專利名稱：晶片處理系統(tǒng)和晶片處理方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及微電子技術(shù)領(lǐng)域，特別涉及ー種晶片處理系統(tǒng)和晶片處理方法。
背景技術(shù)：
隨著有源元件，例如互補(bǔ)金屬氧化物半導(dǎo)體(Complementary MetalOxide Semiconductor,以下簡稱CM0S)晶體管的尺寸不斷縮小到次微米級，正如摩爾定律的預(yù)測，在高效率、高密度集成電路中的CMOS晶體管數(shù)量上升至幾千萬個(gè)。數(shù)量龐大的有源元件的信號集成需要多達(dá)十層以上高密度的金屬互連線，通常金屬互連線采用金屬鋁互連線，金屬互連線層間的絕緣介質(zhì)采用ニ氧化硅，然而上述金屬互連線會帶來電阻和寄生電容，并且上述電阻和寄生電容已經(jīng)成為限制高效率、高密度集成電路速度的主要因素。為解決上述問題，半導(dǎo)體エ業(yè)的集成電路制造エ藝中采用金屬銅互連線代替金屬鋁互連線作為金屬互連線，同時(shí)采用低介電常數(shù)介質(zhì)材料代替ニ氧化硅作為金屬互連線層間的絕緣介質(zhì)。金屬銅減少了金屬互連線層間的電阻，同時(shí)增強(qiáng)了電路穩(wěn)定性；低介電常數(shù)介質(zhì)材料減少了金屬互連線層間的寄生電容。而集成電路中的金屬材料通常是通過物理氣相沉積 (Physical Vapor D印osition，以下簡稱PVD)技術(shù)制備的。物理氣相沉積技術(shù)是半導(dǎo)體エ業(yè)中最廣為使用的ー類薄膜制造技木，泛指采用物理方法制備薄膜的薄膜制備エ藝，其中，濺射(Sputtering)沉積技術(shù)是ー種重要的物理氣相沉積技木。而在集成電路制造行業(yè)中，該濺射沉積技術(shù)指的是磁控濺射(Magnetron Sputtering)技術(shù)，該磁控濺射技術(shù)主要用于鋁、銅等金屬薄膜的沉積，以形成金屬接觸、金屬互連線等。在應(yīng)用物理氣相沉積制程エ藝對300mm以上的晶片進(jìn)行處理吋，需要將待處理的晶片從大氣環(huán)境中逐步傳送到反應(yīng)腔室中進(jìn)行エ藝處理。將晶片從大氣環(huán)境傳送到反應(yīng)腔室進(jìn)行エ藝處理的過程，需要ー個(gè)由一系列的設(shè)備組成的晶片處理系統(tǒng)來完成。圖1為現(xiàn)有技術(shù)中晶片處理系統(tǒng)的結(jié)構(gòu)示意圖，如圖1所示，該晶片處理系統(tǒng)包括依次連接的第一大氣傳輸裝置、傳輸腔室(Transport Chamber) 3、傳輸腔室4、反應(yīng)腔室 (ProcessChamber) 5、第一負(fù)載鎖閉器(Load Lock)6 和連接器(Pass Through) 7 其中，第一大氣傳輸裝置包括第一前端開啟裝置(front-openingimified pod，簡稱F0UP)11和第一大氣傳輸單元(Equipment Frond-EndModule,以下簡稱EFEM) 12，第一大氣傳輸單元 12中設(shè)置有晶片位置校準(zhǔn)器(Aligner)和第一大氣機(jī)械手(Atmospheric Robot)，其中，第一大氣機(jī)械手在圖1中未示出。第一前端開啟裝置11和傳輸腔室3之間通過第一負(fù)載鎖閉器6連接，傳輸腔室3和傳輸腔室4之間通過連接器7連接，傳輸腔室3連接有四個(gè)反應(yīng)腔室5，傳輸腔室4連接有四個(gè)反應(yīng)腔室5。傳輸腔室3和傳輸腔室4中均設(shè)置有真空機(jī)械手(Vacuum Robot)，圖1中未示出。第一負(fù)載鎖閉器6與第一大氣傳輸単元12通過槽閥 (SlotValve)連接，第一負(fù)載鎖閉器6與傳輸腔室3通過槽閥連接。在上述晶片處理系統(tǒng)中，傳輸腔室3、傳輸腔室4、第一負(fù)載鎖閉器6、連接器7和真空機(jī)械手屬于真空設(shè)備并構(gòu)成了真空傳輸系統(tǒng)。
