專利名稱：互連結(jié)構(gòu)的制造方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及半導(dǎo)體技術(shù)領(lǐng)域，更為具體的，本發(fā)明涉及一種互連結(jié)構(gòu)的制造方法。
背景技術(shù)：
半導(dǎo)體制造工藝是一種平面制造工藝，其在同一襯底上形成大量各種類型的復(fù)雜器件，并互相連接以具有完整的電子功能。在這一制造過程中，常需要在襯底上形成大量的溝槽，其可通過填充金屬形成金屬互連結(jié)構(gòu)。隨著半導(dǎo)體器件工藝節(jié)點(diǎn)降低到32nm甚至更小，其器件形態(tài)，例如后段制程中金屬導(dǎo)線溝槽的刻蝕，很難通過傳統(tǒng)的方法控制。在干法刻蝕工藝中，為了得到更好的低介電常數(shù)材料刻蝕選擇性，常常利用氮化鈦?zhàn)鳛橛操|(zhì)幕罩層，通過干法刻蝕方法形成半導(dǎo)體器件的金屬導(dǎo)線溝槽。如圖1所示，示出了現(xiàn)有工藝中互連結(jié)構(gòu)制造方法的流程示意圖，包括S101，提供半導(dǎo)體襯底，所述半導(dǎo)體襯底包含內(nèi)部形成有金屬插塞的低介電常數(shù)層間介質(zhì)層，所述半導(dǎo)體襯底上具有形成開口的氮化鈦硬掩模層，其中位于所述氮化鈦硬掩模層下的半導(dǎo)體襯底部分為氧化硅保護(hù)層，所述氮化鈦硬掩模層中的開口正對(duì)半導(dǎo)體襯底中低介電常數(shù)層間介質(zhì)層內(nèi)的金屬插塞；S102，干法刻蝕所述半導(dǎo)體襯底，以形成暴露出金屬插塞的金屬導(dǎo)線溝槽；S103，濕法清洗所述半導(dǎo)體襯底，以去除所述干法刻蝕后的刻蝕殘留物。現(xiàn)有工藝形成的金屬導(dǎo)線溝槽如圖2所示，其所在的半導(dǎo)體襯底從下到上依次包括暴露出金屬插塞101的低介電常數(shù)層間介質(zhì)層100、氮摻雜碳化硅阻擋層102、低介電常數(shù)介質(zhì)層103、氧化硅保護(hù)層104和氮化鈦硬掩模層105。由于低介電常數(shù)介質(zhì)層103比氧化硅保護(hù)層104和氮化鈦硬掩模層105疏松，干法刻蝕后所形成的金屬導(dǎo)線溝槽其開口處的氧化硅保護(hù)層104和氮化鈦硬掩模層105較其下方的低介電常數(shù)介質(zhì)層103橫向凸起。 而其后的濕法清洗只能夠清洗干法刻蝕殘留物，并不會(huì)改變所形成溝槽的形狀，因此，金屬導(dǎo)線溝槽開口處的氮化鈦和氧化硅橫向凸起必然會(huì)影響后續(xù)工藝中的籽晶層和金屬互連線的沉積，進(jìn)而影響所制造器件的性能。在公開號(hào)為CN101587837A的中國專利，公開了更多互連結(jié)構(gòu)中金屬導(dǎo)線溝槽的制造方法。但隨著半導(dǎo)體器件工藝節(jié)點(diǎn)的不斷降低，該制造互連結(jié)構(gòu)的方法也會(huì)面臨金屬導(dǎo)線溝槽開口處的半導(dǎo)體襯底橫向凸起，影響后續(xù)互連結(jié)構(gòu)中籽晶層和金屬互連線的沉積。