專利名稱：一種制造半導(dǎo)體器件結(jié)構(gòu)的方法和半導(dǎo)體器件結(jié)構(gòu)的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及半導(dǎo)體制造工藝，更特別地，本發(fā)明涉及一種制造半導(dǎo)體器件結(jié)構(gòu)的方法和半導(dǎo)體器件結(jié)構(gòu)。
背景技術(shù)：
隨著集成電路技術(shù)的不斷發(fā)展，互聯(lián)電阻電容(RC)延遲逐步增大。為了減少RC延遲和改善半導(dǎo)體器件的性能，通常在位于半導(dǎo)體之間的介電材料層中廣泛采用低介電常數(shù) (k)材料。然而，隨著特征尺寸的不斷減小和金屬連線高寬比的不斷增加，以及層數(shù)增加引起的層間寄生電容的加大，往往導(dǎo)致互連電容的快速上升和產(chǎn)生額外的互連延時(shí)，影響電路速度的提高。因此，目前廣泛采用超低k材料代替低k材料作為層間介電層以改善半導(dǎo)體器件的性能。在觀或32nm半導(dǎo)體工藝中，以在半導(dǎo)體器件結(jié)構(gòu)上制作通孔或接觸孔為例。首先，在第一反應(yīng)室內(nèi)，在前端器件層結(jié)構(gòu)的表面生長具有超低介電常數(shù)層的層間介電層；然后，將上述前端器件層結(jié)構(gòu)從第一反應(yīng)室移出，送到第二反應(yīng)室內(nèi)以在上述層間介電層的表面生長掩膜層，用于改善薄膜層之間的結(jié)合力和刻蝕后的關(guān)鍵尺寸，所述掩膜層的材料典型地為八甲基環(huán)化四硅氧烷(OMCTS，[(CH3)2-Si-OJ4)；最后，刻蝕形成通孔或者接觸孔。但是，由于層間介電層和掩膜層的形成材料不同，因此若要在同一反應(yīng)室內(nèi)生長層間介電層和掩膜層，就需要在生長完層間介電層之后，對(duì)反應(yīng)室進(jìn)行清洗，這樣不僅增加了工藝時(shí)間、使生產(chǎn)復(fù)雜化，還會(huì)影響批量生產(chǎn)的速度，并且清洗工藝的效果有可能不理想，從而導(dǎo)致污染后續(xù)各層層結(jié)構(gòu)，進(jìn)而影響晶片質(zhì)量。因此，目前最常用的方法是在不同的反應(yīng)室內(nèi)生長上述層結(jié)構(gòu)，但這樣又需要在不同的反應(yīng)室之間運(yùn)送晶片，這就可能污染晶片，造成電氣性能的下降，并可能導(dǎo)致增加整個(gè)工藝的流程時(shí)間、增加生產(chǎn)成本和降低生產(chǎn)效率。因此，有必要對(duì)現(xiàn)有的制造半導(dǎo)體器件結(jié)構(gòu)的方法進(jìn)行改進(jìn)，以在不增加整個(gè)工藝復(fù)雜度的情況下，即能夠避免晶片污染，又能夠縮短工藝時(shí)間，提高生產(chǎn)效率。

發(fā)明內(nèi)容
在發(fā)明內(nèi)容部分中引入了一系列簡化形式的概念，這將在具體實(shí)施方式
部分中進(jìn)一步詳細(xì)說明。本發(fā)明的發(fā)明內(nèi)容部分并不意味著要試圖限定出所要求保護(hù)的技術(shù)方案的關(guān)鍵特征和必要技術(shù)特征，更不意味著試圖確定所要求保護(hù)的技術(shù)方案的保護(hù)范圍。為了解決上述問題，使得縮短工藝時(shí)間且提高生產(chǎn)效率，本發(fā)明提供一種制造半導(dǎo)體器件結(jié)構(gòu)的方法，包括
a)提供前端器件層結(jié)構(gòu)；
b)在第一反應(yīng)室內(nèi)，在所述前端器件層結(jié)構(gòu)的表面形成具有超低介電常數(shù)的層間介電層，其中，所述具有超低介電常數(shù)的層間介電層由包含甲基二乙氧基硅烷的反應(yīng)氣體形成； 以及c )在第二反應(yīng)室內(nèi)，在所述具有超低介電常數(shù)的層間介電層的表面通過等離子體增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積法形成甲基二乙氧基硅烷掩膜層。
