專利名稱：一種離地剝離的方法和tft陣列基板的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及微電子技術(shù)領(lǐng)域，尤其涉及一種離地剝離的方法和TFT陣列基板的制作方法。
背景技術(shù)：
離地剝離(Lift Off)技術(shù)是用光刻膠(Photoresist，PR)掩膜進(jìn)行圖形制備的關(guān)鍵技術(shù)。Lift off技術(shù)是指，在光刻膠的剝離過程中，將光刻膠和光刻膠上所沉積薄膜一起剝離而不撕裂或損壞基板上的薄膜圖形的剝離技術(shù)，在半導(dǎo)體微電子等領(lǐng)域中具有廣泛的應(yīng)用。以 TFT LCD (Thin Film Transistor Liquid Crystal Display，薄膜場(chǎng)效應(yīng)晶體管液晶顯示器)為例，TFT LCD由TFT陣列基板和彩膜基板對(duì)盒而形成，陣列基板和彩膜基板之間滴注有液晶。在TFT陣列基板的制作過程中，形成ITOandium Tin Oxides，銦錫氧化物)像素電極時(shí)，通常需要采用Lift off技術(shù)。具體的，在玻璃基板上沉積鈍化層，形成包含鈍化層過孔的鈍化層圖形后，保留非像素區(qū)域的光刻膠并沉積ITO像素電極層；通過 Lift off工藝去除保留的光刻膠以及光刻膠上的ITO層，形成完整的像素電極圖形?，F(xiàn)有的Lift off工藝，通常首先對(duì)基板上保留的光刻膠加熱，使光刻膠收縮，進(jìn)而造成光刻膠上附著的薄膜塌陷及龜裂以使薄膜下的光刻膠露出，然后采用剝離液浸泡超聲或者是高壓剝離液噴淋的方式，使露出的光刻膠與剝離液相接觸，在剝離液的作用下，光刻膠被剝離的同時(shí)，也將其上附著的薄膜帶走，達(dá)到Lift off的效果。然而，光刻膠的收縮程度有限，因此，由于薄膜塌陷及龜裂而露出的光刻膠較少，即與剝離液接觸的光刻膠較少， 因此，光刻膠與剝離液的作用力不足，工藝時(shí)間較長(zhǎng)且剝離的效果較差。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明實(shí)施例的主要目的在于，提供一種Lift Off的方法和TFT陣列基板的制作方法，能夠有效減小工藝時(shí)間，改善剝離效果。為達(dá)到上述目的，本發(fā)明的實(shí)施例采用如下技術(shù)方案一種Lift Off的方法，包括利用剝離液形成空化射流；利用所述空化射流沖擊基板的待剝離表面，以使所述待剝離表面上的光刻膠和其上沉積的薄膜剝離。一種TFT陣列基板的制作方法，包括在玻璃基板上沉積第一金屬薄膜，通過構(gòu)圖工藝形成包含柵線和柵電極的圖形；依次沉積柵絕緣層、有源層和源漏金屬薄膜，形成包含數(shù)據(jù)線、源電極、漏電極和 TFT溝道區(qū)域的圖形；沉積鈍化層；在所述鈍化層上涂覆光刻膠，通過構(gòu)圖工藝處理，形成鈍化層過孔，形成鈍化層過孔后，所述玻璃基板上的像素電極區(qū)域的光刻膠完全去除，所述玻璃基板上除像素電極區(qū)域和所述鈍化層過孔區(qū)域之外的區(qū)域保留有光刻膠；沉積像素電極薄膜；采用Lift Off的方法去除所述保留的光刻膠以及其上沉積的像素電極薄膜；其中，所述采用Lift Off的方法去除所述保留的光刻膠以及其上沉積的像素電極薄膜包括利用剝離液形成空化射流；利用所述空化射流沖擊所述玻璃基板的沉積有像素電極薄膜的待剝離表面，以使所述待剝離表面上的光刻膠和其上沉積的像素電極薄膜剝離。