專(zhuān)利名稱：發(fā)光裝置及其制造方法
技術(shù)領(lǐng)域：
實(shí)施例涉及一種發(fā)光裝置及其制造方法。
背景技術(shù)：
發(fā)光二極管(LED)是一種將電能轉(zhuǎn)換為光的半導(dǎo)體器件。與諸如熒光燈或輝光燈 的常規(guī)光源相比，LED在功率消耗、壽命期限、響應(yīng)速度、安全及環(huán)保要求方面是有利的。在 這一點(diǎn)上，已經(jīng)進(jìn)行了各種研究以將常規(guī)光源替換為L(zhǎng)ED。LED日益被用作諸如在建筑物的 外部或內(nèi)部、液晶顯示器、電子布告板以及街燈中使用的各種燈的照明裝置的光源。

發(fā)明內(nèi)容
實(shí)施例提供了一種具有新穎結(jié)構(gòu)的發(fā)光裝置及其制造方法。實(shí)施例提供了一種能夠提高可靠性的發(fā)光裝置及其制造方法。根據(jù)實(shí)施例，該發(fā)光裝置包括主體；第一電極和第二電極，該第一電極安裝在所 述主體中，該第二電極與第一電極分離；發(fā)光芯片，該發(fā)光芯片形成在第一電極和第二電極 中的一個(gè)上，并且電氣連接到第一電極和第二電極；以及保護(hù)蓋，該保護(hù)蓋在第一電極與第 二電極之間突出。實(shí)施例可以提供一種具有新穎結(jié)構(gòu)的發(fā)光裝置及其制造方法。實(shí)施例可以提供一種能夠提高可靠性的發(fā)光裝置及其制造方法。


圖1是示出根據(jù)實(shí)施例的發(fā)光裝置的頂部透視圖；圖2是示出圖1的發(fā)光裝置的底部透視圖；圖3是示出圖1的發(fā)光裝置的平面圖；圖4是示出圖1的發(fā)光裝置的截面圖；圖5是示出根據(jù)實(shí)施例的發(fā)光裝置的第一電極和第二電極的頂部透視圖；圖6是示出圖5的第一電極和第二電極的底部透視圖；圖7至圖10是示出根據(jù)實(shí)施例的制造發(fā)光裝置的方法的視圖；圖11是示出根據(jù)實(shí)施例的制造發(fā)光裝置的方法的流程圖；圖12是示出第一電極和第二電極的頂部透視圖；圖13是示出圖1的發(fā)光裝置的尺寸的視圖；圖14是示出主體與一電極(第一電極或第二電極)聯(lián)接的方案的視圖；圖15至圖18是示出根據(jù)第一、第二和第三實(shí)施例的電極(第一電極或第二電極) 的視圖；圖19至圖21是示出根據(jù)本發(fā)明一個(gè)實(shí)施例的電極(第一電極或第二電極)的角 部區(qū)域的視圖；圖22示出根據(jù)本發(fā)明另一實(shí)施例的發(fā)光裝置的電極結(jié)構(gòu)；
圖23示出了根據(jù)一個(gè)實(shí)施例的、電極與主體聯(lián)接的示例；圖M是示出根據(jù)本發(fā)明又一實(shí)施例的電極的視圖；并且圖25是示出主體與電極聯(lián)接的一個(gè)示例的視圖。
具體實(shí)施例方式在這些實(shí)施例的描述中，將會(huì)理解的是，當(dāng)層(或膜)、區(qū)域、圖案、或結(jié)構(gòu)被稱為 在另一襯底、另一層(或膜)、另一區(qū)域、另一墊、或另一圖案“上”或“下”時(shí)，它可以“直接” 或“間接”在另一襯底、層(或膜)、區(qū)域、墊或圖案上，或者也可以存在有一個(gè)或多個(gè)中間 層。已經(jīng)參考附圖描述了該種層的位置。出于方便或清楚的目的，附圖所示的每層的厚度和尺寸可以被夸大、省略、或示意 性繪制。另外，元件的尺寸并不完全反映真實(shí)尺寸。在下文中，將會(huì)參考附圖來(lái)描述根據(jù)實(shí)施例的發(fā)光裝置1和及其制造方法。圖1是示出根據(jù)實(shí)施例的發(fā)光裝置1的頂部透視圖，并且圖2是示出根據(jù)實(shí)施例 的發(fā)光裝置1的底部透視圖。圖3是示出發(fā)光裝置1的平面圖，并且圖4是示出發(fā)光裝置 1的截面圖。參考圖1和圖4，根據(jù)該實(shí)施例的發(fā)光裝置1包括主體20，該主體20在其一個(gè)或 多個(gè)橫向表面處設(shè)置有粗糙部25 ；第一電極31和第二電極32，該第一電極31和第二電極 32安裝在主體20中；發(fā)光芯片10，該發(fā)光芯片10安裝在第一電極31和第二電極32中的 一個(gè)上，并且電氣連接到第一電極31或第二電極32以發(fā)射光；以及保護(hù)蓋27，該保護(hù)蓋27 在第一電極31與第二電極32之間突出。主體20可以包括從由以下項(xiàng)組成的組中選擇的至少一個(gè)諸如PPA(聚鄰苯二甲 酰胺)的樹(shù)脂材料、Si(硅)、金屬材料、PSG(光敏玻璃)、藍(lán)寶石(Al2O3)、以及PCB (印制電 路板)。如果主體20包括導(dǎo)電材料，那么可以在主體20的表面上另外形成有絕緣層(未 示出)，從而能夠防止主體20與第一電極31及第二電極32短路。根據(jù)發(fā)光裝置1的用途和設(shè)計(jì)，主體20可以具有各種形狀的頂表面，例如矩形形 狀、多邊形形狀和圓形形狀。例如，如圖1所示，具有矩形形狀的發(fā)光裝置1可以用于邊緣 型BLU (背光單元)。在主體20中可以形成有腔體15，使得主體20的上部是開(kāi)口的。腔體15具有杯狀 形狀或凹陷容器形狀。腔體15的內(nèi)部側(cè)表面可以垂直于主體20的底表面，或者相對(duì)于主 體20的底表面傾斜。當(dāng)在平面圖中觀察時(shí)，腔體15可以具有圓形、矩形、多邊形或橢圓形形狀。另外， 如圖1和圖3所示，當(dāng)在平面圖中觀察時(shí)，腔體15可以具有帶彎曲角部的矩形形狀。粗糙部25可以形成在主體20的至少一個(gè)橫向表面上。通過(guò)根據(jù)該實(shí)施例的發(fā)光 裝置1的制造過(guò)程、具體通過(guò)以一個(gè)裝置為單位將多個(gè)發(fā)光裝置分離的切割過(guò)程來(lái)形成該 粗糙部25，并且，將會(huì)在下面描述該實(shí)施例。另外，在主體20的上部可以形成有陰極標(biāo)記22。該陰極標(biāo)記22用于在發(fā)光裝置 1的第一電極31和第二電極32之間進(jìn)行區(qū)分，從而能夠區(qū)分第一電極31和第二電極32的 極性。
