專利名稱：晶片的加工方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及將晶片分割成一個(gè)個(gè)器件的晶片的加工方法。
背景技術(shù)：
半導(dǎo)體晶片在表面具有器件區(qū)域和圍繞器件區(qū)域的外周剩余區(qū)域，所述器件區(qū)域是在由形成為格子狀的分割預(yù)定線劃分出的區(qū)域中分別形成有ICGntegrated circuit 集成電路)、LSI (large-scale integration 大規(guī)模集成電路)等器件的區(qū)域，在對(duì)該半導(dǎo)體晶片的背面進(jìn)行磨削而使其減薄至預(yù)定的厚度之后，利用切割裝置(切削裝置)沿著分割預(yù)定線進(jìn)行切削，由此將半導(dǎo)體晶片分割成一個(gè)個(gè)器件，分割出的器件廣泛利用于移動(dòng)電話機(jī)、個(gè)人計(jì)算機(jī)等各種電氣設(shè)備。然而，在半導(dǎo)體晶片中，為了防止在半導(dǎo)體晶片的前半部分工藝中晶片破裂或產(chǎn)生灰塵，在晶片的外周形成有倒角部。因此，當(dāng)對(duì)晶片的背面進(jìn)行磨削而使晶片減薄時(shí)，形成于晶片的外周的倒角部形成為銳利的刀刃(knife edge)狀，存在晶片變得容易破損且操作者有可能因刀刃而負(fù)傷的問題。因此，在日本特許第3515917號(hào)公報(bào)中提出有在對(duì)晶片的背面進(jìn)行磨削之前除去形成于晶片外周的倒角部的技術(shù)。專利文獻(xiàn)1 日本特許第3515917號(hào)公報(bào)但是，如果為了將倒角部從晶片的外周除去而像專利文獻(xiàn)1所公開的那樣將切削刀具的切削刃定位于晶片的表面來對(duì)晶片進(jìn)行切削，則存在形成于晶片表面的器件被切屑污染的問題。此外，如果將晶片的外周切削成圓形而除去倒角部，則晶片的外周形成為垂直的截面，因此，存在當(dāng)在磨削工序中對(duì)晶片的背面進(jìn)行磨削時(shí)晶片的外周容易受到磨削磨具的沖擊而產(chǎn)生缺損的問題。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明就是鑒于這種問題而做出的，其目的在于提供一種晶片的表面不會(huì)被切屑污染且不會(huì)在晶片的外周產(chǎn)生缺損的晶片的加工方法。根據(jù)本發(fā)明，提供一種如下的晶片的加工方法，該晶片在表面具有器件區(qū)域和圍繞所述器件區(qū)域的外周剩余區(qū)域，所述器件區(qū)域是在由形成為格子狀的分割預(yù)定線劃分出的區(qū)域中形成有多個(gè)器件的區(qū)域，所述晶片的加工方法的特征在于，所述晶片的加工方法包括以下工序保護(hù)帶粘貼工序，在該保護(hù)帶粘貼工序中，將保護(hù)帶粘貼于晶片的表面；輔助環(huán)形成工序，在該輔助環(huán)形成工序中，利用卡盤工作臺(tái)吸引保持所述晶片的所述保護(hù)帶側(cè)，將切削刀具從晶片的背面定位在所述器件區(qū)域與所述外周剩余區(qū)域之間的邊界部，并對(duì)晶片進(jìn)行切削，從而形成環(huán)狀的切削槽，并使所述外周剩余區(qū)域作為輔助環(huán)殘留；以及背面磨削工序，在該背面磨削工序中，對(duì)晶片的與所述器件區(qū)域?qū)?yīng)的背面和與所述外周剩余區(qū)域?qū)?yīng)的背面進(jìn)行磨削，從而將晶片形成為預(yù)定的厚度。根據(jù)本發(fā)明，在將保護(hù)帶粘貼于晶片的表面之后，將切削刀具從晶片的背面定位在器件區(qū)域與外周剩余區(qū)域之間的邊界部并對(duì)晶片進(jìn)行切削，從而形成環(huán)狀的切削槽，使器件區(qū)域與外周剩余區(qū)域分離并使外周剩余區(qū)域作為輔助環(huán)殘留，因此晶片的表面不會(huì)被切屑污染。此外，由于在外周剩余區(qū)域圍繞器件區(qū)域地粘貼于保護(hù)帶的狀態(tài)下對(duì)晶片的背面進(jìn)行磨削，因此磨削磨具的沖擊在晶片的器件區(qū)域的外周邊緣部分被緩和，不會(huì)在晶片的外周產(chǎn)生缺損。


