專利名稱：一種8英寸晶圓切口氧化膜去除方法和裝置的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種8英寸晶圓切口氧化膜去除方法和裝置
背景技術(shù)：
隨著國內(nèi)集成電路產(chǎn)業(yè)的迅速發(fā)展，硅襯底材料的需求量也越來越大，質(zhì)量要求越來越嚴(yán)格，為了防止重?fù)诫s硅片在外延生產(chǎn)過程中引起雜質(zhì)的外擴(kuò)散和自摻雜，通常需要對重?fù)诫s硅片進(jìn)行背封處理，即在襯底片的背面生長一層S^2薄膜，由于雜質(zhì)在S^2中的擴(kuò)散系數(shù)遠(yuǎn)小于在硅中的擴(kuò)散系數(shù)，因此可以對襯底片中的雜質(zhì)進(jìn)行有效封堵。隨之而來的問題是硅片背面生長3102薄膜的同時，硅片邊緣也同樣生長了 SiO2薄膜，而邊緣的這一層SW2薄膜，對硅片正面的外延層質(zhì)量會產(chǎn)生較大的影響，因此必須去除邊緣氧化膜。目前國內(nèi)采取的去邊方式主要有貼膜去邊和滾輪去邊兩種，貼膜去邊采取硅片背面貼PTFE藍(lán)膜的方式，對背面氧化膜進(jìn)行保護(hù)，將邊緣以及切口氧化膜去除，該工藝采用的設(shè)備和原材料成本較高，且生產(chǎn)工藝復(fù)雜，操作困難。滾輪去邊針對6英寸以下的背封片，去邊技術(shù)已經(jīng)比較完善，但是硅片尺寸上升到8英寸以后，采用切口代替了參考面，原有的滾輪去邊技術(shù)遇到了難以解決的問題，就是無法將切口氧化膜去除，因此有必要提供一種新型的裝置，用于去除切口氧化膜。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的目的是提供一種8英寸晶圓切口氧化膜去除方法和裝置，該方法、裝置簡單，操作方便，工作效率高，工藝成本較低，與貼膜去邊相比，工藝成本僅僅為其萬分之幾。為實現(xiàn)上述目的，本發(fā)明采取以下設(shè)計方案這種8英寸晶圓切口氧化膜去除方法包括以下幾個步驟將理片機(jī)理好的8英寸硅片放置于花籃卡槽上，此時切口垂直向下，蓋好氮氣保護(hù)罩，開動電機(jī)，帶動升降槽勻速上升，直至錐形腐蝕塊與硅片切口接觸后停止上升，攜帶的HF酸與切口氧化膜發(fā)生反應(yīng)，完成氧化膜去除后，電機(jī)帶動升降槽降至HF酸液槽內(nèi)。其中所述HF酸與H2O的比例為1 5-10。所述電機(jī)帶動升降槽升降速率為4-lOmm/s。所述HF酸與氧化膜發(fā)生反應(yīng)時間為10-30s。所述氮氣保護(hù)罩的氮氣壓力為10_25psi。這種8英寸晶圓切口氧化膜去除裝置，它包括一個氮氣保護(hù)罩，一個底部開孔的可升降槽，內(nèi)置錐形腐蝕塊，一個HF酸液槽，一個作用于升降槽的電機(jī)絲杠組合，根據(jù)權(quán)利要求1所述8英寸晶圓切口氧化膜去除方法，其特征在于其中所述升降槽底部為開圓孔結(jié)構(gòu)，圓孔直徑10-25mm。腐蝕塊錐形尖曲率半徑r為0. 8-1. 0mm，錐形面長度a為0. 5-2cm，兩錐形面夾角90°，腐蝕塊高度b為5-15cm。
所述腐蝕塊材料為四氟，且錐形尖位置粘貼了易于浸潤和存儲HF酸的布。其中錐形尖位置粘貼的布，厚度0. 1-0. 3mm。


圖1 去除切口氧化膜的工藝流程2 本發(fā)明裝置的主視3:圖2的左視4:圖2的俯視5 裝置核心示意6:錐形腐蝕塊示意中，1為外殼箱體，2為氮氣保護(hù)罩，3為內(nèi)置腐蝕塊的升降槽，4為HF酸液槽，5為電極絲杠組合。
