專(zhuān)利名稱(chēng)：小形狀因數(shù)系統(tǒng)級(jí)封裝中嵌入組件的設(shè)備和方法
技術(shù)領(lǐng)域：
一般來(lái)說(shuō)，本發(fā)明涉及集成電路設(shè)計(jì)，更具體來(lái)說(shuō)，涉及小形狀因數(shù)(SFF small-form-factor)系統(tǒng)級(jí)封裝(SOP :system-on-package)體系結(jié)構(gòu)，該體系結(jié)構(gòu)具有 SFF-SOP環(huán)境中改進(jìn)性能、集成熱管理和干擾抑制中的一個(gè)或多個(gè)。
背景技術(shù)：
移動(dòng)平臺(tái)尺寸變得更小并且結(jié)合有用于有效通信的更多電子和無(wú)線功能性。為了將所有預(yù)期電子功能性包含到未來(lái)的小形狀因數(shù)(SFF)移動(dòng)平臺(tái)中，正在開(kāi)發(fā)嵌入式系統(tǒng)級(jí)封裝(SOP)體系結(jié)構(gòu)。當(dāng)前，不同的有源組件以及無(wú)源組件嵌入技術(shù)正在使用多層襯底材料和空腔進(jìn)行開(kāi)發(fā)。使用不適合嵌入射頻(RF)功能性的低成本材料來(lái)開(kāi)發(fā)裝置嵌入技術(shù)。正在開(kāi)發(fā)一些嵌入‘集成-無(wú)源-裝置’的方法，它們可增加制造和組裝的成本，這傾向于使使用低成本材料系統(tǒng)的目的最小。此外，RF性能和尺寸減小對(duì)于多標(biāo)準(zhǔn)無(wú)線系統(tǒng)仍然難以實(shí)現(xiàn)。 RF-IPD (集成無(wú)源裝置)正在硅、低溫共燒陶瓷(LTCC)、玻璃或其它材料上使用，并且被嵌入低成本材料系統(tǒng)以供RF連接。這可能顯著增加組裝和制造的成本，并且在其它組件緊挨著嵌入或屏蔽(shield)之后使復(fù)合(complex)無(wú)源結(jié)構(gòu)的性能降級(jí)/改變。另一方面，正使用高性能材料，發(fā)覺(jué)它們具有比數(shù)字襯底材料更高的成本。這些材料可在多層材料環(huán)境中嵌入復(fù)合RF無(wú)源設(shè)計(jì)。在當(dāng)前SOP結(jié)構(gòu)中尚未解決熱和噪聲管理問(wèn)題。SFF-SOP環(huán)境中用于噪聲抑制的常規(guī)電磁帶隙(EBG)結(jié)構(gòu)將傾向于消耗極大空間，并且將增加總SOP尺寸。這兩種方式也都遭遇串?dāng)_(cross-talk)熱問(wèn)題。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明一方面提供一種設(shè)備，包括小形狀因數(shù)移動(dòng)平臺(tái)，包括系統(tǒng)級(jí)封裝體系結(jié)構(gòu)，所述系統(tǒng)級(jí)封裝體系結(jié)構(gòu)設(shè)置為層的疊層(stack)。所述層的疊層包括具有第一適形 (conformable)材料的第一層；具有第二適形材料的第二層；具有第三材料的第三層；以及嵌入所述層的疊層中的一個(gè)或多個(gè)電子組件，其中，所述第一適形材料、所述第二適形材料或者兩者配置成允許高頻信號(hào)路由(routing)。本發(fā)明另一方面提供一種方法，包括下列步驟形成包括系統(tǒng)級(jí)封裝體系結(jié)構(gòu)的小形狀因數(shù)移動(dòng)平臺(tái)，所述系統(tǒng)級(jí)封裝體系結(jié)構(gòu)設(shè)置為層的疊層。所述方法包括提供第一適形材料的第一層；提供第二適形材料的第二層；提供第三材料的第三層；以及將一個(gè)或多個(gè)電子組件嵌入所述層的疊層中，其中，所述第一適形材料、所述第二適形材料或者兩者配置成允許高頻信號(hào)路由。