圖1是表示保護(hù)帶粘貼工序的立體圖。圖2是表示利用卡盤工作臺(tái)保持晶片的晶片保持工序的立體圖。圖3是表示利用切削刀具將器件區(qū)域與外周剩余區(qū)域之間的邊界部切削成圓形的輔助環(huán)形成工序的立體圖。圖4是表示輔助環(huán)形成工序的剖視圖。圖5是表示背面磨削工序的立體圖。圖6是背面磨削工序之后的晶片的剖視圖。標(biāo)號(hào)說明10 卡盤工作臺(tái)；11 半導(dǎo)體晶片；12 切削單元；15 器件；17 器件區(qū)域；18 切削刀具；19 外周剩余區(qū)域；20 環(huán)狀切削槽；22 倒角部；23 保護(hù)帶；24 卡盤工作臺(tái)；26 磨輪；34 磨削磨具。
具體實(shí)施例方式以下，參照附圖對(duì)本發(fā)明的實(shí)施方式進(jìn)行詳細(xì)說明。圖1所示的半導(dǎo)體晶片11例如由厚度為700 μ m的硅晶片構(gòu)成，在其表面Ila呈格子狀地形成有多條分割預(yù)定線(間隔道)13，并且，在由所述多條分割預(yù)定線13劃分出的多個(gè)區(qū)域中分別形成有IC、LSI等器件 15。以這種方式構(gòu)成的晶片11具備形成有器件15的器件區(qū)域17 ；和圍繞器件區(qū)域 17的外周剩余區(qū)域19。并且，在晶片11的外周形成有作為表示硅晶片的結(jié)晶方位的標(biāo)記的凹口 21。在本發(fā)明的晶片加工方法中，為了保護(hù)在晶片11的表面Ila形成的器件15，如圖 1所示在晶片11的表面Ila粘貼保護(hù)帶23。該保護(hù)帶23是具有通過照射紫外線而粘接力下降的粘接層的保護(hù)帶、即紫外線硬化型保護(hù)帶。接著，實(shí)施輔助環(huán)形成工序，在該輔助環(huán)形成工序中，如圖2所示，利用切削裝置的卡盤工作臺(tái)10吸引保持保護(hù)帶23側(cè)，并對(duì)器件區(qū)域17與外周剩余區(qū)域19之間的邊界部進(jìn)行切削，從而形成環(huán)狀的切削槽。在該輔助環(huán)形成工序中，由于如圖3所示地利用卡盤工作臺(tái)10吸引保持保護(hù)帶23 側(cè)，因此晶片11的背面lib露出。在以能夠旋轉(zhuǎn)的方式收納于切削單元12的主軸箱14中的主軸16的末端裝配有切削刀具18，切削刀具18通過未圖示的電動(dòng)機(jī)而朝箭頭A方向高速旋轉(zhuǎn)。然后，將高速旋轉(zhuǎn)的切削刀具18定位在與晶片11的器件區(qū)域17和外周剩余區(qū)域19之間的邊界部對(duì)應(yīng)的晶片11的背面11b，一邊使卡盤工作臺(tái)10朝箭頭B方向低速旋轉(zhuǎn)， 一邊如圖4所示地將器件區(qū)域17與外周剩余區(qū)域19之間的邊界部切削至到達(dá)保護(hù)帶23 的深度，從而形成環(huán)狀的切削槽20，并使外周剩余區(qū)域19作為輔助環(huán)殘留(輔助環(huán)形成工序)。在圖4中標(biāo)號(hào)22表示倒角部。在利用切削刀具18將晶片11的器件區(qū)域17與外周剩余區(qū)域19之間的邊界部切削成圓形的輔助環(huán)形成工序中，晶片的切屑會(huì)飛散，但是，由于晶片11的表面Ila被保護(hù)帶 23保護(hù)，因此晶片11的表面不會(huì)被切屑污染。在實(shí)施輔助環(huán)形成工序之后，實(shí)施使用磨削裝置對(duì)晶片11的背面lib進(jìn)行磨削的背面磨削工序。即，如圖5所示，利用磨削裝置的卡盤工作臺(tái)M吸引保持保護(hù)帶23側(cè)，使形成有環(huán)狀切削槽20的晶片11的背面lib露出。在圖5中，在磨削裝置的主軸28的末端部固定有磨輪安裝座(Wheelmoimt)30， 磨輪沈利用螺釘31裝配于該磨輪安裝座30。磨輪沈通過在環(huán)狀基座32的自由端部緊固多個(gè)磨削磨具；34而構(gòu)成，該磨削磨具34通過利用陶瓷結(jié)合劑等固定例如粒徑為0. 