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在主體20中，第一電極31和第二電極32彼此電氣絕緣。第一電極31和第二電 極32電氣連接到發(fā)光芯片10，以向該發(fā)光芯片10供應(yīng)電力。第一電極31和第二電極32可以包括金屬材料，例如，可以包括從由以下項(xiàng)組成的 組中選擇的至少一個(gè)Ti、Cu、Ni、Au、Cr、Ta、Pt、Sn、Ag以及P。第一電極31和第二電極32 可以具有單層結(jié)構(gòu)或多層結(jié)構(gòu)，但該實(shí)施例不限于此。第一電極31和第二電極32貫穿主體20的底表面，從而形成發(fā)光裝置1的底表面。 第一電極31和第二電極32的端子可以暴露到主體20的外部。由于第一電極31和第二電極32貫穿主體20，所以，由安裝在第一電極31和第二 電極32中的一個(gè)上的發(fā)光芯片10產(chǎn)生的熱量可以通過(guò)第一電極31或第二電極32排出?？梢詫?duì)第一電極31和第二電極32的突出到主體20外部的端子進(jìn)行焊接，從而發(fā) 光裝置1可以容易地安裝在諸如基板的外部構(gòu)件上。在下文中，將更詳細(xì)地描述第一電極31和第二電極32。圖5是示出第一電極31和第二電極32的頂部透視圖，并且圖6是示出第一電極 31和第二電極32的底部透視圖。參考圖5和圖6，第一電極31和第二電極32的暴露到主體20外部的端子可以分 別分支成多個(gè)子電極31a和31b以及多個(gè)子電極3 和32b。例如，如圖5所示，第一電極 31的端子被分支成兩個(gè)第一子電極31a和31b，而第二電極32的端子可以被分支成兩個(gè)第 二子電極32a和32b。在兩個(gè)第一子電極31a和31b之間的第一凹部35a以及在兩個(gè)第二子電極3 和 32b之間的第二凹部35b的橫向表面的上部和下部可以具有階狀結(jié)構(gòu)，并且這些橫向表面 的下部可以具有彎曲表面?？梢詮牡谝浑姌O31和第二電極32的至少一個(gè)橫向表面的頂部形成有突起33a、 33b和33c。相對(duì)于第一電極31和第二電極32的底部，突起33a、3 和33c具有階狀結(jié)構(gòu)。 因此，可以形成如下區(qū)域在該區(qū)域中，由于該突起33a、3;3b和33c，第一電極31和第二電 極32的頂表面的寬度可以大于第一電極31和第二電極32的底表面的寬度，并且該區(qū)域可 以具有T形截面。第一電極31和第二電極32的兩個(gè)相向的橫向表面3 和34b可以傾斜或者可以 具有階狀結(jié)構(gòu)。主體20以及第一電極31和第二電極32可以相互牢固地聯(lián)接，并且通過(guò)第一電極 31和第二電極32的上述結(jié)構(gòu)，能夠防止第一電極31和第二電極32與主體20分離。另外， 由于該結(jié)構(gòu)使得第一電極31和第二電極32的表面積增加，所以能夠提高發(fā)光裝置1的發(fā) 光效率。即使第一電極31和第二電極32根據(jù)區(qū)域的不同而具有不同厚度，第一電極31和 第二電極32也優(yōu)選具有足夠厚度，以形成該發(fā)光裝置1的底表面。為此，第一電極31和第 二電極32的厚度可以處于大約0. Imm至大約0. 5mm的范圍內(nèi)，但該實(shí)施例不限于此。再次參考圖1至圖4，保護(hù)蓋27可以在第一電極31與第二電極32之間突出。保 護(hù)蓋27覆蓋第一電極31、第二電極32和主體20三者之間的間隙，以防止水分或空氣滲入 發(fā)光裝置1中，并且防止該間隙經(jīng)過(guò)長(zhǎng)時(shí)間后變寬，從而能夠提高發(fā)光裝置1的可靠性。保護(hù)蓋27在第一電極31與第二電極32之間突出。因此，保護(hù)蓋27可以在發(fā)光裝置1的制造過(guò)程中與主體20 —體地形成，并且可以包括與主體20的材料相同的材料。保護(hù)蓋27可以與主體20分離。在這種情況下，保護(hù)蓋27包括與主體20的材料 不同的材料。保護(hù)蓋27在第一電極31與第二電極32之間突出，以覆蓋第一電極31及第二電 極32與主體20之間的間隙，從而該保護(hù)蓋27可以包圍第一電極31和第二電極32的頂表 面的至少一部分和橫向表面。例如，如圖4所示，當(dāng)?shù)谝浑姌O31和第二電極32彼此以第一距離c隔開(kāi)時(shí)，保護(hù) 蓋27的寬度a比第一距離c大0. 02mm至0. 5mm,使得保護(hù)蓋27可以包圍第一電極31和第 二電極32的頂表面的至少一部分和橫向表面，但該實(shí)施例不限于此。盡管保護(hù)蓋27的厚度b可以處于0.01mm至0. Imm的范圍內(nèi)，但厚度b可以具有 各種值，以確保保護(hù)蓋27的可靠性和可操作性。發(fā)光芯片10可以安裝在第一電極31和第二電極32中的一個(gè)上，并且電氣連接到 第一電極31和第二電極32以接收電力，從而能夠產(chǎn)生光。由于發(fā)光芯片10安裝在第一電 極31和第二電極32中的一個(gè)上，所以從發(fā)光芯片10產(chǎn)生的光被有效傳送到第一電極31 和第二電極32，并且被釋放到外部。例如，發(fā)光芯片10可以包括至少一個(gè)LED (發(fā)光二極管)，并且該LED可以包括用 于發(fā)出紅光、綠光、藍(lán)光、白光的彩色LED，或者用于發(fā)出紫外光的UV(紫外線)LED，但該實(shí) 施例不限于此。通過(guò)引線結(jié)合方案，將發(fā)光芯片10被電氣連接到第一電極31或第二電極32。通過(guò)倒裝芯片安裝方案或芯片焊接方案，將發(fā)光芯片10電氣連接到第一電極31 或第二電極32。如圖4所示，在主體20的腔體15中可以形成有包封物40，以密封和保護(hù)該發(fā)光芯 片10。包封物40可以包括冷光材料。包封物40可以包括硅或樹(shù)脂材料?？梢酝ㄟ^(guò)使已填充在腔體15中的硅或樹(shù)脂材 料硬化來(lái)形成該包封物40，但本實(shí)施例不限于此。在包封物40中可以包含冷光材料，并且該冷光材料可以由從發(fā)光芯片10發(fā)出的 第一光進(jìn)行激勵(lì)以產(chǎn)生第二光。例如，當(dāng)發(fā)光芯片10包括藍(lán)光LED，并且該冷光材料包括黃 光冷光材料時(shí)，該黃光冷光材料由藍(lán)光激勵(lì)以發(fā)出黃光。因此，藍(lán)光與黃光混合，使得發(fā)光 裝置1能夠提供白色光，但本實(shí)施例不限于此。同時(shí)，在包封物40上方另外形成有透鏡(未示出)，從而能夠調(diào)節(jié)從發(fā)光裝置1發(fā) 射的光的分布。另外，在發(fā)光裝置1的主體20中可以另外安裝有用于提高耐受電壓的齊納
