專利名稱：窗口球柵陣列半導(dǎo)體封裝體的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本公開的實(shí)施例涉及集成電路領(lǐng)域，并且更具體地涉及用于窗口球柵陣列(BGA) 半導(dǎo)體封裝體的封裝技術(shù)、結(jié)構(gòu)和配置。
背景技術(shù)：
在此提供的背景技術(shù)的描述是用于一般性地呈現(xiàn)本公開的背景環(huán)境的目的。既不明確地也不隱含地承認(rèn)，當(dāng)前所稱發(fā)明人的工作(就本背景技術(shù)部分所描述的程度而言)、 以及說明書中無法被另外證明是在提交時(shí)的現(xiàn)有技術(shù)的各方面，是與本公開相對(duì)照的現(xiàn)有技術(shù)。當(dāng)前，窗口 BGA封裝是通過使用粘合劑直接將半導(dǎo)體裸片附著到基底上形成，而不使用例如互連凸塊或類似結(jié)構(gòu)。然而，這種常規(guī)的封裝可能無法提供足夠小的半導(dǎo)體封裝體來適應(yīng)諸如電話、計(jì)算機(jī)或使用半導(dǎo)體裸片的其它電子裝配之類的新興電子設(shè)備的逐漸縮小的形狀系數(shù)。

發(fā)明內(nèi)容
在一個(gè)實(shí)施例中，一種半導(dǎo)體封裝體包括基底，該基底具有(i)第一表面、(ii)與第一表面相對(duì)的第二表面以及(iii)形成在基底的第一表面與基底的第二表面之間的開口。該半導(dǎo)體封裝體還包括半導(dǎo)體裸片，其具有(i)第一表面以及(ii)與第一表面相對(duì)的第二表面，半導(dǎo)體裸片的第一表面通過一個(gè)或多個(gè)互連凸塊電耦合到基底的第二表面；一根或多根鍵合線，其通過基底的開口將半導(dǎo)體裸片的第一表面電耦合到基底的第一表面； 以及第一電絕緣結(jié)構(gòu)，其布置成實(shí)質(zhì)上填充在半導(dǎo)體裸片的第一表面、基底的第二表面和一個(gè)或多個(gè)互連凸塊之間的區(qū)域。該第一電絕緣結(jié)構(gòu)實(shí)質(zhì)上包封一根或多根鍵合線并且實(shí)質(zhì)上填充基底的開口。在另一實(shí)施例中，一種方法包括提供基底，該基底具有(i)第一表面、(ii)與第一表面相對(duì)的第二表面以及(iii)形成在基底的第一表面與基底的第二表面之間的開口 ； 將半導(dǎo)體裸片電耦合到基底以形成半導(dǎo)體封裝體，該半導(dǎo)體裸片具有(i)第一表面以及 (ii)與第一表面相對(duì)的第二表面，該半導(dǎo)體裸片的第一表面通過一個(gè)或多個(gè)互連凸塊電耦合到基底的第二表面；形成一根或多根鍵合線，以通過基底的開口將半導(dǎo)體裸片的第一表面電耦合到基底的第一表面；以及形成電絕緣結(jié)構(gòu)，使得實(shí)質(zhì)上填充在半導(dǎo)體裸片的第一表面、基底的第二表面和一個(gè)或多個(gè)互連凸塊之間的區(qū)域，其中該電絕緣結(jié)構(gòu)實(shí)質(zhì)上包封一根或多根鍵合線并且實(shí)質(zhì)上填充基底的開口。


結(jié)合附圖，通過以下詳細(xì)描述將容易理解本公開的實(shí)施例。為了便于本描述，相同的附圖標(biāo)記指代相同的結(jié)構(gòu)元件。在附圖中通過示例的方式而不是限制的方式示出這里的實(shí)施例。 圖1示意性地示出根據(jù)各種實(shí)施例的第一半導(dǎo)體封裝體。圖2示意性地示出根據(jù)各種實(shí)施例的第二半導(dǎo)體封裝體。圖3示意性地示出根據(jù)各種實(shí)施例的第三半導(dǎo)體封裝體。圖4示意性地示出根據(jù)各種實(shí)施例的第四半導(dǎo)體封裝體。圖5示意性地示出根據(jù)各種實(shí)施例的第五半導(dǎo)體封裝體。圖6示意性地示出根據(jù)各種實(shí)施例的圖1至圖5中所示類型的半導(dǎo)體封裝體的仰視圖。圖7示意性地示出根據(jù)各種實(shí)施例的圖1至圖5中所示類型的另一半導(dǎo)體封裝體的仰視圖。圖8示意性地示出根據(jù)各種實(shí)施例的第六半導(dǎo)體封裝體。圖9示意性地示出根據(jù)各種實(shí)施例的圖8中所示類型的半導(dǎo)體封裝體的仰視圖。圖10是用于制造根據(jù)各種實(shí)施例的半導(dǎo)體封裝體的方法的工藝流程圖。
具體實(shí)施例方式本公開的實(shí)施例描述用于窗口球柵陣列(BGA)半導(dǎo)體封裝體的半導(dǎo)體封裝技術(shù)、 結(jié)構(gòu)和配置。在以下詳細(xì)描述中，參照構(gòu)成本說明書一部分的附圖，在全部附圖中相同標(biāo)記指代相同部件。在不脫離本公開的范圍的情況下，可以利用其它實(shí)施例并且可以進(jìn)行結(jié)構(gòu)或邏輯的改變。因此，并非在限制的意義上進(jìn)行以下詳細(xì)描述，實(shí)施例的范圍是由所附權(quán)利要求及其等同方案限定。本說明書可能使用基于透視圖的描述，諸如上/下、前/后以及頂部\底部。使用這種描述僅為了便于討論，而不旨在于將這里描述的實(shí)施例的應(yīng)用限制為任何特定取向。為了本公開的目的，措詞“A/B”是指A或B。為了本公開的目的，措詞“A和/或B” 是指“㈧、(B)或(A和B)”。為了本公開的目的，措詞“A、B和C中的至少一個(gè)”是指“㈧、 (B)、(C)、(A和B)、(A和C)、(B和C)或(A、B和C)”。為了本公開的目的，措詞“ (A) B”是指“(B)或(AB) ”，也就是說，A是可選元素。按照最有助于理解所要求保護(hù)的主題的方式，將各種操作依次描述為多個(gè)分立操作。然而，描述的順序不應(yīng)解釋為暗示這些操作一定是與順序有關(guān)的。具體而言，這些操作可以不按照呈現(xiàn)的順序執(zhí)行?？梢园凑张c所描述的實(shí)施例不同的順序執(zhí)行所描述的操作。 可以執(zhí)行各種附加操作以及/或者可以在附加實(shí)施例中省略所描述的操作。本說明書使用措詞“在一個(gè)實(shí)施例中”、“在實(shí)施例中”或類似語言，其均可以指代相同或不同實(shí)施例中的一個(gè)或多個(gè)實(shí)施例。