采用上述技術(shù)方案后，本發(fā)明實(shí)施例提供的Lift Off的方法和TFT陣列基板的制作方法，通過將剝離液加入到空化射流中，一方面，利用空化射流中產(chǎn)生的氣泡沖擊待剝離表面，氣泡的潰滅和破裂產(chǎn)生的巨大能量，能夠使光刻膠以及其上薄膜達(dá)到汽蝕斷裂進(jìn)而剝離，另一方面，利用剝離液溶解光刻膠的化學(xué)能力，光刻膠其上薄膜被氣蝕斷裂后，將使剝離液作用于光刻膠上，從而達(dá)到剝離光刻膠和其上沉積薄膜的目的。因此，能夠有效縮短工藝時(shí)間，同時(shí)改善剝離效果。


為了更清楚地說明本發(fā)明實(shí)施例或現(xiàn)有技術(shù)中的技術(shù)方案，下面將對(duì)實(shí)施例或現(xiàn)有技術(shù)描述中所需要使用的附圖作簡(jiǎn)單地介紹，顯而易見地，下面描述中的附圖僅僅是本發(fā)明的一些實(shí)施例，對(duì)于本領(lǐng)域普通技術(shù)人員來講，在不付出創(chuàng)造性勞動(dòng)的前提下，還可以根據(jù)這些附圖獲得其他的附圖。圖1為本發(fā)明實(shí)施例的Lift Off的方法的工藝流程圖；圖2為本發(fā)明實(shí)施例中形成空化射流的裝置示意圖；圖3為本發(fā)明實(shí)施例的Lift Off的方法的另一種工藝流程圖；圖4為本發(fā)明實(shí)施例的TFT陣列基板的制作方法的工藝流程圖；圖5為與圖4所示的工藝流程對(duì)應(yīng)的工藝效果圖。
具體實(shí)施例方式下面將結(jié)合本發(fā)明實(shí)施例中的附圖，對(duì)本發(fā)明實(shí)施例中的技術(shù)方案進(jìn)行清楚、完整地描述，顯然，所描述的實(shí)施例僅僅是本發(fā)明一部分實(shí)施例，而不是全部的實(shí)施例?；诒景l(fā)明中的實(shí)施例，本領(lǐng)域普通技術(shù)人員在沒有做出創(chuàng)造性勞動(dòng)前提下所獲得的所有其他實(shí)施例，都屬于本發(fā)明保護(hù)的范圍。本發(fā)明實(shí)施例提供的Lift Off的方法，如圖1所示，包括如下步驟S11，利用剝離液形成空化射流。本步驟中所采用的剝離液為能夠溶解光刻膠的化學(xué)制劑。具體的，剝離液包括堿類剝離液和有機(jī)剝離液，其中，堿類剝離液由氫氧化鉀、乙二醇醚、胺和去離子水組成，各組成成分在剝離液的重量比例可為氫氧化鉀為15. 8 17.8%，乙二醇醚為14.0 16.0%， 胺為51. 0 55. 0%，其余為去離子水。有機(jī)剝離液由聚乙烯二醇醚、聚氧乙稀烷基醚、螯合分散劑、防腐劑、電解液和去離子水組成，其中，各組成成分在剝離液的重量比例可為聚乙烯二醇醚為5 20 %，聚氧乙稀烷基醚為5 20 %，螯合分散劑為5 10 %，防腐劑為1 5%，電解液為3 15%，其余為去離子水。當(dāng)然，剝離液的組成成分的比例可根據(jù)光刻膠厚度以及其上沉積的薄膜厚度等實(shí)際情況設(shè)置?？栈淞魇抢脡嚎s空氣高速流動(dòng)的原理，使液體變微?；囊环N清洗方式?？栈淞魇窃谒淞鲀?nèi)誘發(fā)含有空氣或水蒸汽或混合氣體的初生空泡，水射流射出后，通過適度地控制靶距，使空泡發(fā)展長(zhǎng)大，當(dāng)射流沖擊到靶材表面(或附近)時(shí)，空泡發(fā)生潰滅或破裂，從而使靶材引起汽蝕破壞，以達(dá)到清洗，切割或破碎物料的目的。