圖1根據(jù)本發(fā)明的各個(gè)實(shí)施例示出具有形成材料疊層的高性能和低性能聚合物層的SOP的截面。
圖2根據(jù)本公開(kāi)的各個(gè)方面示出具有形成材料疊層的高性能和低性能聚合物層的SOP的另一截面。圖3a根據(jù)本公開(kāi)的各個(gè)方面示出包括嵌入式隔離結(jié)構(gòu)的SOP的截面。圖北示出沿圖3a的線條A和B截取的垂直間歇(periodic)微通孔結(jié)構(gòu)A和B。圖3c示出沿圖3a的線條C截取的水平間歇結(jié)構(gòu)。
具體實(shí)施例方式高性能材料高性能材料是一種相對(duì)于低性能材料的性質(zhì)提供包括低損耗和低熱膨脹系數(shù)(CTE)特性的優(yōu)良電氣性質(zhì)的材料。根據(jù)本公開(kāi)的各個(gè)方面，公開(kāi)一種包括含有系統(tǒng)級(jí)封裝體系結(jié)構(gòu)的小形狀因數(shù)移動(dòng)平臺(tái)的設(shè)備，該系統(tǒng)級(jí)封裝體系結(jié)構(gòu)設(shè)置為層的疊層，其包括具有第一適形 (conformable)材料的第一層；具有第二適形材料或者任何其它剛性有機(jī)材料的第二層； 具有第三材料的第三層；以及嵌入層的疊層中的一個(gè)或多個(gè)電子組件，其中第一適形材料、 第二適形材料或者兩者配置成允許高頻信號(hào)路由(routing)。根據(jù)本公開(kāi)的各個(gè)方面，該設(shè)備還可包括配置成耗散從一個(gè)或多個(gè)電子組件生成的熱量的散熱元件，其中散熱元件設(shè)置在第一與第二層之間。散熱元件可包括例如金屬的高傳導(dǎo)率材料或者定向?qū)w。高傳導(dǎo)率金屬可從由銅、鋁、作為散熱器材料的K0VAR、青銅、 碳化硅或者例如金或銀的其它材料組成的組中選取，并且定向?qū)w可包括配置成沿二維平面耗散熱量的石墨。此外，該設(shè)備可包括其中第一適形材料和第二適形材料是相同材料或者是不同材料的特征。此外，該設(shè)備可包括其中第一適形材料、第二適形材料或者兩者包括例如液晶聚合物的聚合物或者可以是剛性有機(jī)或聚合物材料的特征。根據(jù)本公開(kāi)的各個(gè)方面，該設(shè)備還可包括設(shè)置在一個(gè)或多個(gè)電子組件之間的垂直濾波結(jié)構(gòu)。垂直濾波結(jié)構(gòu)可包括堆疊通孔圖案，其設(shè)置在可定義濾波特性的垂直濾波結(jié)構(gòu)的間隙布置中。該設(shè)備可包括其中垂直濾波結(jié)構(gòu)配置成對(duì)由一個(gè)或多個(gè)電子組件產(chǎn)生的射頻噪聲、數(shù)字噪聲諧波或者兩者進(jìn)行濾波或隔離的特征。此外，該設(shè)備可包括其中第三材料不同于第一和第二適形材料的特征。