因此，需要提供一種新的互連結(jié)構(gòu)的制造方法，來減小金屬導(dǎo)線溝槽開口處的氧化硅保護(hù)層和氮化鈦硬掩模層橫向凸起，防止形成的氧化硅保護(hù)層和氮化鈦硬掩模層橫向凸起，影響后續(xù)工藝中籽晶層和金屬互連線的沉積，提高所制造半導(dǎo)體器件的性能。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明解決的問題是提供了一種互連結(jié)構(gòu)的制造方法，通過濕法清洗半導(dǎo)體襯底表面的氧化硅保護(hù)層和氮化鈦硬掩模層，改善所形成的金屬導(dǎo)線溝槽的形態(tài)，提高所制造半導(dǎo)體器件的性能。為解決上述問題，本發(fā)明提供的互連結(jié)構(gòu)的制造方法，基本步驟包括提供半導(dǎo)體襯底，所述半導(dǎo)體襯底包含內(nèi)部形成有金屬插塞的低介電常數(shù)層間介質(zhì)層，所述半導(dǎo)體襯底上具有形成開口的氮化鈦硬掩模層，其中位于所述氮化鈦硬掩模層下的半導(dǎo)體襯底部分為氧化硅保護(hù)層，所述氮化鈦硬掩模層中的開口正對(duì)半導(dǎo)體襯底中低介電常數(shù)層間介質(zhì)層內(nèi)的金屬插塞；干法刻蝕所述半導(dǎo)體襯底，以形成暴露出金屬插塞的金屬導(dǎo)線溝槽，所述金屬導(dǎo)線溝槽中氧化硅保護(hù)層和氮化鈦硬掩模層在金屬導(dǎo)線溝槽開口處橫向凸起；利用含氟的酸性溶液濕法清洗所述氧化硅保護(hù)層和氮化鈦硬掩模層，以去除部分氧化硅和氮化鈦，使氧化硅保護(hù)層和氮化鈦硬掩模層的開口寬度與所述金屬導(dǎo)線溝槽對(duì)應(yīng)?？蛇x的，在半導(dǎo)體襯底中，所述層間介質(zhì)層和氧化硅保護(hù)層之間還形成有氮摻雜碳化硅阻擋層和低介電常數(shù)介質(zhì)層?？蛇x的，所述干法刻蝕采用等離子體刻蝕?？蛇x的，所述干法刻蝕之后還包含有濕法清洗所述半導(dǎo)體襯底，以去除所述干法刻蝕后的刻蝕殘留物，所述去除刻蝕殘留物的清洗溶液為H20』2S04、H2A和HF的混合溶液。可選的，所述利用含氟的酸性溶液濕法清洗所述氧化硅保護(hù)層和氮化鈦硬掩模層包括將半導(dǎo)體襯底包含氧化硅保護(hù)層和氮化鈦硬掩模層的一面朝下并浸入濕洗溶液，所述濕洗溶液浸沒氧化硅保護(hù)層和氮化鈦硬掩模層；提起所述半導(dǎo)體襯底，將半導(dǎo)體襯底中包含氧化硅保護(hù)層和氮化鈦硬掩模層的一面朝上?？蛇x的，所述含氟的酸性溶液為HF和H2O的混合溶液，所述HF和H2O的混合溶液中HF和H2O的體積比為1 50 1 100，所述HF和H2O的混合溶液的溫度范圍為23 50攝氏度，濕法清洗時(shí)間為0. 5 3秒?？蛇x的，所述含氟的酸性溶液為NH4F和HF的混合溶液，所述NH4F和HF的混合溶液中NH4F和HF的體積比為10 500 1，所述NH4F和HF混合溶液的溫度范圍為23 50 攝氏度，濕法清洗時(shí)間為0. 5 3秒?？蛇x的，所述含氟的酸性溶液為NH4F、HF和H2O的混合溶液，所述NH4F、HF和H2O的混合溶液中NH4F、HF和H2O的體積比為7 10 1 2 88 130，所述NH4F、HF和H2O 的混合溶液的溫度范圍為23 50攝氏度，濕法清洗時(shí)間為0. 5 3秒。