進(jìn)一步地，所述反應(yīng)氣體還包含松油烯或者二環(huán)庚二烯。
進(jìn)一步地，所述第一反應(yīng)室和所述第二反應(yīng)室為同一反應(yīng)室。
進(jìn)一步地，所述甲基二乙氧基硅烷掩膜層的厚度為10(Γ500埃。
進(jìn)一步地，步驟c)的壓力為2 8Torr。
進(jìn)一步地，步驟c)的功率為30(Tl000W。
進(jìn)一步地，步驟c)的溫度為20(Γ300攝氏度。
進(jìn)一步地，步驟c)的所述甲基二乙氧基硅烷的通入量為50(T3000mg/min。
進(jìn)一步地，所述方法還包括d)在所述甲基二乙氧基硅烷掩膜層的表面形成正硅酸乙酯掩膜層；和e)在所述正硅酸乙酯掩膜層的表面形成氮化鈦掩膜層。
進(jìn)一步地，所述方法還包括d)向第三反應(yīng)室內(nèi)通入氧氣，以在所述甲基二乙氧基硅烷掩膜層的表面形成二氧化硅層；e)在所述二氧化硅層的表面形成正硅酸乙酯掩膜層；和f)在所述正硅酸乙酯掩膜層的表面形成氮化鈦掩膜層。
進(jìn)一步地，所述氧氣的流量為10(T500SCCm。
本發(fā)明還提供一種半導(dǎo)體器件結(jié)構(gòu)，所述半導(dǎo)體器件結(jié)構(gòu)由上述任一所述的方法制成。
綜上所述，本發(fā)明提供了一種新的制造半導(dǎo)體器件結(jié)構(gòu)的方法及由該方法制得的半導(dǎo)體器件結(jié)構(gòu)，該器件結(jié)構(gòu)具有與現(xiàn)有器件結(jié)構(gòu)相當(dāng)?shù)墓δ芎托Ч黄浯?，本發(fā)明的制造方法可以在同一反應(yīng)室內(nèi)形成具有超低介電常數(shù)的層間介電層與位于其上的掩膜層，因此，簡化了現(xiàn)有的工藝，有利于半導(dǎo)體器件結(jié)構(gòu)的批量生產(chǎn)，并且，降低了半導(dǎo)體器件結(jié)構(gòu)的制作時(shí)間，提高了半導(dǎo)體器件結(jié)構(gòu)的生產(chǎn)效率，還能夠避免運(yùn)送晶片而導(dǎo)致的晶片污染。


本發(fā)明的下列附圖在此作為本發(fā)明的一部分用于理解本發(fā)明。附圖中示出了本發(fā)明的實(shí)施例及其描述，用來解釋本發(fā)明的原理。在附圖中，圖1所示為根據(jù)本發(fā)明優(yōu)選實(shí)施方式的制造半導(dǎo)體器件結(jié)構(gòu)的方法的流程圖； 圖2所示為根據(jù)本發(fā)明的方法得到的半導(dǎo)體器件結(jié)構(gòu)的示意圖。
具體實(shí)施方式
在下文的描述中，給出了大量具體的細(xì)節(jié)以便提供對(duì)本發(fā)明更為徹底的理解。然而，對(duì)于本領(lǐng)域技術(shù)人員來說顯而易見的是，本發(fā)明可以無需一個(gè)或多個(gè)這些細(xì)節(jié)而得以實(shí)施。在其他的例子中，為了避免與本發(fā)明發(fā)生混淆，對(duì)于本領(lǐng)域公知的一些技術(shù)特征未進(jìn)行描述。