第一前端開啟裝置11開啟晶片盒，第一大氣機(jī)械手從晶片盒中取出晶片并將晶片傳送至晶片位置校準(zhǔn)器上，晶片位置校準(zhǔn)器對晶片在第一大氣機(jī)械手的位置進(jìn)行校準(zhǔn)。 第一負(fù)載鎖閉器6與第一大氣傳輸単元12之間的槽閥打開后，第一大氣機(jī)械手將晶片放入第一負(fù)載鎖閉器6中，第一大氣機(jī)械手縮回后第一負(fù)載鎖閉器6與第一大氣傳輸単元12之間的槽閥關(guān)閉。第一負(fù)載鎖閉器6與傳輸腔室3之間的槽閥打開后，傳輸腔室3中的真空機(jī)械手將晶片從第一負(fù)載鎖閉器6中取出使晶片進(jìn)入傳輸腔室3，傳輸腔室3中的真空機(jī)械手縮回后第一負(fù)載鎖閉器6與傳輸腔室3之間的槽閥關(guān)閉。傳輸腔室3中的真空機(jī)械手根據(jù)預(yù)先設(shè)定的エ藝流程將晶片放入指定的反應(yīng)腔室5中進(jìn)行エ藝處理，并將完成エ藝處理的晶片放入連接器7中。傳輸腔室4中的真空機(jī)械手將晶片從連接器7中取出使晶片進(jìn)入傳輸腔室4，根據(jù)預(yù)先設(shè)定的エ藝流程將晶片放入指定的反應(yīng)腔室5中進(jìn)行エ藝處理，并將完成エ藝處理的晶片重新放入連接器7中。傳輸腔室3中的真空機(jī)械手將晶片從連接器7 中取出使晶片進(jìn)入傳輸腔室3。第一負(fù)載鎖閉器6與傳輸腔室3之間的槽閥打開后，傳輸腔室3中的真空機(jī)械手將晶片放入第一負(fù)載鎖閉器6中，傳輸腔室3中的真空機(jī)械手縮回后第一負(fù)載鎖閉器6與傳輸腔室3之間的槽閥關(guān)閉。第一負(fù)載鎖閉器6與第一大氣傳輸単元 12之間的槽閥打開后，第一大氣機(jī)械手將晶片從第一負(fù)載鎖閉器6中取出使晶片進(jìn)入第一大氣傳輸單元12，并將晶片放入第一前端開啟裝置11?，F(xiàn)有技術(shù)中，晶片處理系統(tǒng)對晶片進(jìn)行處理的過程中，在反應(yīng)腔室完成對晶片的 エ藝處理后，會將晶片依次通過連接器7、傳輸腔室3、第一負(fù)載鎖閉器6和第一大氣傳輸單元12回傳至第一前端開啟裝置11。也就是說，當(dāng)晶片處理系統(tǒng)中包括至少ニ個(gè)反應(yīng)腔室吋，將晶片回傳至第一前端開啟裝置的過程，需要以此經(jīng)過晶片傳輸系統(tǒng)中的若干個(gè)設(shè)備， 造成晶片在晶片處理系統(tǒng)中的傳輸路徑過長，因此導(dǎo)致了晶片在晶片處理系統(tǒng)中的傳輸時(shí)間過長；在將完成エ藝處理的晶片回傳至第一前端開啟裝置的過程中，晶片處理系統(tǒng)的各種機(jī)械運(yùn)動(dòng)都可能會產(chǎn)生微小顆粒物，這些微小顆粒物會造成晶片的污染，由于晶片在晶片處理系統(tǒng)中的傳輸路徑過長，從而増加了晶片受到污染的可能性。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的目的是提供ー種晶片處理系統(tǒng)和晶片處理方法，用以解決晶片在晶片系統(tǒng)中傳輸時(shí)間過長以及晶片受到污染的可能性増加的問題。為實(shí)現(xiàn)上述目的，本發(fā)明提供了ー種晶片處理系統(tǒng)，包括第一大氣傳輸裝置、傳輸腔室和與所述傳輸腔室連接的反應(yīng)腔室，所述晶片處理系統(tǒng)還包括第二大氣傳輸裝置， 所述第一大氣傳輸裝置、所述傳輸腔室和所述第二大氣傳輸裝置依次連接；所述第一大氣傳輸裝置，用于將獲取的晶片向所述傳輸腔室傳送；所述傳輸腔室，用于獲取所述晶片，將所述晶片送入所述反應(yīng)腔室以供所述反應(yīng)腔室對所述晶片進(jìn)行エ藝處理，并將エ藝處理后的所述晶片向所述第二大氣傳輸裝置傳