二極管。在下文中，將詳細(xì)描述根據(jù)實(shí)施例的制造該發(fā)光裝置1的方法。圖7至圖10是示出根據(jù)實(shí)施例的制造該發(fā)光裝置1的方法的視圖，并且圖11是 示出根據(jù)實(shí)施例的制造該發(fā)光裝置1的方法的流程圖。首先，參考圖7，制備在其上形成有第一電極31和第二電極32的電極框架30 (圖 11的步驟S101)。通過(guò)形成該電極框架30，能夠同時(shí)制造出多個(gè)發(fā)光裝置1。例如，電極框架30可 以通過(guò)光刻工藝、電鍍工藝或沉積工藝來(lái)形成，但本實(shí)施例不限于此。
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第二，參考圖8，在具有多個(gè)主體20的形狀的鑄件上提供電極框架30之后，通過(guò)該 鑄件的注入孔注入用于形成該主體20的材料，由此形成主體20 (參見(jiàn)圖11的步驟S102)。圖9A至圖9C是示出形成主體20的過(guò)程的視圖。在下文中，將參考圖9A至圖9C 更詳細(xì)地描述制造該主體20的方法。參考圖9A，電極框架30被提供在鑄件100和200上。鑄件100和200可以包括與 主體20的下部的形狀相對(duì)應(yīng)的第一鑄件200和與主體20的上部的形狀相對(duì)應(yīng)的第二鑄件 100。 第一鑄件200和第二鑄件100中的至少一個(gè)可以包括注入孔110，該注入孔110用 于注入形成該主體20的材料。在這種情況下，注入孔110可以形成在多個(gè)形狀的主體20 之間。例如，如圖9A和圖9B所示，每個(gè)注入孔110可以形成在至少兩個(gè)主體之間。此注 入孔Iio的位置能夠使至少兩個(gè)主體20同時(shí)彼此一體地形成。然后，參考圖9B，形成該主體20的材料可以通過(guò)注入孔110注入。例如，形成該主 體20的材料可以包括諸如PPA等的樹(shù)脂材料，但本實(shí)施例不限于此。參考圖9C，在形成該主體20的材料硬化之后，第一鑄件200與第二鑄件100分離， 由此能夠提供主體20。如圖8和圖9C所示，在同時(shí)彼此一體地形成的至少兩個(gè)主體20之間可以形成有 連接部觀，并且注入孔110的標(biāo)記四可以形成在該連接部28的中央部處。如上所述，由于在制造根據(jù)實(shí)施例的發(fā)光裝置1的方法中，通過(guò)一個(gè)注入孔110同 時(shí)形成至少兩個(gè)主體20，所以能夠提高該制造工藝的效率。第三，參考圖8和圖10，將發(fā)光芯片10安裝在第一電極31和第二電極32中的一 個(gè)上(參見(jiàn)圖11的步驟S103)，并且可以通過(guò)引線結(jié)合將發(fā)光芯片110電氣連接到第一電 極31和第二電極32 (參見(jiàn)圖11的步驟S104)。第四，可以在主體20的腔體15中形成包封物40，以密封和保護(hù)發(fā)光芯片10 (參見(jiàn) 圖11的步驟S105)。第五，可以通過(guò)切割過(guò)程將這些發(fā)光裝置1以單個(gè)裝置為單位相互分離(參見(jiàn)圖 11的步驟S106)。換言之，根據(jù)該切割過(guò)程，可以以單個(gè)裝置為單位使在先前的過(guò)程中彼此一體地 形成的至少兩個(gè)發(fā)光裝置相互分離。詳細(xì)地，該切割過(guò)程可以包括將第一電極31和第二電極32與電極框架30分離 的過(guò)程，以及，將至少兩個(gè)一體地形成的主體20相互分離的過(guò)程。特別地，如圖10所示，在將至少兩個(gè)一體地形成的主體20相互分離的過(guò)程中，粗 糙部25可以形成在主體20的至少一個(gè)橫向表面上。換言之，粗糙部25是指當(dāng)通過(guò)該切割 過(guò)程移除連接部觀時(shí)形成的粗糙表面?？梢酝ㄟ^(guò)使用刀具來(lái)物理地執(zhí)行該切割過(guò)程，但本實(shí)施例不限于此。同時(shí)，可以以相反的順序執(zhí)行發(fā)光裝置1的制造過(guò)程，但該制造過(guò)程的順序不受 限制。例如，在已經(jīng)初步執(zhí)行切割過(guò)程之后，可以執(zhí)行安裝發(fā)光芯片的過(guò)程。在下文中，將詳細(xì)描述圖1的第一電極和第二電極的另一實(shí)施例。圖12是詳細(xì)示出第一電極31和第二電極32的頂部透視圖。
在下文中，因?yàn)閳D12的第一電極31和第二電極32部分類(lèi)似于圖5的第一電極31 和第二電極32，所以將會(huì)在描述圖12的第一電極31和第二電極32的同時(shí)，集中描述與圖 5的第一電極31和第二電極32的區(qū)別。第一電極31和第二電極32的暴露到主體20外部的端子可以分別分支成子電極 31a,31b 和子電極 32a、32b。換言之，第一電極31的端子被分支成兩個(gè)第一子電極31a和31b，而第二電極32 的端子可以分支成兩個(gè)第二子電極3 和32b。另外，在兩個(gè)第一子電極31a和31b之間形成有聯(lián)接區(qū)域35a，使得主體20能夠 與第一子電極31a和31b牢固地聯(lián)接。當(dāng)包括第一電極31和第二電極32的主體20被形 成時(shí)，可通過(guò)將構(gòu)成該主體20的材料填入到第一子電極31a和31b之間的空間中來(lái)形成該 聯(lián)接區(qū)域35a。如果主體20包括替代樹(shù)脂材料的基片材料或金屬材料，那么聯(lián)接區(qū)域3 允許主體20的一部分插入到第一子電極31a和31b之間的空間中，從而能夠防止第一電極 31與主體20分離。另外，在聯(lián)接區(qū)域3 與第一子電極31a和31b之間的接觸表面上，可以形成有傾 斜表面，或者通過(guò)該傾斜表面形成階梯差。另外，該接觸表面可以是彎曲的。類(lèi)似于第一電極31，第二電極32可以在從第二電極32的端子分支的兩個(gè)子電極 32a和32b之間具有聯(lián)接區(qū)域35b。第二電極32可以通過(guò)該聯(lián)接區(qū)域3 牢固地固定在主 體20上。在第一電極31和第二電極32的至少一個(gè)橫向表面上可以形成有聯(lián)接引腳33a至 33f。聯(lián)接引腳33a至33f與第一電極31和第二電極32的下部形成階梯差。