為了徹底了解本發(fā)明，將在下列的描述中提出詳細(xì)的步驟和結(jié)構(gòu)，以便說明本發(fā)明。顯然，本發(fā)明的施行并不限定于半導(dǎo)體領(lǐng)域的技術(shù)人員所熟習(xí)的特殊細(xì)節(jié)。本發(fā)明的較佳實(shí)施例詳細(xì)描述如下，然而除了這些詳細(xì)描述外，本發(fā)明還可以具有其他實(shí)施方式。需要注意的是，這里所使用的術(shù)語僅是為了描述具體實(shí)施例，而非意圖限制根據(jù)本發(fā)明的示例性實(shí)施例。如在這里所使用的，除非上下文另外明確指出，否則單數(shù)形式也意圖包括復(fù)數(shù)形式。此外，還應(yīng)當(dāng)理解的是，當(dāng)在本說明書中使用術(shù)語“包含”和/或“包括” 時(shí)，其指明存在所述特征、整體、步驟、操作、元件和/或組件，但不排除存在或附加一個(gè)或多個(gè)其他特征、整體、步驟、操作、元件、組件和/或它們的組合。現(xiàn)在，將參照附圖更詳細(xì)地描述根據(jù)本發(fā)明的示例性實(shí)施例。然而，這些示例性實(shí)施例可以多種不同的形式來實(shí)施，并且不應(yīng)當(dāng)被解釋為只限于這里所闡述的實(shí)施例。應(yīng)當(dāng)理解的是，提供這些實(shí)施例是為了使得本發(fā)明的公開徹底且完整，并且將這些示例性實(shí)施例的構(gòu)思充分傳達(dá)給本領(lǐng)域普通技術(shù)人員。在附圖中，為了清楚起見，夸大了層和區(qū)域的厚度，并且使用相同的附圖標(biāo)記表示相同的元件，因而將省略對(duì)它們的描述。以下參考圖1，詳細(xì)說明根據(jù)本發(fā)明優(yōu)選實(shí)施方式的制造半導(dǎo)體器件結(jié)構(gòu)的方法。本發(fā)明的方法可以用于制造各種半導(dǎo)體器件結(jié)構(gòu)，尤其是^nm或32nm工藝中在具有超低介電常數(shù)的層間介電層中形成的各種半導(dǎo)體器件結(jié)構(gòu)，例如通孔或接觸孔等。下面以形成通孔或接觸孔之前的層結(jié)構(gòu)為例來說明本發(fā)明的原理。首先，在步驟SlOl中，提供前端器件層結(jié)構(gòu)。作為示例，所述前端器件層結(jié)構(gòu)包括前序工藝中形成的器件結(jié)構(gòu)層，例如在襯底上形成的器件結(jié)構(gòu)層等，其中襯底可以選擇為單晶、多晶或非晶結(jié)構(gòu)的硅或硅鍺(SiGe)，也可以是絕緣體上硅(S0I)，還可以包括其他的材料，例如銻化銦、碲化鉛、砷化銦、砷化鎵或銻化鎵等。其中，該前端器件層結(jié)構(gòu)的表面還可以形成有刻蝕停止層。該刻蝕停止層例如是銅阻擋結(jié)構(gòu)(copper barrier)或其他結(jié)構(gòu)。此外，需要注意的是，本文所述的前端器件層結(jié)構(gòu)并非是限制性的，而是還可以具有其他結(jié)構(gòu)。然后，在步驟S102中，在第一反應(yīng)室內(nèi)，在前端器件層結(jié)構(gòu)的表面形成具有超低介電常數(shù)的層間介電層。其中，具有超低介電常數(shù)的層間介電層由包含甲基二乙氧基硅烷 (C5H14O2Si,簡寫為DEMS)的反應(yīng)氣體形成。除了 DEMS外，反應(yīng)氣體還可以包含松油烯(ATRP) 或者二環(huán)庚二烯(BCHD)等。例如，在一個(gè)實(shí)施例中，所述反應(yīng)氣體為由DEMS和ATRP組成的混合氣體；在另一個(gè)實(shí)施例中，所述反應(yīng)氣體為由DEMS和BCHD組成的混合氣體。形成具有超低介電常數(shù)的層間介電層的方法例如可以為等離子體增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積法，但該方法不是限制性的，還可以有其他方法。更具體地，第一反應(yīng)室內(nèi)的壓力為2 8Torr，例如可以為3Torr，4Torr，6Torr等； 反應(yīng)室內(nèi)的功率為30(Tl000W，例如可以為500W，700W, 800W等；反應(yīng)室內(nèi)的溫度為200 300 攝氏度，例如可以為220攝氏度，260攝氏度，280攝氏度等。