專利名稱：一種半導(dǎo)體晶圓片高溫?cái)U(kuò)散舟的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本實(shí)用新型涉及的是一種擴(kuò)散舟，尤其是一種半導(dǎo)體晶圓片高溫?cái)U(kuò)散舟。
背景技術(shù)：
目前半導(dǎo)體產(chǎn)品都需經(jīng)過高溫?cái)U(kuò)散的工序，按照需要改變產(chǎn)品的電阻率，而在高 溫?cái)U(kuò)散過程中必須有高度純凈、耐高溫、軟化點(diǎn)高等特性。現(xiàn)有技術(shù)中，擴(kuò)散舟多為刻槽舟，即在石英玻璃上刻槽來(lái)盛放圓晶片，石英玻璃的 抗高溫軟化性較差，長(zhǎng)時(shí)間高溫下容易變形，會(huì)導(dǎo)致晶圓片斷裂、破碎；圓晶片盛放在刻槽 內(nèi)，圓晶片的大部分是與刻槽接觸，與未接觸部分相比，擴(kuò)散濃度會(huì)不同，影響圓片的質(zhì)量。 這是現(xiàn)有技術(shù)所存在的不足之處。
發(fā)明內(nèi)容本實(shí)用新型的目的，就是針對(duì)現(xiàn)有技術(shù)所存在的不足，而提供一種半導(dǎo)體晶圓片 高溫?cái)U(kuò)散舟的技術(shù)方案，該方案的擴(kuò)散舟，結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單，高溫下不宜變形，并且減少了與圓晶 片的接觸面積。本方案是通過如下技術(shù)措施來(lái)實(shí)現(xiàn)的一種半導(dǎo)體晶圓片高溫?cái)U(kuò)散舟，包括有擋 板，本方案的特點(diǎn)是所述的擋板包括前擋板和后擋板，在兩個(gè)擋板之間固定有多個(gè)碳化硅 柱，另外，在前擋板上還固定有一舟頭。所述的碳化硅柱為四個(gè)，分別為兩個(gè)碳化硅側(cè)柱和 兩個(gè)碳化硅底柱。所述的舟頭為圓弧形。本方案的有益效果可根據(jù)對(duì)上述方案的敘述得知，由于在該方案中有前擋板，可 以保護(hù)圓晶片，防止拉動(dòng)擴(kuò)散舟進(jìn)出擴(kuò)散爐時(shí)碰到晶圓片；后擋板可以防止擴(kuò)散爐管尾部 通入的氣體吹到圓晶片上，影響整體擴(kuò)散質(zhì)量；碳化硅柱可以固定圓晶片，并且減少了與圓 晶片的接觸面積，在高溫時(shí)，不會(huì)將形變作用力傳遞給圓晶片；本擴(kuò)散舟沒有刻槽，可以增 加晶圓片的數(shù)量，提高生產(chǎn)效率，降低成本。由此可見，本實(shí)用新型與現(xiàn)有技術(shù)相比，具有實(shí) 質(zhì)性特點(diǎn)和進(jìn)步，其實(shí)施的有益效果也是顯而易見的。


圖1為本實(shí)用新型具體實(shí)施方式
的結(jié)構(gòu)示意圖。圖中，1為舟頭，2為前擋板，3為碳化硅底柱，4為碳化硅側(cè)柱，5為后擋板，6為拉孔。
具體實(shí)施方式
為能清楚說(shuō)明本方案的技術(shù)特點(diǎn)，下面通過一個(gè)具體實(shí)施方式
，并結(jié)合其附 圖，對(duì)本方案進(jìn)行闡述。通過附圖可以看出，本方案的半導(dǎo)體晶圓片高溫?cái)U(kuò)散舟，包括有前擋板2和后擋 板5，在兩個(gè)擋板之間固定有四個(gè)碳化硅柱，分別為兩個(gè)碳化硅側(cè)柱4和兩個(gè)碳化硅底柱3， 另外，在前擋板2上還固定有一圓弧形的舟頭1，舟頭上還設(shè)置有一拉孔6，方便拉動(dòng)整個(gè)擴(kuò) 散舟。
權(quán)利要求一種半導(dǎo)體晶圓片高溫?cái)U(kuò)散舟，包括有擋板，其特征是所述的擋板包括前擋板和后擋板，在兩個(gè)擋板之間固定有多個(gè)碳化硅柱，另外，在前擋板上還固定有一舟頭。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體晶圓片高溫?cái)U(kuò)散舟，其特征是所述的碳化硅柱為四 個(gè)，分別為兩個(gè)碳化硅側(cè)柱和兩個(gè)碳化硅底柱。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體晶圓片高溫?cái)U(kuò)散舟，其特征是所述的舟頭為圓弧形。
專利摘要本實(shí)用新型提供了一種半導(dǎo)體晶圓片高溫?cái)U(kuò)散舟的技術(shù)方案，該方案的擴(kuò)散舟，包括有前擋板和后擋板，在兩個(gè)擋板之間固定有多個(gè)碳化硅柱，另外，在前擋板上還固定有一舟頭。該方案的擴(kuò)散舟，結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單，高溫下不宜變形，并且減少了與圓晶片的接觸面積。
文檔編號(hào)H01L21/673GK201681800SQ20102015895
公開日2010年12月22日 申請(qǐng)日期2010年4月15日 優(yōu)先權(quán)日2010年4月15日
發(fā)明者呂明, 李秉永, 郭城, 魏繼昊 申請(qǐng)人:山東科芯電子有限公司