此外，關(guān)于本公開的實(shí)施例所用的術(shù)語“包括”、 “包含”、“具有”等是同義的。圖1示意性地示出根據(jù)各種實(shí)施例的第一半導(dǎo)體封裝體100。第一半導(dǎo)體封裝體100和這里描述的其它半導(dǎo)體封裝體通常布置成窗口 BGA配置。第一半導(dǎo)體封裝體100包括如所示那樣耦合的基底102和半導(dǎo)體裸片104。基底102具有第一表面Al和與第一表面 Al相對(duì)的第二表面A2。開口 106，也稱為“窗口”，形成在基底102的第一表面Al和第二表面A2之間，以便于在半導(dǎo)體裸片104與基底102之間經(jīng)由一根或多根鍵合線110來對(duì)諸如輸入/輸出(I/O)信號(hào)或電源/接地之類的電信號(hào)進(jìn)行布線。
如所示的那樣，半導(dǎo)體裸片104具有第一表面Bl和與第一表面Bl相對(duì)的第二表面B2。根據(jù)各種實(shí)施例，第一表面Bl為半導(dǎo)體裸片104的有源表面，其上形成有多個(gè)集成電路(IC)器件(未示出)，諸如用于處理器和/或存儲(chǔ)器的晶體管。半導(dǎo)體裸片104的第一表面Bl使用一個(gè)或多個(gè)互連凸塊108電耦合到基底102的第二表面A2。如所示的那樣， 該一個(gè)或多個(gè)互連凸塊108耦合到半導(dǎo)體裸片104的外圍部分。該一個(gè)或多個(gè)互連凸塊 108可以包括各種適當(dāng)?shù)闹?、球、樁或其他類似結(jié)構(gòu)中的任何一種結(jié)構(gòu)來對(duì)半導(dǎo)體裸片104 和基底102進(jìn)行電耦合。在一個(gè)實(shí)施例中，使用該一個(gè)或多個(gè)互連凸塊108來對(duì)半導(dǎo)體裸片104和基底102之間的大部分或者所有電源和/或接地連接進(jìn)行布線，以提供比鍵合線更穩(wěn)健的電源供給。如所示的那樣，使用穿過開口 106的一根或多根鍵合線110，將半導(dǎo)體裸片104的第一表面Bl進(jìn)一步電耦合到基底102的第一表面Al。如所示的那樣，該一根或多根鍵合線110直接耦合到半導(dǎo)體裸片104的中心部分，并且進(jìn)一步直接耦合到基底102的第一表面Al。一個(gè)或多個(gè)導(dǎo)電結(jié)構(gòu)，諸如線鍵合焊盤(為了避免附圖由于具有太多細(xì)節(jié)而不清楚， 所以未示出)，可以布置在基底102和半導(dǎo)體裸片104的表面上，以便于該一根或多根鍵合線110的附著。在一個(gè)實(shí)施例中，使用該一根或多根鍵合線110來對(duì)半導(dǎo)體裸片104和基底102之間的大部分或所有I/O信號(hào)進(jìn)行布線。在其中第一半導(dǎo)體封裝體100用于實(shí)現(xiàn)諸如動(dòng)態(tài)隨機(jī)訪問存儲(chǔ)器(DRAM)或片上系統(tǒng)(SoC)之類的器件的另一實(shí)施例中，分別使用一個(gè)或多個(gè)互連凸塊108和鍵合線110來對(duì)具有不同速度的信號(hào)進(jìn)行布線。例如，可以使用一個(gè)或多個(gè)互連凸塊108來對(duì)高速數(shù)據(jù)進(jìn)行布線，同時(shí)可以使用鍵合線110來對(duì)具有相對(duì)較低速的信號(hào)進(jìn)行布線。可以在基底102的第一表面Al和第二表面A2上形成例如跡線114的附加導(dǎo)電結(jié)構(gòu)，以助于在半導(dǎo)體裸片104和基底102之間的電連接的布線。例如，可以使用形成在基底 102的第一表面Al上的跡線114來對(duì)一根或多根鍵合線110與一個(gè)或多個(gè)封裝互連結(jié)構(gòu) (諸如一個(gè)或多個(gè)焊料球116)之間的電連接進(jìn)行布線。在一個(gè)實(shí)施例中，跡線114扇出以將一根或多根鍵合線110電耦合到一個(gè)或多個(gè)焊料球116中的對(duì)應(yīng)焊料球。該一個(gè)或多個(gè)焊料球116耦合到基底102的第一表面Al，以提供在第一半導(dǎo)體封裝體100與在第一半導(dǎo)體封裝體100外部的另一電子器件(未示出)之間的電路徑，該另一電子器件諸如母板或其它電路板。還應(yīng)注意，基底102可以包括多層基底。形成在基底102的第二表面A2上的跡線114，例如可以使用在基底102的第一表面Al和第二表面A2之間形成的通孔結(jié)構(gòu)(未示出)或任何其它適當(dāng)?shù)闹匦路植挤桨?，電耦合到一個(gè)或多個(gè)封裝互連結(jié)構(gòu)(例如，一個(gè)或多個(gè)焊料球116)。因而，使用該一個(gè)或多個(gè)互連凸塊108、一根或多根鍵合線110以及跡線114，可以將包括半導(dǎo)體裸片104的電源和 /或I/O信號(hào)的電信號(hào)布線到一個(gè)或多個(gè)焊料球116。一個(gè)或多個(gè)互連凸塊108、一根或多根鍵合線Iio以及跡線114可以包括多種導(dǎo)電材料中的任何一種，該多種導(dǎo)電材料例如包括諸如金(Au)、銅(Cu)、鋁(Al)之類的金屬、金屬合金和/或可焊接材料。在其它實(shí)施例中，可以使用其它導(dǎo)電材料來形成一個(gè)或多個(gè)互連凸塊108、一根或多根鍵合線110以及跡線 114。可以在基底102的第一表面Al和第二表面A2上形成焊料掩膜115或類似結(jié)構(gòu)， 以為跡線114提供電隔離和/或物理保護(hù)。焊料掩膜115—般包括諸如聚合物之類的電絕緣材料。如所示的那樣，形成包括模塑材料、包封材料或底部填充材料的電絕緣結(jié)構(gòu)112， 從而實(shí)質(zhì)上填充在半導(dǎo)體裸片104的第一表面Bi、基底102的第二表面A2以及一個(gè)或多個(gè)互連凸塊108之間的區(qū)域。如所示的那樣，該電絕緣結(jié)構(gòu)112還實(shí)質(zhì)上包封一根或多根鍵合線110并且實(shí)質(zhì)上填充基底102的開口 106。