專利名稱：發(fā)光器件、發(fā)光器件封裝以及照明系統(tǒng)的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
實施例涉及一種發(fā)光器件、發(fā)光器件封裝以及照明系統(tǒng)。
背景技術(shù)：
發(fā)光器件(LED)包括具有將電能轉(zhuǎn)換為光能的特性的p-n結(jié)二極管。該p_n結(jié)二極管能夠通過將元素周期表中的III族和V族元素相組合而形成。通過調(diào)節(jié)化合物半導(dǎo)體的組成比，LED能夠呈現(xiàn)各種顏色。當(dāng)將正向電壓施加給LED時，η層的電子與ρ層的空穴結(jié)合，從而可以產(chǎn)生與導(dǎo)帶和價帶之間的能隙相對應(yīng)的能量。此能量主要被實現(xiàn)為熱或光，并且LED以光的形式發(fā)出
能量°氮化物半導(dǎo)體表現(xiàn)出優(yōu)秀的熱穩(wěn)定性和寬的帶隙能量，因而氮化物半導(dǎo)體已經(jīng)在光學(xué)器件和高功率電子器件的領(lǐng)域受到高度關(guān)注。特別地，已經(jīng)開發(fā)出并且廣泛使用了采用氮化物半導(dǎo)體的藍(lán)光、綠光、以及UV發(fā)光器件。根據(jù)電極的位置，LED分為橫向型LED和垂直型LED。在橫向型LED中，在導(dǎo)熱基板上形成有發(fā)光結(jié)構(gòu)，并且兩個電極層在該發(fā)光結(jié)構(gòu)上方對準(zhǔn)。同時，在橫向型LED中，厚的導(dǎo)熱基板位于上述發(fā)光結(jié)構(gòu)的下端，并且通過絕緣基板的橫向側(cè)發(fā)射大量的光，位于絕緣基板下端的反射層的功能是非常重要的。然而，根據(jù)現(xiàn)有技術(shù)，位于絕緣基板下端的反射層包括呈現(xiàn)弱可靠性的金屬層。 即，該金屬層的反射率可能隨著時間的流逝而降低，使得光的量可能減少。

發(fā)明內(nèi)容
實施例提供一種發(fā)光器件、發(fā)光器件封裝、以及照明系統(tǒng)，其能夠在不降低可靠性的情況下呈現(xiàn)優(yōu)秀的反射率。根據(jù)實施例的發(fā)光器件包括發(fā)光結(jié)構(gòu)，該發(fā)光結(jié)構(gòu)包括第一導(dǎo)電半導(dǎo)體層、有源層、以及第二導(dǎo)電半導(dǎo)體層；基板，該基板位于所述發(fā)光結(jié)構(gòu)上方；第一反射層，該第一反射層具有多個介電層，所述多個介電層包括第一介電層和第二介電層，該第一介電層位于所述基板上方并具有第一折射率，該第二介電層位于第一介電層上方并具有與第一折射率不同的第二折射率；以及第二反射層，該第二反射層位于第一反射層上方，該第二反射層的折射率比第一反射層的每個介電層的折射率低。根據(jù)實施例的發(fā)光器件封裝包括封裝主體；電極層，該電極層位于封裝主體上； 以及根據(jù)本發(fā)明第一方面所述的發(fā)光器件，該發(fā)光器件電連接到電極層。根據(jù)實施例的照明系統(tǒng)包括基板；以及發(fā)光模塊，該發(fā)光模塊包括位于所述基板上的上述發(fā)光器件封裝。


圖1是示出根據(jù)第一實施例的發(fā)光器件的截面圖；圖2是示出根據(jù)比較例的發(fā)光器件的反射率變化的曲線圖；圖3是示出根據(jù)本實施例的發(fā)光器件的反射率變化的曲線圖；圖4至圖6是示出用于制造根據(jù)第一實施例的發(fā)光器件的過程的截面圖；圖7是示出根據(jù)第二實施例的發(fā)光器件的截面圖。圖8是示出根據(jù)實施例的發(fā)光器件封裝的截面圖；圖9是示出根據(jù)實施例的照明單元的透視圖；并且圖10是示出根據(jù)實施例的背光單元的分解透視圖。
