專利名稱：一種復(fù)合左右手非線性傳輸線微波倍頻電路及其制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及微電子中微波電路技術(shù)領(lǐng)域，尤其涉及一種基于平面肖特基二極管的復(fù)合左右手非線性傳輸線微波倍頻電路及其制作方法。
背景技術(shù)：
隨著系統(tǒng)工作頻率向微波高端、毫米波和太赫茲頻段延伸，要求頻率越來(lái)越高，由于受器件、輸出功率等因素的影響，基波很難在這些頻段上滿足系統(tǒng)的電性能指標(biāo)，需對(duì)輸入基波信號(hào)進(jìn)行整數(shù)倍的頻率倍增，將頻率擴(kuò)展到微波、毫米波高端甚至太赫茲波，這樣對(duì)微波和毫米波發(fā)射機(jī)和接收機(jī)、通信、電子戰(zhàn)、雷達(dá)等領(lǐng)域具有重要意義。肖特基二極管的肖特基結(jié)電容隨外加偏置電壓非線性變化，因寄生串聯(lián)電阻小， 具有極高的截止頻率，在毫米波或亞毫米波頻段，以肖特基非線性電容為基礎(chǔ)的倍頻器可以有效獲取所需諧波輸出功率。肖特基二極管在大正向偏置電壓時(shí)有很大的結(jié)電容，等效為一個(gè)大電容，呈現(xiàn)低阻抗，近似短路；而反向偏置電壓時(shí)近似為一個(gè)小電容，呈現(xiàn)高阻抗， 近似開(kāi)路，使得基于肖特基二極管的倍頻電路消耗功率很低，得到廣泛應(yīng)用。復(fù)合左右手傳輸線是一種人工合成的非線性傳輸媒質(zhì)，具有負(fù)的折射率(O、磁導(dǎo)率(μ)和負(fù)的折射率，電磁波在其中傳播時(shí)，波矢方向和能流方向相反(即具有負(fù)的相速度和正的群速度)的特性，電場(chǎng)強(qiáng)度Ε、磁場(chǎng)強(qiáng)度H和波矢K滿足左手螺旋法則，表現(xiàn)出奇異色的散特性。典型的復(fù)合左右手傳輸線由串聯(lián)的電容、微帶線和并聯(lián)的電感級(jí)聯(lián)而成，其簡(jiǎn)化電路模型為串聯(lián)電容和并聯(lián)電感，電學(xué)上表現(xiàn)為高通電路，適于應(yīng)用在高頻電路中，同時(shí)其制作工藝與單片微波集成電路工藝兼容，因此廣泛應(yīng)用于射頻、微波和毫米波領(lǐng)域，隨著微電子工藝的不斷發(fā)展，該結(jié)構(gòu)逐步擴(kuò)展到THz領(lǐng)域。將復(fù)合左右手傳輸線中的固定電容變?yōu)樾ぬ鼗O管，構(gòu)成復(fù)合左右手非線性傳輸線。利用復(fù)合左右手傳輸線奇異的色散特性和電學(xué)上的高通相應(yīng)特性，以及肖特基二極管超高頻下的非線性特性，可以在微波、毫米波高端甚至太赫茲波頻段倍頻電路中得到廣泛應(yīng)用。通常情況下，基于復(fù)合左右手非線性傳輸線的倍頻電路，設(shè)計(jì)上使用微帶線傳輸線結(jié)構(gòu)，制作上采用混合電路制作工藝。該結(jié)構(gòu)電路存在以下固定缺陷需采用過(guò)孔和背金工藝；分別將肖特基二極管和電感倒扣和表貼在高頻基板上；需要為肖特基二極管提供偏置電路；常常伴隨著產(chǎn)生大量雜散波，進(jìn)而產(chǎn)生的雜散波的諧波也出現(xiàn)在諧波中，得不到純凈的諧波信號(hào)；諧波隨肖特基二極管外加偏置電壓影響較大，有時(shí)得不到諧波輸出。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的目的在于提供一種復(fù)合左右手非線性傳輸線微波倍頻電路，優(yōu)化了電路結(jié)構(gòu)，簡(jiǎn)化了外圍偏置電路。本發(fā)明的另一目的在于提供一種復(fù)合左右手非線性傳輸線微波倍頻電路的制作方法，簡(jiǎn)化電路制作工藝。