與現(xiàn)有技術(shù)相比，本發(fā)明具有以下優(yōu)點(diǎn)本發(fā)明通過在干法刻蝕形成金屬導(dǎo)線溝槽和濕法清洗刻蝕殘留物之后，利用含氟的酸性溶液濕法清洗所述半導(dǎo)體襯底表面的氧化硅保護(hù)層和氮化鈦硬掩模層來去除部分氧化硅和氮化硅，使得氧化硅保護(hù)層和氮化鈦硬掩模層與所形成的金屬導(dǎo)線溝槽對(duì)應(yīng)，進(jìn)而改善所形成的金屬導(dǎo)線溝槽的形態(tài)，有利于后續(xù)工藝中籽晶層和金屬互連線的沉積，改善所制造半導(dǎo)體器件的性能。


圖1是現(xiàn)有工藝互連結(jié)構(gòu)制造方法的流程示意圖。圖2是現(xiàn)有工藝制造的互連結(jié)構(gòu)中金屬導(dǎo)線溝槽的剖面結(jié)構(gòu)示意圖。圖3是本發(fā)明互連結(jié)構(gòu)制造方法流程圖示意圖。
圖4 圖6是本發(fā)明一個(gè)實(shí)施例的各階段剖面結(jié)構(gòu)示意圖。
具體實(shí)施例方式為使本發(fā)明的上述目的、特征和優(yōu)點(diǎn)能夠更加明顯易懂，下面結(jié)合附圖對(duì)本發(fā)明的具體實(shí)施方式
做詳細(xì)的說明。在下面的描述中闡述了很多具體細(xì)節(jié)以便于充分理解本發(fā)明，但是本發(fā)明還可以采用其他不同于在此描述的其它方式來實(shí)施，因此本發(fā)明不受下面公開的具體實(shí)施例的限制。正如背景技術(shù)部分所述，現(xiàn)有技術(shù)互連結(jié)構(gòu)半導(dǎo)體中，在通過以氮化鈦為硬掩模層干法刻蝕形成金屬導(dǎo)線溝槽以及濕法清洗之后直接進(jìn)行籽晶層和金屬互連線的沉積。由于該半導(dǎo)體襯底中低介電常數(shù)介質(zhì)層比氧化硅保護(hù)層和氮化鈦硬掩模層疏松，導(dǎo)致干法刻蝕后氮化硅保護(hù)層和氮化鈦硬掩模層較低介電常數(shù)介質(zhì)層橫向凸起，影響后續(xù)工藝中籽晶層和金屬互連線的沉積，進(jìn)而影響所制造半導(dǎo)體器件的性能。針對(duì)上述問題，本發(fā)明的發(fā)明人提供了一種互連結(jié)構(gòu)的制造方法，通過濕法清洗去除部分氧化硅和氮化鈦，使?jié)裣春蟮难趸璞Ｗo(hù)層和氮化鈦硬掩模層的開口寬度與低介電常數(shù)介質(zhì)層開口寬度對(duì)應(yīng)，改善所形成的金屬導(dǎo)線溝槽的形態(tài)，利于后續(xù)工藝中籽晶層和金屬互連線的沉積，提高所制造半導(dǎo)體器件的性能。參考圖3，示出了本發(fā)明半導(dǎo)體互連結(jié)構(gòu)制造方法的流程示意圖，具體包括執(zhí)行步驟S201，提供半導(dǎo)體襯底，所述半導(dǎo)體襯底包含內(nèi)部形成有金屬插塞的低介電常數(shù)層間介質(zhì)層，所述半導(dǎo)體襯底上具有形成開口的氮化鈦硬掩模層，其中位于所述氮化鈦硬掩模層下的半導(dǎo)體襯底部分為氧化硅保護(hù)層，所述氮化鈦硬掩模層中的開口正對(duì)半導(dǎo)體襯底中低介電常數(shù)層間介質(zhì)層內(nèi)的金屬插塞；執(zhí