根據(jù)本公開(kāi)的各個(gè)方面，公開(kāi)一種包括形成包含系統(tǒng)級(jí)封裝體系結(jié)構(gòu)的小形狀因數(shù)移動(dòng)平臺(tái)的方法，系統(tǒng)級(jí)封裝體系結(jié)構(gòu)設(shè)置為層的疊層，該方法包括提供第一適形材料的第一層；提供第二適形材料的第二層；提供第三材料的第三層；以及將一個(gè)或多個(gè)電子組件嵌入層的疊層中，其中第一適形材料、第二適形材料或者兩者配置成允許高頻信號(hào)路根據(jù)本公開(kāi)的各個(gè)方面，該方法可包括將散熱元件設(shè)置在第一與第二適形材料之間，其中散熱元件可設(shè)置在第一與第二層之間。第一適形材料和第二適形材料可以是相同材料或者不同材料。例如，第一或第二適形材料或者兩者可包括例如液晶聚合物的聚合物， 或者可以是剛性有機(jī)或聚合物材料。散熱元件可包括例如金屬的高傳導(dǎo)率材料或者定向?qū)w，其中高傳導(dǎo)率金屬可從由銅和鋁組成的組中選取，并且定向?qū)w可包括配置成沿二維平面耗散熱量的石墨。根據(jù)本公開(kāi)的各個(gè)方面，該方法可包括將垂直濾波結(jié)構(gòu)設(shè)置在一個(gè)或多個(gè)電子組件之間，其中垂直間歇濾波結(jié)構(gòu)包括堆疊通孔圖案。垂直濾波結(jié)構(gòu)的布置可以是間歇性的，并且定義濾波特性，其中垂直濾波結(jié)構(gòu)配置成對(duì)由一個(gè)或多個(gè)電子組件產(chǎn)生的射頻噪聲、 數(shù)字噪聲諧波或者兩者進(jìn)行濾波或隔離。垂直濾波可與水平間歇濾波組合，這是在考慮中的小形狀因數(shù)SOP所允許的。在參照附圖考慮以下描述和所附權(quán)利要求書(shū)時(shí)，本發(fā)明的這些及其它目的、特征和特性以及相關(guān)結(jié)構(gòu)要素的操作方法和功能及部件和制造經(jīng)濟(jì)的組合將變得更加明顯，全部附圖構(gòu)成本說(shuō)明書(shū)的一部分，其中相似參考標(biāo)號(hào)在各個(gè)附圖中表示對(duì)應(yīng)部件。但是，要明確理解，附圖只是為了說(shuō)明和描述目的，而不是要作為本發(fā)明的限制的定義。本說(shuō)明書(shū)和權(quán)利要求書(shū)中使用的未限定數(shù)目的要素包括復(fù)數(shù)個(gè)對(duì)象，除非上下文另有明確規(guī)定。圖1根據(jù)本公開(kāi)的各個(gè)方面示出具有形成材料疊層的高性能和低性能聚合物層的SOP的截面。一般示為100的異質(zhì)層疊(Stackup)包括一層或多層高性能材料105以及一層或多層低性能材料110。作為非限制性示例，高性能材料105可以是在寬頻率范圍上與低性能材料110相比呈現(xiàn)優(yōu)良電氣性質(zhì)的聚合物，例如液晶聚合物(LCP) ,Rogers RXP或者任何其它材料。低損耗切線(tangent)是高性能材料105的一個(gè)因數(shù)，并且與電路信號(hào)損耗和質(zhì)量或Q因數(shù)直接相關(guān)。由于這些特性，例如LCP的高性能材料允許高頻信號(hào)路由和無(wú)源。低性能材料110可包括聚合物，例如ABF(Ajin0m0t0積層式薄膜)、FR4、BT或者任何其它有機(jī)材料。例如LCP的高性能材料105可以比低性能材料110更靈活或柔軟。高性能材料 105的這種靈活性允許這些層適合圍繞電氣組件，使得電氣組件可嵌于高性能材料層之間。 在一些方面，層疊的特定層可包括高性能材料105和低性能材料110。在這種情況下，電氣和/或RF組件可設(shè)置在高性能材料層中并且與SOP的特定層上的低性能材料相鄰。作為非限制性示例，圖1所示的層疊可小于0. 5mm厚。SOP的垂直尺寸 (dimension)可通過(guò)使襯底變薄來(lái)減小。