子體處理。在這種基板處理裝置中，適當(dāng)?shù)厝コ谔幚硎覂?nèi)處理基板時(shí)產(chǎn)生的反應(yīng)產(chǎn)物、從 外部混入到處理室內(nèi)的細(xì)顆粒等微粒(微細(xì)顆粒狀的異物)變得重要。例如微粒侵入到基板的背面?zhèn)?，因此在載置有該基板的載置臺(tái)上也附著微粒。特 別是，在載置臺(tái)的周緣部中容易附著微粒。如果放任不管而重復(fù)進(jìn)行等離子體處理，則這樣 附著的附著物(例如CF共聚物)在重復(fù)進(jìn)行等離子體處理時(shí)不斷堆積，因此導(dǎo)致載置臺(tái)吸 附基板的吸附保持力降低或者在利用搬運(yùn)臂將基板載置到載置臺(tái)時(shí)產(chǎn)生基板位置偏差這 種問(wèn)題。另外，如果載置在載置臺(tái)上的基板的背面附著微粒，則有可能在下一個(gè)工序中問(wèn) 題會(huì)擴(kuò)大。并且，當(dāng)在處理室內(nèi)殘留微粒時(shí)，附著在基板上，由此有可能對(duì)該基板的處理帶 來(lái)影響，從而產(chǎn)生無(wú)法確保在基板上最終制造的半導(dǎo)體設(shè)備的質(zhì)量等問(wèn)題。作為有效去除這種處理室內(nèi)的微粒的方法，例如在專利文獻(xiàn)1中記載了以下清潔 方法在從載置臺(tái)取下基板的狀態(tài)下將O2氣體導(dǎo)入到處理室內(nèi)來(lái)生成等離子體并產(chǎn)生自由 基，使在該自由基與堆積在載置臺(tái)上的附著物之間起化學(xué)反應(yīng)，由此從載置臺(tái)去除附著物。 另外，在專利文獻(xiàn)3至4中公開了以下清潔方法使含有氧等氧化物的稀有氣體進(jìn)行等離子 體化來(lái)產(chǎn)生自由基、離子，由此去除處理室內(nèi)的微粒。專利文獻(xiàn)1 日本特開2006-196 號(hào)公報(bào)專利文獻(xiàn)2 日本特開平8-97189號(hào)公報(bào)專利文獻(xiàn)3 日本特開2005-142198號(hào)公報(bào)專利文獻(xiàn)4 日本特開2009-65170號(hào)公報(bào)

發(fā)明內(nèi)容
發(fā)明要解決的問(wèn)題然而，微粒附著在載置臺(tái)(或者兼作載置臺(tái)的下部電極)而堆積的附著物會(huì)形成 共聚物(例如CF共聚物)，因此即使將上述A氣體進(jìn)行等離子體化來(lái)進(jìn)行清潔，去除附著 物也很費(fèi)時(shí)。這一點(diǎn)，為了提高附著物的去除率，認(rèn)為例如盡可能降低處理室內(nèi)壓力或者增加施加到電極的高頻電力，由此使下部電極的自偏壓(self-bias voltage)升高來(lái)使自由基、 離子的能量上升即可。然而，在載置臺(tái)上不載置基板而進(jìn)行的無(wú)晶圓清潔時(shí)，載置臺(tái)的表面暴露于等離 子體，因此越使下部電極的自偏壓升高，離子等的沖擊越大，因此導(dǎo)致載置臺(tái)的表面容易受 到損傷這種問(wèn)題。因此，本發(fā)明是鑒于上述問(wèn)題而完成的，其目的在于提供一種不使自偏壓升高就 能夠提高附著物的去除率的清潔方法等。用于解決問(wèn)題的方案通常認(rèn)為，在處理室內(nèi)的清潔中使用&氣體和惰性氣體的混合氣體的情況下，越 增加惰性氣體的流量比，O2氣體的分壓越下降，因此附著物的去除率也變小。然而，本發(fā)明 者們?cè)谔幚硎覂?nèi)壓力、第一和第二高頻電力較小的范圍(例如下部電極的自偏壓為50V以 下或者160V以下的范圍)、即離子能量較小的范圍內(nèi)嘗試進(jìn)行了實(shí)際的試驗(yàn)，意外發(fā)現(xiàn)了 如下范圍以O(shè)2氣體的流量比減小的方式增加惰性氣體，附著物的去除率更高。以下發(fā)明 是根據(jù)這種觀點(diǎn)導(dǎo)出得到的。為了解決上述問(wèn)題，根據(jù)本發(fā)明的某一個(gè)觀點(diǎn)，提供一種基板處理裝置的清潔方 法，對(duì)基板處理裝置的處理室內(nèi)進(jìn)行清潔，該處理室構(gòu)成為能夠減壓，在該處理室內(nèi)相對(duì)置 地配置上部電極和下部電極并且具備設(shè)置有上述下部電極的基板載置臺(tái)，該基板處理裝置 的清潔方法的特征在于，在規(guī)定處理?xiàng)l件下清潔上述處理室內(nèi)時(shí)，按照根據(jù)上述下部電極 的自偏壓以如下方式設(shè)定的流量比將含有化氣體和惰性氣體的處理氣體提供給上述處理 室內(nèi)，對(duì)上述上部電極和下部電極之間施加高頻電力來(lái)產(chǎn)生等離子體，該方式為上述下部 電極的自偏壓的絕對(duì)值越小，上述O2氣體的流量比越小，而惰性氣體的流量比越大。為了解決上述問(wèn)題，根據(jù)本發(fā)明的其它觀點(diǎn)，提供一種基板處理裝置，其特征在 于，該基板處理裝置設(shè)置有以下部分處理室，其構(gòu)成為能夠減壓；上部電極和下部電極， 該上部電極和下部電極相對(duì)置地配置于上述處理室內(nèi)；基板載置臺(tái)，其設(shè)置有上述下部電 極；電力供給裝置，其將規(guī)定的高頻電力提供給上述上部電極和下部電極之間；氣體供給 部，其將O2氣體和惰性氣體作為清潔用的處理氣體提供給上述處理室內(nèi)；排氣部，其對(duì)上述 處理室內(nèi)進(jìn)行排氣來(lái)將上述處理室內(nèi)減壓到規(guī)定壓力；存儲(chǔ)部，其對(duì)在規(guī)定處理?xiàng)l件下清 潔上述處理室內(nèi)時(shí)的上述處理氣體的流量比進(jìn)行存儲(chǔ)，該處理氣體的流量比是根據(jù)上述下 部電極的自偏壓以如下方式設(shè)定的，該方式為上述下部電極的自偏壓的絕對(duì)值越小，上述 O2氣體的流量比越小，而惰性氣體的流量比越大；以及控制部，其在清潔上述處理室內(nèi)時(shí)， 從上述存儲(chǔ)部讀取與上述自偏壓對(duì)應(yīng)的流量比，按照該流量比使上述氣體供給部提供上述 O2氣體和上述惰性氣體，使上述電力供給裝置對(duì)上述上部電極和下部電極之間施加規(guī)定的 高頻電力來(lái)生成等離子體。為了解決上述問(wèn)題，根據(jù)本發(fā)明的其它觀點(diǎn)，提供一種記錄介質(zhì)，是計(jì)算機(jī)可讀取 的記錄介質(zhì)，其特征在于，記錄有執(zhí)行上述清潔方法的程序。另外，在上述清潔方法以及基板處理裝置中，優(yōu)選為，上述惰性氣體為Ar氣體，在 上述自偏壓的絕對(duì)值為50V以下的處理?xiàng)l件下進(jìn)行清潔的情況下，以上述O2氣體的流量比 為上述處理氣體整體的8%以上且小于33%的方式設(shè)定上述&氣體和上述Ar氣體的流量 比。