3
為了達(dá)到上述目的，本發(fā)明采用的技術(shù)方案為一種復(fù)合左右手非線性傳輸線微波倍頻電路，所述倍頻電路由5節(jié)復(fù)合左右手非線性傳輸線單元串聯(lián)構(gòu)成，每節(jié)復(fù)合左右手非線性傳輸線單元分別由兩個(gè)串聯(lián)的相同肖特基二極管、一個(gè)與肖特基二極管并聯(lián)的矩形繞線電感和對(duì)稱分布在所述矩形繞線電感兩邊的兩根相同的傳輸線組成。上述方案中，所述第一節(jié)復(fù)合左右手非線性傳輸線單元中的肖特基二極管DO由隔直電容Cl取代，所述第五節(jié)復(fù)合左右手非線性傳輸線單元中的肖特基二極管D5由隔直電容C2取代。上述方案中，每節(jié)復(fù)合左右手非線性傳輸線單元中，所述矩形繞線電感的幾何尺寸為矩形內(nèi)圈半徑40微米，矩形繞線寬IOum ；矩形繞線間距10微米，矩形繞線3圈半，對(duì)應(yīng)電感值為2. 9nH。上述方案中，每節(jié)復(fù)合左右手非線性傳輸線單元中，所述兩段相同的傳輸線采用共面波導(dǎo)傳輸線組態(tài)，制作在350微米的砷化鎵襯底上，其幾何尺寸為中間信號(hào)線寬83微米，中間信號(hào)線距信號(hào)線兩邊共面地的間距為290微米，兩段共面波導(dǎo)傳輸線共長(zhǎng)930微米。上述方案中，所述第一節(jié)復(fù)合左右手非線性傳輸線單元中的隔直電容Cl和第五節(jié)復(fù)合左右手非線性傳輸線單元中的隔直電容C2，采用微波集成電路制作工藝，電容值為 0. 25pF0一種復(fù)合左右手非線性傳輸線微波倍頻電路的制作方法，包括如下步驟A、在半絕緣的砷化鎵(GaAs)襯底上外延生長(zhǎng)N+層；B、在N+層上外延生長(zhǎng)N—有源層；C、采用濕法腐蝕刻蝕N—層，在N+層上形成臺(tái)面結(jié)構(gòu)；D、在N+層上蒸發(fā)金屬形成肖特基二極管的下電極；E、采用低溫合金方法，在N+層形成歐姆接觸；F、在N—層上蒸發(fā)金屬形成肖特基接觸的上電極；G、采用濕法腐蝕刻蝕N+層，形成器件之間的電學(xué)隔離；H、蒸發(fā)形成一次布線金屬；I、在外延片上沉積一層Si3N4，采用干法刻蝕在Si3N4表面刻孔，打開(kāi)電極引線窗 Π ；J、電鍍形成二次布線金屬。上述方案中，所述步驟A中N+層的厚度為1微米，摻雜濃度為5X1018cm_3。上述方案中，所述步驟B中N—有源層的厚度為0. 6微米、摻雜濃度為5X 1016cm_3。上述方案中，所述步驟H中蒸發(fā)的一次布線金屬為隔直電容和矩形繞線電感的下電極；上述方案中，所述步驟J中電鍍的二次布線金屬為隔直電容、矩形繞線電感的上電極和共面波導(dǎo)傳輸線。與現(xiàn)有技術(shù)相比，本發(fā)明采用的技術(shù)方案產(chǎn)生的有益效果如下本發(fā)明提供的復(fù)合左右手非線性傳輸線微波倍頻電路，優(yōu)化了電路結(jié)構(gòu)，簡(jiǎn)化了外圍偏置電路，縮小了體積；本發(fā)明提供的復(fù)合左右手非線性傳輸線微波倍頻電路的制作方法，簡(jiǎn)化相應(yīng)電路制作工藝，以改善倍頻電路的諧波輸出功率，增加諧波轉(zhuǎn)化效率，增強(qiáng)諧波輸出純度等特性。