具有超低介電常數(shù)的層間介電層的厚度為10(Γ300埃，例如可以為200埃，240埃等。所述具有超低介電常數(shù)的層間介電層的k值小于2. 55。然后，在步驟S103中，在第二反應(yīng)室內(nèi)，在所述具有超低介電常數(shù)的層間介電層的表面通過等離子體增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積法形成DEMS掩膜層。DEMS掩膜層的形成方法和形成條件應(yīng)優(yōu)選與具有超低介電常數(shù)的層間介電層的形成方法和條件相同或相似。例如，DEMS掩膜層的形成方法可以為等離子體增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積法。但其形成方法并非限制性的，還可以有其他方法。反應(yīng)室內(nèi)的壓力為fSTorr，例如可以為3Torr，4Torr，6Torr等；反應(yīng)室內(nèi)的功率為30(Tl000W，例如可以為500W, 700W, 800W等；反應(yīng)室內(nèi)的溫度為200 300攝氏度，例如可以為220攝氏度，260攝氏度，280攝氏度等；DEMS 的通入量為 50(T3000mg/min，例如可以為 1000mg/min，1500mg/min, 2000mg/min寸。
為了產(chǎn)生足夠的結(jié)合力，DEMS掩膜層的厚度為100 500埃，例如可以為200埃，300 埃，350埃，400埃等。
由于DEMS具有掩膜層的性質(zhì)，因此其可以作為形成掩膜層的材料，但更重要的是，其是形成具有超低介電常數(shù)的層間介電層的原料之一，因此還可以與具有超低介電常數(shù)的層間介電層在同一反應(yīng)室內(nèi)生成，即所述第一反應(yīng)室和所述第二反應(yīng)室為同一反應(yīng)室。這樣，不但能夠簡化現(xiàn)有工藝，還能夠避免運(yùn)送晶片導(dǎo)致的晶片遭受污染，并且能夠降低半導(dǎo)體器件結(jié)構(gòu)的制作時(shí)間，和提高半導(dǎo)體器件結(jié)構(gòu)的生產(chǎn)效率。
本領(lǐng)域技術(shù)人員可以理解的是，由于不同生產(chǎn)線之間的生產(chǎn)條件和生產(chǎn)工藝等存在差異，因此，形成具有超低介電常數(shù)的層間介電層的原料也有所不同，雖然本實(shí)施方式以 DEMS掩膜層為例，但為了實(shí)現(xiàn)本發(fā)明的目的，除了 DEMS夕卜，還可以根據(jù)層間介電層的形成原料選擇具有非常接近超低k材料的性質(zhì)的其他材料形成掩膜層。優(yōu)選地，這些材料應(yīng)當(dāng)具有改善層結(jié)構(gòu)間結(jié)合力的性質(zhì)。
然后，在步驟S104中，在所述DEMS掩膜層的表面形成正硅酸乙酯(TEOS)掩膜層。
在優(yōu)選地情況下，為了增強(qiáng)DEMS掩膜層與TEOS掩膜層之間的結(jié)合力，還可以在 TEOS掩膜層形成之前，在DEMS掩膜層的表面先形成SW2薄膜層，形成方法例如為向第三反應(yīng)室內(nèi)通入02。作為示例，通入O2的流量為10(T500sccm，例如可以為200sccm, 300sccm, 400sCCm等。但本領(lǐng)域技術(shù)人員可以理解的是，生成SW2的步驟不是必須的。
然后，在步驟S105中，在所述TEOS掩膜層的表面形成氮化鈦(TiN)掩膜層。
更具體地，所述TEOS掩膜層主要用于增強(qiáng)DEMS掩膜層與TiN掩膜層之間的結(jié)合力，所述TiN掩膜層主要用于改善刻蝕后的關(guān)鍵尺寸。