具體實施例方式在下文中，將參考附圖來詳細(xì)描述根據(jù)實施例的發(fā)光器件、發(fā)光器件封裝以及照明系統(tǒng)。在實施例的描述中，將會理解的是，當(dāng)一個層(或膜)被稱為在另一層或基板“上” 時，它可以直接在另一層或基板上，或者也可以存在有中間層。此外，將會理解的是，當(dāng)一個層被稱為在另一層“下”時，它可以直接在另一層下，并且也可以存在有一個或多個中間層。另外，還將會理解的是，當(dāng)一個層被稱為在兩個層“之間”時，它可以是這兩個層之間的唯一一個層，或者也可以存在有一個或多個中間層。(實施例)圖1是包括根據(jù)第一實施例的發(fā)光器件的發(fā)光器件封裝的截面圖。圖7是示出包括根據(jù)第二實施例的發(fā)光器件的發(fā)光器件封裝的截面圖。根據(jù)第一實施例的發(fā)光器件250(參見圖5)可以包括發(fā)光結(jié)構(gòu)200，該發(fā)光結(jié)構(gòu) 200形成在基板100上；第一反射層310，該第一反射層310位于基板100下方并包括多個介電層；以及第二反射層320，該第二反射層320形成在第一反射層310下方并且其折射率低于第一反射層310的折射率。根據(jù)第一實施例的發(fā)光器件封裝500可以包括形成在基板100上的發(fā)光結(jié)構(gòu) 200、位于基板100下方的包括多個介電層的第一反射層310、形成在第一反射層310下方并且其折射率比第一反射層310的折射率低的第二反射層320、第一反射層310上的支撐層 410、以及位于支撐層410下方的副底座(sub-mount) 400。根據(jù)第一實施例，第二反射層320可以包括空氣層。根據(jù)第一實施例，包括多個介電層的第一反射層310可以包括第一介電層311和第二介電層312，該第一介電層311具有第一折射率，該第二介電層312形成在第一介電層 311下方并且具有與第一折射率不同的第二折射率。第一介電層311和第二介電層312能夠作為堆疊結(jié)構(gòu)反復(fù)形成。第一介電層311和第二介電層312的厚度可以是λ/GnXcos θ )，其中λ是光的波長，η是每個介電層的折射率，而θ是光相對于所述基板的處于0°至25°的范圍內(nèi)的入射角。根據(jù)本實施例的發(fā)光器件及其制造方法、以及發(fā)光器件封裝，反射層被制備為多個介電層的組合，并且在該介電層下方形成有其折射率比該介電層的折射率低的層，從而該反射層可以在不降低可靠性的情況下呈現(xiàn)出比根據(jù)現(xiàn)有技術(shù)的金屬反射層的反射率高的反射率。通常，橫向型發(fā)光器件的下反射層包括諸如Ag或Al等的具有高反射率的金屬。如果下反射層包括Ag，不管光的偏光狀態(tài)和入射角如何，該下反射層都呈現(xiàn)90 %或以上的反射率。然而，根據(jù)現(xiàn)有技術(shù)，為了加強藍(lán)寶石基板與金屬反射層之間的結(jié)合強度，需要有包括Ni或Pt的薄金屬層。由于用作結(jié)合加強層的該金屬層呈現(xiàn)高的吸收率，所以反射率與沉積厚度成指數(shù)比例地下降。另外，金屬反射層的反射率可能根據(jù)該藍(lán)寶石基板的粗糙度而極大地改變。因此，該金屬反射層的實際反射率進(jìn)一步降低。圖2是示出根據(jù)比較例的發(fā)光器件的反射率變化的曲線圖，而圖3是示出根據(jù)實施例的發(fā)光器件的反射率變化的曲線圖。圖2示出當(dāng)反射層用作介電層時的反射率。即，圖2示出當(dāng)通過使用5102/1102堆疊四個反射層時反射率隨著入射角的變化。這時，反射層后方的背景材料的折射率是1. 5。圖3示出當(dāng)反射層用作介電層時的反射率。即，圖3示出當(dāng)通過使用5102/1102堆疊四個反射層時反射率隨著入射角的變化。