圖1為本發(fā)明實(shí)施例提供的復(fù)合左右手非線性傳輸線微波倍頻電路的結(jié)構(gòu)示意圖；圖2為本發(fā)明另一實(shí)施例提供的復(fù)合左右手非線性傳輸線微波倍頻電路的結(jié)構(gòu)示意圖；圖3為本發(fā)明實(shí)施例中第二節(jié)復(fù)合左右手非線性傳輸線單元的結(jié)構(gòu)示意圖；圖4為本發(fā)明實(shí)施例中肖特基二極管C-V特性曲線圖；圖5為本發(fā)明實(shí)施例中肖特基二極管I-V特性曲線圖；圖6為本發(fā)明實(shí)施例中矩形繞線電感結(jié)構(gòu)圖；圖7為本發(fā)明實(shí)施例中隔直電容結(jié)構(gòu)圖；圖8為本發(fā)明實(shí)施例提供的復(fù)合左右手非線性傳輸線微波倍頻電路的色散特性曲線圖；圖9為本發(fā)明實(shí)施例提供的復(fù)合左右手非線性傳輸線微波倍頻電路的S21參數(shù)圖；圖10為本發(fā)明實(shí)施例提供的復(fù)合左右手非線性傳輸線微波倍頻電路的S11參數(shù)圖；圖11為本發(fā)明實(shí)施例提供的復(fù)合左右手非線性傳輸線微波倍頻電路的諧波輸出頻譜圖；圖12為本發(fā)明實(shí)施例提供的復(fù)合左右手非線性傳輸線微波倍頻電路制作方法的流程圖；圖13為本發(fā)明實(shí)施例提供的復(fù)合左右手非線性傳輸線微波倍頻電路的芯片版圖。
具體實(shí)施例方式下面結(jié)合附圖和實(shí)施例對(duì)本發(fā)明技術(shù)方案進(jìn)行詳細(xì)描述。如圖1所示，本發(fā)明實(shí)施例提供一種復(fù)合左右手非線性傳輸線微波倍頻電路，該電路可由5節(jié)復(fù)合左右手非線性傳輸線單元串聯(lián)構(gòu)成，每節(jié)復(fù)合左右手非線性傳輸線單元可由兩個(gè)串聯(lián)的相同肖特基二極管和一個(gè)與肖特基二極管并聯(lián)的矩形繞線電感組成，長(zhǎng)度相等的共面波導(dǎo)傳輸線和對(duì)稱地分布在矩形繞線電感兩邊，如圖3所示。由圖2中可以看出，每節(jié)復(fù)合左右手非線性傳輸線單元之間可共用一個(gè)肖特基二極管。如圖2所示，圖2是本發(fā)明另一實(shí)施例提供的復(fù)合左右手非線性傳輸線微波倍頻電路的結(jié)構(gòu)示意圖，5節(jié)復(fù)合左右手非線性傳輸線中，第一節(jié)復(fù)合左右手非線性傳輸線中的肖特基二極管DO可由隔直電容Cl取代，第五節(jié)復(fù)合左右手非線性傳輸線中的肖特基二極管D5可由隔直電容C2取代。如圖4所示，圖4為本發(fā)明實(shí)施例提供的復(fù)合左右手非線性傳輸線微波倍頻電路中肖特基二極管C-V特性曲線，從圖中可以看出在-IOV到0. 6V間，肖特基二極管的最大電容比達(dá)5. 4，該肖特基二極管是一種理想的非線性變?nèi)菰?。如圖5所示，圖5為本發(fā)明實(shí)施例提供的復(fù)合左右手非線性傳輸線微波倍頻電路中肖特基二極管I-V特性曲線，從圖中可以看出在-IOV到0. 6V間，在大正向偏置電壓下， 電流很大，對(duì)應(yīng)極小的非線性電阻，在負(fù)的反向偏置電壓下，電流很小，對(duì)應(yīng)極大地非線性電阻，等效為開(kāi)路。如圖6所示，圖6為與每節(jié)復(fù)合左右手非線性傳輸線單元中的矩形繞線電感制作相一致的版圖，矩形繞線線圈幾何尺寸為矩形內(nèi)圈半徑R為40微米，矩形繞線寬W為Oum， 矩形繞線間距S為10微米，矩形繞線3圈半，下底面下穿線圈為10微米X90微米的矩形， 兩個(gè)刻孔尺寸為8微米X8的矩形，對(duì)應(yīng)電感值為2. 9nH。每節(jié)復(fù)合左右手非線性傳輸線中，兩段相同傳輸線和采用共面波導(dǎo)傳輸線組態(tài)， 制作在350微米的砷化鎵襯底上，其幾何尺寸為中間信號(hào)線寬83微米，中間信號(hào)線距信號(hào)線兩邊共面地的間距為290微米，兩段共面波導(dǎo)傳輸線共長(zhǎng)930微米，對(duì)應(yīng)的特征阻抗為 75 Ω。