因此，可 以形成如下區(qū)域在該區(qū)域中，第一電極31和第二電極32的頂表面的寬度可以大于第一電 極31和第二電極32的底表面的寬度，并且該區(qū)域可以具有T形截面。第一電極31和第二電極32的相向的橫向表面3 和34b可以傾斜或者可以具有 階狀結(jié)構(gòu)。如上所述，通過(guò)第一電極31和第二電極32的聯(lián)接結(jié)構(gòu)，主體20以及第一電極31 和第二電極32能夠牢固地相互聯(lián)接。由于沿寬度方向該第一電極31和第二電極32具有T形截面，所以當(dāng)?shù)谝浑姌O31 和第二電極32與用于形成主體20的材料聯(lián)接時(shí)，用于形成主體20的材料防止該T形結(jié)構(gòu) 的頂表面沿Z方向移動(dòng)。另外，由于聯(lián)接引腳33a至33f朝著主體20的成型材料突出，所 以在主體20的材料硬化之后，第一電極31和第二電極32彼此無(wú)法沿方向C或D容易地分
1 O由于該T形結(jié)構(gòu)，其上安裝有發(fā)光芯片10的電極的面積沒(méi)有減小，并且整個(gè)截面 積沿著T形的外圍表面增加了。因此，與具有矩形形狀的典型電極相比，該T形結(jié)構(gòu)增加了 電極的整個(gè)截面積。因此，截面積的增加能夠提高發(fā)光芯片10的散熱特性。在第一電極31中，聯(lián)接引腳33a至33d沿方向A或B突出，并且可以形成為與聯(lián) 接凹槽33g和33h相鄰。另外，聯(lián)接引腳33a至33d可以與聯(lián)接凹槽33g和33h交替排列。 當(dāng)?shù)谝浑姌O31中的聯(lián)接引腳33a至33d與聯(lián)接凹槽33g和3 交替排列時(shí)，通過(guò)第一電極 31中的聯(lián)接引腳33a至33d與聯(lián)接凹槽33g和3 形成的凹凸結(jié)構(gòu)允許第一電極31與主體20的成型材料牢固地聯(lián)接。盡管圖12示出該聯(lián)接引腳33a至33d布置成與聯(lián)接凹槽33g和3 相鄰，但在第 一電極31中，聯(lián)接引腳33a至33d與聯(lián)接凹槽33g和3 可以相互交替排列。聯(lián)接凹槽33g和33h凹陷到從第一電極31或第二電極32的端子突出的子電極 31a、31b、3^i和32b的橫向表面中，并且與子電極31a、31b、3^i和32b的暴露表面具有階梯 差。在下文中，將在描述聯(lián)接凹槽和子電極的同時(shí)，集中描述附圖標(biāo)記33g和31b。如圖12所示，由于通過(guò)使子電極31b的暴露表面31bll的一部分向內(nèi)凹陷來(lái)形成 聯(lián)接凹槽33g，所以聯(lián)接凹槽33g與聯(lián)接引腳33a的突出表面33al形成階梯差。聯(lián)接凹槽 33g的暴露表面33gl相對(duì)于子電極31b的暴露表面31bll具有深度Gl 1。換言之，由于聯(lián) 接凹槽33g形成為與子電極31b的暴露表面31bll和聯(lián)接引腳33a的突出表面33al平行， 并且相對(duì)于該暴露表面31bll以深度Gll深深地凹入，所以聯(lián)接凹槽33g形成較大的階梯 差。由于該階梯差，聯(lián)接凹槽33g被填充有更大量的主體20的成型材料。在該成型材料已 經(jīng)硬化之后，聯(lián)接凹槽33g更牢固地聯(lián)接到主體20。子電極31b的暴露表面31bll和聯(lián)接凹槽33g的暴露表面優(yōu)選形成足夠大的階梯 差，只要電極31b在強(qiáng)度上能夠承受。根據(jù)本實(shí)施例，該階梯差的長(zhǎng)度Gll可以處于大約 0.01mm至大約Imm的范圍內(nèi)。然而，優(yōu)選該第一電極31中的深度Gll可以相當(dāng)于第一電極 31的沿寬度方向的長(zhǎng)度D3的大約10%至大約20%。同時(shí)，因?yàn)槁?lián)接凹槽33g的暴露表面33gl的沿縱向方向的寬度D6被加長(zhǎng)，所以主 體20的成型材料與暴露表面33gl之間的接觸面可以增大。通過(guò)該暴露表面33gl與成型材 料之間的接觸面的增大，凹槽33g可以牢固聯(lián)接到主體20的成型材料。然而，如果聯(lián)接凹 槽3 和3 之間的寬度WS的值較大，那么在聯(lián)接凹槽3 和3 之間的寬度WS減少的區(qū) 域中，機(jī)械強(qiáng)度可能減小。根據(jù)本實(shí)施例，沿縱向方向的寬度D6可以處于大約0. 15mm至大 約0. 6mm的范圍內(nèi)，并且優(yōu)選相當(dāng)于第一電極31的沿縱向方向的寬度D5的10%至16%。第二電極32比第一電極31短。為了牢固地聯(lián)接第二電極32和主體20，通過(guò)調(diào)節(jié) 所述聯(lián)接引腳3 和33f的尺寸，可以另外在第二電極32中與聯(lián)接引腳3 和33f相鄰地 形成聯(lián)接孔。可以在第二電極32中另外形成至少一個(gè)或兩個(gè)聯(lián)接凹槽，但該實(shí)施例不限于 此。為了在第二電極32中形成聯(lián)接凹槽，優(yōu)選在聯(lián)接引腳3 和32f的部分處形成凹 凸結(jié)構(gòu)，以形成第二電極32的聯(lián)接凹槽，或者可以減小該聯(lián)接引腳3 和32f的尺寸，并且 與聯(lián)接引腳3 和32f相鄰地形成有另外的聯(lián)接凹槽。當(dāng)形成在第一電極31中的聯(lián)接引腳33a和3 被形成為與聯(lián)接凹槽33g相鄰時(shí)， 由于沿著聯(lián)接引腳33a和33b的外圍表面以及聯(lián)接凹槽33g填充構(gòu)成主體20的材料并使 之硬化，并且聯(lián)接引腳33a和3 插入到主體20的硬化材料中，所以第一電極31可以非常 牢固地聯(lián)接到主體20。類(lèi)似地，形成在第一電極31上的聯(lián)接凹槽3 與聯(lián)接引腳33c、33d 之間的關(guān)系和聯(lián)接凹槽33g與聯(lián)接引腳33a、3!3b之間的關(guān)系相同。圖13示出了圖1和圖12所示的發(fā)光裝置的尺寸的一個(gè)示例。參考圖13，當(dāng)在寬度方向上沿著線AA-AA”把埋入在該發(fā)光裝置的主體20中的第 一電極31和第二電極32剖開(kāi)時(shí)，第一電極31和第二電極32具有T形形狀。從T形的透 視圖和該截面圖中獲得的尺寸表示如下。