)行步驟S202，干法刻蝕所述半導(dǎo)體襯底，以形成暴露出金屬插塞的金屬導(dǎo)線溝槽，所述金屬導(dǎo)線溝槽中氧化硅保護(hù)層和氮化鈦硬掩模層在金屬導(dǎo)線溝槽開口處橫向凸起；執(zhí)行步驟S203，濕法清洗所述半導(dǎo)體襯底，以去除所述干法刻蝕后的刻蝕殘留物；執(zhí)行步驟S204，利用含氟的酸性溶液濕法清洗所述氧化硅保護(hù)層和氮化鈦硬掩模層，以去除部分氧化硅和氮化鈦，使氧化硅保護(hù)層和氮化鈦硬掩模層的開口寬度與所述金屬導(dǎo)線溝槽對(duì)應(yīng)。經(jīng)過以上步驟形成的互連結(jié)構(gòu)中的金屬導(dǎo)線溝槽形態(tài)好，利于后續(xù)工藝中籽晶層和金屬互連線的沉積，提高了所制造半導(dǎo)體器件的性能。下面結(jié)合制作半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的具體實(shí)施例，對(duì)本發(fā)明互連結(jié)構(gòu)的制造方法做進(jìn)一步說明。參見圖4至圖6，為本發(fā)明一個(gè)實(shí)施例的各階段互連結(jié)構(gòu)剖面示意圖。首先，請(qǐng)參考圖4，提供半導(dǎo)體襯底，所述半導(dǎo)體襯底從下到上依次為內(nèi)部形成有金屬插塞201的低介電常數(shù)層間介質(zhì)層200、氮摻雜碳化硅阻擋層202、低介電常數(shù)介質(zhì)層 203、氧化硅保護(hù)層204和形成有開口的氮化鈦硬掩模層205，所述氮化鈦硬掩模層205中的開口正對(duì)半導(dǎo)體襯底內(nèi)的金屬插塞201。
對(duì)于所述低介電常數(shù)層間介質(zhì)層200、低介電常數(shù)介質(zhì)層203，常用材料包括 SiOCH薄膜、氟硅玻璃(FSG)、碳摻雜的氧化硅(Black Diamond)以及氮摻雜碳化硅(BLOK) 等，通常用于金屬互連線的絕緣層。所述金屬插塞201的材質(zhì)為銅或鎢，通常用作連接金屬互連層和半導(dǎo)體襯底內(nèi)部的器件。所述氮摻雜的碳化硅阻擋層202用來防止襯底與隨后沉積的材料之間的層間擴(kuò)散。所述氧化硅保護(hù)層204為以正硅酸乙酯(TEOS)為硅源制得的二氧化硅。接著，以形成有開口的氮化鈦硬掩模層205為硬掩模，干法刻蝕所述半導(dǎo)體襯底至暴露出金屬插塞201，所形成的金屬導(dǎo)線溝槽如圖5所示，其中，20 為干法刻蝕后的氮摻雜碳化硅阻擋層，203a為干法刻蝕后的低介電常數(shù)介質(zhì)層，204a、20fe分別為干法刻蝕后的氧化硅保護(hù)層和氮化鈦硬掩模層。由于低介電常數(shù)介質(zhì)層203較氧化硅保護(hù)層204和氮化鈦硬掩模層205疏松，導(dǎo)致干法刻蝕形成金屬導(dǎo)線溝槽中，氧化硅保護(hù)層20 和氮化鈦硬掩模層20 較低介電常數(shù)介質(zhì)層203a橫向凸出。需要說明的是，此處的“橫向”是指與金屬導(dǎo)線溝槽垂直的方向， 即與金屬導(dǎo)線溝槽開口方向相同的方向。在具體的實(shí)施例中，所述干法刻蝕為等離子體刻蝕，以保護(hù)半導(dǎo)體襯底中的低介電常數(shù)材料。利用H20、H2SO4, H2O2和HF組成的混合溶液濕法清洗所述半導(dǎo)體襯底，以去除干法刻蝕之后的刻蝕殘留物，所述吐0、H2SO4, H2O2和HF混合溶液在濕法清洗半導(dǎo)體襯底過程中不會(huì)改變半導(dǎo)體襯底內(nèi)金屬導(dǎo)線溝槽的形態(tài)，濕法清洗之后的金屬導(dǎo)線溝槽仍如圖5所