第一節(jié)復(fù)合左右手非線性傳輸線單元中的隔直電容Cl和第五節(jié)復(fù)合左右手非線性傳輸線單元中的隔直電容C2，采用微波集成電路制作工藝，電容值為0. 25pF，如圖7所示，圖7為與兩個(gè)隔直電容制作相一致的版圖，電容的下底面PAD為60微米X 32微米的矩形，電容上表面PAD和連接線為43微米X 30微米的矩形，電容連接線為22微米X 30微米的矩形，兩個(gè)刻孔尺寸為8微米X8微米的矩形，對(duì)應(yīng)電容值為0. 25pF。如圖8所示，圖8為本發(fā)明實(shí)施例提供的復(fù)合左右手非線性傳輸線微波倍頻電路對(duì)應(yīng)的色散特性曲線，在整個(gè)頻段內(nèi)表現(xiàn)為一個(gè)左手低頻阻帶(截止頻率為Π)，一個(gè)右手高頻阻帶和一個(gè)位于頻率f2和f3間的阻帶。特征頻率Π、f2和f3分別由復(fù)合左右手非
線性傳輸線的元件值決定，他們分別滿足fl '/3 =其中L和C是長(zhǎng)度為d的共面波導(dǎo)傳輸線等效分布電感和電容值，Ctl和Ltl是復(fù)合左右手非線性傳輸線中的串聯(lián)電容值和并聯(lián)電感值。因此復(fù)合左右手非線性傳輸線表現(xiàn)出下限截止頻率可調(diào)的高通濾波特性，且該高通濾波響應(yīng)中存在一個(gè)位于f2和f3間的阻帶， 當(dāng)LtlC = C0L時(shí)阻帶可以被消除。當(dāng)復(fù)合左右手非線性傳輸線用作倍頻電路時(shí)，產(chǎn)生的諧波應(yīng)避免出現(xiàn)在f2到f3的阻帶間，導(dǎo)致諧波信號(hào)輸出功率的嚴(yán)重衰減，應(yīng)使諧波出現(xiàn)在復(fù)合左右手非線性傳輸線的通帶中。因此通過(guò)調(diào)整并聯(lián)電感和串聯(lián)電容值，以及共面波導(dǎo)傳輸線參數(shù)，可以設(shè)計(jì)滿足要求的諧波電路。如圖9和圖10所示，圖9、圖10分別為本發(fā)明實(shí)施例提供的復(fù)合左右手非線性傳輸線微波倍頻電路對(duì)應(yīng)測(cè)量S21和S11曲線圖，由S21可知在整個(gè)頻帶內(nèi)表現(xiàn)為一個(gè)左手低頻阻帶(截止頻率為fi)，一個(gè)右手高頻阻帶(上限截止頻率高于最高測(cè)試頻率40GHz，因此在0-40GHZ頻段內(nèi)未出現(xiàn))和一個(gè)阻帶，與理論色散特性一致。如圖11所示，圖11為本發(fā)明實(shí)施例提供的一種復(fù)合左右手非線性傳輸線微波倍頻電路的諧波輸出頻譜圖，輸入基波信號(hào)頻率為13GHz，輸入功率為20dBm，可見(jiàn)本發(fā)明中復(fù)合左右手非線性傳輸線微波倍頻電路，可以輸出純凈的二次諧波，而且輸出諧波功率達(dá) IldBm,相應(yīng)二次諧波轉(zhuǎn)換效率高達(dá)11%。
6
如圖12所示，圖12為本發(fā)明實(shí)施例提供的一種復(fù)合左右手非線性傳輸線微波倍頻電路的制作方法流程圖，該方法是與本發(fā)明提供的倍頻電路結(jié)構(gòu)相適應(yīng)的電路制造工藝?；诖酥谱鞣椒ㄖ谱鞒龅耐庋悠?，制作出的復(fù)合左右手非線性傳輸線微波倍頻電路具有良好的性能，制作外延片的方法具體包括以下步驟步驟101 在半絕緣的砷化鎵(GaAs)襯底上外延生長(zhǎng)1微米、摻雜濃度為 5 X IO18CnT3 的 N+層；步驟102 在N+層上外延生長(zhǎng)0. 