專利名稱：一種壓片通氣排及打線機的制作方法
技術領域：
本實用新型涉及芯片打線(wire bond)過程中所使用的部件及裝置，尤其涉及一 種壓片通氣排和安裝有該壓片通氣排的打線機。
背景技術：
MOSFET系列產品的芯片表面鋁層較薄，傳統打線的鋁絲工藝生產效率比較低，而 且生產時容易出現彈坑現象。如通過自動打線機(銅絲打線)打線則可以提供生產效率， 但銅絲燒球時容易被氧化，這將較大程度地影響打線的質量。

實用新型內容本實用新型的第一個目的是為了解決銅絲燒球時易被氧化的問題，提供一種壓片 通氣排。本實用新型采用的技術方案為一種壓片通氣排，包括頂板和底板，所述頂板包括 頂板本體和設置在頂板本體上的可將氣體導向頂板本體下方的氣嘴；所述底板包括底板本 體，所述底板本體上設置有多個貫通底板本體的氣孔；所述底板本體位于頂板本體的下方， 并且安裝在所述頂板本體上；所述頂板本體和底板本體在所述氣孔的四周密封連接。3.本實用新型的另一個目的是提供一種能夠有效防止銅絲燒球時被氧化的打線 機。本實用新型采用的技術方案為一種打線機，在所述打線機的軌道上安裝有兩塊 上述壓片通氣排，兩塊壓片通氣排分別位于打線機的打線頭的兩側；所述壓片通氣排的底 板朝向所述軌道，所述壓片通氣排的氣嘴上均安裝有用于運輸氮氣和氫氣混合氣體的氣 管，所述氣管與所述打線機的氣體供應裝置連通。本實用新型的有益效果為通過軌道上加入氫和氮氣保護后，產品從一開始進入 軌道后產品就被保護，燒球后通過氣體保護，燒球焊點就可以減小功率和壓力，而產品也不 會出現虛焊，彈坑等不良現象。另外，銅絲的導電性能比鋁絲好，拉線時可以采用具有較小 線徑的引線，這樣可以減小焊點尺寸，進一步減小出現彈坑的幾率。

圖1為本實用新型所述壓片通氣排的立體結構示意圖；圖2為圖1所示壓片通氣排的頂板的俯視圖；圖3為圖1所示壓片通氣排的底板的仰視圖；圖4為本實用新型所述打線的局部結構示意圖。
具體實施方式
如圖1、2和3所示，本實用新型所述壓片通氣排10包括頂板11和安裝在頂板底 面上的底板12，其中，所述頂板11包括頂板本體111和設置在頂板本體上的可將氣體導向頂板下方的氣嘴112 ；所述底板12包括底板本體121，所述底板本體121上設置有多個貫通 底板本體的氣孔122。所述頂板本體111和底板本體121在氣孔122的四周密封連接，使得 經氣嘴112進入的氣體可以完全通過氣孔122排出。所述頂板本體111可以由塑料制成，而所述底板本體121可由金屬制成。如圖4所示，本實用新型所述的打線機，其軌道20上安裝有兩塊本實用新型所述 的壓片通氣排10，軌道20上安裝有打線用的基板50，所述基板50位于打線頭(圖4中未 示出)的下方，而兩塊壓片通氣排10則分別位于打線頭的兩側。所述壓片通氣排10的氣 嘴112上均安裝有用于運輸氮氣和氫氣混合氣體的氣管30。所述壓片通氣排10可以保證 產品在軌道上排片時不會出現歪斜和上翹的問題。另外，混合氣體由頂板11的氣嘴注入， 并由底板12上的氣孔122導入軌道內，以此來保護產品；其中，氮氣的主要作用是將軌道上 的空氣排出，以此來保護產品不受氧化；氫氣的主要作用是利用其還原特性，在銅絲燒球后 進行還原，使其不被氧化。本實用新型所述打線機在其它部分并未進行改進設計，因此不作 具體說明。綜上所述僅為本實用新型較佳的實施例，并非用來限定本實用新型的實施范圍。 即凡依本實用新型申請專利范圍的內容所作的等效變化及修飾，皆應屬于本實用新型的技 術范疇。
權利要求一種壓片通氣排，其特征在于包括頂板和底板，所述頂板包括頂板本體和設置在頂板本體上的可將氣體導向頂板本體下方的氣嘴；所述底板包括底板本體，所述底板本體上設置有多個貫通底板本體的氣孔；所述底板本體位于頂板本體的下方，并且安裝在所述頂板本體上；所述頂板本體和底板本體在所述氣孔的四周密封連接。
2.一種打線機，其特征在于在所述打線機的軌道上安裝有兩塊權利要求1所述的壓 片通氣排，兩塊壓片通氣排分別位于打線機的打線頭的兩側；所述壓片通氣排的底板朝向 所述軌道，所述壓片通氣排的氣嘴上均安裝有用于運輸氮氣和氫氣混合氣體的氣管，所述 氣管與所述打線機的氣體供應裝置連通。
專利摘要本實用新型公開了一種壓片通氣排及打線機，屬于芯片打線領域，該壓片通氣排包括頂板和底板，頂板包括頂板本體和設置在頂板本體上的可將氣體導向頂板本體下方的氣嘴；底板包括底板本體，底板本體上設置有多個貫通底板本體的氣孔；底板本體位于頂板本體的下方，并且安裝在頂板本體上；所述頂板本體和底板本體在所述氣孔的四周密封連接。該打線機在其軌道上安裝兩塊上述壓片通氣排，以向軌道內導入氫氣和氮氣混合氣體，以此來保護產品。
文檔編號H01L21/60GK201623012SQ201020104170
公開日2010年11月3日 申請日期2010年1月29日 優(yōu)先權日2010年1月29日
發(fā)明者王勇 申請人:深圳市三浦半導體有限公司