在這種情況下，還在上述自偏壓的絕對(duì)值為大于50V且小于160V的處理?xiàng)l件下進(jìn) 行清潔的情況下，優(yōu)選為以上述O2氣體的流量比為上述處理氣體整體的33%以上且小于 100%的方式設(shè)定上述各氣體的流量比。此外，在本說(shuō)明書中將ImTorr設(shè)為(1(Γ3Χ 101325/760)Pa,將Isccm設(shè)為 (l(T6/60)m7sec。發(fā)明的效果根據(jù)本發(fā)明，根據(jù)下部電極的自偏壓來(lái)設(shè)定為O2氣體的流量比變小而Ar氣體的 流量比變大，由此不使自偏壓升高就能夠提高附著物的去除率。由此，能夠抑制載置臺(tái)的表 面受到損傷，同時(shí)能夠縮短去除附著物的時(shí)間。


圖1是表示本發(fā)明的實(shí)施方式所涉及的等離子體處理裝置的截面圖。圖2是圖1示出的載置臺(tái)的放大圖。圖3A是用表來(lái)表示將處理室內(nèi)壓力設(shè)為IOOmTorr時(shí)的處理氣體的流量比與去除 率的關(guān)系的圖。圖;3B是用表來(lái)表示將處理室內(nèi)壓力設(shè)為200mTorr時(shí)的處理氣體的流量比與去除 率的關(guān)系的圖。圖3C是用表來(lái)表示將處理室內(nèi)壓力設(shè)為400mTorr時(shí)的處理氣體的流量比與去除 率的關(guān)系的圖。圖3D是用表來(lái)表示將處理室內(nèi)壓力設(shè)為750mTorr時(shí)的處理氣體的流量比與去除 率的關(guān)系的圖。圖4A是表示用縱軸表示圖3A 圖3D的晶圓W的周緣部的去除率、用橫軸表示處 理氣體的流量比來(lái)匯總的表的圖。圖4B是表示在圖4A中以Ar氣體的流量比為0 (O2氣體為100% )的去除率來(lái)將 各流量比的去除率基準(zhǔn)化而得到的表的圖。圖5A是表示在處理室內(nèi)壓力為IOOmTorr的情況下改變第一高頻電力的大小時(shí)的 處理氣體的流量比與去除率的關(guān)系的圖。圖5B是表示在圖5A中以Ar氣體的流量比為0( 氣體為100% )的去除率來(lái)將 各流量比的去除率基準(zhǔn)化而得到的表的圖。圖6A是表示在處理室內(nèi)壓力為400mTorr的情況下改變第二高頻電力的大小時(shí)的 處理氣體的流量比與去除率的關(guān)系的圖。圖6B是表示在圖5A中以Ar氣體的流量比為0( 氣體為100% )的去除率來(lái)將 各流量比的去除率基準(zhǔn)化而得到的表的圖。圖7A是表示在處理室內(nèi)壓力為IOOmTorr的情況下改變第二高頻電力的大小時(shí)的 處理氣體的流量比與去除率的關(guān)系的圖。圖7B是表示在圖5A中以Ar氣體的流量比為0( 氣體為100% )的去除率來(lái)將 各流量比的去除率基準(zhǔn)化而得到的表的圖。圖8是用表來(lái)表示自偏壓的絕對(duì)值與去除率的關(guān)系的圖。
附圖標(biāo)記說(shuō)明100 等離子體處理裝置；102 處理室；104 筒狀部；106 筒狀保持部；108 閘 閥；110 載置臺(tái)；111 下部電極；112 靜電卡盤；114 靜電卡盤電極；115 直流電源；116 冷卻介質(zhì)室；118 導(dǎo)熱氣體供給線；119 聚焦環(huán)；120 上部電極；122 處理氣體供給部； 123 配管；124 電極板；125 氣體通氣孔；126 電極支承體；127 緩沖室；128 氣體導(dǎo)入 口 ；130 排氣通路；132 隔板；134 排氣口 ；136 排氣部；140 電力供給裝置；142 第一高 頻電力供給機(jī)構(gòu)；144 第一濾波器；146 第一匹配器；148 第一電源；152 第二高頻電力 供給機(jī)構(gòu)；巧4 第二濾波器；156 第二匹配器；158 第二電源；160 控制部；162 操作部； 164 存儲(chǔ)部；170 磁場(chǎng)形成部；172 上部磁環(huán)(magnet ring) ；174 下部磁環(huán)；W 晶圓。
具體實(shí)施例方式下面，參照附圖來(lái)詳細(xì)說(shuō)明本發(fā)明的優(yōu)選實(shí)施方式。此外，在本發(fā)明的說(shuō)明書以及 附圖中，對(duì)實(shí)質(zhì)上具有相同功能結(jié)構(gòu)的結(jié)構(gòu)要素附加相同附圖標(biāo)記而省略重復(fù)說(shuō)明。(基板處理裝置的結(jié)構(gòu)例)首先，參照附圖來(lái)說(shuō)明本發(fā)明的實(shí)施方式所涉及的基板處理裝置的結(jié)構(gòu)例。在此， 作為基板處理裝置以等離子體處理裝置為例來(lái)進(jìn)行說(shuō)明，該等離子體處理裝置對(duì)一個(gè)電極 (下部電極)重疊施加例如具有40MHz的較高頻率的第一高頻電力(等離子體產(chǎn)生用高頻 電力)以及例如具有13. 56MHz的較低頻率的第二高頻電力(偏壓用高頻電力)，來(lái)對(duì)形成 于晶圓上的被蝕刻膜進(jìn)行蝕刻。