達(dá)；所述第二大氣傳輸裝置，用于獲取エ藝處理后的所述晶片。優(yōu)選地，所述第二大氣傳輸裝置包括與所述傳輸腔室連接的第二大氣傳輸單元和與所述第二大氣傳輸單元連接的第二前端開啟裝置；所述第二大氣傳輸單元，用于獲取ェ藝處理后的所述晶片，并將ェ藝處理后的所述晶片傳送至所述第二前端開啟裝置；所述第二前端開啟裝置，用于接收エ藝處理后的所述晶片。優(yōu)選地，所述晶片處理系統(tǒng)還包括第二負(fù)載鎖閉器，所述第二大氣傳輸單元和所述傳輸腔室之間設(shè)置有所述第二負(fù)載鎖閉器；所述第二負(fù)載鎖閉器，用于接收所述傳輸腔室傳送的エ藝處理后的所述晶片，以供所述第二大氣傳輸單元從所述第二負(fù)載鎖閉器獲取エ藝處理后的所述晶片。優(yōu)選地，所述第二負(fù)載鎖閉器和所述第二大氣傳輸單元通過槽閥連接。優(yōu)選地，所述第二前端開啟裝置的數(shù)量可以為ー個(gè)或者多個(gè)。優(yōu)選地，所述第一大氣傳輸裝置包括與所述傳輸腔室連接的第一大氣傳輸単元和與所述第一大氣傳輸單元連接的第一前端開啟裝置；所述第一前端開啟裝置，用于開啟晶片盒；所述第一大氣傳輸単元，用于從所述晶片盒中獲取晶片并將獲取的晶片向所述傳輸腔室傳送。優(yōu)選地，所述晶片處理系統(tǒng)還包括第一負(fù)載鎖閉器，所述第一大氣傳輸単元和所述傳輸腔室之間設(shè)置有所述第一負(fù)載鎖閉器；所述第一負(fù)載鎖閉器，用于接收所述第一大氣傳輸單元傳送的所述晶片，以供所述傳輸腔室從所述第一負(fù)載鎖閉器獲取所述晶片。為實(shí)現(xiàn)上述目的，本發(fā)明還提供了ー種晶片處理方法，所述方法基于晶片傳輸系統(tǒng)，所述晶片傳輸系統(tǒng)包括第一大氣傳輸裝置、第二大氣傳輸裝置、傳輸腔室和與所述傳輸腔室連接的反應(yīng)腔室，所述第一大氣傳輸裝置、所述傳輸腔室和所述第二大氣傳輸裝置依次連接；所述方法包括所述第一大氣傳輸裝置將獲取的晶片向所述傳輸腔室傳送；所述傳輸腔室獲取所述晶片，將所述晶片送入所述反應(yīng)腔室以供所述反應(yīng)腔室對所述晶片進(jìn)行エ藝處理，并將エ藝處理后的所述晶片向所述第二大氣傳輸裝置傳送；所述第二大氣傳輸裝置獲取エ藝處理后的所述晶片。優(yōu)選地，所述第二大氣傳輸裝置包括與所述傳輸腔室連接的第二大氣傳輸單元和與所述第二大氣傳輸單元連接的第二前端開啟裝置；則所述第二大氣傳輸裝置獲取エ藝處理后的所述晶片具體包括所述第二大氣傳輸單元獲取エ藝處理后的所述晶片，并將エ藝處理后的所述晶片傳送至所述第二前端開啟裝置；所述第二前端開啟裝置接收エ藝處理后的所述晶片。優(yōu)選地，所述晶片處理系統(tǒng)還包括第二負(fù)載鎖閉器，所述第二大氣傳輸單元和所述傳輸腔室之間設(shè)置有所述第二負(fù)載鎖閉器；所述第二大氣傳輸單元獲取エ藝處理后的所述晶片之前包括所述第二負(fù)載鎖閉器接收所述傳輸腔室傳送的エ藝處理后的所述晶片；所述第二大氣傳輸單元獲取所述晶片具體包括所述第二大氣傳送単元從所述第 ニ負(fù)載鎖閉器獲取エ藝處理后的所述晶片。本發(fā)明具有以下有益效果
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本發(fā)明提供的晶片處理系統(tǒng)和晶片處理方法，晶片處理系統(tǒng)包括第一大氣傳輸裝置、第二大氣傳輸裝置、傳輸腔室和反應(yīng)腔室，第一大氣傳輸裝置將獲取的晶片向傳輸腔室傳送，傳輸腔室獲取晶片，將晶片送入反應(yīng)腔室以供反應(yīng)腔室對晶片進(jìn)行エ藝處理，并將エ 藝處理后的晶片向第二大氣傳輸裝置傳送，第二大氣傳輸裝置獲取エ藝處理后的晶片。本發(fā)明的晶片處理系統(tǒng)增設(shè)了與傳輸腔室連接的第二大氣傳輸裝置，傳輸腔室可以將エ藝處理后的晶片直接傳送至第二大氣傳輸裝置，無需將晶片再回傳至第一大氣傳輸裝置，這縮短了晶片在晶片處理系統(tǒng)中的傳輸路徑，從而減少了晶片在晶片處理系統(tǒng)中的傳輸時(shí)間； 由于縮短了晶片在晶片處理系統(tǒng)中的傳輸路徑，因此降低了晶片受到污染的可能性。


圖1為現(xiàn)有技術(shù)中晶片處理系統(tǒng)的結(jié)構(gòu)示意圖；圖2為本發(fā)明實(shí)施例一提供的ー種晶片處理系統(tǒng)的結(jié)構(gòu)示意圖；圖3為本發(fā)明實(shí)施例ニ提供的ー種晶片處理方法的流程圖.