6微米、摻雜濃度為5 X IO16CnT3的N—有源層；步驟103 采用濕法腐蝕刻蝕N_層，在N+層上形成臺(tái)面結(jié)構(gòu)；步驟104 在N+層上蒸發(fā)金屬形成肖特基二極管的下電極；步驟105 采用低溫合金方法，在N+層形成歐姆接觸；步驟106 :在層上蒸發(fā)金屬形成肖特基接觸的上電極；步驟107 采用濕法腐蝕刻蝕N+層，形成器件之間的電學(xué)隔離；步驟108 蒸發(fā)形成一次布線金屬，形成隔直電容和矩形繞線電感的下電極；步驟109 在外延片上沉積一層Si3N4，采用干法刻蝕在Si3N4表面刻孔，打開(kāi)電極引線窗口 ；步驟110 電鍍形成二次布線金屬，形成隔直電容、矩形繞線電感的上電極和共面波導(dǎo)傳輸線以及連接線圖形。上述制作方法與復(fù)合左右手非線性傳輸線微波倍頻電路結(jié)構(gòu)相適應(yīng)，流程簡(jiǎn)單， 可操作性強(qiáng)，適宜批量生產(chǎn)。關(guān)于本發(fā)明提供的一種復(fù)合左右手非線性傳輸線微波倍頻電路，還可以參照?qǐng)D 13，圖13為本發(fā)明提供的一種制作復(fù)合左右手非線性傳輸線微波倍頻電路的芯片版圖。本發(fā)明采用共面波導(dǎo)傳輸線的平面結(jié)構(gòu)，避免了復(fù)雜的過(guò)孔和背金制作工藝。本發(fā)明中肖特基二極管和矩形繞線電感采用了單片微波集成電路制作工藝，省略了倒扣和貼片制作工藝，避免了惡化倍頻電路性能的寄生電抗效應(yīng)；同時(shí)本發(fā)明中的肖特基二極管通過(guò)兩相鄰接地電感構(gòu)成自偏置結(jié)構(gòu)，無(wú)需偏置電路，簡(jiǎn)化了倍頻器結(jié)構(gòu)，縮小了體積。本發(fā)明提供的復(fù)合左右手非線性傳輸線微波倍頻電路，電路匹配容易，只需通過(guò)調(diào)整矩形繞線電感值、肖特基有源區(qū)面積和傳輸線特征尺寸參數(shù)，即可實(shí)現(xiàn)與負(fù)載和信號(hào)源之間的匹配。以上所述僅為本發(fā)明的優(yōu)選實(shí)施例而已，并不用于限制本發(fā)明，對(duì)于本領(lǐng)域的技術(shù)人員來(lái)說(shuō)，本發(fā)明可以有各種更改和變化。凡在本發(fā)明的精神和原則之內(nèi)，所作的任何修改、等同替換、改進(jìn)等，均應(yīng)包含在本發(fā)明的保護(hù)范圍之內(nèi)。
權(quán)利要求
1.一種復(fù)合左右手非線性傳輸線微波倍頻電路，其特征在于所述倍頻電路由5節(jié)復(fù)合左右手非線性傳輸線單元串聯(lián)構(gòu)成，每節(jié)復(fù)合左右手非線性傳輸線單元分別由兩個(gè)串聯(lián)的相同肖特基二極管、一個(gè)與肖特基二極管并聯(lián)的矩形繞線電感和對(duì)稱分布在所述矩形繞線電感兩邊的兩根相同的傳輸線組成。
2.如權(quán)利要求1所述的復(fù)合左右手非線性傳輸線微波倍頻電路，其特征在于所述5 節(jié)復(fù)合左右手非線性傳輸線單元中，第一節(jié)復(fù)合左右手非線性傳輸線單元中的肖特基二極管DO由隔直電容Cl取代，所述第五節(jié)復(fù)合左右手非線性傳輸線單元中的肖特基二極管D5 由隔直電容C2取代。
3.如權(quán)利要求1或2所述的復(fù)合左右手非線性傳輸線微波倍頻電路，其特征在于所述每節(jié)復(fù)合左右手非線性傳輸線單元中，所述矩形繞線電感的幾何尺寸為矩形內(nèi)圈半徑 40微米，矩形繞線寬IOum ；矩形繞線間距10微米，矩形繞線3圈半，對(duì)應(yīng)電感值為2. 9nH。
