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      埋入型單基島多圈引腳無源器件封裝結(jié)構(gòu)的制作方法

      文檔序號:6966756閱讀:193來源:國知局
      專利名稱:埋入型單基島多圈引腳無源器件封裝結(jié)構(gòu)的制作方法
      技術(shù)領(lǐng)域
      本實(shí)用新型涉及一種埋入型單基島多圈引腳無源器件封裝結(jié)構(gòu)。屬于半導(dǎo)體封裝 技術(shù)領(lǐng)域。
      背景技術(shù)
      傳統(tǒng)的封裝結(jié)構(gòu),詳細(xì)如下說明采用金屬基板的正面進(jìn)行化學(xué)蝕刻及表面電鍍層后,即完成引線框的制作(如圖 3所示)。而引線框的背面則在封裝過程中再進(jìn)行背面蝕刻。而上述的引線框在封裝過程中存在了以下的不足點(diǎn)此種的引線框架結(jié)構(gòu)在金屬基板正面進(jìn)行了半蝕刻工藝,因?yàn)橹辉诮饘倩逭?進(jìn)行了半蝕刻工作,而在塑封過程中塑封料只有包覆住半只腳的高度,所以塑封體與金屬 腳的束縛能力就變小了,如果塑封體貼片到PCB板上不是很好時(shí),再進(jìn)行返工重貼,就容易 產(chǎn)生掉腳的問題(如圖4所示)。尤其塑封料的種類是采用有填料時(shí)候,因?yàn)椴牧显谏a(chǎn)過程的環(huán)境與后續(xù)表面貼 裝的應(yīng)力變化關(guān)系,會造成金屬與塑封料產(chǎn)生垂直型的裂縫,其特性是填料比例越高則越 硬越脆越容易產(chǎn)生裂縫。

      發(fā)明內(nèi)容本實(shí)用新型的目的在于克服上述不足,提供一種塑封體與金屬腳的束縛能力大的 埋入型單基島多圈弓I腳無源器件封裝結(jié)構(gòu)。本實(shí)用新型的目的是這樣實(shí)現(xiàn)的一種埋入型單基島多圈引腳無源器件封裝結(jié) 構(gòu),包括基島、引腳、導(dǎo)電或不導(dǎo)電粘結(jié)物質(zhì)、芯片、金屬線和有填料塑封料,在所述基島和 引腳的正面設(shè)置有第一金屬層,在所述引腳的背面設(shè)置有第二金屬層,在基島正面通過導(dǎo) 電或不導(dǎo)電粘結(jié)物質(zhì)設(shè)置有芯片,芯片正面與引腳正面第一金屬層之間用金屬線連接,在 引腳與引腳之間或引腳與基島之間跨接有無源器件,在所述基島和引腳的上部以及芯片、 金屬線和無源器件外包封有填料塑封料,所述基島設(shè)置有一個(gè),引腳設(shè)置有多圈,在所述引 腳外圍、基島背面、基島與引腳之間的區(qū)域以及引腳與引腳之間的區(qū)域嵌置無填料塑封料, 所述無填料塑封料將引腳下部外圍、基島背面、基島背面與引腳的下部以及引腳與引腳的 下部連接成一體,且使所述引腳背面尺寸小于引腳正面尺寸,形成上大下小的引腳結(jié)構(gòu)。本實(shí)用新型的有益效果是1)由于在所述金屬腳與金屬腳間的區(qū)域嵌置無填料軟性填縫劑,該無填料軟性填 縫劑與在塑封過程中的常規(guī)有填料塑封料一起包覆住整個(gè)金屬腳的高度,所以塑封體與金 屬腳的束縛能力就變大了,不會再有產(chǎn)生掉腳的問題。2)由于采用了正面與背面分開蝕刻作業(yè)的方法,所以在蝕刻作業(yè)中可形成背面基 島的尺寸稍小而正面基島尺寸稍大的結(jié)構(gòu),而同個(gè)基島的上下大小不同尺寸在被無填料塑 封料所包覆的更緊更不容易產(chǎn)生滑動而掉腳。
      圖1為本實(shí)用新型埋入型單基島多圈引腳無源器件封裝結(jié)構(gòu)示意圖。圖2為圖1的俯視圖。圖3為以往形成絕緣腳示意圖。圖4為以往形成的掉腳圖。圖中附圖標(biāo)記基島1、引腳2、無填料塑封料3、第一金屬層4、第二金屬層5、導(dǎo)電或不導(dǎo)電粘結(jié)物 質(zhì)6、芯片7、金屬線8、有填料塑封料9、無源器件10。
      具體實(shí)施方式
