專利名稱：一種發(fā)光二極管芯片及其制造方法
技術領域：
本發(fā)明涉及一種發(fā)光二極管芯片及其制造方法，特別涉及一種以砷化鎵材料為襯底的發(fā)光二極管芯片及其制造方法。
背景技術：
發(fā)光二極管是利用半導體材料所制造而成的發(fā)光元件，是一種可將電能直接轉化為光能的固態(tài)光源。半導體發(fā)光二極管具有高可靠性、高效率、長壽命、全固體化、耗電少、 反應迅速等優(yōu)點，在大屏幕顯示、交通信息指示劑一般光學顯示和指示領域具有巨大的應用市場。現(xiàn)在紅黃光LED芯片大都采用在砷化鎵襯底上生長AlGaAs外延層或者AlInGaP 外延層的工藝制得。外延層生長在砷化鎵襯底上，由于晶格匹配，容易生長出較好的材料， 但缺點就是砷化鎵的吸光系數(shù)非常大，外延層發(fā)出的光容易被砷化鎵襯底吸收，降低LED 芯片的出光效率。為了降低砷化鎵襯底對光的吸收，現(xiàn)在主要采用在砷化鎵襯底100與發(fā)光外延層 200之間添加布拉格反射鏡201或將砷化鎵襯底全部移除兩種方式。其中，布拉格反射鏡 201厚度為反射光波長的半波長厚度，且只對沿著布拉格反射鏡201法線方向入射的光起反射作用，但是對斜入射的光卻不能起到有效地反射作用，斜入射的光將會穿過布拉格反射鏡201仍然被砷化鎵襯底100吸收；另一種方式為采用倒裝芯片生產工藝，將已生長好的外延層轉移到另外的光吸收系數(shù)小的襯底材料上，然后將原來的砷化鎵襯底全部移除，雖然這種生產工藝可以徹底解決砷化鎵襯底光吸收的影響，但是該工藝過程復雜，更換襯底會降低芯片的強度，同時在轉換襯底過程中極易損壞生長好的外延層200，成品率降低，還因增加了生產工序而大大提高了生產成本。中國專利CN2749055Y中，公布了一種在砷化鎵襯底上制作多個鏤空區(qū)域，并均勻分布在砷化鎵襯底上的芯片制造方法。如該專利所述，這些鏤空區(qū)域是均勻分布在砷化鎵襯底上的空心圓柱結構，并且該區(qū)域上蒸鍍有金屬反射層。該方法仍然存在許多問題，首先，鏤空區(qū)域均勻所在的位置均勻分布在砷化鎵襯底上，因為生產芯片過程中，需要在砷化鎵襯底下層制作電極，而在封裝過程中，該芯片底部需要使用銀膠固定在支架上，所以射入該區(qū)域的光線仍然將會被吸收；其次，雖然該方法只采取部分移除砷化鎵襯底，但是仍然會降低襯底對上部結構的支撐作用，進而降低芯片的強度；再次，分立的圓柱形狀的鏤空區(qū)域其制造工藝難度很大，難以實現(xiàn)產業(yè)化量產。

發(fā)明內容
為解決上述技術問題，本發(fā)明提出一種在芯片側面移除部分砷化鎵襯底來制作一個填充區(qū)域，然后使用透明填充材料對該區(qū)域進行填充的發(fā)光二極管芯片。—種發(fā)光二極管芯片，其結構包括砷化鎵襯底100、發(fā)光外延層200、第一電極 301和第二電極302。砷化鎵襯底100存在一個填充區(qū)域101，該填充區(qū)域101處在芯片側面邊緣位置，環(huán)繞砷化鎵襯底100四周，該區(qū)域上部與發(fā)光外延層200接觸。填充區(qū)域101 縱向高度為砷化鎵襯底100高度的15% -100%，該填充區(qū)域的縱向高度越大，芯片出光效率的提升越明顯。填充區(qū)域101橫向寬度為芯片總寬度的10% -35%，橫向寬度越大，芯片出光效率的提升越明顯。此外，填充區(qū)域101內存在填充物質，填充物質為二氧化硅、氮化硅、BCB苯并環(huán)丁烯、環(huán)氧樹脂、硅膠或石蠟等透明介電材料，本專利優(yōu)選材料為環(huán)氧樹脂。 不同的發(fā)光外延層200在發(fā)光結構和發(fā)光波長上可以存在差別，其結構自下而上可以為量子阱發(fā)光層203、P型半導體窗口層205，也可以為N型限制層202、量子阱發(fā)光層203、P型限制層204、P型半導體窗口層205，還可以為N型電流擴展層206、N型限制層202、量子阱發(fā)光層203、P型限制層204、P型半導體窗口層205，或者其他發(fā)光結構，但該發(fā)光外延層 200都是LED芯片的主要發(fā)光結構，主要作用就是產生光子。