專利名稱：一種led發(fā)光組件的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本實(shí)用新型涉及一種半導(dǎo)體組件，尤其是一種LED固態(tài)發(fā)光組件。
背景技術(shù)：
LED (Light Emitting Diode)發(fā)光二極管，是一種固態(tài)的半導(dǎo)體器件，初時(shí)多用作 指示燈、顯示板等，隨著白光LED的出現(xiàn)，越來(lái)越多地被用作照明。發(fā)光二極管是由特殊半導(dǎo)體材料芯片組成的二極管，當(dāng)兩種不同載流子——空穴 和電子在不同的電極電壓作用下從電極流過(guò)PN結(jié)，二者會(huì)產(chǎn)生復(fù)合，電子會(huì)跌落到較低的 能階，同時(shí)以光子的方式釋放出能量。光的波長(zhǎng)、顏色由組成PN結(jié)的半導(dǎo)體材料的禁帶能 量所決定?，F(xiàn)時(shí)生產(chǎn)的白光LED大部分是通過(guò)在藍(lán)光LED上覆蓋一層淡黃色涂層制成的，這 種黃色磷光體通常是通過(guò)把(Ce3+:YAG)晶體磨成粉末后混合在一種稠密的黏合劑中而制 成的。調(diào)校顏色的方法是用稀土金屬鋱或釓取代Ce3+:YAG中的鈰(Ce)，甚至可以用取代 YAG中的部分或全部鋁的方式做到。基于其光譜的特性，紅色和綠色的對(duì)象在這種LED照射 下看起來(lái)會(huì)不及闊譜光源照射時(shí)那么鮮明。且由于生產(chǎn)條件的變異，這種LED的成品的色 溫并不統(tǒng)一，從暖黃色到冷的藍(lán)色都有，在生產(chǎn)過(guò)程中會(huì)以其出來(lái)的特性作出區(qū)分。另一種白光LED的制作方法是在發(fā)出近紫外光的LED上涂上兩種磷光體的混合 物，一種是發(fā)紅光和藍(lán)光的銪，另一種是發(fā)綠光的摻雜了硫化鋅的銅或鋁。此方法生產(chǎn)難度 較高，產(chǎn)品壽命較短。最新的生產(chǎn)方法是在硒化鋅(ZnSe)基板上生長(zhǎng)硒化鋅的磊晶層。通電時(shí)其活躍 地帶會(huì)發(fā)出藍(lán)光，而基板會(huì)發(fā)黃光，混合起來(lái)便是白色光。還有一種LED是將GaN芯片和釔 鋁石榴石(YAG)封裝在一起做成，GaN芯片發(fā)藍(lán)光，高溫?zé)Y(jié)制成的含Ce3+的YAG熒光粉 受此藍(lán)光激發(fā)后，發(fā)出黃色光射，藍(lán)光LED基片安裝在碗形反向反射腔中，覆蓋以混有YAG 的樹脂薄層，LED基片發(fā)出的藍(lán)光部分被熒光粉吸收，另一部分藍(lán)光與熒光粉發(fā)出的黃光混 合，得到白光?，F(xiàn)在，對(duì)于InGaN/YAG白色LED，通過(guò)改變YAG熒光粉的化學(xué)組成和調(diào)節(jié)熒光 粉層的厚度，可以獲得色溫3500——10000K的各色白光。由于光子在半導(dǎo)體和空氣介面的全反向反射，影響GaN基LED的外量子效率低下， 光子的主要損耗對(duì)出光效率產(chǎn)生較大影響。因而，現(xiàn)有技術(shù)還有待于改進(jìn)和提高。

實(shí)用新型內(nèi)容本實(shí)用新型的目的在于提供一種折射效果好，發(fā)光效率高，光損低的高亮度發(fā)光 LED發(fā)光組件。本實(shí)用新型的技術(shù)方案包括一種LED發(fā)光組件，其中，包括絕緣基板、設(shè)置在該基板上的發(fā)光單元、覆蓋在發(fā) 光單元P型批覆層外的外表面呈凹凸?fàn)畹耐该鞔只瘜?。[0012]所述的LED發(fā)光組件，其中，所述的發(fā)光單元包括以磊晶層疊方式形成的磊晶結(jié) 構(gòu)層體、η型批覆層、ρ型批覆層；磊晶結(jié)構(gòu)層體位于η型批覆層與P型批覆層之間。所述的LED發(fā)光組件，其中，所述的η型批覆層的上方預(yù)定位置有與η型批覆層形 成歐姆接觸的η型電極。所述的LED發(fā)光組件，其中，在所述透明粗化層上方確定位置有與P型批覆層形成 歐姆接觸的P型電極。所述的LED發(fā)光組件，其中，所述的透明粗化層外表面形成的凹凸為自然分布，其 深度在0. 1——0. 5 μ Hio本實(shí)用新型產(chǎn)生的技術(shù)效果是本實(shí)用新型采用在基板上設(shè)置以磊晶層疊方式形 成的磊晶結(jié)構(gòu)層體發(fā)光單元，以光電效應(yīng)產(chǎn)生高亮度光源；發(fā)光單元外覆有外表面呈凹凸 狀的透明粗化層，且凹凸分布為自然分布，深度在0. 1—0.5um，使發(fā)光單元發(fā)出的光經(jīng) 由透明粗化層至外界時(shí)送減小被全反射的幾率，折射效果好，對(duì)外發(fā)光效率高，結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單， 生產(chǎn)效率高，成本低。