這時，反射層后方的背景材料的折射率是1.0。在圖2和圖3中，TM模式和TE模式分別表示TE偏振模式和TM偏振模式。例如，如果從發(fā)光器件產(chǎn)生的光具有電磁波，那么該電磁波的電場(E場)和磁場 (M場)可以彼此垂直交叉。這時，如果該波的E場橫向于(transverse)邊界平面0(Z平面)，并且垂直于入射平面(XY平面)，則將該波稱為橫向電波或TE偏振波(E偏振波)。另外，如果該波的M場橫向于邊界平面OCZ平面)，則將該波稱為橫向磁波或TM偏振波(M偏振波)。根據(jù)實施例，第一反射層包括多個介電層，所述多個介電層被反復(fù)堆疊并具有不同的折射率。根據(jù)實施例，具有與空氣的折射率類似的折射率的第二反射層320形成在第一反射層310的最下層的下方，以允許第一反射層310具有與金屬反射層的反射特性相類似的反射特性。例如，如果相對于450nm的藍(lán)光波長具有1. 46的折射率的SiO2層以及相對于 450nm的藍(lán)光波長具有2. 44的折射率的TiO2層以四分之一波長堆疊(λ/4η)的形式被反復(fù)堆疊在藍(lán)寶石基板下方，則如圖3所示，能夠獲得與堆疊的數(shù)目成比例的較高反射率。然而，如果最低的反射層具有與SiO2層的折射率相類似的折射率，則如圖2所示， 在特定的入射角處，折射率可能降低。為了解決上述問題，如圖1所示，第二反射層320被提供為反射層的最下一層，該第二反射層320是空氣層?；蛘?，如圖7所示，在反射層的最下一層處形成有其折射率與空氣的折射率類似的材料，以重新獲得如圖3所示的反射率。因此，如圖7所示，其折射率與空氣的折射率類似的第二反射層330被結(jié)合到第一反射層的底部，或者，支撐層410設(shè)置在所述副底座上，從而第一反射層310能夠被支撐在用作第二反射層320的空氣層上。在下文中，將參考圖4至圖6來描述制造根據(jù)第一實施例的發(fā)光器件的方法。根據(jù)實施例的發(fā)光器件可以包括GaN、GaAs、GaAsP或GaP。例如，藍(lán)-綠光LED可以包括GaN (InGaN)，而黃-紅光LED可以包括InGaAIP或AIGaAs。通過改變該材料的組成， 能夠?qū)崿F(xiàn)全色發(fā)光器件，首先，將發(fā)光結(jié)構(gòu)200形成在基板100上。基板100 可以包括如下項中的至少一個A1203、SiC、Si、GaAs、GaN, ZnO, Si、GaP、 InP, Ge、以及Gei203。另外，對基板100執(zhí)行濕法蝕刻，以從基板100的表面上去除雜質(zhì)。然后，將包括第一導(dǎo)電半導(dǎo)體層210、有源層220及第二導(dǎo)電半導(dǎo)體層230的該發(fā)光結(jié)構(gòu)200形成在基板100上。第一導(dǎo)電半導(dǎo)體層210可以包括被摻雜有第一導(dǎo)電摻雜物的III-V族化合物半導(dǎo)體。如果第一導(dǎo)電半導(dǎo)體層210是N型半導(dǎo)體層，那么第一導(dǎo)電摻雜物是諸如Si、Ge、Sn、 Se或Te的N型摻雜物，但本實施例不限于此。第一導(dǎo)電半導(dǎo)體層210可以包括具有^α Αει^ΝΟ)彡χ彡1,0 ^ y ^ 1， 0 ^ x+y ^ 1)的組成式的半導(dǎo)體材料。第一導(dǎo)電半導(dǎo)體層210可以包括從由以下項組成的組中選擇的至少一個GaN、 InN, A1N、InGaN, AlGaN, InAlGaN, AlInN, AlGaAs, InGaAs, AlInGaAs, GaP、AlGaP, InGaP, AnnGaP、以及 InP。第一導(dǎo)電半導(dǎo)體層210可以包括通過CVD、MBE、濺射或HVPE形成的N型GaN層。 