具體實(shí)施例方式為使本領(lǐng)域的技術(shù)人員更好地理解本發(fā)明的技術(shù)方案，下面結(jié)合附圖對本發(fā)明提供的晶片處理系統(tǒng)和晶片處理方法進(jìn)行詳細(xì)描述。圖2為本發(fā)明實(shí)施例一提供的ー種晶片處理系統(tǒng)的結(jié)構(gòu)示意圖，如圖2所示，該晶片處理系統(tǒng)包括第一大氣傳輸裝置1、第二大氣傳輸裝置2、傳輸腔室和與傳輸腔室連接的反應(yīng)腔室，第一大氣傳輸裝置1、傳輸腔室和第二大氣傳輸裝置2依次連接。本實(shí)施例中，該晶片處理系統(tǒng)可以包括至少ニ個(gè)傳輸腔室，本實(shí)施例中的晶片處理系統(tǒng)以ニ個(gè)傳輸腔室為例進(jìn)行描述，ニ個(gè)傳輸腔室分別為傳輸腔室3和傳輸腔室4。其中，每個(gè)傳輸腔室中均設(shè)置有真空機(jī)械手。優(yōu)選地，傳輸腔室3和傳輸腔室4之間可以通過連接器7連接。與每個(gè)傳輸腔室連接的反應(yīng)腔室可以為ー個(gè)或者多個(gè)，本實(shí)施例中，與傳輸腔室3連接的反應(yīng)腔室為反應(yīng)腔室31、反應(yīng)腔室32、反應(yīng)腔室33和反應(yīng)腔室34，與傳輸腔室4連接的反應(yīng)腔室為反應(yīng)腔室41、反應(yīng)腔室42、反應(yīng)腔室43和反應(yīng)腔室44。本實(shí)施例中，第一大氣傳輸裝置1、傳輸腔室3、傳輸腔室4和第二大氣傳輸裝置2依次連接。第一大氣傳輸裝置1，用于將獲取的晶片向傳輸腔室傳送。本實(shí)施例中，第一大氣傳輸裝置1可從晶片盒中獲取晶片，并將獲取的晶片向傳輸腔室3傳送。傳輸腔室，用于獲取該晶片，將該晶片放入反應(yīng)腔室以供反應(yīng)腔室對該晶片進(jìn)行 エ藝處理，并將エ藝處理后的該晶片向第二大氣傳輸裝置2傳送。具體地，本實(shí)施例中，傳輸腔室3獲取該晶片，將該晶片送入反應(yīng)腔室31、反應(yīng)腔室32、反應(yīng)腔室33和反應(yīng)腔室34 中指定的反應(yīng)腔室進(jìn)行エ藝處理，并將エ藝處理后的晶片向反應(yīng)腔室4傳送，例如指定的反應(yīng)腔室可以包括反應(yīng)腔室31和反應(yīng)腔室33 ；傳輸腔室4獲取エ藝處理后的晶片，將エ藝處理后的晶片放入反應(yīng)腔室41、反應(yīng)腔室42、反應(yīng)腔室43和反應(yīng)腔室44中指定的反應(yīng)腔室進(jìn)行進(jìn)一步エ藝處理，并將エ藝處理后的晶片向第二大氣傳輸裝置2傳送，例如指定的反應(yīng)腔室可以包括反應(yīng)腔室41和反應(yīng)腔室43。第二大氣傳輸裝置2，用于獲取該晶片。本實(shí)施例中，第二大氣傳輸裝置2可以從反應(yīng)腔室4獲取ェ藝處理后的晶片。
本實(shí)施例中，第一大氣傳輸裝置1包括與傳輸腔室3連接的第一大氣傳輸単元 12和與第一大氣傳輸単元12連接的第一前端開啟裝置11。第一前端開啟裝置11的數(shù)量可以為ー個(gè)或者多個(gè)，本實(shí)施例中以三個(gè)第一前端開啟裝置11為例進(jìn)行描述。第一大氣傳輸單元12中設(shè)置有晶片位置校準(zhǔn)器和第一大氣機(jī)械手，其中第一大氣機(jī)械手在圖2中未具體示出。第一前端開啟裝置11用于開啟晶片盒，第一大氣傳輸単元12用于從晶片盒中獲取晶片并將獲取的晶片向傳輸腔室3傳送。具體地，第一大氣傳輸単元12中的第一大氣機(jī)械手從晶片盒中取出晶片，并將該晶片傳送至晶片位置校準(zhǔn)器上，由晶片位置校準(zhǔn)器對晶片在第一大氣機(jī)械手的位置進(jìn)行校準(zhǔn)，第一大氣機(jī)械手將晶片向傳輸腔室3傳送。進(jìn)ー步地，晶片處理系統(tǒng)還包括第一負(fù)載鎖閉器6，第一大氣傳輸単元12和傳輸腔室3之間設(shè)置有第一負(fù)載鎖閉器6。第一負(fù)載鎖閉器6，用于接收第一大氣傳輸単元12 傳送的晶片，以供傳輸腔室3從第一負(fù)載鎖閉器6獲取該晶片。