-Dl 的長(zhǎng)度0. 15mm，-D2 的長(zhǎng)度0. 1mm，-D3 的長(zhǎng)度1. 16mm，-D4 的長(zhǎng)度0. 3_，-D5 的長(zhǎng)度2. 4_，-D6 的長(zhǎng)度0. 3mm，-D7 的長(zhǎng)度0. 11mm，-D8 的長(zhǎng)度0. 3mm，-D9 的長(zhǎng)度1.0mm，并且-DlO 的長(zhǎng)度0. 94mmοDl至DlO的尺寸被作為根據(jù)本公開(kāi)的發(fā)光裝置的一個(gè)示例而給出，并且，根據(jù)本 公開(kāi)的發(fā)光裝置的尺寸不限于此。為了提高該發(fā)光裝置的使用便利性和可靠性以及該發(fā)光 裝置的成型和制造，可以更改根據(jù)本公開(kāi)的發(fā)光裝置的尺寸。 參考本圖，該T形截面的頂表面的長(zhǎng)度D3比該T形截面的底表面的長(zhǎng)度長(zhǎng)0. 2mm, 并且當(dāng)發(fā)光芯片10安裝時(shí)，可以進(jìn)一步增大散熱面積。另外，由于T形截面的頂表面的長(zhǎng)度D3比T形截面的底表面的長(zhǎng)度長(zhǎng)，所以該電 極由主體20支撐，從而該電極能夠牢固地固定到主體20。如本圖所示，第一電極31的沿縱向方向的寬度D5比第二電極32的長(zhǎng)。因此，參考 本圖，發(fā)光芯片10可以優(yōu)選安裝在第一電極31中，以能夠確保散熱面積。在這種情況下， 當(dāng)通過(guò)第一電極31和第二電極32提供外部電源時(shí)，可以增加一個(gè)齊納二極管(未示出)， 以穩(wěn)定該外部電源的電壓。在這種情況下，該齊納二極管(未示出)優(yōu)選安裝在第二電極 32上。Dl表示具有T形形狀的第一電極31或第二電極32的頂表面和頂表面之間的長(zhǎng)度。D2表示當(dāng)聯(lián)接引腳33d從第一電極31或第二電極32突出時(shí)該聯(lián)接引腳33d的突 出長(zhǎng)度。D3表示第一電極31或第二電極31的沿寬度方向的長(zhǎng)度。D4表示第一電極31或第二電極32的厚度，而D5表示第一電極31的較長(zhǎng)軸的長(zhǎng)度。D6表示聯(lián)接凹槽33g的底表面33gl的沿縱向方向的寬度，并且它可以處于大約 0. 15mm至大約0. 6mm的范圍內(nèi)。當(dāng)主體20的外觀被形成時(shí)，底表面33gl被主體20的材料 掩埋。當(dāng)主體20的材料硬化時(shí)，底表面33gl可以牢固地聯(lián)接到主體20。D7表示聯(lián)接引腳33a的突出表面33al與聯(lián)接凹槽33g的底表面33gl之間的長(zhǎng) 度，該突出表面33al從聯(lián)接凹槽33g的底表面33gl以大約0. 05mm至大約0. 22mm的范圍內(nèi) 的長(zhǎng)度突出。根據(jù)本實(shí)施例，D7可以處于大約0.05mm至大約0.22mm的范圍內(nèi)。因?yàn)槁?lián)接 引腳33a的突出表面33al與底表面33gl之間的階梯差增加了，所以，填充在聯(lián)接凹槽33g 中的主體20的材料量增加。在主體20的材料已經(jīng)硬化之后，由于聯(lián)接引腳33a深深插入 到主體20的材料中，所以增加了聯(lián)接引腳33a、聯(lián)接凹槽33g和主體20之間的結(jié)合強(qiáng)度。D8表示子電極31b的端子與聯(lián)接引腳33a之間的距離，并且它可以處于大約0. 15mm至大約0. 6mm的范圍內(nèi)。 D9表示第二電極32的較長(zhǎng)軸的長(zhǎng)度，并且它可以處于大約0. 5mm至大約2mm的范圍內(nèi)。DlO表示第一電極31或第二電極32的T形截面的底表面的尺寸，并且它比該T形 截面的頂表面的長(zhǎng)度短，從而具有T形形狀的第一電極31或第二電極32能夠被支撐并固 定到主體20上。參考圖13，區(qū)域Ql和Q2分別表示第一電極31和第二電極32的角部。第一電極31和第二電極32的區(qū)域Q 1和Q2具有輕微凹入的角部的形式，從而該 區(qū)域Ql和Q2的彎曲表面與成型材料聯(lián)接。圖14示出主體20與電極(第一電極或第二電極)聯(lián)接的示例。參考圖14，在構(gòu)成主體20的材料已經(jīng)填充在形成于第一電極31 (或者在下文中被 省略的第二電極)中的聯(lián)接凹槽33g內(nèi)之后，主體20的材料發(fā)生硬化，使得該主體20以凹 凸結(jié)構(gòu)與第一電極31聯(lián)接。當(dāng)主體20構(gòu)成發(fā)光裝置封裝時(shí)，主體20的成型材料被填充到在第一電極(或第 二電極)的橫向表面上形成凹凸圖案的聯(lián)接凹槽33g中。之后，如果該成型材料硬化，那么 該硬化的成型材料被填充在由第一電極31 (或第二電極)形成的凹凸區(qū)域中，從而形成主 體20的外觀。通過(guò)這種凹凸結(jié)構(gòu)聯(lián)接關(guān)系，將主體20牢固地聯(lián)接第一電極31 (或第二電 極)。在這種情況下，如果當(dāng)該成型材料硬化時(shí)主體20的外觀被損壞，則可以對(duì)主體20執(zhí) 行打磨(sanding)過(guò)程以使主體20的外側(cè)部分平坦化。圖15至圖18示出根據(jù)第一、第二和第三實(shí)施例的電極(即，第一電極和第二電 極)。參考圖15，聯(lián)接引腳41和聯(lián)接凹槽42彼此在電極40的橫向表面上交替排列。根 據(jù)該實(shí)施例，以聯(lián)接引腳41突出到主體20的成型材料中并固定到主體20中的方式，將聯(lián) 接引腳41和引腳凹槽42在電極40的橫向表面上交替排列，并且主體20的成型材料被填 充在聯(lián)接凹槽42中，當(dāng)該成型材料硬化時(shí)，其牢固地聯(lián)接到聯(lián)接凹槽42。盡管通過(guò)繪制和描述的是，聯(lián)接引腳41和聯(lián)接凹槽42形成在電極40的橫向表面 處，但是聯(lián)接引腳41和聯(lián)接凹槽42甚至可以形成在電極40的頭部區(qū)域Q3中?？梢孕纬?至少兩個(gè)或三個(gè)聯(lián)接引腳41和聯(lián)接凹槽42。圖15的電極可以是參考圖1至圖14描述的第一電極31和第二電極32中的一個(gè)， 并且為了便于解釋?zhuān)瑢⒉粫?huì)單獨(dú)區(qū)分上述電極。