在一個(gè)實(shí)施例中，電絕緣結(jié)構(gòu)112是包括熱固性樹脂的模塑材料，該熱固性樹脂以固體形式(例如，粉末)沉積并經(jīng)受熱和/或壓力以實(shí)質(zhì)上填充所述和所示的區(qū)域。在另一實(shí)施例中，電絕緣結(jié)構(gòu)112是通過液體配送(dispense ；也可譯為“點(diǎn)膠”)或注入工藝按液體形式沉積的底部填充材料。電絕緣結(jié)構(gòu)112可以包括例如環(huán)氧樹脂或任何其它適當(dāng)?shù)碾娊^緣材料。 根據(jù)各種實(shí)施例，第一半導(dǎo)體封裝體100是具有暴露的半導(dǎo)體裸片104的最終產(chǎn)品半導(dǎo)體封裝體。在其它實(shí)施例中，第一半導(dǎo)體封裝體100是在半導(dǎo)體封裝體制造工藝期間的中間半導(dǎo)體封裝體。例如，第一半導(dǎo)體封裝體100可以是用于圖2的第二半導(dǎo)體封裝體200和/或圖5的第五半導(dǎo)體封裝體500的半導(dǎo)體封裝體制造工藝期間的中間半導(dǎo)體封裝體。圖2示意性地示出根據(jù)各種實(shí)施例的第二半導(dǎo)體封裝體200。該第二半導(dǎo)體封裝體200包括結(jié)合第一半導(dǎo)體封裝體100描述的基底102、半導(dǎo)體裸片104、一個(gè)或多個(gè)互連凸塊108、一根或多根鍵合線110、跡線114、焊料掩膜115和焊料球116，其中基底102具有形成在基底102的第一表面Al和第二表面A2之間的開口 106。第二半導(dǎo)體封裝體200還包括如所示那樣配置的第一絕緣結(jié)構(gòu)212和第二絕緣結(jié)構(gòu)214。根據(jù)各種實(shí)施例，第一絕緣結(jié)構(gòu)212包括底部填充材料(例如，通過液體配送技術(shù)形成)，而第二絕緣結(jié)構(gòu)214包括模塑材料(例如，通過以固體形式沉積熱固性樹脂并施加熱和/或壓力形成)。在一些實(shí)施例中，模塑材料是與底部填充材料不相同的材料。如所示的那樣，第一絕緣結(jié)構(gòu)212布置成實(shí)質(zhì)上填充在半導(dǎo)體裸片104的第一表面Bi、基底102的第二表面A2和一個(gè)或多個(gè)互連凸塊108之間的區(qū)域。第一絕緣結(jié)構(gòu)212 還布置成實(shí)質(zhì)上包封一個(gè)和更多個(gè)鍵合線110并且實(shí)質(zhì)上填充基底102的開口 106。如所示的那樣，第二絕緣結(jié)構(gòu)214耦合到基底102的第二表面A2和半導(dǎo)體裸片104的第二表面 B2，以實(shí)質(zhì)上包封半導(dǎo)體裸片104。第二半導(dǎo)體封裝體200例如可以通過將第二絕緣結(jié)構(gòu) 214沉積到圖1的第一半導(dǎo)體封裝體100上來形成。根據(jù)各種實(shí)施例，第二半導(dǎo)體封裝體200是最終產(chǎn)品半導(dǎo)體封裝體，其具有用于為半導(dǎo)體裸片104提供底部填充的第一絕緣結(jié)構(gòu)212和用于為半導(dǎo)體裸片104提供包封模塑料的第二絕緣結(jié)構(gòu)214。在其它實(shí)施例中，第二半導(dǎo)體封裝體200是半導(dǎo)體封裝體制造工藝期間的中間半導(dǎo)體封裝體。例如，第二半導(dǎo)體封裝體200可以是在用于圖5的第五半導(dǎo)體封裝體500的半導(dǎo)體封裝體制造工藝期間的中間半導(dǎo)體封裝體。
圖3示意性地示出根據(jù)各種實(shí)施例的第三半導(dǎo)體封裝體300。該第三半導(dǎo)體封裝體300包括結(jié)合第一半導(dǎo)體封裝體100描述的基底102、半導(dǎo)體裸片104、一個(gè)或多個(gè)互連凸塊108、一根或多根鍵合線110、跡線114、焊料掩膜115和焊料球116，其中基底102具有形成在基底102的第一表面Al和第二表面A2之間的開口 106。第三半導(dǎo)體 封裝體300還包括絕緣結(jié)構(gòu)312，該絕緣結(jié)構(gòu)312包括模塑料。如所示的那樣，該絕緣結(jié)構(gòu)312是通過以下步驟形成的將固體形式(例如，粉末)的模塑材料沉積到預(yù)先形成的圖案或模具中，以及施加熱和/或壓力使模塑材料流動(dòng)并形成絕緣結(jié)構(gòu) 312。如所示的那樣，絕緣結(jié)構(gòu)312的模塑材料實(shí)質(zhì)上填充在半導(dǎo)體裸片104的第一表面Bi、 基底102的第二表面A2和一個(gè)或多個(gè)互連凸塊108之間的區(qū)域。絕緣結(jié)構(gòu)312的模塑材料還布置成實(shí)質(zhì)上包封一個(gè)和更多個(gè)鍵合線110并且實(shí)質(zhì)上填充基底102的開口 106。絕緣結(jié)構(gòu)312的模塑材料還耦合到基底102的第二表面A2和半導(dǎo)體裸片104的第二表面B2， 以實(shí)質(zhì)上包封半導(dǎo)體裸片104。使用模塑材料包封半導(dǎo)體裸片104并填充底部填充區(qū)域可以減少工藝操作數(shù)目并降低與制造第三半導(dǎo)體封裝體300關(guān)聯(lián)的成本。根據(jù)各種實(shí)施例，第三半導(dǎo)體封裝體300是具有絕緣結(jié)構(gòu)312的最終產(chǎn)品半導(dǎo)體封裝體，該絕緣結(jié)構(gòu)312僅包括模塑材料，其包封半導(dǎo)體裸片104并填充在半導(dǎo)體裸片104 和基底102之間的底部填充區(qū)域。在其它實(shí)施例中，第三半導(dǎo)體封裝體300是半導(dǎo)體封裝體制造工藝期間的中間半導(dǎo)體封裝體。例如，第三半導(dǎo)體封裝體300可以是在用于圖4的第四半導(dǎo)體封裝體400的半導(dǎo)體封裝體制造工藝期間的中間半導(dǎo)體封裝體。圖4示意性地示出根據(jù)各種實(shí)施例的第四半導(dǎo)體封裝體400。