由于空泡破裂時(shí)產(chǎn)生的巨大能量集中，作用在許多非常小的面積內(nèi)，在氣泡破裂的瞬間對(duì)空泡周圍形成巨大的沖擊，空泡周圍能夠產(chǎn)生上千個(gè)大氣壓的高壓及局部高溫，放出巨大的能量，這種巨大壓力能破壞不溶性污物而使它們分化于射流溶液中?；谏鲜鲈恚静襟E中利用剝離液形成空化射流，具體的，利用剝離液和空氣混合形成空化射流。如圖2所示，在空化射流裝置中，特定流量的剝離液與空氣混合后形成空化射流，空化射流將從空化射流裝置的噴嘴射出。利用剝離液形成空化射流的好處在于，一方面可以利用空化射流的空泡潰滅，即通過力的物理作用進(jìn)行光刻膠及其上沉積的薄膜的剝離，另一方面還可以利用剝離液溶解光刻膠的化學(xué)能力，進(jìn)行光刻膠及其上沉積的薄膜的剝離。需要說明的是，可通過調(diào)整剝離液與空氣的流量或流量比對(duì)所形成的空化射流的沖擊力進(jìn)行調(diào)整，使空化射流的沖擊力變小或逐漸變小。這是由于，初始時(shí)，空化射流需要使基板的待剝離表面上大部分或全部的光刻膠及光刻膠上沉積的薄膜發(fā)生斷裂或脫落，之后，由于所述光刻膠及光刻膠上沉積的薄膜已經(jīng)發(fā)生斷裂或脫落，因此，接下來的空化射流中，剝離液易于與光刻膠相接觸，光刻膠與剝離液間的作用力增加，因此，此時(shí)空化射流的沖擊力可小于之前的空化射流。例如，對(duì)同一基板進(jìn)行剝離時(shí)，隨著時(shí)間的推移，使所述剝離液和空氣的流量比升高，具體的，隨著時(shí)間的推移，使所述剝離液的流量保持恒定，所述空氣的流量變小，一方面使空化射流的沖擊力減小，另一方面還節(jié)約了剝離液的使用量，降低了生產(chǎn)成本。另外，本發(fā)明實(shí)施例中，空化射流可由同一空化射流裝置形成，例如，利用同一空化射流裝置形成的空化射流裝置對(duì)基板進(jìn)行剝離，隨著時(shí)間的推移，所述空化射流裝置的剝離液流量不變，所述空化射流裝置的空氣流量逐漸變小以使空化射流的沖擊力變小。還可由不同的空化射流裝置形成，不同空化射流裝置所形成的空化射流的沖擊力可相同也可不同。這種情況下，基板首先經(jīng)過在前空化射流裝置的噴嘴后，經(jīng)過在后的空化射流裝置的噴嘴。優(yōu)選的，基板勻速經(jīng)過不同空化射流裝置的噴嘴，勻速運(yùn)動(dòng)可以使基板的待剝離表面所受的空化射流沖擊能量相同或近似相同，進(jìn)而使基板的待剝離表面的各部分的剝離時(shí)間近似一致，即有效保證了剝離的均勻性，又減小了加工時(shí)間。S12，利用所述空化射流沖擊基板的待剝離表面，以使所述待剝離表面上的光刻膠和其上沉積的薄膜剝離。其中，待剝離表面為所述基板需要進(jìn)行Lift Off的表面，待剝離表面上保留有光刻膠且所述光刻膠上沉積有薄膜。本步驟中，利用剝離液形成的空化射流沖擊待剝離表面，剝離液溶解光刻膠的化學(xué)能力以及空化射流中產(chǎn)生的空泡沖擊待剝離表面時(shí)的潰滅或破裂產(chǎn)生的巨大能量，能夠迅速剝離待剝離表面的光刻膠和其上沉積薄膜。一方面，利用空化射流中產(chǎn)生的氣泡沖擊待剝離表面，氣泡的潰滅和破裂產(chǎn)生的巨大能量，能夠使光刻膠以及其上薄膜達(dá)到汽蝕斷裂進(jìn)而剝離，另一方面，利用剝離液溶解光刻膠的化學(xué)能力，光刻膠其上薄膜被汽蝕斷裂后，將使剝離液作用于光刻膠上，從而達(dá)到剝離光刻膠和其上沉積薄膜的目的。因此，能夠有效縮短工藝時(shí)間，另外，由于空化射流沖擊待剝離表面的能量集中均勻，且剝離液的濃度恒定，能夠有效保證剝離的均勻性，同時(shí)改善剝離效果。