圖1是表示本實(shí)施方式所涉及的等離子體處理裝置的概要 結(jié)構(gòu)的截面圖。圖1示出的等離子體處理裝置100具備處理室(反應(yīng)室)102，該處理室(反應(yīng) 室)102具有處理容器，該處理容器由例如表面被陽(yáng)極氧化處理(鋁陽(yáng)極化處理)的鋁或者 不銹鋼等金屬構(gòu)成為呈圓筒形狀。處理室102被接地連接。在處理室102內(nèi)設(shè)置有基板載 置臺(tái)(下面簡(jiǎn)單稱為“載置臺(tái)”)110，該基板載置臺(tái)110載置基板、例如半導(dǎo)體晶圓(下面 還簡(jiǎn)單稱為“晶圓”)W。載置臺(tái)110具備圓板狀的下部電極(基座)111，在該下部電極111 的上方相對(duì)置地配置有上部電極120，該上部電極120兼作導(dǎo)入處理氣體、吹掃氣體等的噴 頭。下部電極111例如由鋁構(gòu)成。通過(guò)絕緣性的筒狀保持部106，下部電極111被保持 在從處理室102的底部向垂直上方延伸的筒狀部104上。在下部電極111上表面設(shè)置有靜 電卡盤112，該靜電卡盤112用于通過(guò)靜電吸附力來(lái)保持晶圓W。靜電卡盤112構(gòu)成為例如 在絕緣膜內(nèi)夾持包括導(dǎo)電膜的靜電卡盤電極114。直流電源115與靜電卡盤電極114進(jìn)行 電連接。通過(guò)使用該靜電卡盤112，利用來(lái)自直流電源115的直流電壓并通過(guò)庫(kù)侖力能夠?qū)?晶圓W吸附保持在靜電卡盤112上。在下部電極111內(nèi)部設(shè)置有冷卻機(jī)構(gòu)。該冷卻機(jī)構(gòu)構(gòu)成為例如通過(guò)配管將來(lái)自未 圖示的冷卻裝置的規(guī)定溫度的冷卻介質(zhì)(例如冷卻水)循環(huán)提供給下部電極111內(nèi)的在圓 周方向上延伸的冷卻室116。能夠通過(guò)冷卻介質(zhì)的溫度來(lái)控制靜電卡盤112上的晶圓W的 處理溫度。在下部電極111與靜電卡盤112上以朝向晶圓W的背面的方式配置有導(dǎo)熱氣體供 給線118。例如將He氣體等導(dǎo)熱氣體(back gas)導(dǎo)入到導(dǎo)熱氣體供給線118，提供給靜電卡盤112上表面和晶圓W背面之間。由此，加快下部電極111與晶圓W之間的熱傳導(dǎo)。以 包圍載置在靜電卡盤112上的晶圓W的周圍的方式配置有聚焦環(huán)119。聚焦環(huán)119例如由 石英、硅構(gòu)成，被設(shè)置于筒狀保持部106上表面。將上部電極120設(shè)置于處理室102的頂部。上部電極120被接地連接。處理氣體 供給部122通過(guò)配管123與上部電極120相連接，該處理氣體供給部122提供在處理室102 內(nèi)的處理所需的氣體。處理氣體供給部122包括氣體供給源、對(duì)來(lái)自氣體供給源的氣體的 導(dǎo)入進(jìn)行控制的閥以及質(zhì)量流量控制器，其中，上述氣體供給源提供例如對(duì)處理室102內(nèi) 的晶圓進(jìn)行工藝處理、對(duì)處理室102內(nèi)進(jìn)行清潔處理等所需的處理氣體、吹掃氣體等。上部電極120具有電極板IM和電極支承體126，該電極板IM具有多個(gè)氣體通氣 孔125并作為上部電極120的下表面，該電極支承體1 可拆卸地支承該電極板124。在 電極支承體126內(nèi)部設(shè)置有緩沖室127。上述處理氣體供給部122的配管123與該緩沖室 127的氣體導(dǎo)入口 1 相連接。在圖1中為了簡(jiǎn)單進(jìn)行說(shuō)明，利用一個(gè)系統(tǒng)的氣體線來(lái)表現(xiàn)處理氣體供給部122， 但是處理氣體供給部122并不限于提供單一氣體種類的處理氣體的情況，也可以供給多個(gè) 氣體種類作為處理氣體。在這種情況下，也可以設(shè)置多個(gè)氣體供給源，將處理氣體供給部 122構(gòu)成為多個(gè)系統(tǒng)的氣體線，在各氣體線上設(shè)置質(zhì)量流量控制器。作為通過(guò)這種處理氣體供給部122來(lái)提供到處理室102內(nèi)的處理氣體，例如在氧 化膜的蝕刻中使用含有Cl等的鹵素氣體。具體地說(shuō)，在對(duì)SW2膜等硅氧化膜進(jìn)行蝕刻的 情況下，使用CHF3氣體等作為處理氣體。在對(duì)Hf02、HfSiO2, ZrO2, ZrSiO4等高電解質(zhì)薄膜 進(jìn)行蝕刻的情況下，將BCl3氣體作為處理氣體而使用，或者將BCl3氣體和&氣體的混合氣 體作為處理氣體而使用。在對(duì)多晶硅膜進(jìn)行蝕刻的情況下，將HBr氣體和&氣體的混合氣 體等作為處理氣體而使用。另外，在處理室102內(nèi)的清潔中，例如使用&氣體的單一氣體、&氣體與惰性氣體 (Ar氣體、He氣體等)的混合氣體。在本實(shí)施方式所涉及的清潔處理中以使用仏氣體與Ar 氣體的混合氣體作為其處理氣體的情況為例來(lái)進(jìn)行說(shuō)明。在處理室102的側(cè)壁與筒狀部104之間形成排氣通路130，在該排氣通路130的入 口或者兩端之間安裝環(huán)狀的隔板132，并且在排氣通路130的底部設(shè)置有排氣口 134。排氣 部136通過(guò)排氣管與該排氣口 134相連接。排氣部136例如具備真空泵，能夠?qū)⑻幚硎?02 內(nèi)減壓到規(guī)定的真空度為止。另外，在處理室102的側(cè)壁安裝有閘閥108，該閘閥108關(guān)閉 和打開晶圓W的搬入搬出口。供給雙頻重疊電力的電力供給裝置140與下部電極111相連接。電力供給裝置 140包括第一高頻電力供給機(jī)構(gòu)142和第二高頻電力供給機(jī)構(gòu)152，該第一高頻電力供給機(jī) 構(gòu)142提供第一頻率的第一高頻電力(等離子體產(chǎn)生用高頻電力)，該第二高頻電力供給機(jī) 構(gòu)152提供低于第一頻率的第二頻率的第二高頻電力(偏壓產(chǎn)生用高頻電力)。