該第四半導(dǎo)體封裝體400包括結(jié)合第一半導(dǎo)體封裝體100描述的基底102、半導(dǎo)體裸片104、一個(gè)或多個(gè)互連凸塊108、一根或多根鍵合線110、跡線114、焊料掩膜115和焊料球116，其中基底102具有形成在基底102的第一表面Al和第二表面A2之間的開口 106。第四半導(dǎo)體封裝體400還包括電絕緣結(jié)構(gòu)412。該電絕緣結(jié)構(gòu)412可以包括模塑料、包封材料或底部填充材料。在一個(gè)實(shí)施例中，該電絕緣結(jié)構(gòu)412包括模塑料。如所示的那樣，該電絕緣結(jié)構(gòu)412實(shí)質(zhì)上填充在半導(dǎo)體裸片104的第一表面Bi、 基底102的第二表面A2和一個(gè)或多個(gè)互連凸塊108之間的區(qū)域。該絕緣結(jié)構(gòu)412還布置成實(shí)質(zhì)上包封一個(gè)和更多個(gè)鍵合線110并且實(shí)質(zhì)上填充基底102的開口 106。如所示的那樣，該絕緣結(jié)構(gòu)412還耦合到基底102的第二表面A2以及與半導(dǎo)體裸片的第二表面B2實(shí)質(zhì)上垂直的半導(dǎo)體裸片104的表面B3。電絕緣結(jié)構(gòu)412與半導(dǎo)體裸片104的第二表面B2實(shí)質(zhì)上成一平面。半導(dǎo)體裸片 104的第二表面B2被暴露。也就是說，電絕緣結(jié)構(gòu)412不布置在半導(dǎo)體裸片104的第二表面B2上。第四半導(dǎo)體封裝體400例如可以通過以下步驟來形成使用拋光工藝去除圖3的第三半導(dǎo)體封裝體300的電絕緣結(jié)構(gòu)312的材料，以暴露半導(dǎo)體裸片104的第二表面B2并且提供平面表面，如圖4所示。作為選擇，可以使用暴露裸片模塑系統(tǒng)來暴露半導(dǎo)體裸片 104的第二表面B2。根據(jù)各種實(shí)施例，第四半導(dǎo)體封裝體400是具有絕緣結(jié)構(gòu)412的最終產(chǎn)品半導(dǎo)體封裝體，該絕緣結(jié)構(gòu)412僅包括模塑材料，其與半導(dǎo)體裸片104的背面(例如，第二表面B2) 成一平面，從而暴露該背面。在其它實(shí)施例中，第四半導(dǎo)體封裝體400是半導(dǎo)體封裝體制造工藝期間的中間半導(dǎo)體封裝體。例如，可以將諸如熱沉(heat sink)之類的另一組件(未示出)耦合到暴露的半導(dǎo)體裸片104的第二表面B2，以助于將熱量從第四半導(dǎo)體封裝體400 去除。圖5示意性地示出根據(jù)各種實(shí)施例的第五半導(dǎo)體封裝體500。該第五半導(dǎo)體封裝體500包括結(jié)合第一半導(dǎo)體封裝體100描述的基底102、半導(dǎo)體裸片104、一個(gè)或多個(gè)互連凸塊108、一根或多根鍵合線110、跡線114、焊料掩膜115和焊料球116，其中基底102具有形成在基底102的第一表面Al和第二表面A2之間的開口 106。

第五半導(dǎo)體封裝體500還包括包含底部填充材料的第一電絕緣結(jié)構(gòu)512和包含模塑材料的第二電絕緣結(jié)構(gòu)514。如所示的那樣，第一電絕緣結(jié)構(gòu)512實(shí)質(zhì)上填充在半導(dǎo)體裸片104的第一表面Bi、基底102的第二表面A2和一個(gè)或多個(gè)互連凸塊108之間的區(qū)域。 第一絕緣結(jié)構(gòu)512還布置成實(shí)質(zhì)上包封一個(gè)和更多個(gè)鍵合線110并且實(shí)質(zhì)上填充基底102 的開口 106。如所示的那樣，第二電絕緣結(jié)構(gòu)514耦合到基底102的第二表面A2以及與半導(dǎo)體裸片的第二表面B2實(shí)質(zhì)上垂直的半導(dǎo)體裸片104的表面B3。第二電絕緣結(jié)構(gòu)514與半導(dǎo)體裸片104的第二表面B2實(shí)質(zhì)上成一平面。第二電絕緣結(jié)構(gòu)514不布置在半導(dǎo)體裸片104 的第二表面B2上。第五半導(dǎo)體封裝體500例如可以通過以下步驟來形成使用拋光工藝去除圖2的第二半導(dǎo)體封裝體200的第二電絕緣結(jié)構(gòu)214的材料，以暴露半導(dǎo)體裸片104的第二表面B2并且提供實(shí)質(zhì)上為平面的表面，如圖5所示。第五半導(dǎo)體封裝體500還包括耦合到半導(dǎo)體裸片104的第二表面B2的熱沉518。 熱沉518有助于將熱量從第五半導(dǎo)體封裝體500去除。在一個(gè)實(shí)施例中，熱沉518大于半導(dǎo)體裸片104以提供更好的散熱，并且在尺寸上大致與半導(dǎo)體封裝體500相同。熱沉518 可以具有平坦的頂表面，但作為選擇，熱沉518也可以包括其它配置，諸如波紋配置，以使用于散熱的表面面積最大化。根據(jù)各種實(shí)施例，第五半導(dǎo)體封裝體500是最終產(chǎn)品半導(dǎo)體封裝體。應(yīng)清楚的是， 在其它實(shí)施例中可以適當(dāng)?shù)亟Y(jié)合關(guān)于圖1至圖5的半導(dǎo)體封裝體描述的這些實(shí)施例。例如， 第五半導(dǎo)體封裝體500可以是沒有熱沉518的最終產(chǎn)品半導(dǎo)體封裝體。也就是說，在該最終產(chǎn)品半導(dǎo)體封裝體中，圖5的第五半導(dǎo)體封裝體500可以具有暴露的裸片背面(例如，半導(dǎo)體裸片104的第二表面B2)。適當(dāng)結(jié)合圖1至圖5的半導(dǎo)體封裝體方面的其它實(shí)施例是可以預(yù)想到的并且落入本公開的范圍。圖6示意性地示出根據(jù)各種實(shí)施例的圖1至圖5中所述類型的半導(dǎo)體封裝體600 的仰視圖。在該半導(dǎo)體封裝體600的仰視圖中省略結(jié)合圖1至圖5描述的焊料球116、跡線114、焊料掩膜115和各種電絕緣結(jié)構(gòu)(例如，電絕緣結(jié)構(gòu)112、212、312、412和512)，以免用太多細(xì)節(jié)使圖不清楚。