另外，通過將包括諸如硅的η型雜質(zhì)的硅烷(SiH4)氣體、三甲基鎵(TMGa)氣體、氨氣(NH3)、 以及氮氣(N2)注入腔室中，能夠形成第一導(dǎo)電半導(dǎo)體層210。在基板100上可以形成有緩沖層(未示出)。該緩沖層可以減少該發(fā)光結(jié)構(gòu)200 與基板100之間的晶格失配。該緩沖層可以包括III-V族化合物半導(dǎo)體。例如，該緩沖層可以包括GaN、InN, AlN, InGaN, AlGaN, InAlGaN、以及AUnN中的至少一種。在該緩沖層上能夠形成有未摻雜的半導(dǎo)體層，但本實施例不限于此。利用通過第一導(dǎo)電半導(dǎo)體層210注入的電子和通過第二導(dǎo)電半導(dǎo)體層230注入的空穴的復(fù)合，有源層220發(fā)出具有基于該有源層(發(fā)光層)的本征能帶而確定的能量的光。有源層220可以包括如下結(jié)構(gòu)中的至少一種單量子阱結(jié)構(gòu)、多量子阱(MQW)結(jié)構(gòu)、量子線結(jié)構(gòu)或量子點結(jié)構(gòu)。例如，通過注入TMfe1氣體、NH3氣體、N2氣體以及三甲基銦 (TMIn)氣體，能夠?qū)⒂性磳?20制備為MQW結(jié)構(gòu)，但本實施例不限于此。有源層220可以具有阱層/阻擋層的成對結(jié)構(gòu)，所述阱層/阻擋層包括hGaN/ GaN, InGaN/InGaN, GaN/AlGaN、InAlGaN/GaN, GaAs (InGaAs)/AlGaAs、以及 GaP(InGaP)/ AlGaP中的至少一種，但本實施例不限于此。該阱層可以包括其帶隙比阻擋層的帶隙小的材料。在有源層220上和/或下方可以形成有導(dǎo)電包覆層(未示出)。該導(dǎo)電包覆層可以包括AlGaN基半導(dǎo)體，該AKiaN基半導(dǎo)體的帶隙比有源層220的帶隙大。第二導(dǎo)電半導(dǎo)體層230包括摻雜有第二導(dǎo)電摻雜物的III-V族化合物半導(dǎo)體。 例如第二導(dǎo)電半導(dǎo)體層230可以包括組成式為Ιη/ ρ ^Να)彡χ彡1,0 ^ y ^ 1， 0 ^ x+y ^ 1)的半導(dǎo)體材料。詳細(xì)地，第二導(dǎo)電半導(dǎo)體層230可包括從由以下項組成的組中選擇的一個:GaN, AlN, AlGaN, InGaN, InN, hAlfeiN、AUnN、AWaAs、GaP、GaAs、GaAsP、以及Alfe^nP。如果第二導(dǎo)電半導(dǎo)體層230是P型半導(dǎo)體層，則該第二導(dǎo)電摻雜物包括諸如 Mg.ZnXa.Sr或Ba的P型摻雜物。第二導(dǎo)電半導(dǎo)體層230可以制備為單層或多層，但本實施例不限于此。第二導(dǎo)電半導(dǎo)體層230可以包括通過將包括ρ型雜質(zhì)(例如，Mg)的^tCp2Mg) {Mg (C2H5C5H4)2I氣體、TMGa氣體、NH3氣體、以及N2氣體注入腔室中而形成的ρ型GaN層，但本實施例不限于此。根據(jù)該實施例，第一導(dǎo)電半導(dǎo)體層210可以包括N型半導(dǎo)體層，而第二導(dǎo)電半導(dǎo)體層230可以包括P型半導(dǎo)體層，但本實施例不限于此。另外，在第二導(dǎo)電半導(dǎo)體層230上， 能夠形成有其極性與第二導(dǎo)電半導(dǎo)體層230的極性相反的的半導(dǎo)體層，例如N型半導(dǎo)體層 (未示出)。因此，發(fā)光結(jié)構(gòu)200可以包括如下結(jié)構(gòu)中的一種Ν-Ρ結(jié)結(jié)構(gòu)、P-N結(jié)結(jié)構(gòu)、N-P-N 結(jié)結(jié)構(gòu)、以及P-N-P結(jié)結(jié)構(gòu)。然后，如圖5所示，具有多個介電層的第一反射層310形成在基板100下方。