第一高頻電力供給機(jī)構(gòu)142具有從下部電極111側(cè)依次進(jìn)行連接的第一濾波器 144、第一匹配器146以及第一電源148。第一濾波器144防止第二頻率的電力成分侵入到 第一匹配器146側(cè)。第一匹配器146對(duì)第一高頻電力成分進(jìn)行匹配。第二高頻電力供給機(jī)構(gòu)152具有從下部電極111側(cè)依次進(jìn)行連接的第二濾波器 154、第二匹配器156以及第二電源158。第二濾波器154防止第一頻率的電力成分侵入到第二匹配器156側(cè)。第二匹配器156對(duì)第二高頻電力成分進(jìn)行匹配。以包圍處理室102周圍的方式配置磁場(chǎng)形成部170。磁場(chǎng)形成部170具備沿著處 理室102的周圍而上下分開地配置的上部磁環(huán)172和下部磁環(huán)174，使處理室102內(nèi)產(chǎn)生包 圍等離子體處理空間的勾形磁場(chǎng)(Cusp Magnetic Field)?？刂撇?整體控制裝置)160與等離子體處理裝置100相連接，由該控制部160對(duì) 等離子體處理裝置100的各部進(jìn)行控制。另外，操作部162與控制部160相連接，該操作部 162包括鍵盤、顯示器等，其中，操作員為了管理等離子體處理裝置100而對(duì)上述鍵盤輸入 操作命令等，上述顯示器以可視化的方式對(duì)等離子體處理裝置100的運(yùn)行狀況進(jìn)行顯示。并且，存儲(chǔ)部164與控制部160相連接，該存儲(chǔ)部164存儲(chǔ)有通過(guò)控制部160的控 制來(lái)實(shí)現(xiàn)在等離子體處理裝置100中執(zhí)行的各種處理(對(duì)晶圓W進(jìn)行等離子體處理等)的 程序、執(zhí)行程序所需的處理?xiàng)l件(制程程序)等。在存儲(chǔ)部164中例如存儲(chǔ)有多個(gè)處理?xiàng)l件(制程程序)。各處理?xiàng)l件是匯總對(duì)等 離子體處理裝置100的各部進(jìn)行控制的控制參數(shù)、設(shè)定參數(shù)等多個(gè)參數(shù)值而得到的。各處 理?xiàng)l件例如具有處理氣體的流量比、處理室內(nèi)壓力以及高頻電力等參數(shù)值。此外，可以將這些程序、處理?xiàng)l件存儲(chǔ)在硬盤、半導(dǎo)體存儲(chǔ)器，并且也可以在 CD-ROM、DVD等便攜式的可由計(jì)算機(jī)讀取的存儲(chǔ)介質(zhì)中容納的狀態(tài)下設(shè)定于存儲(chǔ)部164的 規(guī)定位置?？刂撇?60根據(jù)來(lái)自操作部162的指示等從存儲(chǔ)部164讀取期望的程序、處理?xiàng)l 件來(lái)控制各部，由此執(zhí)行等離子體處理裝置100的期望的處理。另外，能夠通過(guò)來(lái)自操作部 162的操作來(lái)編輯處理?xiàng)l件。(等離子體處理裝置的動(dòng)作)接著，說(shuō)明上述結(jié)構(gòu)的等離子體處理裝置100的動(dòng)作。例如在對(duì)晶圓W進(jìn)行等離子 體蝕刻處理的情況下，將未處理晶圓W通過(guò)未圖示的搬運(yùn)臂從閘閥108搬入到處理室102。 當(dāng)將晶圓W載置到載置臺(tái)110上、即靜電卡盤112上時(shí)，接通直流電源115將晶圓W吸附保 持在靜電卡盤112上，由此開始進(jìn)行等離子體蝕刻處理。根據(jù)預(yù)先設(shè)定的工藝制程程序來(lái)執(zhí)行等離子體蝕刻處理。具體地說(shuō)，將處理室102 內(nèi)減壓到規(guī)定的壓力，將規(guī)定的處理氣體(例如含有C4F8氣體、A氣體以及Ar氣體的混合 氣體)從上部電極120以規(guī)定流量以及流量比導(dǎo)入到處理室102內(nèi)。在這種狀態(tài)下，從第一電源148向下部電極111提供IOMHz以上的、例如IOOMHz的 高頻電力作為第一高頻電力，從第二電源158向下部電極111提供2MHz以上且小于IOMHz 的、例如3MHz的高頻電力作為第二高頻電力。由此，在下部電極111與上部電極120之間 通過(guò)第一高頻電力的作用產(chǎn)生處理氣體的等離子體，并且在下部電極111中通過(guò)第二高頻 電力的作用產(chǎn)生自偏壓(-Vdc)，能夠?qū)AW執(zhí)行等離子體蝕刻處理。這樣，將第一高頻電 力和第二高頻電力提供到下部電極111并使該第一高頻電力和第二高頻電力重疊，由此能 夠適當(dāng)?shù)乜刂频入x子體來(lái)進(jìn)行良好的等離子體蝕刻處理。當(dāng)結(jié)束蝕刻處理時(shí)，斷開直流電源115來(lái)去除靜電卡盤112的吸附保持力，將晶圓 W通過(guò)未圖示的搬運(yùn)臂從閘閥108搬出。當(dāng)執(zhí)行這種晶圓W的等離子體蝕刻處理時(shí)，在處理室102內(nèi)產(chǎn)生等離子體處理的 反應(yīng)產(chǎn)物等微粒。該微粒不僅附著于處理室102內(nèi)的側(cè)壁，還附著于配置在處理室102內(nèi)的載置臺(tái)110等。例如圖2示出的微粒還進(jìn)入到晶圓W與聚焦環(huán)119之間而還附著于靜電 卡盤112的周緣部的上側(cè)。當(dāng)放任不管這樣附著的附著物(例如CF共聚物)時(shí)，每次重復(fù)進(jìn)行等離子體處理 時(shí)附著物不斷堆積，因此導(dǎo)致使晶圓W的吸附保持力降低或者在利用搬運(yùn)臂將晶圓W載置 到靜電卡盤112上時(shí)晶圓W產(chǎn)生位置偏差這種問(wèn)題。另外，當(dāng)附著物的一部分被切削而分 離時(shí)，有時(shí)還附著于晶圓W上。當(dāng)附著于晶圓W時(shí)，導(dǎo)致由此制造的半導(dǎo)體設(shè)備的布線短路 等，成為成品率下降的主要原因。因此，在等離子體處理裝置100中，以固定定時(shí)對(duì)處理室102內(nèi)進(jìn)行清潔處理。