上述發(fā)光二極管芯片，由于制作了填充區(qū)域101，可以減少砷化鎵襯底100與發(fā)光外延層200的接觸面積，即減少了吸收光線結構所占面積，使得原本射向襯底方向的光線經由填充區(qū)域101從側面射出，減少了光線被吸收的現(xiàn)象，提高了半導體發(fā)光二極管芯片的出光效率。雖然對襯底進行了部分腐蝕造成了空白區(qū)域，但是后又使用透明填充材料對該區(qū)域進行填充，所以可以將對芯片強度基本無影響。一種發(fā)光二極管芯片的制造方法，具體步驟如下a提供一砷化鎵襯底100 ；b在砷化鎵襯底100上生長發(fā)光外延層200并在上表面制作第一電極301 ；c采用研磨工藝降低砷化鎵襯底100厚度；d形成第二電極302于研磨后的砷化鎵襯底100表面；e使用粘結材料401，將第二電極302與臨時基板400牢固粘結；f使用切割設備從P型半導體窗口層205—側對外延片進行切割，將整個發(fā)光二極管外延片切割成芯片尺寸大小的單元；g在腐蝕性藥水中將切割槽側壁暴露出的砷化鎵襯底部分移除，移除的砷化鎵襯底的橫向寬度為芯片尺寸的10% -35%，形成填充區(qū)域101 ；h使用透明介電材料對形成的填充區(qū)域101進行填充；i將臨時基板400與第二電極302分離開；j使用切割設備將發(fā)光二極管芯片每個單元彼此分離；上述步驟a到d，與現(xiàn)在芯片生產工藝并無區(qū)別，采用MOCVD設備在砷化鎵襯底 100上生長上部的發(fā)光外延層200，并在發(fā)光外延層200上表面制作第一電極，并在研磨后的砷化鎵襯底100上制作第二電極302。步驟e中，使用粘結材料401將第二電極302與臨時基板400牢固粘結，其中臨時基板400可以是硬性塑料膜、玻璃片、石英玻璃片、硅片、氧化鋁基板或金屬板，臨時基板 400的作用是對后面芯片制作加工作用起支撐作用；采用的粘結材料401可以是膠層、光刻膠、環(huán)氧樹脂、硅膠、或石蠟。此外，也可以使用硬性塑料膠帶粘在第二電極302表面，因為硬性塑料膠帶包括硬性塑料膜和膠層兩部分，柔性塑料膜作為臨時基板400，膠層作為粘結材料401。步驟f中，所述的芯片尺寸為設計生產的最終芯片的尺寸，按照所需芯片的尺寸將整個外延片進行切割成大量微小單元。切割時應將襯底上方的發(fā)光外延層200切透，使腐蝕液可以通過切槽對砷化鎵襯底100進行腐蝕。對砷化鎵襯底100進行腐蝕時，腐蝕方向為橫向縱向同時進行的擴散式腐蝕，所得填充區(qū)域101的縱向高度為砷化鎵襯底100的切割深度加腐蝕深度，若將砷化鎵襯底100切透，則不會發(fā)生縱向腐蝕，即填充區(qū)域的縱向高度為砷化鎵襯底100的厚度。例如芯片尺寸為300X300微米，砷化鎵襯底100厚度為200微米，發(fā)光外延層厚度為20微米，當切割深度為30微米，放入腐蝕液中以10微米/分的腐蝕速度橫向縱向分別腐蝕3分鐘時，最后所得的填充區(qū)域的的縱向高度為襯底厚度的20%， 即40微米，橫向寬度為芯片尺寸的10%，即30微米；當切割深度為220微米，放入腐蝕液中以10微米/分的腐蝕速度橫向縱向分別腐蝕3分鐘時，最后所得的填充區(qū)域的的縱向高度為襯底厚度的100%，即200微米，橫向寬度為芯片尺寸的10%，即30微米。因此在切割時，可以根據(jù)所要構造的填充區(qū)域的縱向橫向尺寸具體設定切割深度。步驟g所述腐蝕性藥水為氨水-雙氧水-無離子水腐蝕液或次氯酸鈉腐蝕液；氨水-雙氧水-無離子水腐蝕液中氨水、雙氧水與無離子水的體積配比為1 2 5 1 ； 次氯酸鈉腐蝕液中次氯酸鈉溶液與水的體積配比為1 15 20;其中氨水濃度為觀 30% ；雙氧水的濃度為30 32% ；次氯酸鈉溶液的濃度為5 7%。