在這種情況下，必要時(shí)，嵌入式IC設(shè)計(jì)可優(yōu)化成包括薄襯底的效果以及聚合物材料環(huán)境。在一些方面，層疊可以是僅包括一種類(lèi)型的層的同質(zhì)層疊。例如，層疊可包括高性能材料層或者低性能材料層。層疊可包括可設(shè)置在高性能材料105層之間的包括不同電氣和/或射頻組件的不同有源IC組件115。作為非限制性示例，不同電氣IC可包括例如GaAs PA的功率放大器(PA) 120。此外，不同射頻IC可包括兩個(gè)例如RFIC和BB/MAC ID 125的高度集成IC的組合芯片組，它們可工作在IEEE 802. Iln和IEEE 802. lla/b/g標(biāo)準(zhǔn)。也可使用工作在不同無(wú)線標(biāo)準(zhǔn)的其它芯片組。這些IC并不限于無(wú)線應(yīng)用中使用的那些，而是可包括例如存儲(chǔ)器、通用處理器或者專(zhuān)用IC和SOC的IC。層疊還可包含一個(gè)或多個(gè)無(wú)源組件130，它們可以是消耗(但不產(chǎn)生)能量的射頻(RF)組件或者沒(méi)有功率增益能力的組件。RF無(wú)源組件的示例可包括電容器、電感器、電阻器、變壓器、高阻(high-rejection)多頻帶RF濾波器、 復(fù)用器和平衡-不平衡轉(zhuǎn)換器(balim)。其它例如天線135的無(wú)源組件可嵌入多層金屬層中，以實(shí)現(xiàn)更高的RF性能。來(lái)自例如RFIC 125的硅集成單芯片的RF信號(hào)可使用高性能材料105層來(lái)路由，而數(shù)字信號(hào)可使用低性能材料110層通過(guò)金屬線140來(lái)路由。在本公開(kāi)的各個(gè)方面，高性能液晶聚合物(LCP)材料的滾壓形式(rolled version)可用于嵌入RF-有源(RF-active)，并且使用LCP多金屬襯底層結(jié)構(gòu)來(lái)開(kāi)發(fā)嵌入式RF-無(wú)源(RF-passive)。LCP的滾壓形式通常比原始LCP材料費(fèi)用更低。這允許通過(guò)在
6嵌入式有源組件周?chē)腖CP-類(lèi)型層中設(shè)計(jì)優(yōu)化高性能無(wú)源組件使SOP形狀因數(shù)(所有χ、 y、ζ方向)最小。LCP-類(lèi)型材料將允許襯底材料適合圍繞嵌入式有源組件，并且降低對(duì)嵌入式有源組件周?chē)娜魏伪砻姹Ｗo(hù)的需要。LCP類(lèi)型材料的薄層(<25μπι厚)可用作有效RF信號(hào)、模擬信號(hào)和數(shù)字信號(hào)分配的重新分配層，以便實(shí)現(xiàn)小形狀因數(shù)。低成本ABF-類(lèi)型材料可在層疊中用于嵌入附加數(shù)字功能性。根據(jù)本公開(kāi)的各個(gè)方面，可通過(guò)包含一個(gè)或多個(gè)散熱元件來(lái)修改在100示出的 SOP。一個(gè)或多個(gè)散熱元件可設(shè)置在材料的同質(zhì)疊層中，例如在僅具有高性能材料或者僅具有低性能材料的材料疊層中。一個(gè)或多個(gè)散熱元件還可設(shè)置在材料的異質(zhì)疊層中，例如在具有高性能材料和低性能材料的疊層中。如圖1所示，一個(gè)或多個(gè)如散熱器材料150的散熱元件可設(shè)置在高功率有源組件附近，以便耗散由該有源組件產(chǎn)生的熱量。在非限制性示例中，散熱元件在有源組件上方或者直接在有源組件頂部的層中。