根據(jù)該實施例，多個介電層能夠在第一反射層310的下端處反復(fù)堆疊。用于形成具有多個介電層的第一反射層310的步驟可以包括下述步驟形成具有第一折射率的第一介電層311 ；以及，在第一介電層311下方形成第二介電層312，該第二介電層312具有與第一折射率不同的第二折射率。第一介電層311的折射率可以低于第二介電層312或基板100的折射率，但本實施例不限于此。如果第一介電層311的折射率低于基板100的折射率，則入射到基板100中的光在基板100與第一介電層311之間被全反射，從而將光反射到外部，由此提高反射率。第一介電層311和第二介電層312的厚度可以是λ/GnXcos θ )，其中λ是光的波長，η是每個介電層的折射率，而θ是光相對于所述基板的處于0°至25°的范圍內(nèi)的入射角。另外，第一介電層311和第二介電層312可以交替地堆疊多次。例如，如果包括相對于450nm的藍(lán)光波長具有1. 46的折射率的SiO2層的第一介電層311以及包括相對于450nm的藍(lán)光波長具有2. 44的折射率的TW2層的第二介電層312 以四分之一波長堆疊(λ/4η)的形式被反復(fù)堆疊在藍(lán)寶石基板100下方，則能夠獲得與堆疊的數(shù)目成比例的較高反射率，但本實施例不限制介電層的數(shù)目和材料。然后，如圖6所示，第二反射層320形成在第一反射層310下方，該第二反射層320 具有比第一反射層310的折射率低的折射率。例如，支撐層410介于第一反射層310和副底座400之間，并且發(fā)光器件芯片附接到副底座400，從而在第一反射層310下方形成了具有比第一反射層310的折射率低的折射率的第二反射層320。如果第一反射層310的最下一層的折射率與第一反射層的的折射率類似，那么在特定的入射角處，反射率可能降低。為了解決上述問題，其折射率與空氣的折射率類似的第二反射層320形成在第一反射層310的最下一層的下方，以允許第一反射層310具有與金屬反射層的反射特性類似的反射特性。S卩，如圖6所示，支撐層410設(shè)置在副底座400上，從而反射層310能夠被支撐在
該空氣層上。在這樣的情況下，支撐層410可以包括諸如Cu或Au的金屬材料，但本實施例不限于此。由于該支撐層410，第二反射層320可以被制備為空氣層。
副底座400具有優(yōu)異的導(dǎo)熱性并具有與發(fā)光結(jié)構(gòu)200的熱膨脹系數(shù)類似的熱膨脹系數(shù)。根據(jù)該實施例，副底座400可以包括硅(Si)，但本實施例不限于此。通過使用聚合物粘合劑，能夠?qū)l(fā)光器件芯片附接到該副底座，但本實施例不限于此。例如，通過焊接Ag導(dǎo)電環(huán)氧樹脂(epoxy)，能夠?qū)l(fā)光器件芯片附接到副底座 400。另外，如果需要高的導(dǎo)熱性，則能夠通過共晶結(jié)合方案將發(fā)光器件芯片附接到副底座 400，但本實施例不限于此。根據(jù)第一實施例的發(fā)光器件及其制造方法、以及發(fā)光器件封裝，該橫向型發(fā)光器件的反射層被制備為多個介電層的組合，并且在該介電層下方形成有其折射率比該介電層的折射率低的層，從而該反射層可以在不降低可靠性的情況下具有比根據(jù)現(xiàn)有技術(shù)的金屬層的反射率高的反射率。圖7是示出根據(jù)第二實施例的發(fā)光器件的截面圖。該第二實施例可以采用第一實施例的技術(shù)特征。根據(jù)第二實施例，如圖7所示，第二反射層330形成在用作第一反射層310的多個介電層下方，該第二反射層330具有介于空氣的折射率和第一反射層310的折射率之間的折射率(例如，與空氣的的折射率類似)。第二反射層330可以包括旋涂玻璃和MgF2中的至少一種，但本實施例不限于此。