調節(jié)腐蝕時間可以控制腐蝕襯底形成的填充區(qū)域的橫向寬度，控制填充物質取代砷化鎵襯底100與上部發(fā)光外延層200接觸的面積。橫向寬度為芯片總寬度的10%-35%，橫向寬度越大，芯片出光效率的提升越明顯。因要生產的芯片的尺寸不固定，所以腐蝕時需要根據(jù)腐蝕速度約10微米/ 分鐘確定出腐蝕芯片總寬度的10% -35%長度的砷化鎵襯底100所需要的時間。步驟h中，因整個外延片被分割成若干個芯片單元，腐蝕后形成的填充區(qū)域是連通在一起的，所以可以分別取若干個點為入口向填充區(qū)域注入透明介電材料，利用介電材料的流動性可以擴展至整個連通的填充區(qū)域。填充材料可以是二氧化硅、氮化硅、BCB(苯并環(huán)丁烯)、環(huán)氧樹脂、硅膠或石蠟等透明介電材料，本專利優(yōu)選材料為環(huán)氧樹脂。上述一種發(fā)光二極管芯片的制造方法簡單可行，對所有砷化鎵襯底的發(fā)光二極管芯片都適用。只需在以往芯片生產工藝中，添加切割、腐蝕、填充等幾個簡單工藝，并且在整個過程中每個環(huán)節(jié)都不會對外延片產生損害，只是稍微對砷化鎵襯底進行了簡易改動，非常適合發(fā)光二極管芯片的批量生產。整個生產工藝使用的儀器原料都為以往生產中常用儀器原料，所以該工藝并不會造成芯片生產成本的增加。


圖1常規(guī)的以砷化鎵襯底的半導體發(fā)光二級管芯片側視結構示意2實施例一所述的發(fā)光二極管芯片結構示意3實施例二所述的發(fā)光二極管芯片結構示意4實施例三所述的發(fā)光二極管芯片結構示意5實施例一中完成步驟i后的發(fā)光二級管側視結構示意圖附圖標記說明100、砷化鎵襯底101、填充區(qū)域200、發(fā)光外延層201、布拉格反射鏡
202、N型限制層203、量子阱發(fā)光層204、P型限制層205、P型半導體窗口層206、N型半導體電流擴展層301、第一電極302、第二電極400、臨時基板401、粘結材料
具體實施例實施例一一種發(fā)光二極管芯片，其結構包括砷化鎵襯底100 ；發(fā)光外延層200 ；與發(fā)光外延層200上表面接觸的第一電極301 ；與砷化鎵襯底100接觸的第二電極302 ；砷化鎵襯底100 存在一個填充區(qū)域101，填充區(qū)域101處在芯片側面邊緣位置，環(huán)繞砷化鎵襯底100四周，該區(qū)域上部與發(fā)光外延層200接觸，縱向高度為砷化鎵襯底100高度的100%，橫向寬度為芯片總寬度的10%，且填充區(qū)域內填充有環(huán)氧樹脂。本實施例中所指發(fā)光外延層200包括N 型限制層202、量子阱發(fā)光層203、P型限制層204和P型半導體窗口層205。具體制造方法包括以下步驟a)提供一砷化鎵襯底100 ；b)在砷化鎵襯底100上依次生長N型限制層202、量子阱發(fā)光層203、P型限制層 204和P型半導體窗口層205，這些結構共同構成了發(fā)光外延層200，總厚度為20微米；c)形成第一電極301于P型半導體窗口層205之上；d)采用研磨機，將上述外延片置于研磨盤中，將砷化鎵襯底100厚度研磨至200微米；e)制作第二電極302于研磨后的砷化鎵襯底100表面；f)將硬性塑料膠帶粘與第二電極302表面；g)使用切割設備從臨時基板400背側將砷化鎵襯底100切割為300X300微米尺寸，切割深度為220微米，將砷化鎵襯底100切透；h)將切割后的外延片置于腐蝕液體中約3分鐘，將切割槽兩側約30微米距離內砷化鎵襯底100逐漸移除；i)將透明介電的環(huán)氧樹脂材料注入填充區(qū)域，然后置于150攝氏度環(huán)境中加熱30 分鐘，使注入填充區(qū)域的環(huán)氧樹脂固化；j)將臨時基板400與第二電極302分離開；k)使用切割設備將發(fā)光二極管芯片每個單元彼此分離。