散熱元件可設(shè)置在高性能材料層之間或者高性能材料和低性能材料的層之間。散熱元件可以是例如金屬的高傳導(dǎo)率材料，并且可包括銅、鋁、KOVAR (K0VAR是Carpenter Technology Corporation的商標(biāo)，并且是設(shè)計(jì)成與鋇硼硅酸鹽玻璃的熱膨脹特性兼容以便允許溫度范圍上的直接機(jī)械連接的鎳鈷鐵合金)以及碳化硅(SiC)，或者是例如在二維(X，y)平面耗散熱量的石墨的定向?qū)w。下面進(jìn)一步論述，不同散熱器和堆疊通孔圖案的組合可用于實(shí)現(xiàn)最佳散熱結(jié)構(gòu)。通過(guò)小形狀因數(shù)SOP中一個(gè)或多個(gè)散熱元件的這種布置，可降低或消除對(duì)外部散熱器的需要。根據(jù)本公開(kāi)的各個(gè)方面，由于高性能LCP的適形性質(zhì)，熱材料薄片可嵌入LCP類(lèi)型材料中。銅、石墨、K0VAR、碳化硅、黃銅以及具有良好熱性質(zhì)的其它材料的薄片可嵌入具有高功率耗散的IC(例如PA)之下，以便實(shí)現(xiàn)SOP體系結(jié)構(gòu)中的熱管理并且仍然保持SFF性質(zhì)。LCP可設(shè)置在這些材料周?chē)?，以便適合和創(chuàng)建S0P，而沒(méi)有任何空隙或間隙。石墨材料在 X-Y方向耗散熱量，并且在某些情況下可被嵌入，以便將熱量散布到下面進(jìn)一步論述的散熱器/金屬通孔，以便從嵌入式SOP結(jié)構(gòu)去掉熱量。圖2根據(jù)本公開(kāi)的各個(gè)方面示出具有形成材料疊層的高性能和低性能聚合物層的SOP的另一截面。圖2與圖1相似，但是示出安裝在襯底頂部的功率放大器120、GaAs PA。 對(duì)于如GaAs PA的小IC組件，它們無(wú)需被嵌入，因?yàn)樗鼈儧](méi)有在襯底上占用大面積。成型 (molding)層205可設(shè)置在頂部安裝組件之上，以便封裝和保護(hù)S0P。圖3a根據(jù)本公開(kāi)的各個(gè)方面示出包括嵌入式隔離結(jié)構(gòu)的SOP的截面。嵌入式隔離結(jié)構(gòu)配置和設(shè)置成降低極小形狀因數(shù)SOP中的噪聲耦合和串?dāng)_問(wèn)題。與上述散熱結(jié)構(gòu)相似，隔離結(jié)構(gòu)可設(shè)置在材料的同質(zhì)疊層中，例如在僅具有高性能材料或者僅具有低性能材料的材料疊層中。另外，隔離結(jié)構(gòu)還可設(shè)置在材料的異質(zhì)疊層中，例如在具有高性能材料和低性能材料的疊層中。IC在圖3a中示出，其中ICl (305) ,IC2 (310)和IC3(315)設(shè)置在SOP 的高性能材料之間。另外，一個(gè)或多個(gè)無(wú)源組件320示為嵌入在高性能材料層中。隔離結(jié)構(gòu)325可嵌入在SOP中，以便降低SOP中的噪聲耦合和串?dāng)_問(wèn)題。圖北示出沿圖3a的線條A和B截取的垂直間歇微通孔結(jié)構(gòu)A和B。垂直微通孔結(jié)構(gòu)330配置和設(shè)置成降低元件到元件的噪聲耦合/串?dāng)_。串?dāng)_隔離的特性可通過(guò)改變垂直結(jié)構(gòu)的間歇性來(lái)進(jìn)行調(diào)整(time)。圖3c示出沿圖3a的線條C截取的水平間歇隔離結(jié)構(gòu) 335。可組合垂直和水平結(jié)構(gòu)以在整個(gè)SOP環(huán)境中創(chuàng)建改進(jìn)隔離。這些隔離結(jié)構(gòu)可用于包圍無(wú)線電或數(shù)字功能塊，以便隔離RF噪聲以及數(shù)字噪聲諧波。