3 1. Ομπι的金剛石磨粒而形成。在該背面磨削工序中，使卡盤工作臺(tái)M朝箭頭a方向以例如300rpm的轉(zhuǎn)速旋轉(zhuǎn)， 并同時(shí)使磨輪26朝與卡盤工作臺(tái)M的旋轉(zhuǎn)方向相同的方向、即箭頭b方向以6000rpm的轉(zhuǎn)速旋轉(zhuǎn)，并且使未圖示的磨削單元進(jìn)給機(jī)構(gòu)工作以使磨削磨具34與晶片11的背面lib 接觸。然后，使磨輪沈以預(yù)定的磨削進(jìn)給速度(例如3 5 μ m/秒)朝下方進(jìn)行預(yù)定量的磨削進(jìn)給，對(duì)晶片11的與器件區(qū)域17和外周剩余區(qū)域19對(duì)應(yīng)的背面lib進(jìn)行磨削。一邊利用未圖示的接觸式厚度測(cè)量計(jì)測(cè)量晶片11的厚度，一邊將晶片11精加工至期望的厚度、例如50 μ m。背面磨削結(jié)束后的狀態(tài)的晶片11的剖視圖如圖6所示。在本實(shí)施方式的背面磨削工序中，在將外周剩余區(qū)域19粘貼于保護(hù)帶23的狀態(tài)下完成磨削，因此磨削磨具34所抵靠的外周剩余區(qū)域19的邊緣部分容易受到?jīng)_擊而產(chǎn)生缺損，但是，在器件區(qū)域17的邊緣部分，由于存在外周剩余區(qū)域19，磨削磨具34的沖擊被緩和，從而不會(huì)在器件區(qū)域17的外周產(chǎn)生缺損。如果晶片11被磨削得很薄，則倒角部22如標(biāo)號(hào)2 所示地形成為刀刃形狀而容易產(chǎn)生缺口，但是，由于外周剩余區(qū)域19隨后被廢棄因此并不會(huì)成為問題。
權(quán)利要求
1. 一種晶片的加工方法，該晶片在表面具有器件區(qū)域和圍繞所述器件區(qū)域的外周剩余區(qū)域，所述器件區(qū)域是在由形成為格子狀的分割預(yù)定線劃分出的區(qū)域中形成有多個(gè)器件的區(qū)域，所述晶片的加工方法的特征在于， 所述晶片的加工方法包括以下工序保護(hù)帶粘貼工序，在該保護(hù)帶粘貼工序中，將保護(hù)帶粘貼于晶片的表面； 輔助環(huán)形成工序，在該輔助環(huán)形成工序中，利用卡盤工作臺(tái)吸引保持所述晶片的所述保護(hù)帶側(cè)，將切削刀具從晶片的背面定位在所述器件區(qū)域與所述外周剩余區(qū)域之間的邊界部，并對(duì)晶片進(jìn)行切削，從而形成環(huán)狀的切削槽，并使所述外周剩余區(qū)域作為輔助環(huán)殘留； 以及背面磨削工序，在該背面磨削工序中，對(duì)晶片的與所述器件區(qū)域?qū)?yīng)的背面和與所述外周剩余區(qū)域?qū)?yīng)的背面進(jìn)行磨削，從而將晶片形成為預(yù)定的厚度。
全文摘要
本發(fā)明提供一種晶片的加工方法，其能夠使晶片的表面不被切屑污染且不會(huì)在晶片的外周產(chǎn)生缺損。該晶片在表面具有器件區(qū)域和圍繞器件區(qū)域的外周剩余區(qū)域，所述器件區(qū)域是在由形成為格子狀的分割預(yù)定線劃分出的區(qū)域中形成有多個(gè)器件的區(qū)域，所述晶片的加工方法的特征在于，其包括將保護(hù)帶粘貼于晶片表面的保護(hù)帶粘貼工序；輔助環(huán)形成工序，利用卡盤工作臺(tái)吸引保持該保護(hù)帶側(cè)，將切削刀具從晶片的背面定位在該器件區(qū)域與該外周剩余區(qū)域之間的邊界部并對(duì)晶片進(jìn)行切削，從而形成環(huán)狀的切削槽，并使該外周剩余區(qū)域作為輔助環(huán)殘留；以及背面磨削工序，對(duì)晶片的與該器件區(qū)域?qū)?yīng)的背面和與該外周剩余區(qū)域?qū)?yīng)的背面進(jìn)行磨削從而將晶片形成為預(yù)定的厚度。
文檔編號(hào)H01L21/78GK102157446SQ20101056897
公開日2011年8月17日 申請(qǐng)日期2010年12月1日 優(yōu)先權(quán)日2009年12月4日
發(fā)明者臺(tái)井曉治 申請(qǐng)人:株式會(huì)社迪思科