上述制造方法中采用柔性塑料膠帶代替臨時基板和粘結材料，此時臨時基板 401為膠帶的硬性塑料膜，粘結材料402為膠帶膠層，腐蝕液體使用雙氧水氨水水= 3:1: 1體積比，其中氨水濃度為30%，雙氧水的濃度為30%。經此方法制得的發(fā)光二極管芯片尺寸為300X300微米，填充區(qū)域縱向高度為襯底CN 102544272 A厚度的100%，即200微米，橫向寬度為芯片尺寸的10%，即30微米。經實驗測得，所制造的發(fā)光二極管芯片的出光效率比不含有填充區(qū)域的芯片提高了 25%。實施例二一種發(fā)光二極管芯片，其結構包括砷化鎵襯底100 ；發(fā)光外延層200 ；與發(fā)光外延層200上表面接觸的第一電極301 ；與砷化鎵襯底100接觸的第二電極302 ；砷化鎵襯底100 存在一個填充區(qū)域101，填充區(qū)域101處在芯片側面邊緣位置，環(huán)繞砷化鎵襯底100四周，該區(qū)域上部與發(fā)光外延層200接觸，縱向高度為砷化鎵襯底100高度的100%，橫向寬度為芯片總寬度的20%，且填充區(qū)域內填充有環(huán)氧樹脂。本實施例中所指發(fā)光外延層200包括N 型限制層202、量子阱發(fā)光層203、P型限制層204和P型半導體窗口層205。具體制造步驟同第一實施例，其中步驟h中切割后的外延片置于腐蝕液體中約6 分鐘，將切割槽兩側約60微米距離內砷化鎵襯底100逐漸移除，形成填充區(qū)域橫向寬度為芯片尺寸的20% ；經此方法制得的發(fā)光二極管芯片尺寸為300x300微米，填充區(qū)域縱向高度為襯底厚度的100%，即200微米，橫向寬度為芯片尺寸的20%，即60微米。經實驗測得，所制造的發(fā)光二極管芯片的出光效率比不含有填充區(qū)域的芯片提高了 40%。實施例三一種發(fā)光二極管芯片，其結構包括砷化鎵襯底100 ；發(fā)光外延層200 ；與發(fā)光外延層200上表面接觸的第一電極301 ；與砷化鎵襯底100接觸的第二電極302 ；砷化鎵襯底 100存在一個填充區(qū)域101，填充區(qū)域101處在芯片側面邊緣位置，環(huán)繞砷化鎵襯底100四周，該區(qū)域上部與發(fā)光外延層200接觸，縱向高度為砷化鎵襯底100高度的50%，橫向寬度為芯片總寬度的10%，且填充區(qū)域內填充有環(huán)氧樹脂。本實施例中所指發(fā)光外延層200包括N型限制層202、量子阱發(fā)光層203、P型限制層204和P型半導體窗口層205。具體制造步驟同第一實施例，其中步驟g中使用切割設備從臨時基板400背側將砷化鎵襯底100切割為300X300微米尺寸，切割深度為90微米；經此方法制得的發(fā)光二極管芯片尺寸為300x300微米，填充區(qū)域縱向高度為沉底厚度的50%，即100微米，橫向寬度為芯片尺寸的10%，即30微米。經實驗測得，所制造的發(fā)光二極管芯片的出光效率比不含有填充區(qū)域的芯片提高了 20%。實施例四一種發(fā)光二極管芯片，其結構包括砷化鎵襯底100 ；發(fā)光外延層200 ；與發(fā)光外延層200上表面接觸的第一電極301 ；與砷化鎵襯底100接觸的第二電極302 ；砷化鎵襯底 100存在一個填充區(qū)域101，填充區(qū)域101處在芯片側面邊緣位置，環(huán)繞砷化鎵襯底100四周，該區(qū)域上部與發(fā)光外延層200接觸，縱向高度為砷化鎵襯底100高度的15%，橫向寬度為芯片總寬度的10%，且填充區(qū)域內填充有環(huán)氧樹脂。本實施例中所指發(fā)光外延層200包括N型限制層202、量子阱發(fā)光層203、P型限制層204和P型半導體窗口層205。具體制造步驟同第一實施例，其中步驟g中使用切割設備從臨時基板400背側將砷化鎵襯底100切割為300X300微米尺寸，切割深度為襯底厚度的20微米；經此方法制得的發(fā)光二極管芯片尺寸為300x300微米，填充區(qū)域縱向高度為沉底厚度的15%，即30微米，橫向寬度為芯片尺寸的10%，即30微米。經實驗測得，所制造的發(fā)光二極管芯片的出光效率比不含有填充區(qū)域的芯片提高了 10%。