通過虛線矩形表示出半導(dǎo)體裸片104，以指示半導(dǎo)體裸片104在基底102背后的部分在圖6的仰視圖中是不可見的。半導(dǎo)體裸片104的第一表面Bl在形成于基底102中的開口 106內(nèi)是可見的。一個(gè)或多個(gè)線鍵合焊盤630布置在半導(dǎo)體裸片104的第一表面Bl上，以助于將一根或多根鍵合線110附著到半導(dǎo)體裸片104。在一個(gè)實(shí)施例中，將開口 106內(nèi)的一個(gè)或多個(gè)線鍵合焊盤630配置成對(duì)用于半導(dǎo)體裸片104的大部分或所有I/O信號(hào)進(jìn)行布線。一般而言，一根或多根鍵合線110直接耦合到一個(gè)或多個(gè)線鍵合焊盤630并且還直接耦合到布置在基底102的第一表面Al上的諸如焊盤(未示出)或跡線(例如，圖1至圖5中的114) 的類似結(jié)構(gòu)，該類似結(jié)構(gòu)可以進(jìn)一步將電信號(hào)布線到布置在基底102的第一表面Al上的封裝互連結(jié)構(gòu)(例如，圖1至圖5的焊料球116)。 根據(jù)各種實(shí)施例，半導(dǎo)體裸片104包括具有第一區(qū)域的第一矩形形狀，如虛線所示，并且基底的開口 106包括具有第二區(qū)域的第二矩形形狀，如所示的那樣。當(dāng)?shù)诙^(qū)域被第一區(qū)域覆蓋時(shí)，如圖6的半導(dǎo)體封裝體600的仰視圖所示，第二區(qū)域完全布置在第一區(qū)域內(nèi)。此外，當(dāng)?shù)诙^(qū)域被第一區(qū)域覆蓋時(shí)，第二區(qū)域?qū)嵸|(zhì)上位于第一區(qū)域的中心。第一矩形形狀和第二矩形形狀的側(cè)邊如所示那樣實(shí)質(zhì)上平行。圖7示意性地示出根據(jù)各種實(shí)施例的圖1至圖5所示類型的另一半導(dǎo)體封裝體 700的仰視圖。除了圖7的基底102中的開口 106與圖6的基底102中的開口 106相比進(jìn)行了偏移之外，圖7的半導(dǎo)體封裝體700包括結(jié)合圖6的半導(dǎo)體封裝體600描述的特征。根據(jù)一些實(shí)施例，半導(dǎo)體封裝體700包括形成在開口 106的所有四個(gè)側(cè)邊上的一根或多根鍵合線110，如所示的那樣。也就是說，一根或多根鍵合線110耦合到沿著開口 106的四個(gè)側(cè)邊的各側(cè)邊的長(zhǎng)度布置的一個(gè)或多個(gè)線鍵合焊盤630。根據(jù)各種實(shí)施例，半導(dǎo)體裸片104包括具有第一區(qū)域的第一矩形形狀，如虛線所示，并且基底的開口 106包括具有第二區(qū)域的第二矩形形狀，如所示的那樣。當(dāng)?shù)诙^(qū)域被第一區(qū)域覆蓋時(shí)，如圖7的半導(dǎo)體封裝體700的仰視圖所示，第二區(qū)域完全布置在第一區(qū)域內(nèi)。此外，當(dāng)如所示的那樣第二區(qū)域被第一區(qū)域覆蓋時(shí)，第二區(qū)域?qū)嵸|(zhì)上位于第一區(qū)域的中心。在半導(dǎo)體封裝體700中，第一矩形形狀的側(cè)邊(例如側(cè)邊Si)從第二矩形形狀的側(cè)邊 (例如，側(cè)邊S2)偏移約45度，如圖7中由角度θ所表示的那樣。圖8示意性地示出根據(jù)各種實(shí)施例的第六半導(dǎo)體封裝體800。第六半導(dǎo)體封裝體 800包括諸如引線框之類的基底802，該基底802具有形成在基底802的第一表面Al和第二表面Α2之間的一個(gè)或多個(gè)開口 806，以及配置成支持其上布置的半導(dǎo)體裸片104的裸片墊(die paddle)850o如所示的那樣，裸片墊850在基底802的外圍部分之間實(shí)質(zhì)上居中， 并且在結(jié)構(gòu)上使用一個(gè)或多個(gè)連接桿(tie bar)(例如，在該圖中未示出但在圖9中示出為一個(gè)或多個(gè)連接桿975)耦合到基底802的外圍部分。裸片墊850和一個(gè)或多個(gè)連接桿是基底802的裸片支撐結(jié)構(gòu)的部分。半導(dǎo)體裸片104使用穿過基底802的一個(gè)或多個(gè)開口 806的一根或多根鍵合線 110而電耦合到基底802的第一表面Al。半導(dǎo)體裸片104還使用一個(gè)或多個(gè)互連凸塊108 電耦合到基底802的第二表面A2(例如，裸片墊850)。一根或多根鍵合線110以及一個(gè)或多個(gè)互連凸塊108用來對(duì)去往半導(dǎo)體裸片104或者來自半導(dǎo)體裸片104的諸如I/O和/或電源/接地信號(hào)之類的電信號(hào)進(jìn)行布線。在一個(gè)實(shí)施例中，一根或多根鍵合線110用來對(duì)用于半導(dǎo)體裸片104的所有或者實(shí)質(zhì)上所有I/O信號(hào)進(jìn)行布線，而一個(gè)或多個(gè)互連凸塊108 用來對(duì)用于半導(dǎo)體裸片104的所有或者實(shí)質(zhì)上所有電源/接地連接進(jìn)行布線。在其中半導(dǎo)體封裝體800用于實(shí)現(xiàn)諸如動(dòng)態(tài)隨機(jī)訪問存儲(chǔ)器(DRAM)或片上系統(tǒng)(SoC)的另一實(shí)施例中，一個(gè)或多個(gè)互連凸塊108和鍵合線110分別用來對(duì)具有不同速度的信號(hào)進(jìn)行布線。例如，一個(gè)或多個(gè)互連凸塊108可以用來對(duì)高速數(shù)據(jù)進(jìn)行布線，而鍵合線110可以用來對(duì)具有相對(duì)低速的信號(hào)進(jìn)行布線。諸如引線或鍵合指(bond finger)之類的跡線114或類似結(jié)構(gòu)可以布置在基底802的第一表面Al和/或第二表面A2上，以助于重新分布電信號(hào)。焊料掩膜115可以用來保護(hù)和/或電隔離跡線114。一個(gè)或多個(gè)焊料球116耦合到基底802的第一側(cè)邊Al，以進(jìn)一步便于對(duì)去往第六半導(dǎo)體封裝體800或者來自第六半導(dǎo)體封裝體800的電信號(hào)的布線。