如圖15所示，附圖標(biāo)記40a和40b表示暴露到主體20外部的子電極。子電極40a 和40b可以平行于電極40地形成，或者子電極40a和40b的端子可以向下彎曲。盡管已經(jīng) 將本實(shí)施例描述為電極40的端子被分支成兩個(gè)子電極40a和40b，但該子電極40a和40b 也可以未被分支。電極40可以包括圖5的第一電極31或第二電極32中的一個(gè)。如果圖12的第一 電極31和第二電極32具有根據(jù)本實(shí)施例的形狀，則一對(duì)電極的頭部區(qū)域Q3被提供在主體 20中，同時(shí)其相互面對(duì)，并且主體20的成型材料被填充在兩個(gè)電極31和32之間的空間中， 從而兩個(gè)電極31和32可以在兩個(gè)電極彼此隔開(kāi)的狀態(tài)下固定。參考圖16，除了聯(lián)接引腳45的厚度Dll比第一電極31的厚度D12薄之外，聯(lián)接引腳45和聯(lián)接凹槽46可以具有與圖15的引腳和凹槽的結(jié)構(gòu)相類(lèi)似的結(jié)構(gòu)，從而電極40能 夠更加牢固地固定到主體20。參考圖16，主體20的成型材料被填充在聯(lián)接引腳45下面， 并且填充在聯(lián)接凹槽46中。當(dāng)聯(lián)接引腳45的成型材料被填充在聯(lián)接引腳45下面時(shí)，用于 具有聯(lián)接引腳45和聯(lián)接凹槽46的電極40的區(qū)域Q4的、電極40的截面形成T形形狀，并 且在該成型材料已經(jīng)硬化之后，電極40由主體20支撐。在這樣的情況下，由于聯(lián)接引腳45 的端子平行于該主體的外圍表面，所以該端子沒(méi)有暴露到電極40外部。由于在上面的結(jié)構(gòu)中，具有T形形狀的聯(lián)接引腳45沒(méi)有暴露到第一電極31的外 圍表面的外部，所以能夠防止聯(lián)接引腳45由于外力而損壞或變形。參考圖17，聯(lián)接引腳47從電極40以梯形的形式突出，并且，具有三角形形狀的聯(lián) 接凹槽48與聯(lián)接引腳47交替排列。由于聯(lián)接凹槽48具有從電極40向內(nèi)深深地凹陷的三 角形形狀，所以相對(duì)于該三角形的頂點(diǎn)，聯(lián)接凹槽48的角度θ形成為銳角。在該成型材料 已經(jīng)填充在具有銳角的聯(lián)接凹槽48中并且硬化之后，電極40沿方向F和G具有強(qiáng)抵抗力。 換言之，由于電極40不容易沿方向F或G分離，并且聯(lián)接引腳47相對(duì)于方向H或者與方向 H成180度角度的相反方向具有抵抗力，所以電極40牢固地聯(lián)接到主體20上。如圖17所示，聯(lián)接引腳47和聯(lián)接凹槽48沿著電極40的橫向表面形成。然而，聯(lián) 接引腳47和聯(lián)接凹槽48可以沿電極40的方向F形成?？梢孕纬芍辽僖粋€(gè)聯(lián)接引腳47和 至少一個(gè)聯(lián)接凹槽48?？梢孕纬芍辽賰蓚€(gè)聯(lián)接引腳47和至少兩個(gè)聯(lián)接引腳48。盡管未示出，聯(lián)接引腳47可以具有與電極40的厚度不同的厚度，從而該聯(lián)接引腳 47和電極40可以具有階梯差結(jié)構(gòu)。如果聯(lián)接引腳47和電極40具有階梯差結(jié)構(gòu)，那么電極 40由主體20的成型材料支撐，使得該電極40更牢固地聯(lián)接到主體20。參考圖18，在電極40上未形成有突起或凹部，但是在電極40中沿表面方向中形成 有兩個(gè)孔51和52?？?1和52完全貫穿該電極40。在成型材料通過(guò)孔51和52注入并且硬化之后， 電極40通過(guò)該硬化的成型材料牢固地固定到主體20上。盡管圖18示出的是具有圓形形 狀的孔51和52，但是可以以圓形、橢圓形、三角形、矩形、以及多邊形形狀來(lái)實(shí)現(xiàn)該孔51和 52。為了增加電極40和主體20之間的結(jié)合強(qiáng)度，可以在電極40中形成兩個(gè)孔51和 52、三個(gè)孔51和52、或者更多個(gè)孔。根據(jù)本實(shí)施例的電極40與主體20具有非常簡(jiǎn)單的聯(lián) 接結(jié)構(gòu)，從而由于該結(jié)構(gòu)的簡(jiǎn)單性而能夠獲得可靠性和穩(wěn)定性。圖19至圖21示出了根據(jù)本公開(kāi)的各個(gè)實(shí)施例的電極(第一電極或第二電極)的 角部。參考圖19，角部區(qū)域61具有矩形形狀。當(dāng)角部區(qū)域61具有矩形形狀時(shí)，可以簡(jiǎn)單 地制造出電極60，并且能夠簡(jiǎn)化該發(fā)光裝置的整體結(jié)構(gòu)。參考圖20，角部區(qū)域62可以具有從電極60向內(nèi)凹陷的彎曲表面。當(dāng)角部區(qū)域62 具有從電極60向內(nèi)凹陷的彎曲表面時(shí)，由于該彎曲表面，角部區(qū)域62的面積增加了。因此， 當(dāng)通過(guò)使用成型材料進(jìn)行封裝時(shí)，可以增大該角部區(qū)域62與成型材料之間的接觸面。隨著 該接觸面增加，電極60的角部區(qū)域62與成型材料之間的摩擦增大了。因此，在成型材料固 定該電極60之后，電極60可以牢固地聯(lián)接到該成型材料。然后，參考圖21，角部區(qū)域63被凹陷成矩形形狀，并且可以相對(duì)于方向I和J具有抵抗力。例如，當(dāng)電極60在與方向I相反的方向上移動(dòng)時(shí)，該成型材料對(duì)方向I具有抵 抗力，從而能夠阻止電極60的移動(dòng)。另外，當(dāng)電極在與方向J相反的方向上移動(dòng)時(shí)，該成型 材料相對(duì)于方向J具有抵抗力，從而阻止第一電極31的移動(dòng)。類(lèi)似地，盡管未示出，在電極 60的左側(cè)形成有矩形形狀的凹槽，并且通過(guò)彼此對(duì)稱地形成在電極60的左右兩側(cè)的角部 區(qū)域63來(lái)阻止電極60在方向I和J上以及在與方向I和J相反的方向上移動(dòng)。形成在電極60的右側(cè)的角部區(qū)域6也同樣形成在電極60的左側(cè)(在圖21中沒(méi) 有示出)，使得這些角部區(qū)域彼此對(duì)稱。這種對(duì)稱可應(yīng)用于圖19和圖20的實(shí)施例。