當(dāng)利用所述空化射流沖擊基板的待剝離表面時(shí)，所述空化射流的沖擊方向可與所述待剝離表面垂直，且，優(yōu)選的，所述空化射流的沖擊方向沿垂直方向偏離一定角度，這樣， 可提高空化射流對(duì)基板待剝離表面的沖擊力，優(yōu)化剝離效果。需要指出的是，當(dāng)利用空化射流沖擊所述基板的待剝離表面時(shí)，雖然空化射流的沖擊力很大，但在未保留光刻膠的表面，薄膜不會(huì)受到空化射流的影響。這是因?yàn)椋訲FT 陣列基板的ITO薄膜為例，ITO薄膜和其下的鈍化層應(yīng)變相同，即ITO和下層薄膜的界面處不會(huì)產(chǎn)生使得ITO薄膜損壞的應(yīng)力，而且，ITO薄膜的段差小，因此，沒有段差不容易被空化射流沖擊裂開；相反，光刻膠比較疏松，而且光刻膠和其上的ITO薄膜應(yīng)變不同，兩者之間易產(chǎn)生應(yīng)力，另外光刻膠很厚，段差很大，因此，光刻膠和其上的ITO會(huì)被空化射條沖擊斷裂或剝離。當(dāng)然，也可在基板上設(shè)置遮擋板，遮擋板僅將基板上保留有光刻膠且其上附著有薄膜的表面露出，其他部分被遮擋板所覆蓋，以保護(hù)其他部分的薄膜不受損壞。下面通過具體的實(shí)施例對(duì)本發(fā)明Lift Off的方法進(jìn)行進(jìn)一步詳細(xì)說明，如圖3所示，包括S21，利用剝離液形成第一空化射流；具體的，本步驟中，利用特定流量的剝離液和空氣形成第一空化射流，其中，剝離液的流量為30 50升每分鐘(L/min)，空氣的流量為1650-2200L/min。S22，利用所述第一空化射流沖擊基板的待剝離表面；第一空化射流的沖擊方向可與基板的待剝離表面垂直，優(yōu)選的，與基板的待剝離表面的垂直方向偏離一定角度，以優(yōu)化剝離效果。本步驟后，在剝離液及空化射流的雙重作用下，基板的待剝離表面上，大部分或全部的光刻膠及光刻膠上沉積的薄膜將發(fā)生斷裂或脫落，達(dá)到了初步剝離的效果。為了優(yōu)化剝離效果，接下來，本實(shí)施例包括S23，利用剝離液形成第二空化射流；由于前述步驟已經(jīng)對(duì)基板進(jìn)行了初步剝離，因此，殘留的光刻膠及其上附著的薄膜已經(jīng)很少，或者與基板的附著力減弱，因此，要使所述第二空化射流對(duì)所述待剝離表面的沖擊力小于所述第一空化射流。具體的，本步驟中，利用特定流量的剝離液和空氣形成第二空化射流，其中，剝離液的流量為30 50升每分鐘(L/min)，空氣的流量為770-1 lOOL/min。相對(duì)于第一空化射流，剝離液的流量未變，空氣的流量減小，以使第二空化射流對(duì)所述待剝離表面的沖擊力小于所述第一空化射流。需要指出的是，本發(fā)明實(shí)施例中，第一空化射流和第二空化射流可由同一空化射流裝置形成，通過減小通入該空化射流裝置的空氣的流量，先后形成了第一空化射流和第二空化射流。以上是便于空氣流量控制且效果較好的優(yōu)選方式，本領(lǐng)域技術(shù)人員可以理解的是，當(dāng)采用同一空化射流裝置對(duì)光刻膠及其上附著的薄膜進(jìn)行剝離的過程中，也可采用使剝離液的流量保持不變，而空氣流量逐漸減小，或者是根據(jù)需要逐級(jí)減小的方式獲得空化射流。具體的，對(duì)于本領(lǐng)域技術(shù)人員來說，剝離液的流量和空氣的流量可以根據(jù)需要設(shè)置合適的參數(shù)。當(dāng)然，第一空化射流和第二空化射流也可由第一空化射流裝置和第二空化射流裝置分別形成，這種情況下，使用空化射流沖擊基板的待剝離表面時(shí)，基板勻速運(yùn)動(dòng)，首先經(jīng)過第一空化射流裝置的噴嘴，接受第一空化射流的沖擊后，經(jīng)過第二空化射流裝置的噴嘴， 接受第二空化射流的沖擊，具體的，基板勻速運(yùn)動(dòng)的速度可為1000 5000毫米每秒(mm/