電絕緣結(jié)構(gòu)812布置成實(shí)質(zhì)上填充基底802在半導(dǎo)體裸片104與裸片墊850部分之間的區(qū)域，并且實(shí)質(zhì)上填充基底802的一個(gè)或多個(gè)開口 806，如所示的那樣。電絕緣結(jié)構(gòu) 812可以與已結(jié)合圖1至圖5描述的電絕緣結(jié)構(gòu)描述的實(shí)施例一致。例如，電絕緣結(jié)構(gòu)812 可以包括模塑料、包封材料或底部填充材料或其組合。圖9示意性地示出根據(jù)各種實(shí)施例的圖8所示類型的半導(dǎo)體封裝體900的仰視圖。為清楚起見，在該半導(dǎo)體封裝體900的仰視圖中省略結(jié)合圖8描述的焊料球116、跡線 114、焊料掩膜115和電絕緣結(jié)構(gòu)812。半導(dǎo)體封裝體900包括具有裸片墊850的基底802 (例如，圖9中示出基底802的第一表面Al)，使用一個(gè)或多個(gè)連接桿975在結(jié)構(gòu)上將該裸片墊850耦合到基底802的外圍部分，如所示的那樣。裸片墊850和一個(gè)或多個(gè)連接桿975是基底802的裸片支撐結(jié)構(gòu)的部分。在一些實(shí)施例中，基底802(例如，包括裸片墊850和一個(gè)或多個(gè)連接桿975)可以是單個(gè)連續(xù)結(jié)構(gòu)的部分。一個(gè)或多個(gè)開口 806布置在裸片墊850和基底802的外圍部分之間。半導(dǎo)體裸片 104布置在裸片墊850上，使得在圖9的仰視圖中半導(dǎo)體裸片104的中心部分不可透過裸片墊850得見。半導(dǎo)體裸片104的虛線部分表示半導(dǎo)體裸片104通過一個(gè)或多個(gè)連接桿975 而從仰視圖隱藏的區(qū)域。半導(dǎo)體裸片104的外圍部分通過一個(gè)或多個(gè)開口 806而可見。一個(gè)或多個(gè)線鍵合焊盤930布置在半導(dǎo)體裸片104的外圍部分上，以提供用于一根或多根鍵合線110的連接位置。一根或多根鍵合線110直接耦合到一個(gè)或多個(gè)線鍵合焊盤930以及布置在基底802上的對(duì)應(yīng)焊盤(未示出)或跡線(例如，圖8的114)。在一個(gè)實(shí)施例中，一根或多根鍵合線110附著到半導(dǎo)體裸片104的四個(gè)側(cè)邊的每個(gè)側(cè)邊，如所示的那樣。在一些實(shí)施例中，附加的一根或多根鍵合線IlOa直接耦合到一個(gè)或多個(gè)線鍵合焊盤930并且直接耦合到裸片墊850和/或連接桿975。應(yīng)清楚的是，一根或多根鍵合線 110和附加的一根或多根鍵合線IlOa可以利用電絕緣結(jié)構(gòu)(例如，圖8的電絕緣結(jié)構(gòu)812) 來包封。在一些實(shí)施例中，裸片墊850和/或連接桿為半導(dǎo)體裸片104提供接地和/或電源供給。根據(jù)各種實(shí)施例，半導(dǎo)體裸片104包括具有第一區(qū)域的第一矩形形狀，如所示的那樣。裸片墊850包括具有第二區(qū)域的第二實(shí)質(zhì)上為矩形的形狀(例如由虛線矩形960所示的)，如所示的那樣。當(dāng)?shù)诙^(qū)域被第一區(qū)域覆蓋時(shí)，如圖9的半導(dǎo)體封裝體800的仰視圖所示，第二區(qū)域完全布置在第一區(qū)域內(nèi)。此外，當(dāng)如所示的那樣第二區(qū)域被第一區(qū)域覆蓋時(shí)，第二區(qū)域?qū)嵸|(zhì)上位于第一區(qū)域的中心。第一矩形形狀和第二實(shí)質(zhì)上為矩形的形狀的側(cè)邊實(shí)質(zhì)上平行，如所示的那樣。結(jié)合圖8和圖9所述的實(shí)施例可以與結(jié)合圖1至圖7所述的實(shí)施例適當(dāng)?shù)亟Y(jié)合。圖10是用于制造根據(jù)各種實(shí)施例的半導(dǎo)體封裝體的方法1000的工藝流程圖。在方框1002，方法1000包括提供具有開口(例如，圖1至圖7的開口 106或者圖8至圖9的一個(gè)或多個(gè)開口 806)的基底(例如，圖1至圖7的基底102或者圖8至圖9的基底802)。 一般形成通過相對(duì)表面(例如，圖1至圖9的表面Al和表面A2)的開口，以為通過線鍵合布線的電信號(hào)提供路徑。在方框1004，方法1000進(jìn)一步包括將半導(dǎo)體裸片(例如，圖1至圖9的半導(dǎo)體裸片104)電耦合到襯底以形成半導(dǎo)體封裝體(例如，相應(yīng)圖1至圖9的半導(dǎo)體封裝體100、 200、300、400、500、600、700、800或900)。在一些實(shí)施例中，使用一個(gè)或多個(gè)互連凸塊(例如，圖1至圖5以及圖8的一個(gè)或多個(gè)互連凸塊108)將半導(dǎo)體裸片電耦合到基底。在方框1006，方法1000進(jìn)一步包括形成一根或多根鍵合線(例如，圖1至圖9的鍵合線110)以通過基底的開口將半導(dǎo)體裸片電耦合到基底。一根或多根鍵合線一般使用熱、 壓力和/或超聲能量的組合來附著到布置在半導(dǎo)體裸片和/或基底上的線鍵合焊盤(例如，圖6至圖7以及圖9的線鍵合焊盤630或930)從而形成焊接。一根或多根鍵合線可以例如使用球鍵合或楔鍵合工藝來附著。根據(jù)各種實(shí)施例，一根或多根鍵合線用來對(duì)用于半導(dǎo)體裸片的大部分或所有I/O信號(hào)進(jìn)行布線，而一個(gè)或多個(gè)互連凸塊用來對(duì)用于半導(dǎo)體裸片的大部分或所有電源/接地信號(hào)進(jìn)行布線。在方框1008，方法1000還包括形成電絕緣結(jié)構(gòu)(例如，圖1至圖5以及圖8的相應(yīng)的電絕緣結(jié)構(gòu)112、212、214、312、412、512、514和812)，以至少實(shí)質(zhì)上填充在半導(dǎo)體裸片和基底之間的區(qū)域并且還實(shí)質(zhì)上填充基底的開口。