優(yōu)選地，第一負(fù)載鎖閉器6 和第一大氣傳輸単元12通過槽閥連接。具體地，第一負(fù)載鎖閉器6和第一大氣傳輸単元12 之間的槽閥打開，第一大氣機(jī)械手將晶片放入第一負(fù)載鎖閉器6中，第一大氣機(jī)械手縮回后第一負(fù)載鎖閉器6和第一大氣傳輸単元12之間的槽閥關(guān)閉。優(yōu)選地，第一負(fù)載鎖閉器6 和傳輸腔室3通過槽閥連接。具體地，第一負(fù)載鎖閉器6和傳輸腔室3之間的槽閥打開，傳輸腔室3中的真空機(jī)械手將晶片從第一負(fù)載鎖閉器6中取出使晶片進(jìn)入傳輸腔室3，傳輸腔室3中的真空機(jī)械手縮回后第一負(fù)載鎖閉器6和傳輸腔室3之間的槽閥關(guān)閉。本實(shí)施例中，第二大氣傳輸裝置2包括與傳輸腔室4連接的第二大氣傳輸單元 22和與第二大氣傳輸單元22連接的第二前端開啟裝置21。第二前端開啟裝置21的數(shù)量可以為ー個(gè)或者多個(gè)，本實(shí)施例中以三個(gè)第二前端開啟裝置21為例進(jìn)行描述。第二大氣傳輸單元22中設(shè)置有第二大氣機(jī)械手，其中第二大氣機(jī)械手在圖2中未具體示出。第二大氣傳輸單元22，用于獲取エ藝處理后的晶片并將エ藝處理后的晶片傳送至第二前端開啟裝置 21，具體地，第二大氣傳輸單元22中的第二大氣機(jī)械手從傳輸腔室4中獲取エ藝處理后的晶片，并將エ藝處理后的晶片放入第二前端開啟裝置21。第二前端開啟裝置21，用于接收 エ藝處理后的晶片。進(jìn)ー步地，晶片處理系統(tǒng)還包括第二負(fù)載鎖閉器8，第二大氣傳輸單元22和傳輸腔室4之間設(shè)置有第二負(fù)載鎖閉器8。第二負(fù)載鎖閉器8，用于接收傳輸腔室4傳送的エ藝處理后的晶片，以供第二大氣傳輸單元22從第二負(fù)載鎖閉器8獲取エ藝處理后的晶片。優(yōu)選地，第二負(fù)載鎖閉器8和第二大氣傳輸單元22通過槽閥連接。具體地，傳輸腔室4中的真空機(jī)械手將エ藝處理后的晶片放入第二負(fù)載鎖閉器8，第二負(fù)載鎖閉器8和第二大氣傳輸單元22之間的槽閥打開，第二大氣機(jī)械手將エ藝處理后的晶片從第二負(fù)載鎖閉器8中取出并放入第二前端開啟裝置21，以實(shí)現(xiàn)第二前端開啟裝置21接收エ藝處理后的晶片。其中，第二大氣機(jī)械手縮回后第二負(fù)載鎖閉器8和第二大氣傳輸單元22之間的槽閥關(guān)閉。下面通過ー個(gè)實(shí)例對晶片處理系統(tǒng)處理晶片的過程進(jìn)行詳細(xì)的描述。如圖2所示，第一前端開啟裝置11開啟晶片盒，第一大氣傳輸単元12中的第一大氣機(jī)械手從晶片盒中取出晶片，并將該晶片傳送至晶片位置校準(zhǔn)器上，由晶片位置校準(zhǔn)器對晶片在第一大氣機(jī)械手的位置進(jìn)行校準(zhǔn)。而后第一負(fù)載鎖閉器6和第一大氣傳輸単元12 之間的槽閥打開，第一大氣機(jī)械手將晶片放入第一負(fù)載鎖閉器6中，第一大氣機(jī)械手縮回后第一負(fù)載鎖閉器6和第一大氣傳輸単元12之間的槽閥關(guān)閉。傳輸腔室3中的真空機(jī)械手將晶片從第一負(fù)載鎖閉器6中取出使晶片進(jìn)入傳輸腔室3，傳輸腔室3中的真空機(jī)械手縮回后第一負(fù)載鎖閉器6和傳輸腔室3之間的槽閥關(guān)閉。傳輸腔室3中的真空機(jī)械手將晶片放入反應(yīng)腔室31中，由反應(yīng)腔室31對該晶片進(jìn)行エ藝處理；傳輸腔室3中的真空機(jī)械手將エ 藝處理后的晶片從反應(yīng)腔室31中取出，并將エ藝處理后的晶片放入反應(yīng)腔室33，由反應(yīng)腔室33對エ藝處理后的晶片進(jìn)行進(jìn)ー步的エ藝處理；傳輸腔室3中的真空機(jī)械手將エ藝處理后的晶片從反應(yīng)腔室33中取出，并將エ藝處理后的晶片放入連接器7中；傳輸腔室4中的真空機(jī)械手將エ藝處理后的晶片從連接器7中取出使エ藝處理后的晶片進(jìn)入傳輸腔室4。 