綜上所述，本發(fā)明提供了一種新的制造半導(dǎo)體器件結(jié)構(gòu)的方法，該方法可以在同一反應(yīng)室內(nèi)形成具有超低介電常數(shù)的層間介電層與位于其上的掩膜層，因此，簡化了現(xiàn)有的工藝，有利于半導(dǎo)體器件結(jié)構(gòu)的批量生產(chǎn)，并且，降低了半導(dǎo)體器件結(jié)構(gòu)的制作時(shí)間，提高了半導(dǎo)體器件結(jié)構(gòu)的生產(chǎn)效率，還能夠避免運(yùn)送晶片而導(dǎo)致的晶片污染。
以下參考圖2詳細(xì)描述根據(jù)本發(fā)明的方法制造的半導(dǎo)體器件結(jié)構(gòu)。
本發(fā)明的半導(dǎo)體器件結(jié)構(gòu)200包括前端器件層結(jié)構(gòu)201、具有超低介電常數(shù)的層間介電層202和DEMS掩膜層203。
在通常情況下，前端器件層結(jié)構(gòu)201包括前序工藝中所形成的器件結(jié)構(gòu)層。
例如，所述前端器件層結(jié)構(gòu)201包括前序工藝中形成的器件結(jié)構(gòu)層，例如在襯底上形成的器件結(jié)構(gòu)層等，其中襯底可以選擇為單晶、多晶或非晶結(jié)構(gòu)的硅或硅鍺(SiGe)，也可以是絕緣體上硅(S0I)，還可以包括其他的材料，例如銻化銦、碲化鉛、砷化銦、砷化鎵或銻化鎵等。
其中，該前端器件層結(jié)構(gòu)201的表面還可以形成有刻蝕停止層201a。該刻蝕停止層201a可以是銅阻擋結(jié)構(gòu)(copper barrier)，也可以是其他結(jié)構(gòu)。此外，需要應(yīng)當(dāng)注意，本文所述的前端器件層結(jié)構(gòu)201并非是限制性的，而是還可以具有其他結(jié)構(gòu)。前端器件層結(jié)構(gòu)201的表面形成有具有超低介電常數(shù)的層間介電層202。所述具有超低介電常數(shù)的層間介電層202由包含甲基二乙氧基硅烷(C5H14O2Si,簡寫為DEMS)的反應(yīng)氣體形成。除了 DEMS外，反應(yīng)氣體還可以包含松油烯(ATRP)或者二環(huán)庚二烯(BCHD)等。例如，在一個(gè)實(shí)施例中，所述反應(yīng)氣體為由DEMS和ATRP組成的混合氣體； 在另一個(gè)實(shí)施例中，所述反應(yīng)氣體為由DEMS和BCHD組成的混合氣體。具有超低介電常數(shù)的層間介電層202的厚度為10(Γ300埃，例如可以為200埃，240埃等。所述具有超低介電常數(shù)的層間介電層的k值小于2. 55。具有超低介電常數(shù)的層間介電層202的表面形成有DEMS掩膜層203。其中，DEMS 掩膜層的厚度為10(Γ500埃，例如可以為200埃，300埃，350埃，400埃等。由于DEMS具有掩膜層的性質(zhì)，因此其可以作為形成掩膜層的材料，但更重要的是，其是形成具有超低介電常數(shù)的層間介電層的原料之一，因此還可以與具有超低介電常數(shù)的層間介電層在同一反應(yīng)室內(nèi)生成，即所述第一反應(yīng)室和所述第二反應(yīng)室為同一反應(yīng)室。這樣，不但能夠簡化現(xiàn)有工藝，還能夠避免運(yùn)送晶片導(dǎo)致的晶片遭受污染，并且能夠降低半導(dǎo)體器件結(jié)構(gòu)的制作時(shí)間，和提高半導(dǎo)體器件結(jié)構(gòu)的生產(chǎn)效率。本領(lǐng)域技術(shù)人員可以理解的是，由于不同生產(chǎn)線之間的生產(chǎn)條件和生產(chǎn)工藝等存在差異，因此，形成具有超低介電常數(shù)的層間介電層的原料也有所不同，雖然本實(shí)施方式以 DEMS掩膜層為例，但為了實(shí)現(xiàn)本發(fā)明的目的，除了 DEMS外，還可以選擇具有非常接近超低k 材料的性質(zhì)的其他材料形成掩膜層。