圖1為本實(shí)用新型結(jié)構(gòu)示意圖。
具體實(shí)施方式

以下結(jié)合附圖實(shí)施例，說(shuō)明本實(shí)用新型的結(jié)構(gòu)原理如下如圖1所示，本實(shí)用新型LED發(fā)光組件包括絕緣基板11、發(fā)光單元、透明粗化層 30，發(fā)光組件設(shè)置在基板11上，透明粗化層30覆蓋在發(fā)光單元上。發(fā)光單元包括以磊晶層疊方式形成的磊晶結(jié)構(gòu)層體22、η型批覆層21、ρ型批覆 層23 ；磊晶結(jié)構(gòu)層22位于η型批覆層21與ρ型批覆層23之間。η型批覆層21的上方預(yù) 定位置設(shè)有與η型批覆層形成歐姆接觸的η型電極211。 在透明粗化層30上方確定位置有與ρ型批覆層23形成歐姆接觸的ρ型電極231。透明粗化層30為以氧化銦錫披覆形成的透明粗化層，其外表面有用藥液蝕刻和 等離子束轟擊形成的凹凸31群。凹凸31的分布為自然分布，其深度在0. 1——0. 5μ m。綜上所述，本實(shí)用新型采用在基板上設(shè)置發(fā)光單元，以光電效應(yīng)產(chǎn)生高亮度光源； 發(fā)光單元外覆有外表面呈凹凸?fàn)畹耐该鞔只瘜樱瑴p小了半導(dǎo)體與空氣介面反射的幾率，折 射效果好，對(duì)外發(fā)光效率高。應(yīng)當(dāng)理解的是，上述針對(duì)具體實(shí)施例的描述較為詳細(xì)，并不能因此而認(rèn)為是對(duì)本 實(shí)用新型專利保護(hù)范圍的限制，本實(shí)用新型的專利保護(hù)范圍應(yīng)以所附權(quán)利要求為準(zhǔn)。
權(quán)利要求一種LED發(fā)光組件，其特征在于，包括絕緣基板、設(shè)置在該基板上的發(fā)光單元、覆蓋在發(fā)光單元p型批覆層外的外表面呈凹凸?fàn)畹耐该鞔只瘜印?br> 2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的LED發(fā)光組件，其特征在于，所述的發(fā)光單元包括以磊晶層疊 方式形成的磊晶結(jié)構(gòu)層體、n型批覆層、p型批覆層；磊晶結(jié)構(gòu)層體位于n型批覆層與P型 批覆層之間。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的LED發(fā)光組件，其特征在于，所述的n型批覆層的上方預(yù)定位 置有與n型批覆層形成歐姆接觸的n型電極。
4.根據(jù)權(quán)利要求2所述的LED發(fā)光組件，其特征在于，在所述透明粗化層上方確定位置 有與P型批覆層形成歐姆接觸的P型電極。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的LED發(fā)光組件，其特征在于，所述的透明粗化層外表面形成的 凹凸為自然分布，其深度在0. 1——0.5umo
專利摘要本實(shí)用新型公開了一種LED發(fā)光組件，其結(jié)構(gòu)包括絕緣基板、設(shè)置在該基板上的發(fā)光單元、覆蓋在發(fā)光單元p型批覆層外的外表面呈凹凸?fàn)畹耐该鞔只瘜樱话l(fā)光單元包括以磊晶層疊方式形成的磊晶結(jié)構(gòu)層體、n型批覆層、p型批覆層；透明粗化層外表面形成的凹凸為自然分布。本實(shí)用新型LED發(fā)光組件折射效果好，對(duì)外發(fā)光效率高，結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單，成本低。適于作為高亮度照明光源生產(chǎn)使用。
文檔編號(hào)H01L33/44GK201689907SQ20102020637
公開日2010年12月29日 申請(qǐng)日期2010年5月21日 優(yōu)先權(quán)日2010年5月21日
發(fā)明者張劍, 李正淳, 歐浩源 申請(qǐng)人:張劍