傳輸腔室4中的真空機(jī)械手將エ藝處理后的晶片放入反應(yīng)腔室41中，由反應(yīng)腔室41對エ 藝處理后的晶片進(jìn)行進(jìn)ー步エ藝處理；傳輸腔室4中的真空機(jī)械手將エ藝處理后的晶片從反應(yīng)腔室41中取出，并將エ藝處理后的晶片放入反應(yīng)腔室43，由反應(yīng)腔室43對エ藝處理后的晶片進(jìn)行進(jìn)ー步エ藝處理；傳輸腔室4中的真空機(jī)械手將エ藝處理后的晶片從反應(yīng)腔室 43中取出，并將エ藝處理后的晶片放入第二負(fù)載鎖閉器8中，第二負(fù)載鎖閉器8和第二大氣傳輸單元22之間的槽閥打開，第二大氣機(jī)械手將エ藝處理后的晶片從第二負(fù)載鎖閉器8中取出，第二大氣機(jī)械手從第二負(fù)載鎖閉器8中縮回后第二負(fù)載鎖閉器8和第二大氣傳輸單元22之間的槽閥關(guān)閉，第二大氣機(jī)械手將エ藝處理后的晶片放入第二前端開啟裝置21。本實(shí)施例提供的晶片處理系統(tǒng)包括第一大氣傳輸裝置、第二大氣傳輸裝置、傳輸腔室和反應(yīng)腔室，第一大氣傳輸裝置用于將獲取的晶片向傳輸腔室傳送，傳輸腔室用于獲取晶片，將晶片送入反應(yīng)腔室以供反應(yīng)腔室對晶片進(jìn)行エ藝處理，并將エ藝處理后的晶片向第二大氣傳輸裝置傳送，第二大氣傳輸裝置，用于獲取エ藝處理后的晶片。本實(shí)施例的晶片處理系統(tǒng)增設(shè)了與傳輸腔室連接的第二大氣傳輸裝置，傳輸腔室可以將エ藝處理后的晶片直接傳送至第二大氣傳輸裝置，無需將晶片再回傳至第一大氣傳輸裝置，這縮短了晶片在晶片處理系統(tǒng)中的傳輸路徑，從而減少了晶片在晶片處理系統(tǒng)中的傳輸時(shí)間，提高了晶片的處理效率；由于縮短了晶片在晶片處理系統(tǒng)中的傳輸路徑，因此降低了晶片受到污染的可能性，減少了晶片上顆粒物的數(shù)量。圖3為本發(fā)明實(shí)施例ニ提供的ー種晶片處理方法的流程圖，如圖3所示，該方法基于晶片傳輸系統(tǒng)，該晶片傳輸系統(tǒng)包括第一大氣傳輸裝置、第二大氣傳輸裝置、傳輸腔室和與該傳輸腔室連接的反應(yīng)腔室，該第一大氣傳輸裝置、該傳輸腔室和該第二大氣傳輸裝置依次連接；該晶片處理方法包括步驟101、所述第一大氣傳輸裝置將獲取的晶片向所述傳輸腔室傳送。步驟102、所述傳輸腔室獲取所述晶片，將所述晶片送入所述反應(yīng)腔室以供所述反應(yīng)腔室對所述晶片エ藝處理，并將エ藝處理后的所述晶片向所述第二大氣傳輸裝置傳送。步驟103、所述第二大氣傳輸裝置獲取エ藝處理后的所述晶片。進(jìn)ー步地，所述第一大氣傳輸裝置包括與所述傳輸腔室連接的第一大氣傳輸單元和與所述第一大氣傳輸單元連接的第一前端開啟裝置。則步驟101具體包括步驟1011、所述第一前端開啟裝置開啟晶片盒。步驟1012、所述第一大氣傳輸單元從所述晶片盒中獲取晶片并將獲取的晶片向所述傳輸腔室傳送。進(jìn)ー步地，所述晶片處理系統(tǒng)還包括第一負(fù)載鎖閉器，所述第一大氣傳輸単元和所述傳輸腔室之間設(shè)置有所述第一負(fù)載鎖閉器。則步驟1012之前還包括所述第一負(fù)載鎖閉器接收所述第一大氣傳輸單元傳送的所述晶片；步驟1012具體包括所述傳輸腔室從所述第一負(fù)載鎖閉器獲取所述晶片。進(jìn)ー步地，所述第二大氣傳輸裝置包括與所述傳輸腔室連接的第二大氣傳輸單元和與所述第二大氣傳輸單元連接的第二前端開啟裝置。則步驟103具體包括步驟1031、所述第二大氣傳輸單元獲取エ藝處理后的所述晶片，并將エ藝處理后的所述晶片傳送至所述第二前端開啟裝置。步驟1032、所述第二前端開啟裝置接收エ藝處理后的所述晶片。進(jìn)ー步地，所述晶片處理系統(tǒng)還包括第二負(fù)載鎖閉器，所述第二大氣傳輸單元和所述傳輸腔室之間設(shè)置有所述第二負(fù)載鎖閉器。則步驟1031之前還包括所述第二負(fù)載鎖閉器接收所述傳輸腔室傳送的所述晶片；步驟1031具體包括所述第二大氣傳送單元從所述第二負(fù)載鎖閉器獲取エ藝處理后的所述晶片。本實(shí)施例中提供的晶片處理方法可用采用上述實(shí)施例一中的晶片處理系統(tǒng)實(shí)現(xiàn)。 