實施例五一種發(fā)光二極管芯片，其結構包括砷化鎵襯底100 ；發(fā)光外延層200 ；與發(fā)光外延層200上表面接觸的第一電極301 ；與砷化鎵襯底100接觸的第二電極302 ；砷化鎵襯底 100存在一個填充區(qū)域101，填充區(qū)域101處在芯片側面邊緣位置，環(huán)繞砷化鎵襯底100四周，該區(qū)域上部與發(fā)光外延層200接觸，縱向高度為砷化鎵襯底100高度的50%，橫向寬度為芯片總寬度的35%，且填充區(qū)域內填充有環(huán)氧樹脂。本實施例中所指發(fā)光外延層200包括N型限制層202、量子阱發(fā)光層203、P型限制層204和P型半導體窗口層205。具體制造步驟同第一實施例，其中步驟g中使用切割設備從臨時基板400背側將砷化鎵襯底100切割為200x200微米尺寸，切割深度30微米；步驟i將切割后的外延片置于腐蝕液體中約7分鐘，將切割槽兩側約70微米距離內砷化鎵襯底100逐漸移除。經此方法制得的發(fā)光二極管芯片尺寸為200x200微米，填充區(qū)域縱向高度為襯底厚度的50%，即100微米，橫向寬度為芯片尺寸的35%，即70微米。經實驗測得，所制造的發(fā)光二極管芯片的出光效率比不含有填充區(qū)域的芯片提高了 46%。實施例六—種發(fā)光二極管芯片，其結構包括砷化鎵襯底100 ；發(fā)光外延層200 ；與發(fā)光外延層200上表面接觸的第一電極301 ；與砷化鎵襯底100接觸的第二電極302 ；砷化鎵襯底100 存在一個填充區(qū)域101，填充區(qū)域101處在芯片側面邊緣位置，環(huán)繞砷化鎵襯底100四周，該區(qū)域上部與發(fā)光外延層200接觸，縱向高度為砷化鎵襯底100高度的100%，橫向寬度為芯片總寬度的10%，且填充區(qū)域內填充有環(huán)氧樹脂。本實施例中所指發(fā)光外延層200包括N 型限制層202、量子阱發(fā)光層203、P型限制層204和P型半導體窗口層205。具體制造步驟同第一實施例，其中步驟f中使用光刻膠將第二電極302與2000微米石英玻璃片粘結；步驟j中，使用丙酮浸泡將光刻膠溶解后，將臨時基板分離。經此方法制得的發(fā)光二極管芯片尺寸為300x300微米，填充區(qū)域縱向高度為襯底厚度的100%，即200微米，橫向寬度為芯片尺寸的10%，即30微米。經實驗測得，所制造的發(fā)光二極管芯片的出光效率比不含有填充區(qū)域的芯片提高了 25%。
權利要求
1.一種發(fā)光二極管芯片，其結構包括砷化鎵襯底(100)、發(fā)光外延層000)、第一電極 (301)和第二電極(302)；其特征在于砷化鎵襯底(100)存在一個填充區(qū)域(101)，填充區(qū)域(101)處在芯片側面邊緣位置，環(huán)繞砷化鎵襯底(100)四周，該區(qū)域上部與發(fā)光外延層 (200)接觸，縱向高度為砷化鎵襯底(100)高度的15% -100%，橫向寬度為芯片總寬度的 10% _35%，且填充區(qū)域內填充有透明介電物質。
2.如權利要求1中所述的一種發(fā)光二極管芯片，其特征在于填充區(qū)域(101)橫向寬度為芯片總寬度的20% -35%。
3.如權利要求1中所述的一種發(fā)光二極管芯片，其特征在于填充區(qū)域(101)縱向高度為砷化鎵襯底(100)高度的100%，橫向寬度為芯片總寬度的35%。
4.如權利要求1中所述的一種發(fā)光二極管芯片，其特征在于透明介電材料是二氧化硅、氮化硅、BCB (苯并環(huán)丁烯)、環(huán)氧樹脂、硅膠或石蠟。