根據(jù)各種實(shí)施例，電絕緣結(jié)構(gòu)布置成 包封一根或多根鍵合線。電絕緣結(jié)構(gòu)可以包括例如這里所述的模塑料、包封材料或底部填充材料或其組合。例如，模塑料可以通過以下步驟來形成將固體形式(例如粉末)的熱固性樹脂向預(yù)先形成的布圖或模具沉積，以及施加熱和/或壓力使熱固性樹脂形成圖1至圖5 以及圖8所示的電絕緣結(jié)構(gòu)。在另一示例中，根據(jù)液體配送技術(shù)對(duì)液體形式的底部填充材料進(jìn)行配送，以形成圖1至圖5以及圖8所示的電絕緣結(jié)構(gòu)。在一個(gè)實(shí)施例中，沉積底部填充材料，以實(shí)質(zhì)上填充在半導(dǎo)體裸片與基底之間的區(qū)域并且進(jìn)一步實(shí)質(zhì)上填充基底的開口(例如，針對(duì)圖2的第一電絕緣結(jié)構(gòu)212所述)。沉積模塑料以實(shí)質(zhì)上包封半導(dǎo)體裸片(例如，針對(duì)圖2的第二電絕緣結(jié)構(gòu)214所述)，該模塑料耦合到半導(dǎo)體裸片的頂表面(例如，圖2的第二表面B2)和基底的頂表面(例如，圖2的第一表面A2)。在其它實(shí)施例中，形成模塑料，以實(shí)質(zhì)上填充在半導(dǎo)體裸片與基底之間的區(qū)域并進(jìn)一步實(shí)質(zhì)上填充基底的開口。還形成模塑材料來實(shí)質(zhì)上包封半導(dǎo)體裸片(例如，針對(duì)圖3的電絕緣結(jié)構(gòu)312所述)?？梢匀コ练e的電絕緣材料的多個(gè)部分以形成一個(gè)或多個(gè)電絕緣結(jié)構(gòu)。例如，可以通過拋光工藝來去除電絕緣材料以暴露半導(dǎo)體裸片的背面或頂表面(例如，圖4的第二表面B2)，使得一個(gè)或多個(gè)電絕緣結(jié)構(gòu)與半導(dǎo)體裸片的第二表面實(shí)質(zhì)上成一平面。熱沉(例如，圖5的熱沉518)或其它部件可以耦合到半導(dǎo)體裸片的背面或頂表面，以助于將熱量從半導(dǎo)體封裝體去除。在方框1010，方法1000進(jìn)一步包括在基底上形成一個(gè)或多個(gè)特征(例如，圖1至圖5以及圖8的焊料球116)，以提供在半導(dǎo)體封裝體與在半導(dǎo)體封裝體外部的諸如母板或其它電路板的電子器件之間的電路徑。該一個(gè)或多個(gè)特征一般形成在半導(dǎo)體封裝體的底表面(例如，圖1至圖9的第一表面Al)，并且可以包括球柵陣列(BGA)類型配置的焊料球。盡管這里示出并描述了特定實(shí)施例，但在不脫離本公開的范圍的情況下，旨在實(shí)現(xiàn)相同目的的各種備選和/或等同實(shí)施例或?qū)崿F(xiàn)可以替代所示出和所描述的這些實(shí)施例。 本公開旨在覆蓋這里討論的實(shí)施例的任何調(diào)整或變體。因此，應(yīng)當(dāng)明白的是，這里所述的實(shí)施例僅由各權(quán) 利要求及其等同方案限定。
權(quán)利要求
1.一種半導(dǎo)體封裝體，包括基底，其具有(i)第一表面、(ii)與所述第一表面相對(duì)的第二表面以及(iii)形成在所述基底的第一表面與所述基底的第二表面之間的開口 ；半導(dǎo)體裸片，其具有(i)第一表面以及(ii)與所述第一表面相對(duì)的第二表面，所述半導(dǎo)體裸片的第一表面通過一個(gè)或多個(gè)互連凸塊電耦合到所述基底的第二表面；一根或多根鍵合線，其通過所述基底的開口將所述半導(dǎo)體裸片的第一表面電耦合到所述基底的第一表面；以及第一電絕緣結(jié)構(gòu)，其布置成實(shí)質(zhì)上填充在所述半導(dǎo)體裸片的第一表面、所述基底的第二表面和所述一個(gè)或多個(gè)互連凸塊之間的區(qū)域，其中所述第一電絕緣結(jié)構(gòu)實(shí)質(zhì)上包封所述一根或多根鍵合線并且實(shí)質(zhì)上填充所述基底的開口。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體封裝體，進(jìn)一步包括第二電絕緣結(jié)構(gòu)，其耦合到所述基底的第二表面和所述半導(dǎo)體裸片的第二表面，以實(shí)質(zhì)上包封所述半導(dǎo)體裸片。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的半導(dǎo)體封裝體，其中所述第一電絕緣結(jié)構(gòu)和第二電絕緣結(jié)構(gòu)包括相同的模塑材料。
4.根據(jù)權(quán)利要求2所述的半導(dǎo)體封裝體，其中 所述第一電絕緣結(jié)構(gòu)包括底部填充材料；并且所述第二電絕緣結(jié)構(gòu)包括與所述底部填充材料不相同的模塑材料。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體封裝體，進(jìn)一步包括第二電絕緣結(jié)構(gòu)，其耦合到所述基底的第二表面，并且還耦合到與所述半導(dǎo)體裸片的第二表面實(shí)質(zhì)上垂直的所述半導(dǎo)體裸片的表面；其中所述第二電絕緣結(jié)構(gòu)與所述半導(dǎo)體裸片的第二表面實(shí)質(zhì)上成一平面；并且其中所述第二電絕緣結(jié)構(gòu)不布置在所述半導(dǎo)體裸片的第二表面上。
6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的半導(dǎo)體封裝體，進(jìn)一步包括 熱沉，其耦合到所述半導(dǎo)體裸片的第二表面。
7.根據(jù)權(quán)利要求5所述的半導(dǎo)體封裝體，其中所述第一電絕緣結(jié)構(gòu)和第二電絕緣結(jié)構(gòu)包括相同的模塑材料。
8.根據(jù)權(quán)利要求5所述的半導(dǎo)體封裝體，其中 所述第一電絕緣結(jié)構(gòu)包括底部填充材料；并且所述第二電絕緣結(jié)構(gòu)包括與所述底部填充材料不相同的模塑材料。