對晶片處理系統(tǒng)的描述可參見實(shí)施例一，此處不再贅述。本實(shí)施例提供的晶片處理方法，該方法基于晶片處理系統(tǒng)，該晶片處理系統(tǒng)包括第一大氣傳輸裝置、第二大氣傳輸裝置、傳輸腔室和反應(yīng)腔室，該方法包括所述第一大氣傳輸裝置將獲取的晶片向所述傳輸腔室傳送，所述傳輸腔室獲取所述晶片，將所述晶片送入所述反應(yīng)腔室以供所述反應(yīng)腔室對所述晶片進(jìn)行エ藝處理，并將エ藝處理后的所述晶片向所述第二大氣傳輸裝置傳送，所述第二大氣傳輸裝置獲取エ藝處理后的所述晶片。本實(shí)施例的晶片處理方法中晶片處理系統(tǒng)增設(shè)了與傳輸腔室連接的第二大氣傳輸裝置，傳輸腔室可以將エ藝處理后的晶片直接傳送至第二大氣傳輸裝置，無需將晶片再回傳至第一大氣傳輸裝置，這縮短了晶片在晶片處理系統(tǒng)中的傳輸路徑，從而減少了晶片在晶片處理系統(tǒng)中的傳輸時(shí)間，提高了晶片的處理效率；由于縮短了晶片在晶片處理系統(tǒng)中的傳輸路徑，因此降低了晶片受到污染的可能性，減少了晶片上顆粒物的數(shù)量。本發(fā)明的技術(shù)方案中，晶片處理系統(tǒng)和晶片處理方法可應(yīng)用于多種不同的物理氣相沉積エ藝。例如當(dāng)應(yīng)用于標(biāo)準(zhǔn)的銅阻擋層與仔晶層物理氣相沉積エ藝吋，晶片在晶片處理系統(tǒng)中的傳輸時(shí)間可減少10%。本發(fā)明的技術(shù)方案中，對標(biāo)準(zhǔn)的物理氣相沉積エ藝流程沒有改變，因此不會影響晶片的生產(chǎn)質(zhì)量，并且也無需針對物理氣相沉積的エ藝流程進(jìn)行特別的研發(fā)。當(dāng)晶片處理系統(tǒng)中包括多個(gè)傳輸腔室吋，由于無需將完成エ藝處理的晶片回傳至第一前端開啟裝置，因此總體上保證了每個(gè)傳輸腔室中真空機(jī)械手所承擔(dān)的工作量的一致性，從而使晶片處理系統(tǒng)中各個(gè)傳輸腔室的產(chǎn)能搭配更加合理?？梢岳斫獾氖牵陨蠈?shí)施方式僅僅是為了說明本發(fā)明的原理而采用的示例性實(shí)施方式，然而本發(fā)明并不局限于此。對于本領(lǐng)域內(nèi)的普通技術(shù)人員而言，在不脫離本發(fā)明的精神和實(shí)質(zhì)的情況下，可以做出各種變型和改進(jìn)，這些變型和改進(jìn)也視為本發(fā)明的保護(hù)范圍。
10
權(quán)利要求
1.ー種晶片處理系統(tǒng)，包括第一大氣傳輸裝置、傳輸腔室和與所述傳輸腔室連接的反應(yīng)腔室，其特征在于，還包括第二大氣傳輸裝置，所述第一大氣傳輸裝置、所述傳輸腔室和所述第二大氣傳輸裝置依次連接；所述第一大氣傳輸裝置，用于將獲取的晶片向所述傳輸腔室傳送；所述傳輸腔室，用于獲取所述晶片，將所述晶片送入所述反應(yīng)腔室以供所述反應(yīng)腔室對所述晶片進(jìn)行エ藝處理，并將エ藝處理后的所述晶片向所述第二大氣傳輸裝置傳送；所述第二大氣傳輸裝置，用于獲取エ藝處理后的所述晶片。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的晶片處理系統(tǒng)，其特征在干，所述第二大氣傳輸裝置包括與所述傳輸腔室連接的第二大氣傳輸單元和與所述第二大氣傳輸單元連接的第二前端開啟裝置；所述第二大氣傳輸單元，用于獲取エ藝處理后的所述晶片，并將エ藝處理后的所述晶片傳送至所述第二前端開啟裝置；所述第二前端開啟裝置，用于接收エ藝處理后的所述晶片。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的晶片處理系統(tǒng)，其特征在于，還包括第二負(fù)載鎖閉器，所述第二大氣傳輸單元和所述傳輸腔室之間設(shè)置有所述第二負(fù)載鎖閉器；所述第二負(fù)載鎖閉器，用于接收所述傳輸腔室傳送的エ藝處理后的所述晶片，以供所述第二大氣傳輸單元從所述第二負(fù)載鎖閉器獲取エ藝處理后的所述晶片。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的晶片處理系統(tǒng)，其特征在干，所述第二負(fù)載鎖閉器和所述第 ニ大氣傳輸單元通過槽閥連接。