例 如可以在每次對(duì)一個(gè)晶圓W進(jìn)行等離子體蝕刻處理結(jié)束時(shí)進(jìn)行清潔處理，并且也可以在每 次對(duì)一批(例如二十五個(gè))晶圓W進(jìn)行等離子體蝕刻處理結(jié)束時(shí)進(jìn)行清潔處理。在清潔處理中，將清潔用的處理氣體導(dǎo)入到處理室102內(nèi)，保持規(guī)定壓力。在這種 狀態(tài)下，從第一電源148向下部電極111提供IOMHz以上的、例如IOOMHz的高頻電力作為 第一高頻電力，從第二電源158向下部電極111提供2MHz以上且小于IOMHz的、例如3MHz 的高頻電力作為第二高頻電力。由此，在下部電極111與上部電極120之間通過(guò)第一高頻 電力的作用產(chǎn)生處理氣體的等離子體，并且在下部電極111中通過(guò)第二高頻電力的作用產(chǎn) 生自偏壓，由此能夠?qū)μ幚硎?02內(nèi)執(zhí)行清潔處理。(在清潔處理中使用的處理氣體)在這種清潔處理中，通常使用A氣體作為處理氣體來(lái)利用A等離子體來(lái)去除附著 物。然而，O2等離子體存在去除率較低并費(fèi)時(shí)這種問(wèn)題。特別是，附著于圖2示出的靜電卡 盤112的周緣部的上側(cè)的附著物形成共聚物(例如CF共聚物)，因此去除時(shí)費(fèi)時(shí)。這一點(diǎn)，為了提高附著物的去除率，例如盡可能降低處理室102內(nèi)的壓力或者增加 施加到各電極的高頻電力，由此最容易使下部電極111的自偏壓升高。然而，在靜電卡盤112 上不載置晶圓W而進(jìn)行的無(wú)晶圓清潔時(shí)，靜電卡盤112的表面暴露于等離子體。因此，越使下 部電極111的自偏壓升高，離子沖擊就越大，因而導(dǎo)致靜電卡盤112的表面容易受到損傷。因此，通過(guò)進(jìn)行各種試驗(yàn)本發(fā)明者們發(fā)現(xiàn)使用&氣體和惰性氣體(例如Ar氣 體)的混合氣體作為清潔處理的處理氣體，僅改變其流量比而不使自偏壓升高就能夠提高 去除率。由此，能夠抑制靜電卡盤112的表面受到損傷，同時(shí)能夠提高附著物的去除率。更具體地進(jìn)行說(shuō)明，發(fā)明者們通過(guò)試驗(yàn)確認(rèn)了處理室102內(nèi)的壓力、第一高頻電 力(等離子體產(chǎn)生用高頻電力)以及第二高頻電力(偏壓產(chǎn)生用高頻電力)相對(duì)于O2氣 體和惰性氣體的流量比的關(guān)系，得到了出乎意料的結(jié)果。通常認(rèn)為，在使用&氣體和惰性氣體的混合氣體的情況下，越增大惰性氣體的流 量比，O2氣體的分壓越下降，因此附著物的去除率也變小。然而，在實(shí)際試驗(yàn)中，由試驗(yàn)結(jié)果 判明如下范圍根據(jù)處理室內(nèi)壓力、第一和第二高頻電力的大小，以減小02氣體的流量比的 方式增加Ar氣體，附著物的去除率更高。下面，參照附圖來(lái)說(shuō)明這些試驗(yàn)結(jié)果。首先，說(shuō)明關(guān)于改變清潔處理中的處理室內(nèi) 壓力時(shí)的處理氣體的流量比與附著物的去除率的關(guān)系的試驗(yàn)結(jié)果。在該試驗(yàn)中，使用O2氣 體和Ar氣體的混合氣體作為處理氣體，在與清潔處理?xiàng)l件相同的條件下對(duì)直徑300mm的晶 圓W進(jìn)行蝕刻，測(cè)量其蝕刻率作為附著物的去除率，其中，該晶圓W形成有與附著于下部電 極的成分相同的CF共聚物。
圖3A 圖3D分別為用曲線圖表示將處理室內(nèi)壓力設(shè)為IOOmTorr、200mTorr、 400mTorr,750mTorr時(shí)改變處理氣體的流量比來(lái)測(cè)量得到的去除率的圖。將處理氣體整體 的流量作為lOOOsccm并改變&氣體和Ar氣體的流量比來(lái)進(jìn)行蝕刻(清潔)。具體地說(shuō)，在圖3A 圖3D中如通常例那樣也通過(guò)仏氣體的流量比/Ar氣體的流 量比來(lái)表示時(shí)，分別以 1000sccm/0sccm(02 氣體 100% )、750sccm/250sccm(02 氣體 75% )、 500sccm/500sccm(02 氣體 50% ) U50sccm/850sccm(02 氣體 15% )、50sccm/950sccm(02 氣 體5% )U0sccm/990sccm(02氣體)進(jìn)行蝕刻來(lái)測(cè)量了去除率。此外，其它處理?xiàng)l件為 以下處理?xiàng)l件。[處理?xiàng)l件]第一高頻電力500W第二高頻電力0W上部電極溫度60deg側(cè)壁溫度60deg下部電極溫度40deg處理時(shí)間30sec根據(jù)圖3A 圖3D，如果整體地觀察晶圓W的面內(nèi)位置，則在圖3A、圖示出的 IOOmTorr,200mTorr的情況下，越是以減小化氣體的流量比的方式增加Ar氣體，去除率越 下降。與此相對(duì)，在圖3C、圖3D示出的400mTorr、750mTorr的情況下，越是以減小仏氣體 的流量比的方式增加Ar氣體，去除率越提高。而且，可知當(dāng)減小O2氣體的流量比時(shí)，周緣 部的去除率高于晶圓W的中央部。因此，特別是，不會(huì)損傷靜電卡盤112的中央部而能夠提 高周緣部的附著物的去除效率這一點(diǎn)效果較大。因此，當(dāng)用縱軸表示圖3A 圖3D的晶圓W的周緣部的去除率、用橫軸表示處理氣 體的流量比來(lái)匯總時(shí)，形成圖4A、圖4B示出的狀態(tài)。圖4A、圖4B的橫軸是以Ar氣體/ (Ar 氣體+O2氣體)的百分率來(lái)表示處理氣體的流量比，因此流量比0%為&氣體100%，流量 比100%為O2氣體0%。圖4A是將從晶圓W的外緣向中心部的Imm的位置(在圖3A 圖3D中-149mm的位 置)的去除率按照每個(gè)壓力用表來(lái)表示的圖。