優(yōu)選地，這些材料應(yīng)當(dāng)具有改善層結(jié)構(gòu)間結(jié)合力的性質(zhì)。DEMS掩膜層203的表面還形成有正硅酸乙酯(TEOS)掩膜層204。優(yōu)選地，為了增強(qiáng)DEMS掩膜層203與TEOS掩膜層204之間的結(jié)合力，DEMS掩膜層203與TEOS掩膜層204之間還可以形成有SiO2薄膜層(未示出)。TEOS掩膜層204的表面還形成有氮化鈦(TiN)掩膜層205。其中，所述TEOS掩膜層204用于增強(qiáng)DEMS掩膜層203與TiN掩膜層205之間的結(jié)合力，所述TiN掩膜層205用于改善刻蝕后的關(guān)鍵尺寸。[本發(fā)明的有益效果]
綜上所述，本發(fā)明提供了一種新的制造半導(dǎo)體器件結(jié)構(gòu)的方法及由該方法制得的半導(dǎo)體器件結(jié)構(gòu)，該器件結(jié)構(gòu)具有與現(xiàn)有器件結(jié)構(gòu)相當(dāng)?shù)墓δ芎托Ч?；其次，本發(fā)明的制造方法可以在同一反應(yīng)室內(nèi)形成具有超低介電常數(shù)的層間介電層與位于其上的掩膜層，因此，簡化了現(xiàn)有的工藝，有利于半導(dǎo)體器件結(jié)構(gòu)的批量生產(chǎn)，并且，降低了半導(dǎo)體器件結(jié)構(gòu)的制作時(shí)間，提高了半導(dǎo)體器件結(jié)構(gòu)的生產(chǎn)效率，還能夠避免運(yùn)送晶片而導(dǎo)致的晶片污染。[本發(fā)明的工業(yè)實(shí)用性]
根據(jù)如上所述的實(shí)施方式制造的半導(dǎo)體器件可應(yīng)用于多種集成電路(IC)中。根據(jù)本發(fā)明的IC例如是存儲(chǔ)器電路，如隨機(jī)存取存儲(chǔ)器(RAM)、動(dòng)態(tài)RAM(DRAM)、同步DRAM(SDRAM)、 靜態(tài)RAM (SRAM)、或只讀存儲(chǔ)器(ROM)等等。根據(jù)本發(fā)明的IC還可以是邏輯器件，如可編程邏輯陣列(PLA)、專用集成電路(ASIC)、合并式DRAM邏輯集成電路(掩埋式DRAM)、射頻電路或任意其他電路器件。根據(jù)本發(fā)明的IC芯片可用于例如用戶電子產(chǎn)品，如個(gè)人計(jì)算機(jī)、 便攜式計(jì)算機(jī)、游戲機(jī)、蜂窩式電話、個(gè)人數(shù)字助理、攝像機(jī)、數(shù)碼相機(jī)、手機(jī)等各種電子產(chǎn)品中，尤其是射頻產(chǎn)品中。
本發(fā)明已經(jīng)通過上述實(shí)施例進(jìn)行了說明，但應(yīng)當(dāng)理解的是，上述實(shí)施例只是用于舉例和說明的目的，而非意在將本發(fā)明限制于所描述的實(shí)施例范圍內(nèi)。此外本領(lǐng)域技術(shù)人員可以理解的是，本發(fā)明并不局限于上述實(shí)施例，根據(jù)本發(fā)明的教導(dǎo)還可以做出更多種的變型和修改，這些變型和修改均落在本發(fā)明所要求保護(hù)的范圍以內(nèi)。本發(fā)明的保護(hù)范圍由附屬的權(quán)利要求書及其等效范圍所界定。
權(quán)利要求
1.一種制造半導(dǎo)體器件結(jié)構(gòu)的方法，其特征在于，包括a)提供前端器件層結(jié)構(gòu)；b)在第一反應(yīng)室內(nèi)，在所述前端器件層結(jié)構(gòu)的表面形成具有超低介電常數(shù)的層間介電層，其中，所述具有超低介電常數(shù)的層間介電層由包含甲基二乙氧基硅烷的反應(yīng)氣體形成； 以及c)在第二反應(yīng)室內(nèi)，在所述具有超低介電常數(shù)的層間介電層的表面通過等離子體增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積法形成甲基二乙氧基硅烷掩膜層。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，所述反應(yīng)氣體還包含松油烯或者二環(huán)庚 -~ 火布ο