在本公開(kāi)的一些方面，使用形成圖案的金屬的法拉第籠(faradaycage)和水平電子帶隙(EBG)結(jié)構(gòu)可用于隔離結(jié)構(gòu)。此外，垂直間歇結(jié)構(gòu)還可與水平EBG金屬圖案進(jìn)行組合，以便在SOP的預(yù)期部分周?chē)纬捎行г肼暱s減器。雖然為了便于說(shuō)明而根據(jù)當(dāng)前認(rèn)為是最實(shí)用及優(yōu)選實(shí)施例的內(nèi)容詳細(xì)描述本發(fā)明，但是要理解，這種細(xì)節(jié)僅用于那個(gè)目的，而本發(fā)明并不限于所公開(kāi)的實(shí)施例，而是相反， 意在涵蓋落入所附權(quán)利要求書(shū)的精神和范圍之內(nèi)的修改及等效布置。例如，要理解，本發(fā)明預(yù)期，在可能的范圍內(nèi)，任何實(shí)施例的一個(gè)或多個(gè)特征可與任何其它實(shí)施例的一個(gè)或多個(gè)特征組合。
權(quán)利要求
1.一種設(shè)備，包括小形狀因數(shù)移動(dòng)平臺(tái)，包括系統(tǒng)級(jí)封裝體系結(jié)構(gòu)，所述系統(tǒng)級(jí)封裝體系結(jié)構(gòu)設(shè)置為層的疊層，所述層的疊層包括具有第一適形材料的第一層； 具有第二適形材料的第二層； 具有第三材料的第三層；以及嵌入所述層的疊層中的一個(gè)或多個(gè)電子組件，其中，所述第一適形材料、所述第二適形材料或者兩者配置成允許高頻信號(hào)路由。
2.如權(quán)利要求1所述的設(shè)備，還包括散熱元件，配置成耗散從一個(gè)或多個(gè)電子組件產(chǎn)生的熱量。
3.如權(quán)利要求2所述的設(shè)備，其中，所述散熱元件設(shè)置在所述第一層與所述第二層之間。
4.如權(quán)利要求1所述的設(shè)備，其中，所述第一適形材料和所述第二適形材料是相同材料。
5.如權(quán)利要求1所述的設(shè)備，其中，所述第一適形材料和所述第二適形材料是不同材料。
6.如權(quán)利要求1所述的設(shè)備，其中，所述第一適形材料、所述第二適形材料或者兩者包括聚合物。
7.如權(quán)利要求1所述的設(shè)備，其中，所述第一適形材料、所述第二適形材料或者兩者包括剛性有機(jī)或聚合物材料。
8.如權(quán)利要求2所述的設(shè)備，其中，所述散熱元件包括高傳導(dǎo)率材料或者定向?qū)w。
9.如權(quán)利要求8所述的設(shè)備，其中，所述高傳導(dǎo)率材料從由銅、鋁、K0VAR、黃銅和碳化硅(SiC)組成的組中選取。
10.如權(quán)利要求8所述的設(shè)備，其中，所述定向?qū)w包括配置成沿二維平面耗散熱量的石墨。
11.如權(quán)利要求1所述的設(shè)備，還包括設(shè)置在所述一個(gè)或多個(gè)電子組件之間的垂直濾波結(jié)構(gòu)。
12.如權(quán)利要求11所述的設(shè)備，其中，所述垂直濾波結(jié)構(gòu)包括堆疊通孔圖案。
13.如權(quán)利要求11所述的設(shè)備，其中，所述垂直濾波結(jié)構(gòu)的布置是間歇性的，并且定義濾波特性。