圖22示出根據(jù)本發(fā)明另一實(shí)施例的發(fā)光裝置的電極結(jié)構(gòu)，并且圖23示出了圖22 的電極聯(lián)接到主體的示例。參考圖22和23，在安裝發(fā)光芯片70的電極71中形成有引導(dǎo)凹槽72，并且引導(dǎo)凹 槽72沿著發(fā)光芯片70的外圍部分形成在發(fā)光芯片70周?chē)?。通過(guò)使電極71的與發(fā)光芯片 70的外圍部分相對(duì)應(yīng)的表面凹陷來(lái)形成該引導(dǎo)凹槽72。沿著發(fā)光芯片70的外圍表面，形 成在電極71的表面中的凹槽可以具有圓形、矩形、三角形、以及多邊形形狀。由于引導(dǎo)凹槽72在電極71的表面中凹陷，所以引導(dǎo)凹槽72的截面，S卩，具有該凹 槽的電極的截面可以具有圓形、矩形、三角形、或者多邊形形狀。圖17示出了凹槽的截面具 有三角形形狀的示例。引導(dǎo)凹槽72與發(fā)光芯片70的外圍表面的一側(cè)以距離D15隔開(kāi)。引導(dǎo)凹槽72使 得通過(guò)保護(hù)蓋74滲入的雜質(zhì)的進(jìn)入路徑呈V形形狀，并且如果主體的成型材料已經(jīng)滲入并 硬化，則增加了該訪問(wèn)路徑，從而阻止雜質(zhì)進(jìn)入發(fā)光芯片70。電極71包括第一電極71a和第二電極72b，以將電力提供到發(fā)光芯片70。由于第 一電極71a和第二電極71b提供正電壓⑴和負(fù)電壓㈠中的一個(gè)，所以第一電極71a和 第二電極71b彼此需要電氣絕緣。因此，第一電極71a和第二電極71b彼此以距離D14隔 開(kāi)。優(yōu)選地，該距離D 14具有大約0.1mm至大約2mm的范圍，并且可以根據(jù)在發(fā)光芯片70 中消耗的電流量或電壓來(lái)增大或減小該范圍。當(dāng)?shù)谝浑姌O71a與第二電極71b隔開(kāi)時(shí)，設(shè) 置在第一電極71a和第二電極71b之間的空間中的保護(hù)蓋74能夠盡可能防止諸如灰塵、水 分、以及其它的雜質(zhì)通過(guò)主體的下部滲入到第一電極71a和第二電極71b之間的空間中。保 護(hù)蓋74具有較窄的頂表面和較寬的底表面。形成從該底表面到頂表面的傾斜路徑，從而能 夠使第一電極71a和第二電極71b之間的雜質(zhì)滲透路徑最大。然而，即使通過(guò)使用該結(jié)構(gòu)來(lái)使雜質(zhì)的滲透最少，雜質(zhì)仍可能滲透到由保護(hù)蓋74 密封的區(qū)域。當(dāng)引入到該密封區(qū)域的雜質(zhì)朝著發(fā)光芯片70移動(dòng)時(shí)，在發(fā)光芯片70的外圍 部分通過(guò)引導(dǎo)凹槽72再次阻止雜質(zhì)的進(jìn)入。因此，雜質(zhì)無(wú)法滲透到發(fā)光芯片70中或者通 過(guò)該發(fā)光芯片70的外圍部分。圖M是示出根據(jù)本公開(kāi)的另一實(shí)施例的電極的視圖，并且圖25是示出主體聯(lián)接 到電極的示例。參考圖M和25，在安裝發(fā)光芯片80的電極81中形成有引導(dǎo)部82，并且該引導(dǎo)部 82沿著發(fā)光芯片80的外圍表面形成在發(fā)光芯片80周?chē)?。引?dǎo)部82從電極81的頂表面突 出。當(dāng)電極81的形成有引導(dǎo)部82的區(qū)域被切割時(shí)，其切割表面具有如下結(jié)構(gòu)其中，具有 三角形、矩形、半圓形或者其它多邊形形狀的突起從電極81的該表面突出。如圖M所示， 該矩形突起對(duì)應(yīng)于引導(dǎo)部82。
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引導(dǎo)部82可以形成在發(fā)光芯片80的周?chē)哂芯匦?、圓形、三角形以及其它多邊 形形狀中的一種。在這種情況下，引導(dǎo)部82不需要具有關(guān)于發(fā)光芯片80對(duì)稱的對(duì)稱結(jié)構(gòu)。如果必要，引導(dǎo)部82的一側(cè)可以更接近于發(fā)光芯片80的中點(diǎn)，并且引導(dǎo)部82的 另一相反側(cè)可以更遠(yuǎn)離發(fā)光芯片80的中點(diǎn)。電極81包括第一電極81a和第二電極81b，以將電力提供到發(fā)光芯片80，并且第 一電極81a和第二電極81b彼此以距離D16隔開(kāi)，以防止第一電極81a和第二電極81b被 電氣短路。優(yōu)選地，該距離D16可以處于大約0. Imm至大約2mm的范圍內(nèi)，并且可以根據(jù)在發(fā) 光芯片80中消耗的電流量和電壓來(lái)更改該范圍。引導(dǎo)部82以預(yù)定距離D17與發(fā)光芯片80隔開(kāi)，并且突出到構(gòu)成主體20的成型材 料21中，從而能夠在發(fā)光芯片80周?chē)纬杀?。?dāng)雜質(zhì)滲入保護(hù)蓋84的密封區(qū)域以朝著發(fā) 光芯片80移動(dòng)時(shí)，引導(dǎo)部82防止雜質(zhì)向發(fā)光芯片80移動(dòng)。隨著引導(dǎo)部82的高度增加，對(duì) 雜質(zhì)的抵抗力增加了。然而，由于發(fā)光芯片80的發(fā)光效率隨著引導(dǎo)部82的高度增加而降 低，所以引導(dǎo)部82的高度優(yōu)選被設(shè)定為與發(fā)光芯片80的高度相同或者比發(fā)光芯片80的高 度低的值。保護(hù)蓋84通過(guò)密封該第一電極81a與第二電極81b之間的空間來(lái)初步防止外部 雜質(zhì)滲透到發(fā)光芯片80中。保護(hù)蓋84的頂表面和底表面分別與第一電極81a和第二電極 81b的頂表面和底表面成直線地布置。盡管圖25示出保護(hù)蓋84的頂表面與電極81的頂表面成直線，但是保護(hù)蓋84的 頂表面還額外延伸到第一電極81a和第二電極81b，從而該保護(hù)蓋84可以具有帽形形狀。 在這樣的情況下，保護(hù)蓋84可以對(duì)外部雜質(zhì)的滲透具有較高的抵抗性。當(dāng)保護(hù)蓋84的頂表面在第一電極81a和第二電極81b的頂表面的方向上延伸時(shí)， 保護(hù)蓋84的形狀可以與圖4的保護(hù)蓋27的形狀相同。在本說(shuō)明書(shū)中對(duì)于“一個(gè)實(shí)施例”、“一實(shí)施例”、“示例性實(shí)施例”等的引用意味著 結(jié)合該實(shí)施例描述的特定特征、結(jié)構(gòu)或特性被包括在本公開(kāi)的至少一個(gè)實(shí)施例中。