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，所述第一反應(yīng)室和所述第二反應(yīng)室為同一反應(yīng)室。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，所述甲基二乙氧基硅烷掩膜層的厚度為 100 500 埃。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，步驟c)的壓力為2 8Τοπ·。
6.根據(jù)權(quán)利要求1或5所述的方法，其特征在于，步驟c)的溫度為20(Γ300攝氏度。
7.根據(jù)權(quán)利要求1或5所述的方法，其特征在于，步驟c)的功率為30(T1000W。
8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的方法，其特征在于，步驟c)的溫度為20(Γ300攝氏度。
9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，步驟c)的所述甲基二乙氧基硅烷的通入量為 50(T3000mg/min。
10.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，所述方法還包括d)在所述甲基二乙氧基硅烷掩膜層的表面形成正硅酸乙酯掩膜層；和e)在所述正硅酸乙酯掩膜層的表面形成氮化鈦掩膜層。
11.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，所述方法還包括d)向第三反應(yīng)室內(nèi)通入氧氣，以在所述甲基二乙氧基硅烷掩膜層的表面形成二氧化硅層；e)在所述二氧化硅層的表面形成正硅酸乙酯掩膜層；和f)在所述正硅酸乙酯掩膜層的表面形成氮化鈦掩膜層。
12.根據(jù)權(quán)利要求11所述的方法，其特征在于，所述氧氣的流量為10(T500SCCm。
13.一種半導(dǎo)體器件結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述半導(dǎo)體器件結(jié)構(gòu)由上述任一權(quán)利要求所述的方法制成。
全文摘要
本發(fā)明提供一種制造半導(dǎo)體器件結(jié)構(gòu)的方法，包括a)提供前端器件層結(jié)構(gòu)；b)在第一反應(yīng)室內(nèi)，在前端器件層結(jié)構(gòu)的表面形成具有超低介電常數(shù)的層間介電層，其中，具有超低介電常數(shù)的層間介電層由包含甲基二乙氧基硅烷的反應(yīng)氣體形成；以及c)在第二反應(yīng)室內(nèi)，在具有超低介電常數(shù)的層間介電層的表面通過等離子體增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積法形成甲基二乙氧基硅烷掩膜層。本發(fā)明的方法簡化了現(xiàn)有的工藝，有利于半導(dǎo)體器件結(jié)構(gòu)的批量生產(chǎn)，并且，降低了半導(dǎo)體器件結(jié)構(gòu)的制作時(shí)間，提高了半導(dǎo)體器件結(jié)構(gòu)的生產(chǎn)效率。
文檔編號(hào)H01L21/768GK102543844SQ20101061518
公開日2012年7月4日 申請日期2010年12月30日 優(yōu)先權(quán)日2010年12月30日
發(fā)明者周鳴 申請人:中芯國際集成電路制造(上海)有限公司