具體實施例方式實施例1參閱圖1-圖6所示，本發(fā)明的去除8英寸晶圓切口氧化膜的方法包括如下步驟首先開啟裝置排風(fēng)；采用理片機(jī)將硅片理好，硅片切口垂直向下；將片盒放置于定位卡槽，蓋好氮氣保護(hù)罩；開啟電機(jī)，帶動升降槽由HF酸酸槽以速率4-6mm/s向上運動；直至腐蝕塊與切口緊密接觸后停止運動，反應(yīng)時間10-1 ；啟動電機(jī)，帶動升降槽以速率4-6mm/s返回至HF酸槽；打開氮氣保護(hù)罩，取出片盒，檢查切口氧化膜去除情況。共加工100片，檢查切口狀況，去除約0. 6mm,且均勻一致，能夠滿足加工要求。實施例2參閱圖1-圖6所示，本發(fā)明的去除8英寸晶圓切口氧化膜的方法包括如下步驟首先開啟裝置排風(fēng)；采用理片機(jī)將硅片理好，硅片切口垂直向下；將片盒放置于定位卡槽，蓋好氮氣保護(hù)罩；開啟電機(jī)，帶動升降槽由HF酸酸槽以速率6-lOmm/s向上運動；直至腐蝕塊與切口緊密接觸后停止運動，反應(yīng)時間15-30s ；啟動電機(jī)，帶動升降槽以速率6-lOmm/s返回至HF酸槽；打開氮氣保護(hù)罩，取出片盒，后再配合邊緣氧化膜去除裝置，去除邊緣，共加工200片，檢查切口和邊緣配合情況，邊緣去除寬度與切口完全一致，均勻，完全滿足IC加工要求。
權(quán)利要求
1.一種8英寸晶圓切口氧化膜去除方法，其特征在于它包括以下步驟1)采用理片機(jī)將硅片理好，切口垂直向下；2)將片盒放置于定位卡槽，蓋好氮氣保護(hù)罩；3)開啟電機(jī)，由絲杠帶動升降槽由HF酸酸槽中向上升起；4)直至腐蝕塊與硅片切口緊密接觸時，HF酸與氧化膜開始發(fā)生反應(yīng)；5)開啟電機(jī)，帶動升降槽降至HF酸酸槽；6)打開氮氣保護(hù)罩，取出硅片進(jìn)行檢驗。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述8英寸晶圓切口氧化膜去除方法，其特征在于所述HF酸與H2O的比例為1 5-10。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述8英寸晶圓切口氧化膜去除方法，其特征在于所述電機(jī)帶動升降槽升降速率為4-lOmm/s。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述8英寸晶圓切口氧化膜去除方法，其特征在于所述HF酸與氧化膜發(fā)生反應(yīng)時間為10-30s。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述8英寸晶圓切口氧化膜去除方法，其特征在于所述氮氣保護(hù)罩的氮氣壓力為10-25psi。
6.一種用于權(quán)利要求1所述方法的裝置，其特征在于它包括一個氮氣保護(hù)罩，一個底部開孔的升降槽，升降槽內(nèi)置錐形腐蝕塊，一個HF酸液槽，一個作用于升降槽的電機(jī)絲杠組合，一個帶有排風(fēng)孔的外殼箱體。
7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的裝置，其特征在于所述升降槽底部為開圓孔結(jié)構(gòu)，圓孔直徑10_25mmo
8.根據(jù)權(quán)利要求6所述的裝置，其特征在于所述腐蝕塊錐形尖曲率半徑r為0. 8-1. Omm,錐形面長度a為0. 5_2cm，兩錐形面夾角90°，腐蝕塊高度b為5_15cm。
9.根據(jù)權(quán)利要求6或8所述的裝置，其特征在于所述腐蝕塊材料為四氟，且錐形尖位置粘貼了易于浸潤和存儲HF酸的布。
10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的裝置，其特征在于錐形尖位置粘貼的布，厚度0.1-0. 3mm。
全文摘要
一種8英寸晶圓切口氧化膜去除方法和裝置，方法包括以下步驟1)采用理片機(jī)將硅片理好，切口垂直向下；2)將片盒放置于定位卡槽，蓋好氮氣保護(hù)罩；3)開啟電機(jī)，由絲杠帶動升降槽由HF酸酸槽中向上升起；4)直至腐蝕塊與硅片切口緊密接觸時，HF酸與氧化膜開始發(fā)生反應(yīng)；5)開啟電機(jī)，帶動升降槽降至HF酸酸槽；6)打開氮氣保護(hù)罩，取出硅片進(jìn)行檢驗。方法是利用錐形腐蝕塊與8英寸切口的接觸，達(dá)到去除切口氧化膜的目的。本發(fā)明的優(yōu)點是裝置結(jié)構(gòu)簡單，操作方便，工藝成本低。
文檔編號H01L21/02GK102569020SQ20101059724
公開日2012年7月11日 申請日期2010年12月10日 優(yōu)先權(quán)日2010年12月10日
發(fā)明者劉斌, 孫洪波, 寧永鐸, 張靜, 徐繼平, 籍小兵, 邊永智 申請人:有研半導(dǎo)體材料股份有限公司