在本說(shuō) 明書(shū)中各處出現(xiàn)的這類(lèi)短語(yǔ)不必都表示相同的實(shí)施例。此外，當(dāng)結(jié)合任何實(shí)施例描述特定 特征、結(jié)構(gòu)或特性時(shí)，都認(rèn)為結(jié)合這些實(shí)施例中的其它實(shí)施例來(lái)實(shí)現(xiàn)這樣的特征、結(jié)構(gòu)或特 性也是本領(lǐng)域技術(shù)人員所能夠想到的。雖然已經(jīng)參照本發(fā)明的多個(gè)示例性實(shí)施例描述了實(shí)施例，但應(yīng)該理解，本領(lǐng)域的 技術(shù)人員可以設(shè)計(jì)出落入本發(fā)明原理的精神和范圍內(nèi)的多個(gè)其它修改和實(shí)施例。更特別 地，在本說(shuō)明書(shū)、附圖和所附權(quán)利要求的范圍內(nèi)的主題組合布置的組成部件和/或布置結(jié) 構(gòu)中，各種變化和修改都是可能的。除了組成部件和/或布置結(jié)構(gòu)的變化和修改之外，對(duì)于 本領(lǐng)域的技術(shù)人員來(lái)說(shuō)，替代用途也將是顯而易見(jiàn)的。
權(quán)利要求
1.一種發(fā)光裝置，包括主體；第一電極和第二電極，所述第一電極位于所述主體中，所述第二電極與所述第一電極 分離；發(fā)光芯片，所述發(fā)光芯片形成在所述第一電極和所述第二電極中的一個(gè)上，并且電連 接到所述第一電極和所述第二電極；以及保護(hù)構(gòu)件，所述保護(hù)構(gòu)件在所述第一電極與所述第二電極之間突出。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的發(fā)光裝置，其中，所述保護(hù)構(gòu)件與所述主體一體地形成。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的發(fā)光裝置，其中，所述保護(hù)構(gòu)件包圍所述第一電極或所述第 二電極的頂表面的至少一部分。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的發(fā)光裝置，其中，所述第一電極和所述第二電極彼此以第一 距離隔開(kāi)，并且所述保護(hù)構(gòu)件具有比所述第一距離大0. 02mm至0. 5mm的寬度。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的發(fā)光裝置，其中，所述保護(hù)構(gòu)件的厚度處于0.Olmm至0. Imm 的范圍內(nèi)。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的發(fā)光裝置，其中，所述保護(hù)構(gòu)件包括與所述主體的材料不同 的材料。
7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的發(fā)光裝置，其中，所述主體能夠包括從由以下項(xiàng)組成的組中 選擇的至少一個(gè)樹(shù)脂、硅、金屬、PSG(光敏玻璃)、藍(lán)寶石(Al2O3)、以及印制電路板。
8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的發(fā)光裝置，其中，所述第一電極和第二電極貫穿所述主體的 底表面，并且具有暴露到所述主體外部的端子。
9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的發(fā)光裝置，其中，所述第一電極和第二電極包括從邊緣的一 部分突出的至少一個(gè)聯(lián)接引腳；和從所述邊緣的一部分凹陷的至少一個(gè)聯(lián)接凹槽。
10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的發(fā)光裝置，其中，所述主體包括樹(shù)脂材料，并且在所述樹(shù)脂 材料硬化時(shí)與所述聯(lián)接凹槽及所述聯(lián)接引腳協(xié)作形成凹凸結(jié)構(gòu)。
11.根據(jù)權(quán)利要求10所述的發(fā)光裝置，其中，所述聯(lián)接引腳和所述聯(lián)接凹槽彼此交替 排列。
12.根據(jù)權(quán)利要求1所述的發(fā)光裝置，其中，所述第一電極或所述第二電極具有至少一 個(gè)孔，所述至少一個(gè)孔填充有所述主體的材料并且與所述主體聯(lián)接。
13.根據(jù)權(quán)利要求1所述的發(fā)光裝置，其中，所述第一電極或所述第二電極包括引導(dǎo)凹 槽，所述引導(dǎo)凹槽沿著所述發(fā)光芯片的外圍表面形成，以防止雜質(zhì)滲入所述發(fā)光芯片中。
14.根據(jù)權(quán)利要求1所述的發(fā)光裝置，還包括引導(dǎo)部，所述引導(dǎo)部從所述第一電極和所 述第二電極中的一個(gè)的表面突出，并且沿著所述發(fā)光芯片的外圍表面形成，以防止雜質(zhì)滲 入所述發(fā)光芯片中。
15.一種發(fā)光裝置，包括主體；第一電極和第二電極，所述第一電極和第二電極包括從橫向表面突出的至少一個(gè)聯(lián)接 引腳，從而以凹凸結(jié)構(gòu)與所述主體的材料聯(lián)接，其中，形成有所述聯(lián)接引腳的橫截面具有T 形形狀；以及發(fā)光芯片，所述發(fā)光芯片安裝在所述第一電極和所述第二電極中的一個(gè)上t
全文摘要
本發(fā)明公開(kāi)了一種發(fā)光裝置及其制造方法。該發(fā)光裝置包括主體；第一電極和第二電極，該第一電極安裝在所述主體中，該第二電極與第一電極分離；發(fā)光芯片，該發(fā)光芯片形成在第一電極和第二電極中的一個(gè)上，并且電氣連接到第一電極和第二電極；以及保護(hù)蓋，該保護(hù)蓋在第一電極與第二電極之間突出。
文檔編號(hào)H01L33/48GK102122696SQ20101057680
公開(kāi)日2011年7月13日 申請(qǐng)日期2010年12月1日 優(yōu)先權(quán)日2009年12月1日
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