7J\ ο最后，利用含氟的酸性溶液濕法清洗所述半導(dǎo)體襯底上的氧化硅保護(hù)層20 和氮化鈦硬掩模層205a，以去除部分氧化硅和氮化鈦。如圖6所示，利用含氟的酸性溶液濕法清洗之后，氧化硅保護(hù)層204b和氮化鈦硬掩模層20 與金屬導(dǎo)線溝槽中低介電常數(shù)介質(zhì)層203a的開口寬度對(duì)應(yīng)，改善了所形成金屬導(dǎo)線溝槽的形態(tài)。需要說明的是，此處的“對(duì)應(yīng)”是指在所述半導(dǎo)體襯底的金屬導(dǎo)線溝槽中，氧化硅保護(hù)層204b和氮化鈦硬掩模層20 的開口寬度與低介電常數(shù)介質(zhì)層203a的開口寬度相差不大、且形成開口的位置相對(duì)。所述利用含氟的酸性溶液濕法清洗半導(dǎo)體襯底上的氧化硅保護(hù)層和氮化鈦硬掩模層包括以下步驟步驟一，將半導(dǎo)體襯底包含氧化硅保護(hù)層和氮化鈦硬掩模層的一面朝下并浸入含氟的酸性溶液，所述含氟的酸性溶液浸沒氧化硅保護(hù)層和氮化鈦硬掩模層。步驟二，提起所述半導(dǎo)體襯底，將半導(dǎo)體襯底中包含氧化硅保護(hù)層和氮化鈦硬掩模層的一面朝上。在一個(gè)實(shí)施例中，所述去除部分氧化硅保護(hù)層和氮化鈦硬掩模層的含氟的酸性溶液為HF和H2O的混合溶液。在所述HF和H2O混合溶液中，HF和H2O的體積比為1 50 1 100，所述HF和H2O的混合溶液的溫度范圍為23 50攝氏度，濕法清洗時(shí)間為0. 5 3秒。在另一個(gè)實(shí)施例中，所述去除部分氧化硅保護(hù)層和氮化鈦硬掩模層的含氟的酸性溶液為NH4F和HF的混合溶液或NH4F、HF和H2O的混合溶液。當(dāng)含氟的酸性溶液為NH4F和 HF的混合溶液時(shí)，所述NH4F和HF的混合溶液中NH4F和HF的體積比為10 500 1，所述NH4F和HF混合溶液的溫度范圍為23 50攝氏度，濕法清洗時(shí)間為0. 5 3秒。當(dāng)所述含氟的酸性溶液為NH4F、HF和H2O的混合溶液時(shí)，所述NH4F、HF和H2O的混合溶液中NH4F、HF和H2O的體積比為7 10 1 2 88 130，所述NH4F、HF和H2O的混合溶液的溫度范圍為23 50攝氏度，濕法清洗時(shí)間為0. 5 3秒。由于氧化硅保護(hù)層20 和氮化鈦硬掩模層20 在含氟的酸性溶液中浸入的時(shí)間很短，故在濕洗過程中，所去除的氧化硅和氮化鈦很少，能夠在不影響金屬導(dǎo)線溝槽整體形態(tài)的前提下去除氧化硅保護(hù)層20 和氮化鈦硬掩模層20 在金屬導(dǎo)線溝槽開口處形成的橫向凸起，使?jié)穹ㄇ逑粗蟮难趸璞Ｗo(hù)層204b和氮化鈦硬掩模層20 的開口寬度與低介電常數(shù)介質(zhì)層203a的開口寬度對(duì)應(yīng)。