根據(jù)第二實施例的發(fā)光器件和發(fā)光器件封裝，該橫向型發(fā)光器件的反射層被制備為多個介電層的組合，并且在該介電層下方形成有其折射率比該介電層的折射率低的層， 從而該反射層可以在不降低可靠性的情況下具有比根據(jù)現(xiàn)有技術(shù)的金屬反射層的反射率高的反射率。圖8是示出根據(jù)所述實施例的包括發(fā)光器件的發(fā)光器件封裝500的視圖。參考圖8，發(fā)光器件封裝500包括主體(副底座)400 ；第三電極層510和第四電極層520，該第三電極層510和第四電極層520形成在主體400上；發(fā)光器件250，該發(fā)光器件250設(shè)置在主體400上，并且電連接到第三電極層510和第四電極層520 ；以及成型構(gòu)件 540,該成型構(gòu)件540包圍發(fā)光器件250。主體400可以包括硅、合成樹脂或金屬材料。圍繞該發(fā)光器件250可以形成有傾斜表面。第三電極層510和第四電極層520彼此電氣隔離，以向發(fā)光器件250供應(yīng)電力。另外，第三電極層510和第四電極層520反射從發(fā)光器件250發(fā)出的光，以提高光效率并將發(fā)光器件250產(chǎn)生的熱量散發(fā)到外部。能夠采用圖1或圖7所示的橫向型發(fā)光器件作為發(fā)光器件250，但本實施例不限于此。例如，也能夠使用垂直型發(fā)光器件作為該發(fā)光器件250。發(fā)光器件250能夠安裝在主體400上或者安裝在第三電極層510或第四電極層 520 上。發(fā)光器件250可以通過電線530電連接到第三電極層510和/或第四電極層520。 盡管本實施例示出的是橫向型發(fā)光器件250和兩根電線530，但本實施例不限于此。成型構(gòu)件540包圍發(fā)光器件250，以保護(hù)該發(fā)光器件250。另外，成型構(gòu)件540可以包括冷光材料，以改變從發(fā)光器件250發(fā)出的光的波長。
根據(jù)本實施例的發(fā)光器件封裝能夠用在照明系統(tǒng)中。該照明系統(tǒng)可以包括圖9所示的照明單元和圖10所示的背光單元。另外，該照明系統(tǒng)可以包括信號燈、車輛的頭燈、以及布告板。圖9是示出根據(jù)該實施例的照明單元1100的透視圖。參考圖9，照明單元1100包括殼體1110、安裝在殼體1110中的發(fā)光模塊1130、 以及連接端子1120，該連接端子1120安裝在殼體1110中，以接收來自外部電源的電力。優(yōu)選地，殼體1110包括具有優(yōu)異散熱性能的材料。例如，殼體1110包括金屬材料或樹脂材料。發(fā)光模塊1130可以包括基板1132和安裝在基板1132上的至少一個發(fā)光器件封裝 500?；?132包括印制有電路圖案的絕緣構(gòu)件。例如，基板1132包括PCB (印制電路板)、MC (金屬芯)PCB、柔性PCB、或者陶瓷PCB。另外，基板1132可以包括有效反射光的材料?；?132的表面能夠涂有預(yù)定顏色，例如白色或銀色，以有效反射光。至少一個發(fā)光器件封裝500能夠安裝在基板1132上。每個發(fā)光器件封裝500均可以包括至少一個LED (發(fā)光二極管)。該LED可以包括發(fā)出紅色光、綠色光、藍(lán)色光或白色光的彩色LED以及發(fā)出UV光的UV (紫外線)LED。發(fā)光模塊1130的發(fā)光器件封裝500能夠布置成各種構(gòu)造，以提供各種顏色和亮度。例如，白光LED、紅光LED和綠光LED能夠組合，以實現(xiàn)高顯色指數(shù)(CRI)。連接端子1120電連接到發(fā)光模塊1130，以向發(fā)光模塊1130供應(yīng)電力。參考圖9， 連接端子1120具有與外部電源螺紋聯(lián)接的插口的形狀，但本實施例不限于此。