S) OS24，利用所述第二空化射流沖擊基板的待剝離表面。在第二空化射流的沖擊下，也就是說，基板的待剝離表面受到第二次空化射流的沖擊剝離，待剝離表面經(jīng)第一空化射流沖擊后殘留的光刻膠及光刻膠上沉積的薄膜將被剝離，剝離效果進(jìn)一步得到改善。進(jìn)一步的，在S22步驟之后，S23步驟之前，也就是在基板的待剝離表面經(jīng)過第一空化射流沖擊后，在第二空化射流沖擊之前，本實(shí)施例還包括對(duì)所述基板的待剝離表面進(jìn)行剝離液噴淋。本步驟可采用現(xiàn)有技術(shù)實(shí)現(xiàn)。具體的，當(dāng)?shù)谝豢栈淞骱偷诙栈淞饔傻谝豢栈淞餮b置和第二空化射流裝置分別形成時(shí)，利用所述第一空化射流裝置形成的第一空化射流對(duì)基板進(jìn)行剝離之后，利用所述第二空化射流裝置形成的第二空化射流對(duì)基板進(jìn)行剝離之前，即基板運(yùn)動(dòng)至第一空化射流裝置的噴嘴和第二空化射流裝置噴嘴之間時(shí)，對(duì)所述基板的待剝離表面進(jìn)行剝離液噴淋。由于在第一空化射流的沖擊作用下，待剝離表面光刻膠上附著的薄膜將斷裂或脫落，因此，薄膜斷裂之后，將使薄膜之下的光刻膠暴露，擴(kuò)大了光刻膠能夠與剝離液接觸的面積，因此，采用剝離液噴淋后，增大了光刻膠與剝離液的作用力，而且，光刻膠之上附著的薄膜更易于隨光刻膠一起剝離，進(jìn)一步有效優(yōu)化了剝離效果。相應(yīng)的，本發(fā)明的實(shí)施例還提供了一種TFT陣列基板的制作方法，結(jié)合圖4和圖5， 包括S31，在玻璃基板上沉積第一金屬薄膜，通過構(gòu)圖工藝形成包含柵線和柵電極的圖形；具體的，可以使用磁控濺射方法，在玻璃基板上制備一層厚度在1000人至7000A 的金屬薄膜。金屬材料通?？梢圆捎勉f、鋁、鋁鎳合金、鉬鎢合金、鉻、或銅等金屬，也可以使用上述幾種材料薄膜的組合結(jié)構(gòu)。然后，通過構(gòu)圖工藝在玻璃基板的一定區(qū)域上形成包含柵線和柵電極的圖形，其中，所采用的構(gòu)圖工藝包括曝光、顯影、刻蝕、剝離等。S32，依次沉積柵絕緣層、有源層和源漏金屬薄膜，形成包含數(shù)據(jù)線、源電極、漏電極和TFT溝道區(qū)域的圖形；具體的，本步驟中，可以首先利用化學(xué)氣相沉積法在玻璃基板上連續(xù)沉積1000人至IJ6000人的柵絕緣層和1000人到6000人的非晶硅薄膜。柵極絕緣層的材料通常是氮化硅，也可以使用氧化硅和氮氧化硅等。用有源層的掩模版對(duì)非晶硅薄膜進(jìn)行曝光，之后對(duì)該非晶硅薄膜進(jìn)行干法刻蝕，形成有源層；然后，可以采用和制備柵線類似的方法，在玻璃基板上沉積一層1000人到7000人金屬薄膜。通過構(gòu)圖工藝形成包含數(shù)據(jù)線、源電極、漏電極和TFT溝道區(qū)域的圖形。S33，沉積鈍化層；具體的，鈍化層材料通常是氮化硅或透明的有機(jī)樹脂材料。S34，在所述鈍化層上涂覆光刻膠，通過構(gòu)圖工藝處理，形成鈍化層過孔；形成鈍化層過孔后，所述玻璃基板上的像素電極區(qū)域的光刻膠完全去除，所述玻璃基板上除像素電極區(qū)域和所述鈍化層過孔區(qū)域之外的區(qū)域保留有光刻膠。