圖4B是將圖4A的Ar氣體的流量比0(02氣體 100%)的去除率設(shè)為基準(zhǔn)(1)而使各流量比的去除率基準(zhǔn)化的圖。即，將各流量比的去除 率除以Ar氣體的流量比0(02氣體100%)的去除率而得到的值作為曲線圖而用表來(lái)表示的 圖。此外，在圖4A、圖4B中還添加O2氣體的流量比/Ar氣體的流量比為250SCCm/750SCCm(A 氣體25% ) ,30sccm/970sccm(02氣體3% )的情況下的試驗(yàn)數(shù)據(jù)。根據(jù)圖4A、圖4B，在晶圓W的周緣部的去除率表現(xiàn)為在IOOmTorr的情況下，越 是以A氣體的流量比減小的方式增加Ar氣體，去除率越下降。與此相對(duì)，隨著壓力變高到 200mTorr、400mTorr、750mTorr，以仏氣體的流量比減小的方式增加Ar氣體，去除率變大。 特別是，在400mTorr以上時(shí)存在與O2氣體100%的情況相比去除率大幅變大至大致1. 75 倍的流量比。但是，在任何壓力的情況下A氣體過(guò)于低時(shí)，去除率也變小，因此優(yōu)選使用去 除率最大處附近的流量比。另夕卜，當(dāng)將處理室102內(nèi)的壓力升高到200mTorr、400mTorr、750mTorr時(shí)，離子能 量減小。于是，根據(jù)上述試驗(yàn)結(jié)果認(rèn)為以O(shè)2氣體的流量比減小的方式增加Ar氣體時(shí)，在離子能量越低的范圍，去除率越變大，因此進(jìn)行了試驗(yàn)以驗(yàn)證該情況。在此，首先，說(shuō)明即使增加Ar氣體去除率也沒(méi)有那樣程度提高的條件、即在處理 室內(nèi)壓力為IOOmTorr、200mTorr時(shí)改變施加到下部電極111的第一高頻電力的大小來(lái)進(jìn)行 的試驗(yàn)結(jié)果。具體地說(shuō)，將第二高頻電力固定為OW來(lái)改變第一高頻電力的大小而進(jìn)行了與 圖3A (IOOmTorr)、圖!BBQOOmTorr)的情況相同的試驗(yàn)。圖5A、圖5B是在IOOmTorr的情況 下與圖4A、圖4B同樣地用橫軸表示晶圓W的周緣部(-149mm的位置)的去除率、用縱軸表 示處理氣體的流量比來(lái)匯總的圖。圖6A、圖6B是在200mTorr的情況下與圖4A、圖4B同樣 地用橫軸表示晶圓W的周緣部(-149mm的位置)的去除率、用縱軸表示處理氣體的流量比 來(lái)匯總的圖。根據(jù)圖5A、圖5B、圖6A、圖6B可知，在處理室內(nèi)壓力為IOOmTorr的情況與 200mTorr的情況下，將第一高頻電力從500W減小到200W，以減小O2氣體的流量比的方式增 加Ar氣體時(shí)的去除率的上升率變大。根據(jù)圖6A、圖6B可知，在200mTorr的情況下去除率 的上升率更明顯變大。由此可知，即使在處理室內(nèi)壓力為IOOmTorr的情況與200mTorr的情 況下，當(dāng)通過(guò)減小第一高頻電力來(lái)減小離子能量時(shí)，與圖3CGOOmTorr)、圖3D (750mTorr) 的情況同樣地存在Ar氣體增加的效果所呈現(xiàn)的趨勢(shì)。接著，說(shuō)明增加Ar氣體時(shí)去除率提高的條件、即處理室內(nèi)壓力為400mTOrr的情況 下增加施加到下部電極111的第二高頻電力來(lái)增加離子能量的情況下的試驗(yàn)結(jié)果。具體地 說(shuō)，將第一高頻電力固定為500W來(lái)改變第二高頻電力的大小而進(jìn)行了與圖3C GOOmT0rr) 的情況相同的試驗(yàn)。圖7A、圖7B是在400mTorr的情況下與圖4A、圖4B同樣地用橫軸表示 晶圓W的周緣部(-149mm的位置)的去除率、用縱軸表示處理氣體的流量比來(lái)匯總的圖。根據(jù)圖7A、圖7B可知，與OW相比，當(dāng)將第二高頻電力升高到150W、300W來(lái)增加 離子能量時(shí)，以A氣體的流量比減小的方式增加Ar氣體，去除率也不會(huì)提高。由此可知， 即使在處理室內(nèi)壓力為400mTorr的情況下，當(dāng)增加第二高頻電力并增加離子能量時(shí)，與圖 3A(IOOmTorr)、圖!BBQOOmTorr)的情況同樣地存在Ar氣體增加的效果減弱的趨勢(shì)。根據(jù)上述試驗(yàn)結(jié)果可知，使附著物的去除率提高的Ar氣體和&氣體的流量比與 離子能量具有緊密關(guān)系。離子能量與下部電極的自偏壓(-Vdc)的大小對(duì)應(yīng)，因此，在此從 上述各試驗(yàn)結(jié)果匯總自偏壓(-Vdc)與附著物的去除率的關(guān)系。圖8是用表來(lái)表示該關(guān)系 的圖。圖8是選擇上述各試驗(yàn)結(jié)果中適合于提高去除率的處理氣體的流量比來(lái)求出此 時(shí)的自偏壓(-Vdc)并用橫軸表示其絕對(duì)值、用縱軸表示附著物的去除率并用表來(lái)表示它 們的關(guān)系的圖。具體地說(shuō)，根據(jù)圖4A、圖4B等的試驗(yàn)結(jié)果在去除率變得最大的范圍內(nèi)選擇 了處理氣體流量比。在此，使用如下情況下的數(shù)據(jù)按照A氣體的流量相比于由A氣體和 Ar氣體構(gòu)成的處理氣體整體的比例8 %、33 %、100 %來(lái)進(jìn)行試驗(yàn)求出去除率。根據(jù)圖8，當(dāng)分別對(duì)O2氣體8^^33^^100%的數(shù)據(jù)圖進(jìn)行直線近似時(shí)，形成各直 線y8、y33、yl00。即，這些直線y8、y33、ylOO的傾斜不同。這些直線y8、y33、ylOO中的越 是出現(xiàn)在上側(cè)的直線越能夠提高去除率，因此根據(jù)自偏壓的范圍不同而出現(xiàn)在上側(cè)的直線 也發(fā)生變化。由此可知，根據(jù)自偏壓的范圍不同，適合于提高去除率的處理氣體的流量比發(fā) 生變化。例如在自偏壓(-Vdc)的絕對(duì)值為非常大的160V以上的情況下，直線ylOO處于最上側(cè)，因此在O2氣體100%的情況下，去除率最高。