例如，連接端子1120能夠制備成插頭的形式，該插頭插入到外部電源中或者通過電線連接至外部電源。圖10是示出根據(jù)實施例的背光單元1200的分解透視圖。根據(jù)該實施例的背光單元1200包括導(dǎo)光板1210 ；發(fā)光模塊1M0，該發(fā)光模塊 1240用于將光提供給導(dǎo)光板1210 ；反射構(gòu)件1220，該反射構(gòu)件1220位于導(dǎo)光板2110下方； 以及底蓋1230，該底蓋1230用于將導(dǎo)光板1210、發(fā)光模塊1240以及反射構(gòu)件1220容納在其內(nèi)，但本實施例不限于此。導(dǎo)光板1210使光漫射以提供表面光。導(dǎo)光板1210包括透明材料。例如，通過使用諸如PMMA(聚甲基丙烯酸甲酯)的丙烯酸基樹脂、PET (聚對苯二甲酸乙二酯)、PC(聚碳酸酯)、COC(環(huán)烯烴共聚物)或者PEN(聚萘二甲酸乙二酯)樹脂，能夠制造該導(dǎo)光板1210。發(fā)光模塊1240向?qū)Ч獍?210的橫向側(cè)提供光，并且用作包括該背光單元的顯示裝置的光源。發(fā)光模塊1240能夠定位成鄰近該導(dǎo)光板1210，但本實施例不限于此。詳細(xì)地，發(fā)光模塊1240包括基板1242和安裝在該基板1242上的多個發(fā)光器件封裝500，并且基板 1242能夠鄰近該導(dǎo)光板1210，但本實施例不限于此?；?242可以包括具有電路圖案(未示出)的印制電路板(PCB)。另外，基板 1242還可以包括金屬芯PCB (MCPCB)或柔性PCB (FPCB)，但本實施例不限于此。另外，發(fā)光器件封裝500布置在基板1242上，使得該發(fā)光器件封裝500的出光表面與導(dǎo)光板1210間隔開預(yù)定距離。反射構(gòu)件1220設(shè)置在導(dǎo)光板1210下方。反射構(gòu)件1220把穿過導(dǎo)光板1210的底表面向下行進(jìn)的光朝著導(dǎo)光板1210反射，從而提高該背光單元的亮度。例如，反射構(gòu)件 1220可以包括PET、PC或PVC樹脂，但本實施例不限于此。底蓋1230可以將導(dǎo)光板1210、發(fā)光模塊1M0、以及反射構(gòu)件1220容納在其內(nèi)。為此，底蓋1230具有盒狀形狀，帶有敞口的頂表面，但本實施例不限于此。通過使用金屬材料或樹脂材料，利用沖壓工藝或擠壓工藝能夠制造該底蓋1230。在本說明書中任何對于“一個實施例”、“一實施例”、“示例性實施例”等的引用均意味著結(jié)合該實施例描述的特定特征、結(jié)構(gòu)或特性被包括在本發(fā)明的至少一個實施例中。 在本說明書中各處出現(xiàn)的這類短語不必都表示同一實施例。此外，當(dāng)結(jié)合任何實施例來描述特定特征、結(jié)構(gòu)或特性時，認(rèn)為結(jié)合這些實施例中的其它實施例來實現(xiàn)這種特征、結(jié)構(gòu)或特性也在本領(lǐng)域技術(shù)人員的理解范圍內(nèi)。雖然已經(jīng)參照本發(fā)明的多個示例性實施例描述了實施例，但應(yīng)當(dāng)理解，本領(lǐng)域的技術(shù)人員可以構(gòu)思出許多將落入本公開內(nèi)容的原理的精神和范圍內(nèi)的其它修改和實施例。 尤其是，在本公開內(nèi)容、附圖和所附權(quán)利要求的范圍內(nèi)，主題組合布置結(jié)構(gòu)的組成部件和/ 或布置結(jié)構(gòu)方面的各種變化和修改都是可能的。對于本領(lǐng)域的技術(shù)人員來說，除了所述組成部件和/或布置結(jié)構(gòu)方面的變化和修改之外，替代用途也將是顯而易見的。
權(quán)利要求