4.如權(quán)利要求1或2所述的復(fù)合左右手非線性傳輸線微波倍頻電路，其特征在于所述每節(jié)復(fù)合左右手非線性傳輸線單元中，所述兩段相同的傳輸線采用共面波導(dǎo)傳輸線組態(tài)，制作在350微米的砷化鎵襯底上，其幾何尺寸為中間信號(hào)線寬83微米，中間信號(hào)線距信號(hào)線兩邊共面地的間距為290微米，兩段共面波導(dǎo)傳輸線共長(zhǎng)930微米。
5.如權(quán)利要求2所述的復(fù)合左右手非線性傳輸線微波倍頻電路，其特征在于所述第一節(jié)復(fù)合左右手非線性傳輸線單元中的隔直電容Cl和第五節(jié)復(fù)合左右手非線性傳輸線單元中的隔直電容C2，采用微波集成電路制作工藝，電容值為0. 25pF。
6.一種復(fù)合左右手非線性傳輸線微波倍頻電路的制作方法，其特征在于，包括如下步驟A、在半絕緣的砷化鎵(GaAs)襯底上外延生長(zhǎng)N+層；B、在N+層上外延生長(zhǎng)N—有源層；C、采用濕法腐蝕刻蝕N—層，在N+層上形成臺(tái)面結(jié)構(gòu)D、在N+層上蒸發(fā)金屬形成肖特基二極管的下電極；E、采用低溫合金方法，在N+層形成歐姆接觸；F、在N—層上蒸發(fā)金屬形成肖特基接觸的上電極；G、采用濕法腐蝕刻蝕N+層，形成器件之間的電學(xué)隔離；H、蒸發(fā)形成一次布線金屬；I、在外延片上沉積一層Si3N4，采用干法刻蝕在Si3N4表面刻孔，打開(kāi)電極引線窗口；J、電鍍形成二次布線金屬。
7.如權(quán)利要求6所述的復(fù)合左右手非線性傳輸線微波倍頻電路的制作方法，其特征在于所述步驟A中N+層的厚度為1微米，摻雜濃度為5X1018cnT3。
8.如權(quán)利要求6所述的復(fù)合左右手非線性傳輸線微波倍頻電路的制作方法，其特征在于所述步驟B中N—有源層的厚度為0. 6微米、摻雜濃度為5X 1016cnT3。
9.如權(quán)利要求6所述的復(fù)合左右手非線性傳輸線微波倍頻電路的制作方法，其特征在于所述步驟H中蒸發(fā)的一次布線金屬為隔直電容和矩形繞線電感的下電極。
10.如權(quán)利要求6所述的復(fù)合左右手非線性傳輸線微波倍頻電路的制作方法，其特征在于所述步驟J中電鍍的二次布線金屬為隔直電容、矩形繞線電感的上電極和共面波導(dǎo)傳輸線。
全文摘要
本發(fā)明涉及一種復(fù)合左右手非線性傳輸線微波倍頻電路及其制作方法，屬于微波電路技術(shù)領(lǐng)域。一種復(fù)合左右手非線性傳輸線微波倍頻電路由5節(jié)復(fù)合左右手非線性傳輸線單元串聯(lián)構(gòu)成，每節(jié)復(fù)合左右手非線性傳輸線單元分別由兩個(gè)串聯(lián)的相同肖特基二極管、一個(gè)與肖特基二極管并聯(lián)的矩形繞線電感和對(duì)稱分布在矩形繞線電感兩邊的兩根相同的傳輸線組成。該倍頻電路靠近輸入端和輸出端的肖特基二極管還可以用隔直電容取代。本發(fā)明提供的復(fù)合左右手非線性傳輸線微波倍頻電路，優(yōu)化了電路結(jié)構(gòu)，簡(jiǎn)化了外圍偏置電路，縮小了體積；本發(fā)明提供的倍頻電路的制作方法，簡(jiǎn)化相應(yīng)電路制作工藝，以改善倍頻電路的諧波輸出功率，增加諧波轉(zhuǎn)化效率，增強(qiáng)諧波輸出純度。
文檔編號(hào)H01L21/329GK102545784SQ201010578420
公開(kāi)日2012年7月4日 申請(qǐng)日期2010年12月8日 優(yōu)先權(quán)日2010年12月8日
發(fā)明者張海英, 楊浩, 田超, 董軍榮, 黃杰 申請(qǐng)人:中國(guó)科學(xué)院微電子研究所