與此相對(duì)，在自偏壓的絕對(duì)值為比上述 低的50V以上160V以下的情況下，直線y33處于最上側(cè)，因此在O2氣體33%的情況下，去 除率最高。并且，在自偏壓的絕對(duì)值為較低的50V以下的情況下，直線y8處于最上側(cè)，因此 在&氣體8%的情況下，去除率最高。因此考慮，即使在自偏壓較小的范圍內(nèi)以A氣體的流量比減小的方式增加Ar氣 體也能夠提高去除率的原因是例如等離子體密度，根據(jù)該觀點(diǎn)考慮以下情況。Ar氣體能夠 在電離時(shí)耗費(fèi)能量而容易變成Ar離子，與此相對(duì)，O2氣體離解為氧自由基也需要較多能量， 因此僅利用O2氣體無(wú)法提高等離子體密度。因此，越增加Ar氣體，自偏壓越降低，因此難以 保持較高的去除率，但是相應(yīng)地Ar離子的數(shù)量增加而離子密度、電子密度也增加，因此加 快A氣體的離解。因而推斷，在自偏壓較小的范圍中，增加Ar氣體會(huì)使&氣體容易電離， 由此能夠大幅提高附著物的去除效率。因此，在本實(shí)施方式的清潔處理中，在規(guī)定處理?xiàng)l件下對(duì)處理室102內(nèi)進(jìn)行清潔 時(shí)，按照根據(jù)下部電極111的自偏壓以如下方式設(shè)定的流量比將含有A氣體和Ar氣體的 處理氣體提供給處理室102內(nèi)，對(duì)電極之間施加高頻電力來(lái)產(chǎn)生等離子體，該方式為上述 下部電極的自偏壓的絕對(duì)值越小，O2氣體的流量比越小，而Ar氣體的流量比越大。更具體地說(shuō)，在使用自偏壓(-Vdc)的絕對(duì)值為50V以下的處理?xiàng)l件的情況下，以 O2氣體8%以上且小于33%的方式設(shè)定A氣體和Ar氣體的流量比。另外，在使用自偏壓 的絕對(duì)值大于50V且小于160V的處理?xiàng)l件的情況下，以&氣體33%以上且小于100%的 方式設(shè)定A氣體和Ar氣體的流量比。也可以預(yù)先將這些處理氣體的流量比與其它處理?xiàng)l 件一起存儲(chǔ)在存儲(chǔ)部164中，在執(zhí)行清潔時(shí)讀取這些處理氣體的流量比來(lái)使用。這樣，本發(fā)明的發(fā)明者們發(fā)現(xiàn)了自偏壓(-Vdc)與處理氣體的流量比之間具有固 定關(guān)聯(lián)性，得到了僅根據(jù)自偏壓(-Vdc)來(lái)改變使用于清潔的處理氣體的流量比就能夠有 效地提高去除率。由此，不提高自偏壓(-Vdc)就能夠提高對(duì)附著物的去除率，因此能夠抑制靜電卡 盤112的表面受到損傷，同時(shí)能夠縮短去除附著在靜電卡盤112的周緣部的附著物所需的 時(shí)間。此外，在使用自偏壓的絕對(duì)值為160V以上的處理?xiàng)l件的情況下，也可以是，以O(shè)2 氣體100%以上的方式設(shè)定O2氣體和Ar氣體的流量比。但是，為了抑制載置臺(tái)110的表面 (靜電卡盤112的表面)受到損傷的同時(shí)通過(guò)增加Ar氣體來(lái)提高附著物的去除率，則優(yōu)選 在自偏壓的絕對(duì)值小于160V的范圍、小于50V的范圍的處理?xiàng)l件下進(jìn)行清潔。另外，在上述實(shí)施方式中，以將Ar氣體作為惰性氣體加入到&氣體中作為清潔用 的處理氣體為例進(jìn)行了說(shuō)明，但是并不限于此。作為這種惰性氣體除了使用Ar氣體以外， 例如還能夠使用He氣體、Ne氣體、Kr氣體等。另外，本發(fā)明還能夠通過(guò)以下方式來(lái)實(shí)現(xiàn)將存儲(chǔ)有實(shí)現(xiàn)上述實(shí)施方式的功能的 軟件的程序的存儲(chǔ)介質(zhì)等介質(zhì)提供給系統(tǒng)或者裝置，該系統(tǒng)或者裝置的計(jì)算機(jī)(或者CPU、 MPU)讀取存儲(chǔ)在存儲(chǔ)介質(zhì)等介質(zhì)中的程序并執(zhí)行。在這種情況下，從存儲(chǔ)介質(zhì)等介質(zhì)讀取的程序本身可實(shí)現(xiàn)上述實(shí)施方式的功能， 存儲(chǔ)有該程序的存儲(chǔ)介質(zhì)等介質(zhì)構(gòu)成本發(fā)明。作為用于提供程序的存儲(chǔ)介質(zhì)等介質(zhì)，例 如可舉出軟盤(注冊(cè)商標(biāo))、硬盤、光盤、磁光盤、CD-ROM、CD-R、CD-RW、DVD-ROM、DVD-RAM、DVD-RW、DVD+RW、磁帶、非易失性存儲(chǔ)卡以及ROM等。另外，還能夠?qū)⒊绦蛲ㄟ^(guò)網(wǎng)絡(luò)下載到介 質(zhì)來(lái)提供。此外，不僅通過(guò)執(zhí)行計(jì)算機(jī)所讀取的程序來(lái)實(shí)現(xiàn)上述實(shí)施方式的功能被包括在本 發(fā)明中，以下情況也被包括在本發(fā)明中在計(jì)算機(jī)上運(yùn)行的OS (操作系統(tǒng))等根據(jù)該程序的 指示來(lái)進(jìn)行實(shí)際處理的一部分或者全部，通過(guò)該處理來(lái)實(shí)現(xiàn)上述實(shí)施方式的功能。并且，以下情況也被包括在本發(fā)明中從存儲(chǔ)介質(zhì)等介質(zhì)讀取的程序被寫入到插 入到計(jì)算機(jī)的功能擴(kuò)展卡、與計(jì)算機(jī)相連接的功能擴(kuò)展單元所具備的存儲(chǔ)器中之后，該功 能擴(kuò)展卡、功能擴(kuò)展單元所具備的CPU等根據(jù)該程序的指示來(lái)進(jìn)行實(shí)際處理的一部分或者 全部，通過(guò)該處理來(lái)實(shí)現(xiàn)上述實(shí)施方式的功能。以上，參照