9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體封裝體，其中 所述半導(dǎo)體裸片的第二表面被暴露；并且與所述半導(dǎo)體裸片的第二表面實(shí)質(zhì)上垂直的所述半導(dǎo)體裸片的至少一個(gè)表面被暴露。
10.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體封裝體，其中所述基底進(jìn)一步包括裸片支撐結(jié)構(gòu)，所述裸片支撐結(jié)構(gòu)包括 裸片墊，其用于在結(jié)構(gòu)上支撐所述半導(dǎo)體裸片；以及一個(gè)或多個(gè)連接桿，其耦合到所述裸片墊以在結(jié)構(gòu)上支撐所述裸片墊； 所述半導(dǎo)體裸片包括具有第一區(qū)域的矩形形狀； 所述裸片墊包括具有第二區(qū)域的實(shí)質(zhì)上為矩形的形狀；所述第二區(qū)域被所述第一區(qū)域覆蓋，使得所述第二區(qū)域完全布置在所述第一區(qū)域內(nèi)；并且所述第二區(qū)域被所述第一區(qū)域覆蓋，使得所述第二區(qū)域?qū)嵸|(zhì)上位于所述第一區(qū)域的中心。
11.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體封裝體，其中所述半導(dǎo)體裸片包括具有第一區(qū)域的第一矩形形狀； 所述基底的開口包括具有第二區(qū)域的第二矩形形狀；所述第二區(qū)域被所述第一區(qū)域覆蓋，使得所述第二區(qū)域完全布置在所述第一區(qū)域內(nèi)；并且所述第二區(qū)域被所述第一區(qū)域覆蓋，使得所述第二區(qū)域?qū)嵸|(zhì)上位于所述第一區(qū)域的中心。
12.根據(jù)權(quán)利要求11所述的半導(dǎo)體封裝體，其中所述第一矩形形狀的側(cè)邊從所述第二矩形形狀的側(cè)邊偏移約45度。
13.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體封裝體，進(jìn)一步包括一個(gè)或多個(gè)焊料球，其耦合到所述基底的第一表面，以提供在所述半導(dǎo)體封裝體與所述半導(dǎo)體封裝體外部的電子器件之間的電路徑；以及一個(gè)或多個(gè)跡線，其形成在所述基底的第一表面上，以對(duì)所述一根或多根鍵合線與所述一個(gè)或多個(gè)焊料球之間的電連接進(jìn)行布線；其中所述一根或多根鍵合線提供用于去往所述半導(dǎo)體裸片或來自所述半導(dǎo)體裸片的所有輸入/輸出信號(hào)(I/O)的電連接。
14.一種方法，包括提供基底，所述基底具有(i)第一表面、(ii)與所述第一表面相對(duì)的第二表面以及 (iii)形成在所述基底的第一表面與所述基底的第二表面之間的開口 ；將半導(dǎo)體裸片電耦合到所述基底以形成半導(dǎo)體封裝體，所述半導(dǎo)體裸片具有(i)第一表面以及(ii)與所述第一表面相對(duì)的第二表面，所述半導(dǎo)體裸片的第一表面通過一個(gè)或多個(gè)互連凸塊電耦合到所述基底的第二表面；形成一根或多根鍵合線，以通過所述基底的開口將所述半導(dǎo)體裸片的第一表面電耦合到所述基底的第一表面；以及形成電絕緣結(jié)構(gòu)，以實(shí)質(zhì)上填充在所述半導(dǎo)體裸片的第一表面、所述基底的第二表面和所述一個(gè)或多個(gè)互連凸塊之間的區(qū)域，其中所述電絕緣結(jié)構(gòu)實(shí)質(zhì)上包封所述一根或多根鍵合線并且實(shí)質(zhì)上填充所述基底的開口。
15.根據(jù)權(quán)利要求14所述的方法，其中所述電絕緣結(jié)構(gòu)通過配送液體形式的底部填充材料而形成。
16.根據(jù)權(quán)利要求15所述的方法，進(jìn)一步包括形成模塑料以實(shí)質(zhì)上包封所述半導(dǎo)體裸片，所述模塑料耦合到所述基底的第二表面和所述半導(dǎo)體裸片的第二表面。
17.根據(jù)權(quán)利要求14所述的方法，其中將所述電絕緣結(jié)構(gòu)形成為實(shí)質(zhì)上包封所述半導(dǎo)體裸片。
18.根據(jù)權(quán)利要求17所述的方法，進(jìn)一步包括去除所述電絕緣結(jié)構(gòu)的一部分以暴露所述半導(dǎo)體裸片的第二表面，使得所述電絕緣結(jié)構(gòu)與所述半導(dǎo)體裸片的第二表面實(shí)質(zhì)上成一平面。
19.根據(jù)權(quán)利要求18所述的方法，進(jìn)一步包括 將熱沉附著到所述半導(dǎo)體裸片的第二表面。
20.根據(jù)權(quán)利要求14所述的方法，進(jìn)一步包括將一個(gè)或多個(gè)焊料球附著到所述基底的第一表面，以提供在所述半導(dǎo)體封裝體與所述半導(dǎo)體封裝體外部的電子器件之間的電路徑。
全文摘要
本發(fā)明的實(shí)施例提供窗口球柵陣列半導(dǎo)體封裝體。半導(dǎo)體封裝體包括基底，該基底具有(i)第一表面、(ii)與第一表面相對(duì)的第二表面以及(iii)形成在基底的第一表面與基底的第二表面之間的開口。該半導(dǎo)體封裝體還包括半導(dǎo)體裸片，其具有(i)第一表面以及(ii)與第一表面相對(duì)的第二表面，半導(dǎo)體裸片的第一表面通過一個(gè)或多個(gè)互連凸塊電耦合到基底的第二表面；一根或多根鍵合線，其通過基底的開口將半導(dǎo)體裸片的第一表面與基底的第一表面電耦合；以及第一電絕緣結(jié)構(gòu)，其布置成實(shí)質(zhì)上填充在半導(dǎo)體裸片的第一表面、基底的第二表面和一個(gè)或多個(gè)互連凸塊之間的區(qū)域。該第一電絕緣結(jié)構(gòu)實(shí)質(zhì)上包封一根或多根鍵合線并且實(shí)質(zhì)上填充基底的開口。
文檔編號(hào)H01L23/488GK102169863SQ20101060615
公開日2011年8月31日 申請(qǐng)日期2010年12月23日 優(yōu)先權(quán)日2009年12月23日
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