另外，由于含氟的酸性溶液易于揮發(fā)，不會(huì)對(duì)氧化硅保護(hù)層下方的半導(dǎo)體襯底造成損傷。所述濕法清洗氧化硅保護(hù)層和氮化鈦硬掩模層能夠有效改善所制造互連結(jié)構(gòu)中金屬導(dǎo)線溝槽的形態(tài)，利于后續(xù)工藝中籽晶層和金屬互連線的沉積，提高了所制造半導(dǎo)體器件的性能。綜上，本發(fā)明在干法刻蝕形成金屬導(dǎo)線溝槽和濕法清洗金屬導(dǎo)線溝槽中的刻蝕殘留物之后，通過利用含氟的酸性溶液濕法清洗所形成金屬導(dǎo)線溝槽開口處的氧化硅保護(hù)層和氮化鈦硬掩模層，去除部分氧化硅和氮化鈦，進(jìn)而使得金屬導(dǎo)線溝槽的氧化硅保護(hù)層和氮化鈦硬掩模層開口寬度與氧化硅保護(hù)層下方的低介電常數(shù)介質(zhì)層的開口寬度對(duì)應(yīng)，改善了所形成的金屬導(dǎo)線溝槽的形態(tài)，利于后續(xù)工藝中籽晶層和金屬互連線的沉積，提高了所制造半導(dǎo)體器件的性能。本發(fā)明雖然已以較佳實(shí)施例公開如上，但其并不是用來限定本發(fā)明，任何本領(lǐng)域技術(shù)人員在不脫離本發(fā)明的精神和范圍內(nèi)，都可以利用上述揭示的方法和技術(shù)內(nèi)容對(duì)本發(fā)明技術(shù)方案做出可能的變動(dòng)和修改。因此，凡是未脫離本發(fā)明技術(shù)方案的內(nèi)容，依據(jù)本發(fā)明的技術(shù)實(shí)質(zhì)對(duì)以上實(shí)施例所作的任何簡(jiǎn)單修改、等同變化及修飾，均屬于本發(fā)明技術(shù)方案的保護(hù)范圍。
權(quán)利要求
1.一種互連結(jié)構(gòu)的制造方法，其特征在于，包括提供半導(dǎo)體襯底，所述半導(dǎo)體襯底包含內(nèi)部形成有金屬插塞的低介電常數(shù)層間介質(zhì)層，所述半導(dǎo)體襯底上具有形成開口的氮化鈦硬掩模層，其中位于所述氮化鈦硬掩模層下的半導(dǎo)體襯底部分為氧化硅保護(hù)層，所述氮化鈦硬掩模層中的開口正對(duì)半導(dǎo)體襯底中低介電常數(shù)層間介質(zhì)層內(nèi)的金屬插塞；干法刻蝕所述半導(dǎo)體襯底，以形成暴露出金屬插塞的金屬導(dǎo)線溝槽，所述金屬導(dǎo)線溝槽中氧化硅保護(hù)層和氮化鈦硬掩模層在金屬導(dǎo)線溝槽開口處橫向凸起；利用含氟的酸性溶液濕法清洗所述氧化硅保護(hù)層和氮化鈦硬掩模層，以去除部分氧化硅和氮化鈦，使氧化硅保護(hù)層和氮化鈦硬掩模層的開口寬度與所述金屬導(dǎo)線溝槽對(duì)應(yīng)。
2.如權(quán)利要求1所述的互連結(jié)構(gòu)的制造方法，其特征在于，在半導(dǎo)體襯底中，所述層間介質(zhì)層和氧化硅保護(hù)層之間還形成有氮摻雜碳化硅阻擋層和低介電常數(shù)介質(zhì)層。
3.如權(quán)利要求1所述的互連結(jié)構(gòu)的制造方法，其特征在于，所述干法刻蝕采用等離子體刻蝕。