了本發(fā)明的優(yōu)選實(shí)施方式，但是，當(dāng)然本發(fā)明并不限于上述例 子。本領(lǐng)域技術(shù)人員在權(quán)利要求的范圍中記載的范疇內(nèi)能夠想到各種變更例或者修改例是 顯而易見的，當(dāng)然，這些也屬于本發(fā)明的技術(shù)范圍內(nèi)。例如在上述實(shí)施方式中作為基板處理裝置，以僅對(duì)下部電極重疊并施加兩種高頻 電力來(lái)產(chǎn)生等離子體的類型的等離子體處理裝置為例進(jìn)行了說(shuō)明，但是并不限于此，也可 以應(yīng)用于其它類型例如僅對(duì)下部電極施加一種高頻電力的類型、將兩種高頻電力分別施加 到上部電極與下部電極的類型的等離子體處理裝置。并且，作為能夠應(yīng)用本發(fā)明的基板處 理裝置，并不限于等離子體處理裝置，也可以應(yīng)用于進(jìn)行成膜處理的加熱處理裝置。產(chǎn)業(yè)上的可利用件能夠?qū)⒈景l(fā)明應(yīng)用于清潔處理室內(nèi)的基板處理裝置、其清潔方法以及記錄有程序 的記錄介質(zhì)，其中，該處理室內(nèi)具備例如載置半導(dǎo)體晶圓、FPD基板等基板的基板載置臺(tái)。
權(quán)利要求
1.一種基板處理裝置的清潔方法，對(duì)基板處理裝置的處理室內(nèi)進(jìn)行清潔，該處理室構(gòu) 成為能夠減壓，在該處理室內(nèi)相對(duì)置地配置有上部電極和下部電極并且具備設(shè)置有上述下 部電極的基板載置臺(tái)，該基板處理裝置的清潔方法的特征在于，在規(guī)定處理?xiàng)l件下清潔上述處理室內(nèi)時(shí)，按照根據(jù)上述下部電極的自偏壓以如下方式 設(shè)定的流量比將含有A氣體和惰性氣體的處理氣體提供給上述處理室內(nèi)，對(duì)上述上部電極 和上述下部電極之間施加高頻電力來(lái)產(chǎn)生等離子體，該方式為上述下部電極的自偏壓的 絕對(duì)值越小，上述O2氣體的流量比越小，而惰性氣體的流量比越大。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的基板處理裝置的清潔方法，其特征在于， 上述惰性氣體為Ar氣體，在上述自偏壓的絕對(duì)值為50V以下的處理?xiàng)l件下進(jìn)行清潔的情況下，以上述O2氣體的 流量比為上述處理氣體整體的8%以上且小于33%的方式設(shè)定上述&氣體和上述Ar氣體 的流量比。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的基板處理裝置的清潔方法，其特征在于，在上述自偏壓的絕對(duì)值為大于50V且小于160V的處理?xiàng)l件下進(jìn)行清潔的情況下，以上 述A氣體的流量比為上述處理氣體整體的33%以上且小于100%的方式設(shè)定上述&氣體 和上述Ar氣體的流量比。
4.一種基板處理裝置，其特征在于，該基板處理裝置設(shè)置有以下部分 處理室，其構(gòu)成為能夠減壓；上部電極和下部電極，該上部電極和下部電極相對(duì)置地配置于上述處理室內(nèi)； 基板載置臺(tái)，其設(shè)置有上述下部電極；電力供給裝置，其將規(guī)定的高頻電力提供給上述上部電極和上述下部電極之間； 氣體供給部，其將A氣體和惰性氣體作為清潔用的處理氣體提供給上述處理室內(nèi)； 排氣部，其對(duì)上述處理室內(nèi)進(jìn)行排氣來(lái)將上述處理室內(nèi)減壓到規(guī)定壓力； 存儲(chǔ)部，其對(duì)在規(guī)定處理?xiàng)l件下清潔上述處理室內(nèi)時(shí)的上述處理氣體的流量比進(jìn)行存 儲(chǔ)，該處理氣體的流量比是根據(jù)上述下部電極的自偏壓以如下方式設(shè)定的，該方式為上述 下部電極的自偏壓的絕對(duì)值越小，上述O2氣體的流量比越小，而惰性氣體的流量比越大；以 及控制部，其在清潔上述處理室內(nèi)時(shí)，從上述存儲(chǔ)部讀取與上述自偏壓對(duì)應(yīng)的流量比，按 照該流量比使上述氣體供給部提供上述A氣體和上述惰性氣體，使上述電力供給裝置對(duì)上 述上部電極和上述下部電極之間施加規(guī)定的高頻電力來(lái)產(chǎn)生等離子體。
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的基板處理裝置，其特征在于， 上述惰性氣體為Ar氣體，在上述自偏壓的絕對(duì)值為50V以下的處理?xiàng)l件下進(jìn)行清潔的情況下，將上述O2氣體的 流量比為上述處理氣體整體的8%以上且小于33%的上述&氣體和上述Ar氣體的流量比 存儲(chǔ)到上述存儲(chǔ)部。
6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的基板處理裝置，其特征在于，在上述自偏壓的絕對(duì)值為大于50V且小于160V的處理?xiàng)l件下進(jìn)行清潔的情況下，將上 述O2氣體的流量比為上述處理氣體整體的33%以上且小于100%的上述O2氣體和上述Ar 氣體的流量比存儲(chǔ)到上述存儲(chǔ)部。
全文摘要
提供一種基板處理裝置及其清潔方法，不使下部電極的自偏壓升高就能夠提高基板載置臺(tái)的附著物的去除率。在規(guī)定處理?xiàng)l件下清潔處理室(102)內(nèi)時(shí)，按照根據(jù)下部電極(111)的自偏壓以如下方式設(shè)定的流量比將含有O2氣體和惰性氣體的處理氣體提供給處理室內(nèi)，對(duì)下部電極(111)與上部電極(120)的電極之間施加高頻電力來(lái)產(chǎn)生等離子體，該方式為上述下部電極的自偏壓的絕對(duì)值越小，上述O2氣體的流量比越小，而惰性氣體的流量比越大。
文檔編號(hào)H01L21/00GK102117733SQ20101056153
公開日2011年7月6日 申請(qǐng)日期2010年11月18日 優(yōu)先權(quán)日2009年11月18日
發(fā)明者三村高范, 本田昌伸, 村上貴宏, 花岡秀敏 申請(qǐng)人:東京毅力科創(chuàng)株式會(huì)社