專利名稱：防漏電變壓器的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本實(shí)用新型涉及一種變壓器，具體地說(shuō)是防漏電變壓器。
背景技術(shù)：
目前，Y電容廣泛的應(yīng)用在開(kāi)關(guān)電源中，但Y電容的存在使輸入和輸出線間產(chǎn)生漏 電流。具有Y電容的金屬殼手機(jī)充電器會(huì)讓使用者有觸電的危險(xiǎn)，因此一些手機(jī)制造商目 前開(kāi)始采用無(wú)Y電容的充電器。然而摘除Y電容對(duì)EMI的設(shè)計(jì)帶來(lái)了困難。具有頻抖和頻 率調(diào)制的脈寬調(diào)制器可以改善EMI的性能，但不能絕對(duì)的保證充電器通過(guò)EMI的測(cè)試，必須 在電路和變壓器結(jié)構(gòu)上進(jìn)行改進(jìn)，才能使充電器滿足EMI的標(biāo)準(zhǔn)。

實(shí)用新型內(nèi)容實(shí)用新型目的本實(shí)用新型的目的是針對(duì)現(xiàn)有技術(shù)存在的不足，提供一種防漏電 效果極好的變壓器。技術(shù)方案為實(shí)現(xiàn)上述發(fā)明目的，本實(shí)用新型采用的技術(shù)方案為一種防漏電變壓 器，包括卷線軸，在卷線軸內(nèi)側(cè)底部設(shè)有第一電容層Cm，在第一電容層Cm上方設(shè)有初級(jí)繞 組層Np，在初級(jí)繞組層Np層間設(shè)有第二電容層Cp，在初級(jí)繞組層Np上方設(shè)有第三電容層 Cs，在第三電容層Cs上方設(shè)有次級(jí)繞組層Ns，其中在卷線軸與第一電容層Cm之間設(shè)有第一 屏蔽層，在第三電容層Cs層間設(shè)有第二屏蔽層，在次級(jí)繞組層Ns上方設(shè)有第四電容層Ct，在 次級(jí)繞組層Ns —端設(shè)有負(fù)極與其相接的第一二極管Dl，在第四電容層Ct上方設(shè)有輔助繞組 層Nau，在輔助繞組層Nau與次級(jí)繞組層Ns相同的一端設(shè)有負(fù)極與其相接的第二二極管D2。所述初級(jí)繞組層Np有四層。所述第二電容層Cp有三層。所述第三電容層Cs有兩層。所述第四電容層Ct有兩層。所述第一屏蔽層為銅皮屏蔽層。所述第二屏蔽層為銅皮屏蔽層。 所述輔助繞組層Nau有兩層。有益效果本實(shí)用新型通過(guò)對(duì)產(chǎn)品結(jié)構(gòu)的改進(jìn)，使其具有非常高的防漏電性能。
圖1是本實(shí)用新型結(jié)構(gòu)示意圖；圖2是現(xiàn)有技術(shù)原理圖；圖3是本實(shí)用新型原理圖。
具體實(shí)施方式
以下結(jié)合附圖和具體實(shí)施例，進(jìn)一步闡明本實(shí)用新型，應(yīng)理解這些實(shí)施例僅用于
3說(shuō)明本實(shí)用新型而不用于限制本實(shí)用新型的范圍，在閱讀了本實(shí)用新型之后，本領(lǐng)域技術(shù) 人員對(duì)本實(shí)用新型的各種等價(jià)形式的修改均落于本申請(qǐng)所附權(quán)利要求所限定的范圍。如圖1所示，一種防漏電變壓器，包括卷線軸1，在卷線軸1內(nèi)側(cè)底部設(shè)有第一電 容層Cm2，在卷線軸1與第一電容層Cm2之間設(shè)有第一屏蔽銅皮層7，在第一電容層Cm2上 方設(shè)有四層初級(jí)繞組層Np3，在四層初級(jí)繞組層Np3層間分別設(shè)有三層第二電容層Cp4，在 初級(jí)繞組層Np3上方設(shè)有兩層第三電容層Cs5，在第三電容層Cs5層間設(shè)有第二屏蔽銅皮 層8，在第三電容層Cs5上方設(shè)有次級(jí)繞組層Ns6，在次級(jí)繞組層Ns6上方設(shè)有兩層第四電 容層Ct9，在次級(jí)繞組層Ns6 —端設(shè)有負(fù)極與其相接的第一二極管D111，在第四電容層Ct9 上方設(shè)有兩層輔助繞組層NaulO，在外層輔助繞組層NaulO與次級(jí)繞組層Ns6相同的一端設(shè) 有負(fù)極與其相接的第二二極管D212。工作原理電壓沒(méi)有變化的點(diǎn)稱為靜點(diǎn)或冷點(diǎn)(圖中為黑點(diǎn)表示，下同)，電壓變 化的點(diǎn)稱為動(dòng)點(diǎn)或熱點(diǎn)。初級(jí)的地和Vin都是冷點(diǎn)，對(duì)于輔助繞組和輸出繞組，冷點(diǎn)可以通 過(guò)二極管的位置進(jìn)行調(diào)整。去除Y電容無(wú)法有效的旁路共模電流，導(dǎo)到共模電流噪聲過(guò)大， 無(wú)法通過(guò)測(cè)試標(biāo)準(zhǔn)，設(shè)計(jì)的方法是改進(jìn)變壓器的結(jié)構(gòu)。一般的法加利屏蔽方法不能使設(shè)備 在無(wú)Y電容的情況下通過(guò)EMI的測(cè)試。由于MOSFET的漏極端的電壓變化幅值大，主要針對(duì) 這個(gè)部位進(jìn)行設(shè)計(jì)。永遠(yuǎn)注意電壓的變化是產(chǎn)生差模及共模電流的主要原因，寄生電容是 其流動(dòng)的通道。