1.一種發(fā)光器件，包括發(fā)光結(jié)構(gòu)，所述發(fā)光結(jié)構(gòu)包括第一導(dǎo)電半導(dǎo)體層、有源層、以及第二導(dǎo)電半導(dǎo)體層； 基板，所述基板位于所述發(fā)光結(jié)構(gòu)上方；第一反射層，所述第一反射層具有多個介電層，所述多個介電層包括第一介電層和第二介電層，所述第一介電層位于所述基板上方并具有第一折射率，所述第二介電層位于所述第一介電層上方并具有與所述第一折射率不同的第二折射率；以及第二反射層，所述第二反射層位于所述第一反射層上方，所述第二反射層的折射率比所述第一反射層的每個介電層的折射率低。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的發(fā)光器件，還包括支撐層，所述支撐層形成在所述第一反射層的一部分處，并且其中所述第二反射層包括空氣層。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的發(fā)光器件，其中，所述第二反射層具有介于所述第一反射層的折射率和空氣的折射率之間的折射率。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的發(fā)光器件，其中，所述第二反射層包括旋涂玻璃和MgF2中的至少一種。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的發(fā)光器件，其中，所述第一介電層和所述第二介電層的厚度是X/GnXC0Se)，其中，λ是光的波長，η是每個介電層的折射率，而θ是光相對于所述基板的處于0°至25°的范圍內(nèi)的入射角。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的發(fā)光器件，其中，所述第一介電層的折射率低于所述第二介電層的折射率。
7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的發(fā)光器件，其中，所述第一介電層的折射率低于所述基板的折射率。
8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的發(fā)光器件，其中，所述第一介電層和所述第二介電層以交替方式堆疊多次。
9.根據(jù)權(quán)利要求2所述的發(fā)光器件，其中，所述支撐層包括金屬材料。
10.一種發(fā)光器件封裝，包括 封裝主體；電極層，所述電極層位于所述封裝主體上；以及根據(jù)權(quán)利要求1至9中的一項所述的發(fā)光器件，所述發(fā)光器件電連接到所述電極層。
11.一種照明系統(tǒng)，包括 基板；以及發(fā)光模塊，所述發(fā)光模塊包括位于所述基板上的根據(jù)權(quán)利要求10所述的發(fā)光器件封裝。
全文摘要
本發(fā)明公開了一種發(fā)光器件、發(fā)光器件封裝以及照明系統(tǒng)。該發(fā)光器件包括發(fā)光結(jié)構(gòu)，該發(fā)光結(jié)構(gòu)包括第一導(dǎo)電半導(dǎo)體層、有源層、以及第二導(dǎo)電半導(dǎo)體層；基板，該基板位于所述發(fā)光結(jié)構(gòu)上方；第一反射層，該第一反射層具有多個介電層，所述多個介電層包括第一介電層和第二介電層，該第一介電層位于所述基板上方并具有第一折射率，該第二介電層位于第一介電層上方并具有與第一折射率不同的第二折射率；以及第二反射層，該第二反射層位于第一反射層上方，該第二反射層的折射率比第一反射層的每個介電層的折射率低。
文檔編號H01L33/46GK102201519SQ20101062173
公開日2011年9月28日 申請日期2010年12月29日 優(yōu)先權(quán)日2010年3月22日
發(fā)明者崔云慶, 金鮮京 申請人:Lg伊諾特有限公司