具體的，本步驟包括使用雙色調(diào)掩模版對(duì)涂覆有光刻膠的玻璃基板進(jìn)行曝光顯影，形成光刻膠完全去除區(qū)域、光刻膠完全保留區(qū)域和光刻膠部分保留區(qū)域，其中光刻膠完全去除區(qū)域?qū)?yīng)鈍化層過孔區(qū)域，光刻膠部分保留區(qū)域?qū)?yīng)像素電極區(qū)域，光刻膠完全保留區(qū)域?qū)?yīng)基板的其他區(qū)域；刻蝕光刻膠完全去除區(qū)域?qū)?yīng)的鈍化層，形成鈍化層過孔；灰化，光刻膠部分保留區(qū)域的光刻膠被去除，光刻膠完全保留區(qū)域的光刻膠厚度變小。S35，沉積像素電極薄膜；具體的，本步驟中，采用和柵極絕緣層相類似的方法，在整個(gè)玻璃基板的鈍化層上沉積一層像素電極薄膜，通常為ITO透明導(dǎo)電膜。需要指出的是，上述S31至S34步驟均可采用現(xiàn)有技術(shù)完成。S36，采用Lift Off的方法去除所述保留的光刻膠以及其上沉積的像素電極薄膜；具體的，本步驟包括利用剝離液形成空化射流；利用所述空化射流沖擊所述玻璃基板的沉積有像素電極薄膜的待剝離表面，以使所述待剝離表面上的光刻膠和其上沉積的像素電極薄膜剝離。本步驟中，所采用的Lift Off的方法為本發(fā)明實(shí)施例提供的Lift Off的方法，前文已經(jīng)進(jìn)行了詳細(xì)說明，具體請(qǐng)?jiān)斠娗拔拿枋?，這里不在贅述。步驟S36之后，可以繼續(xù)進(jìn)行TFT陣列基本制造的其他工藝流程，由于與現(xiàn)有技術(shù)相同，這里不在贅述。本發(fā)明實(shí)施例提供的TFT陣列基板的制作方法，在需要進(jìn)行LiftOff的工藝步驟中，通過將剝離液加入到空化射流中，利用剝離液溶解光刻膠的化學(xué)能力以及空化射流中產(chǎn)生的空泡沖擊待剝離表面時(shí)的潰滅或破裂產(chǎn)生的巨大能量，能夠迅速剝離光刻膠和其上沉積的透明導(dǎo)電薄膜，因此，能夠有效縮短工藝時(shí)間；另外，由于空化射流的沖擊能量集中均勻，且剝離液的濃度恒定，因此，能夠有效保證剝離的均勻性，改善剝離效果。以上所述，僅為本發(fā)明的具體實(shí)施方式
，但本發(fā)明的保護(hù)范圍并不局限于此，任何熟悉本技術(shù)領(lǐng)域的技術(shù)人員在本發(fā)明揭露的技術(shù)范圍內(nèi)，可輕易想到變化或替換，都應(yīng)涵蓋在本發(fā)明的保護(hù)范圍之內(nèi)。因此，本發(fā)明的保護(hù)范圍應(yīng)以所述權(quán)利要求的保護(hù)范圍為準(zhǔn)。
權(quán)利要求
1.一種離地剝離的方法，其特征在于，包括利用剝離液形成空化射流；利用所述空化射流沖擊基板的待剝離表面，以使所述待剝離表面上的光刻膠和其上沉積的薄膜剝離。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，所述利用剝離液形成空化射流包括利用剝離液和空氣混合形成空化射流。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的方法，其特征在于，對(duì)同一基板進(jìn)行剝離時(shí)，隨著時(shí)間的推移，所述剝離液和空氣的流量比升高。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的方法，其特征在于，所述剝離液和空氣的流量比升高具體為，所述剝離液的流量保持恒定，所述空氣的流量變小。