5.如權利要求4中所述的發(fā)光二極管芯片，其特征在于透明介電材料為環(huán)氧樹脂。
6.如權利要求1中所述的發(fā)光二極管芯片，其特征在于發(fā)光外延層(200)結構自下而上為量子阱發(fā)光層003)、P型半導體窗口層005)。
7.如權利要求6中所述的發(fā)光二極管芯片，其特征在于量子阱發(fā)光層(203)下方有一層N型限制層002)，量子阱發(fā)光層(20 上方有一層P型限制層004)。
8.如權利要求7中所述的發(fā)光二極管芯片，其特征在于N型限制層(202)下方有一層 N型電流擴展層006)。
9.一種發(fā)光二極管芯片的制造方法，具體步驟如下a)提供一砷化鎵襯底(100)；b)在砷化鎵襯底(100)上生長發(fā)光外延層Q00)并在上表面制造第一電極(301)；c)采用研磨工藝降低砷化鎵襯底(100)厚度；d)形成第二電極(302)于研磨后的砷化鎵襯底(100)表面；e)使用粘結材料G01)，將第二電極(302)與臨時基板(400)牢固粘結；f)使用切割設備從P型半導體窗口層(205)—側對外延片進行切割，將整個發(fā)光二極管外延片切割成芯片尺寸大小的單元；g)在腐蝕性藥水中將切割槽側壁暴露出的砷化鎵襯底部分移除，移除的砷化鎵襯底的橫向寬度為芯片尺寸的10% _35%，形成填充區(qū)域(101)；h)使用透明介電材料對形成的填充區(qū)域(101)進行填充；i)將臨時基板G00)與第二電極(302)分離開；j)使用切割設備將發(fā)光二極管芯片每個單元彼此分離；步驟f中，所述的芯片尺寸為設計生產的最終芯片的尺寸，按照所需芯片的尺寸將整個外延片進行切割成大量微小單元；同時根據(jù)所要構造的填充區(qū)域的縱向橫向尺寸具體設定切割深度；步驟g所述腐蝕性藥水為氨水-雙氧水-無離子水腐蝕液或次氯酸鈉腐蝕液；氨水-雙氧水-無離子水腐蝕液中氨水、雙氧水與無離子水的體積配比為1 2 5 1;次氯酸鈉腐蝕液中次氯酸鈉溶液與水的體積配比為1 15 20 ；其中氨水濃度為28 30% ；雙氧水的濃度為30 32% ；次氯酸鈉溶液的濃度為5 7%。
10.如權利要求9所述的一種發(fā)光二極管芯片的制造方法，其特征在于步驟(g)采用的臨時基板(400)是硬性塑料膜、玻璃片、石英玻璃片、硅片、氧化鋁基板或金屬板。
11.如權利要求9所述的一種發(fā)光二極管芯片的制造方法，其特征在于步驟(e)中采用的粘結材料G01)是膠層、膠帶、光刻膠、環(huán)氧樹脂、硅膠、或石蠟。
12.如權利要求9所述的一種發(fā)光二極管芯片的制造方法，其特征在于步驟(e)中使用硬性塑料膠帶粘在第二電極(30 表面。
13.如權利要求9所述的一種發(fā)光二極管芯片的制造方法，其特征在于步驟(g)中，移除砷化鎵襯底的橫向寬度為芯片尺寸的20% -35%。
14.如權利要求9所述的一種發(fā)光二極管芯片的制造方法，其特征在于步驟(g)中，移除砷化鎵襯底的橫向寬度為芯片尺寸的35%。
全文摘要
本發(fā)明涉及一種發(fā)光二極管芯片及其制造方法，特別涉及一種以砷化鎵材料為襯底的發(fā)光二極管芯片及其制造方法。本發(fā)明提出一種在芯片側面移除部分砷化鎵襯底來制作一個填充區(qū)域，然后使用透明填充材料對該區(qū)域進行填充的發(fā)光二極管。這樣結構的發(fā)光二極管芯片減少了砷化鎵襯底吸收光線所占面積，使得原本射向襯底方向的光線經由填充區(qū)域從側面射出，提高了半導體發(fā)光二極管芯片的出光效率。
文檔編號H01L33/02GK102544272SQ20101058577
公開日2012年7月4日 申請日期2010年12月7日 優(yōu)先權日2010年12月7日
發(fā)明者常遠, 武勝利, 王力明, 肖志國, 高本良 申請人:大連美明外延片科技有限公司