14.如權(quán)利要求11所述的設(shè)備，其中，所述垂直濾波結(jié)構(gòu)配置成對(duì)由所述一個(gè)或多個(gè)電子組件產(chǎn)生的射頻噪聲、數(shù)字噪聲諧波或者兩者進(jìn)行濾波或隔離。
15.如權(quán)利要求1所述的設(shè)備，其中，所述第三材料不同于所述第一和所述第二適形材料。
16.一種方法，包括下列步驟形成包括系統(tǒng)級(jí)封裝體系結(jié)構(gòu)的小形狀因數(shù)移動(dòng)平臺(tái)，所述系統(tǒng)級(jí)封裝體系結(jié)構(gòu)設(shè)置為層的疊層，包括提供第一適形材料的第一層； 提供第二適形材料的第二層；提供第三材料的第三層；以及將一個(gè)或多個(gè)電子組件嵌入所述層的疊層中，其中，所述第一適形材料、所述第二適形材料或者兩者配置成允許高頻信號(hào)路由。
17.如權(quán)利要求16所述的方法，還包括將散熱元件設(shè)置在所述第一與所述第二適形材料之間。
18.如權(quán)利要求17所述的方法，其中，所述散熱元件設(shè)置在所述第一層與所述第二層之間。
19.如權(quán)利要求16所述的方法，其中，所述第一適形材料和所述第二適形材料是相同材料。
20.如權(quán)利要求16所述的方法，其中，所述第一適形材料和所述第二適形材料是不同材料。
21.如權(quán)利要求16所述的方法，其中，所述第一適形材料、所述第二適形材料或者兩者包括聚合物。
22.如權(quán)利要求16所述的方法，其中，所述第一適形材料、所述第二適形材料或者兩者包括剛性有機(jī)或聚合物材料。
23.如權(quán)利要求17所述的方法，其中，所述散熱元件包括高傳導(dǎo)率材料或者定向?qū)w。
24.如權(quán)利要求23所述的方法，其中，所述高傳導(dǎo)率材料從由銅、鋁、K0VAR、黃銅和碳化硅(SiC)所組成的組中選取。
25.如權(quán)利要求23所述的方法，其中，所述定向?qū)w包括配置成沿二維平面耗散熱量的石墨。
26.如權(quán)利要求16所述的方法，還包括將垂直濾波結(jié)構(gòu)設(shè)置在所述一個(gè)或多個(gè)電子組件之間。
27.如權(quán)利要求沈所述的方法，其中，所述垂直濾波結(jié)構(gòu)包括堆疊通孔圖案。
28.如權(quán)利要求沈所述的方法，其中，所述垂直濾波結(jié)構(gòu)的布置是間歇性的，并且定義濾波特性。
29.如權(quán)利要求沈所述的方法，其中，所述垂直濾波結(jié)構(gòu)配置成對(duì)由所述一個(gè)或多個(gè)電子組件產(chǎn)生的射頻噪聲、數(shù)字噪聲諧波或者兩者進(jìn)行濾波或隔離。
全文摘要
根據(jù)本公開(kāi)的各個(gè)方面，公開(kāi)一種設(shè)備，包括含有系統(tǒng)級(jí)封裝體系結(jié)構(gòu)的小形狀因數(shù)移動(dòng)平臺(tái)，系統(tǒng)級(jí)封裝體系結(jié)構(gòu)設(shè)置為層的疊層，層的疊層包括具有第一適形材料的第一層；具有第二適形材料的第二層；具有第三材料的第三層；以及嵌入層的疊層中的一個(gè)或多個(gè)電子組件，其中第一適形材料、第二適形材料或者兩者配置成允許高頻信號(hào)路由。
文檔編號(hào)H01L21/50GK102157396SQ201010615220
公開(kāi)日2011年8月17日 申請(qǐng)日期2010年12月17日 優(yōu)先權(quán)日2009年12月18日
發(fā)明者D.喬德胡里, P.阿盧里 申請(qǐng)人:英特爾公司