初級(jí)層間電容的電流一部分形成差模電流，有一部分也會(huì)形成共模電流，這 也表明差模和共模電流可以相互的轉(zhuǎn)換。如果按圖2結(jié)構(gòu)安排冷點(diǎn)和繞組，在沒(méi)有Y電容 時(shí)，基于電壓改變的方向可以得到初級(jí)繞組與次級(jí)繞組及輔助繞組和次級(jí)繞組層間電容的 電流的流動(dòng)方向，初級(jí)繞組和輔助繞組的電流都流入次級(jí)繞組中。調(diào)整冷點(diǎn)后如圖3所示，可以看到，初級(jí)繞組與次級(jí)繞組及輔助繞組和次級(jí)繞組 層間電容的電流的流動(dòng)方向相同，可以相互抵消一部分流入次級(jí)繞組的共模電流，從而減 小總體的共模電流的大小。輔助繞組和次級(jí)繞組的整流二極管放置在下端，從而改變電壓 變化的方向，同時(shí)注意冷點(diǎn)要盡量的靠近，這樣因?yàn)閮烧唛g沒(méi)有電壓的變化，所以不會(huì)產(chǎn)生 共模電流。進(jìn)一步，如果在內(nèi)層及初級(jí)繞組和次級(jí)繞組間放置銅皮，銅皮的寬度小于或等于 初級(jí)繞組的寬度，銅皮的中點(diǎn)由導(dǎo)線引線到冷點(diǎn)，如圖1所示，由于銅皮為冷點(diǎn)，與其接觸 的繞組和銅皮間電壓的擺率降低，從而減小共模電流，同時(shí)將共模電流由銅皮旁路引入到 冷點(diǎn)。注意銅皮的搭接處不能短路，用絕緣膠帶隔開(kāi)，內(nèi)外層銅皮的方向要一致。輔助繞組 和次級(jí)繞組的共模電流可以加輔助屏蔽繞組補(bǔ)償。輔助屏蔽繞組繞制方向與次級(jí)繞組繞制 方向保持一致，輔助屏蔽繞組與次級(jí)繞組的同名端連接到一起并連接到冷點(diǎn)，輔助屏蔽繞 組的另一端浮空。由于它們的電壓變化的方向相同，所以兩者間沒(méi)有電流流動(dòng)。
權(quán)利要求一種防漏電變壓器，包括卷線軸(1)，在卷線軸(1)內(nèi)側(cè)底部設(shè)有第一電容層Cm(2)，在第一電容層Cm(2)上方設(shè)有初級(jí)繞組層Np(3)，在初級(jí)繞組層Np(3)層間設(shè)有第二電容層Cp(4)，在初級(jí)繞組層Np(3)上方設(shè)有第三電容層Cs(5)，在第三電容層Cs(5)上方設(shè)有次級(jí)繞組層Ns(6)，其特征在于在卷線軸(1)與第一電容層Cm(2)之間設(shè)有第一屏蔽層(7)，在第三電容層Cs(5)層間設(shè)有第二屏蔽層(8)，在次級(jí)繞組層Ns(6)上方設(shè)有第四電容層Ct(9)，在次級(jí)繞組層Ns(6)一端設(shè)有負(fù)極與其相接的第一二極管D1(11)，在第四電容層Ct(9)上方設(shè)有輔助繞組層Nau(10)，在輔助繞組層Nau(10)與次級(jí)繞組層Ns(6)相同的一端設(shè)有負(fù)極與其相接的第二二極管D2(12)。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述防漏電變壓器，其特征在于所述初級(jí)繞組層Np(3)有四層。
3.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述防漏電變壓器，其特征在于所述第二電容層Cp(4)有三層。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述防漏電變壓器，其特征在于所述第三電容層(5)Cs有兩層。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述防漏電變壓器，其特征在于所述第四電容層(9)Ct有兩層。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述防漏電變壓器，其特征在于所述第一屏蔽層(7)為銅皮屏蔽層。
7.根據(jù)權(quán)利要求1所述防漏電變壓器，其特征在于所述第二屏蔽層(8)為銅皮屏蔽層。
8.根據(jù)權(quán)利要求1所述防漏電變壓器，其特征在于所述輔助繞組層(10)有兩層。
專利摘要本實(shí)用新型公開(kāi)了一種防漏電變壓器，包括卷線軸，在卷線軸內(nèi)側(cè)底部設(shè)有第一電容層Cm，在第一電容層Cm上方設(shè)有初級(jí)繞組層Np，在初級(jí)繞組層Np層間設(shè)有第二電容層Cp，在初級(jí)繞組層Np上方設(shè)有第三電容層Cs，在第三電容層Cs上方設(shè)有次級(jí)繞組層Ns，其中在卷線軸與第一電容層Cm之間設(shè)有第一屏蔽層，在第三電容層Cs層間設(shè)有第二屏蔽層，在次級(jí)繞組層Ns上方設(shè)有第四電容層Ct，在次級(jí)繞組層Ns一端設(shè)有負(fù)極與其相接的第一二極管D1，在第四電容層Ct上方設(shè)有輔助繞組層Nau，在輔助繞組層Nau與次級(jí)繞組層Ns相同的一端設(shè)有負(fù)極與其相接的第二二極管D2。本實(shí)用新型具有極好的防漏電效果。
文檔編號(hào)H01F27/28GK201673784SQ20102019737
公開(kāi)日2010年12月15日 申請(qǐng)日期2010年5月20日 優(yōu)先權(quán)日2010年5月20日
發(fā)明者朱佳杰, 葛炎 申請(qǐng)人:宜興市創(chuàng)星電子有限公司