4.如權(quán)利要求1所述的互連結(jié)構(gòu)的制造方法，其特征在于，所述干法刻蝕之后還包含有濕法清洗所述半導(dǎo)體襯底，以去除所述干法刻蝕后的刻蝕殘留物。
5.如權(quán)利要求4所述的互連結(jié)構(gòu)的制造方法，其特征在于，所述去除刻蝕殘留物的濕洗溶液為H20、H2SO4, H2O2和HF的混合溶液。
6.如權(quán)利要求1所述的互連結(jié)構(gòu)的制造方法，其特征在于，所述利用含氟的酸性溶液濕法清洗氧化硅保護(hù)層和氮化鈦硬掩模層包括將半導(dǎo)體襯底包含氧化硅保護(hù)層和氮化鈦硬掩模層的一面朝下并浸入含氟的酸性溶液，所述含氟的酸性溶液浸沒氧化硅保護(hù)層和氮化鈦硬掩模層；提起所述半導(dǎo)體襯底，將半導(dǎo)體襯底中包含氧化硅保護(hù)層和氮化鈦硬掩模層的一面朝上。
7.如權(quán)利要求6所述的互連結(jié)構(gòu)的制造方法，其特征在于，所述含氟的酸性溶液為HF 和H2O的混合溶液。
8.如權(quán)利要求7所述的互連結(jié)構(gòu)的制造方法，其特征在于，所述HF和H2O的混合溶液中HF和H2O的體積比為1 50 1 100，所述HF和H2O的混合溶液的溫度范圍為23 50攝氏度，濕法清洗時(shí)間為0. 5 3秒。
9.如權(quán)利要求6所述的互連結(jié)構(gòu)的制造方法，其特征在于，所述含氟的酸性溶液為 NH4F和HF的混合溶液。
10.如權(quán)利要求9所述的互連結(jié)構(gòu)的制造方法，其特征在于，所述NH4F和HF的混合溶液中NH4F和HF的體積比為10 500 1，所述NH4F和HF混合溶液的溫度范圍為23 50 攝氏度，濕法清洗時(shí)間為0. 5 3秒。
11.如權(quán)利要求6所述的互連結(jié)構(gòu)的制造方法，其特征在于，所述含氟的酸性溶液為 NH4F、HF和H2O的混合溶液。
12.如權(quán)利要求11所述的互連結(jié)構(gòu)的制造方法，其特征在于，所述NH4F、HF和H2O的混合溶液中NH4F、HF和H2O的體積比為7 10 1 2 88 130，所述NH4F、HF和H2O的混合溶液的溫度范圍為23 50攝氏度，濕法清洗時(shí)間為0. 5 3秒。
全文摘要
一種互連結(jié)構(gòu)的制造方法，通過在干法刻蝕形成金屬導(dǎo)線溝槽和濕法清洗金屬導(dǎo)線溝槽中的刻蝕殘留物之后，利用含氟的酸性溶液濕法清洗所形成金屬導(dǎo)線溝槽開口處的氧化硅保護(hù)層和氮化鈦硬掩模層，去除部分氧化硅和氮化鈦，進(jìn)而使得金屬導(dǎo)線溝槽的氧化硅保護(hù)層和氮化鈦硬掩模層開口寬度與氧化硅保護(hù)層下方的低介電常數(shù)介質(zhì)層的開口寬度對(duì)應(yīng)，改善了所形成的金屬導(dǎo)線溝槽的形態(tài)，利于后續(xù)工藝中籽晶層和金屬互連線的沉積，提高了所制造半導(dǎo)體器件的性能。
文檔編號(hào)H01L21/311GK102543843SQ20101061338
公開日2012年7月4日 申請(qǐng)日期2010年12月29日 優(yōu)先權(quán)日2010年12月29日
發(fā)明者李凡, 胡敏達(dá) 申請(qǐng)人:中芯國際集成電路制造(北京)有限公司