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的方法，其特征在于，利用同一空化射流裝置形成的空化射流對(duì)基板進(jìn)行剝離，所述空化射流裝置的剝離液流量不變，所述空化射流裝置的空氣流量逐漸變小。
6.根據(jù)權(quán)利要求4所述的方法，其特征在于，利用第一空化射流裝置和第二空化射流裝置形成的空化射流對(duì)基板進(jìn)行剝離，所述基板勻速經(jīng)過所述第一空化射流裝置的噴嘴和所述第二空化射流裝置的噴嘴；所述第一空化射流裝置和第二空化射流裝置的剝離液流量相同，所述第一空化射流裝置的空氣流量大于所述第二空化射流裝置的空氣流量；其中，空化射流裝置中，特定流量的剝離液與空氣混合后形成空化射流，空化射流從空化射流裝置的噴嘴射出。
7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的方法，其特征在于，利用所述第一空化射流裝置形成的空化射流對(duì)基板進(jìn)行剝離之后，利用所述第二空化射流裝置形成的空化射流對(duì)基板進(jìn)行剝離之前，所述方法還包括對(duì)所述基板的待剝離表面進(jìn)行剝離液噴淋。
8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，當(dāng)利用所述空化射流沖擊基板的待剝離表面時(shí)，所述空化射流的沖擊方向與所述待剝離表面垂直或沿垂直方向偏離一定角度。
9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，當(dāng)利用所述空化射流沖擊基板的待剝離表面時(shí)，所述基板上設(shè)置有遮擋板，遮擋板將基板的待剝離表面上保留有光刻膠且其上附著有薄膜的部分露出，其他部分被遮擋板所覆蓋，以保護(hù)基板的待剝離表面的其他部分的薄膜不受損壞。
10.一種TFT陣列基板的制作方法，包括在玻璃基板上沉積第一金屬薄膜，通過構(gòu)圖工藝形成包含柵線和柵電極的圖形；依次沉積柵絕緣層、有源層和源漏金屬薄膜，形成包含數(shù)據(jù)線、源電極、漏電極和TFT 溝道區(qū)域的圖形；沉積鈍化層；在所述鈍化層上涂覆光刻膠，通過構(gòu)圖工藝處理，形成鈍化層過孔，形成鈍化層過孔后，所述玻璃基板上的像素電極區(qū)域的光刻膠完全去除，所述玻璃基板上除像素電極區(qū)域和所述鈍化層過孔區(qū)域之外的區(qū)域保留有光刻膠；沉積像素電極薄膜；采用離地剝離的方法去除所述保留的光刻膠以及其上沉積的像素電極薄膜； 其特征在于，所述采用離地剝離的方法去除所述保留的光刻膠以及其上沉積的像素電極薄膜包括采用權(quán)利要求1至權(quán)利要求9任一項(xiàng)所述的離地剝離的方法去除所述保留的光刻膠以及其上沉積的像素電極薄膜。
全文摘要
本發(fā)明提供了一種離地剝離的方法和TFT陣列基板的制作方法，涉及微電子技術(shù)領(lǐng)域，為有效減小工藝時(shí)間，改善剝離效果而發(fā)明。所述離地剝離的方法，包括利用剝離液形成空化射流；利用所述空化射流沖擊基板的待剝離表面，以使所述待剝離表面上的光刻膠和其上沉積的薄膜剝離。本發(fā)明可用于半導(dǎo)體器件以及TFT陣列基板等制作工藝中。
文檔編號(hào)H01L21/02GK102479682SQ201010574590
公開日2012年5月30日 申請(qǐng)日期2010年11月30日 優(yōu)先權(quán)日2010年11月30日
發(fā)明者宋勇志, 王煦, 羅會(huì)月, 郝昭慧, 馬國靖 申請(qǐng)人:京東方科技集團(tuán)股份有限公司, 北京京東方顯示技術(shù)有限公司