5.根據(jù)權(quán)利要求2至4任一所述的晶片處理系統(tǒng)，其特征在干，所述第二前端開啟裝置的數(shù)量可以為ー個(gè)或者多個(gè)。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的晶片處理系統(tǒng)，其特征在干，所述第一大氣傳輸裝置包括與所述傳輸腔室連接的第一大氣傳輸単元和與所述第一大氣傳輸單元連接的第一前端開啟裝置；所述第一前端開啟裝置，用于開啟晶片盒；所述第一大氣傳輸単元，用于從所述晶片盒中獲取晶片并將獲取的晶片向所述傳輸腔室傳送。
7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的晶片處理系統(tǒng)，其特征在于，還包括第一負(fù)載鎖閉器，所述第一大氣傳輸単元和所述傳輸腔室之間設(shè)置有所述第一負(fù)載鎖閉器；所述第一負(fù)載鎖閉器，用于接收所述第一大氣傳輸單元傳送的所述晶片，以供所述傳輸腔室從所述第一負(fù)載鎖閉器獲取所述晶片。
8.ー種晶片處理方法，其特征在干，所述方法基于晶片傳輸系統(tǒng)，所述晶片傳輸系統(tǒng)包括第一大氣傳輸裝置、第二大氣傳輸裝置、傳輸腔室和與所述傳輸腔室連接的反應(yīng)腔室， 所述第一大氣傳輸裝置、所述傳輸腔室和所述第二大氣傳輸裝置依次連接；所述方法包括所述第一大氣傳輸裝置將獲取的晶片向所述傳輸腔室傳送；所述傳輸腔室獲取所述晶片，將所述晶片送入所述反應(yīng)腔室以供所述反應(yīng)腔室對所述晶片進(jìn)行エ藝處理，并將エ藝處理后的所述晶片向所述第二大氣傳輸裝置傳送；所述第二大氣傳輸裝置獲取エ藝處理后的所述晶片。
9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的晶片處理方法，其特征在干，所述第二大氣傳輸裝置包括與所述傳輸腔室連接的第二大氣傳輸單元和與所述第二大氣傳輸單元連接的第二前端開啟裝置；則所述第二大氣傳輸裝置獲取エ藝處理后的所述晶片具體包括 所述第二大氣傳輸單元獲取エ藝處理后的所述晶片，并將エ藝處理后的所述晶片傳送至所述第二前端開啟裝置；所述第二前端開啟裝置接收エ藝處理后的所述晶片。
10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的晶片處理方法，其特征在干，所述晶片處理系統(tǒng)還包括第 ニ負(fù)載鎖閉器，所述第二大氣傳輸單元和所述傳輸腔室之間設(shè)置有所述第二負(fù)載鎖閉器；所述第二大氣傳輸單元獲取エ藝處理后的所述晶片之前包括所述第二負(fù)載鎖閉器接收所述傳輸腔室傳送的ェ藝處理后的所述晶片；所述第二大氣傳輸單元獲取所述晶片具體包括所述第二大氣傳送単元從所述第二負(fù)載鎖閉器獲取ェ藝處理后的所述晶片。
全文摘要
本發(fā)明公開了一種晶片處理系統(tǒng)和晶片處理方法。該系統(tǒng)包括第一大氣傳輸裝置、第二大氣傳輸裝置、傳輸腔室和與所述傳輸腔室連接的反應(yīng)腔室，所述第一大氣傳輸裝置、所述傳輸腔室和所述第二大氣傳輸裝置依次連接；所述第一大氣傳輸裝置，用于將獲取的晶片向所述傳輸腔室傳送；所述傳輸腔室，用于獲取所述晶片，將所述晶片送入所述反應(yīng)腔室以供所述反應(yīng)腔室對所述晶片進(jìn)行工藝處理，并將工藝處理后的所述晶片向所述第二大氣傳輸裝置傳送；所述第二大氣傳輸裝置，用于獲取工藝處理后的所述晶片。本發(fā)明的晶片處理系統(tǒng)無需將晶片再回傳至第一大氣傳輸裝置，從而減少了晶片在晶片處理系統(tǒng)中的傳輸時(shí)間以及降低了晶片受到污染的可能性。
文檔編號H01L21/677GK102569011SQ20101060096
公開日2012年7月11日 申請日期2010年12月13日 優(yōu)先權(quán)日2010年12月13日
發(fā)明者夏威, 宗令蓓 申請人:北京北方微電子基地設(shè)備工藝研究中心有限責(zé)任公司