      參見圖1 2,圖1為本實(shí)用新型埋入型單基島多圈引腳無源器件封裝結(jié)構(gòu)示意 圖。圖2為圖1的俯視圖。由圖1和圖2可以看出,本實(shí)用新型埋入型單基島多圈引腳無 源器件封裝結(jié)構(gòu),包括基島1、引腳2、導(dǎo)電或不導(dǎo)電粘結(jié)物質(zhì)6、芯片7、金屬線8和有填料 塑封料9,在所述基島1和引腳2的正面設(shè)置有第一金屬層4,在所述引腳2的背面設(shè)置有 第二金屬層5,在基島1正面通過導(dǎo)電或不導(dǎo)電粘結(jié)物質(zhì)6設(shè)置有芯片7,芯片7正面與引 腳2正面第一金屬層4之間用金屬線8連接,在引腳2與引腳2之間或引腳2與基島1之 間跨接有無源器件10,在所述基島1和引腳2的上部以及芯片7、金屬線8和無源器件10 外包封有填料塑封料9,所述基島1設(shè)置有一個(gè),引腳2設(shè)置有多圈,在所述引腳2外圍、基 島1背面、基島1與引腳2之間的區(qū)域以及引腳2與引腳2之間的區(qū)域嵌置無填料塑封料 3,所述無填料塑封料3將引腳2下部外圍、基島1背面、基島1背面與引腳2的下部以及引 腳2與引腳2的下部連接成一體,且使所述引腳2背面尺寸小于引腳2正面尺寸,形成上大 下小的引腳結(jié)構(gòu)。
      權(quán)利要求一種埋入型單基島多圈引腳無源器件封裝結(jié)構(gòu),包括基島(1)、引腳(2)、導(dǎo)電或不導(dǎo)電粘結(jié)物質(zhì)(6)、芯片(7)、金屬線(8)和有填料塑封料(9),在所述基島(1)和引腳(2)的正面設(shè)置有第一金屬層(4),在所述引腳(2)的背面設(shè)置有第二金屬層(5),在基島(1)正面通過導(dǎo)電或不導(dǎo)電粘結(jié)物質(zhì)(6)設(shè)置有芯片(7),芯片(7)正面與引腳(2)正面第一金屬層(4)之間用金屬線(8)連接,在引腳(2)與引腳(2)之間或引腳(2)與基島(1)之間跨接有無源器件(10),在所述基島(1)和引腳(2)的上部以及芯片(7)、金屬線(8)和無源器件(10)外包封有填料塑封料(9),其特征在于所述基島(1)設(shè)置有一個(gè),引腳(2)設(shè)置有多圈,在所述引腳(2)外圍、基島(1)背面、基島(1)與引腳(2)之間的區(qū)域以及引腳(2)與引腳(2)之間的區(qū)域嵌置無填料塑封料(3),所述無填料塑封料(3)將引腳(2)下部外圍、基島(1)背面、基島(1)背面與引腳(2)的下部以及引腳(2)與引腳(2)的下部連接成一體,且使所述引腳(2)背面尺寸小于引腳(2)正面尺寸,形成上大下小的引腳結(jié)構(gòu)。
      專利摘要本實(shí)用新型涉及一種埋入型單基島多圈引腳無源器件封裝結(jié)構(gòu),包括基島(1)、引腳(2)、導(dǎo)電或不導(dǎo)電粘結(jié)物質(zhì)(6)、芯片(7)、金屬線(8)和有填料塑封料(9),在所述基島(1)和引腳(2)的正面設(shè)置有第一金屬層(4),在所述引腳(2)的背面設(shè)置有第二金屬層(5),在引腳(2)與引腳(2)之間或引腳(2)與基島(1)之間跨接有無源器件(10),在引腳(2)外圍、基島(1)背面、基島(1)與引腳(2)之間的區(qū)域以及引腳(2)與引腳(2)之間的區(qū)域嵌置無填料塑封料(3),所述無填料塑封料(3)將引腳(2)下部外圍、基島(1)背面、基島(1)背面與引腳(2)的下部以及引腳(2)與引腳(2)的下部連接成一體,且使所述引腳(2)背面尺寸小于引腳(2)正面尺寸,所述基島(1)設(shè)置有一個(gè),引腳(2)設(shè)置有多圈。本實(shí)用新型的有益效果是塑封體與金屬腳的束縛能力大。
      文檔編號H01L23/31GK201681864SQ201020177450
      公開日2010年12月22日 申請日期2010年4月26日 優(yōu)先權(quán)日2010年4月26日
      發(fā)明者梁志忠, 王新潮 申請人:江蘇長電科技股份有限公司
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