專利名稱：一種高亮度發(fā)光二極管晶粒的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本實(shí)用新型涉及半導(dǎo)體制備技術(shù)領(lǐng)域，具體的說(shuō)是一種具有新型結(jié)構(gòu)的高亮度發(fā) 光二極管晶粒。
背景技術(shù)：
發(fā)光二極管是半導(dǎo)體二極管的一種，可以把電能轉(zhuǎn)化成光能。它是由一個(gè)PN結(jié)構(gòu) 成，具有單向?qū)щ娦?。?dāng)給發(fā)光二極管加上正向電壓后，從P區(qū)注入到N區(qū)的空穴和由N區(qū) 注入到P區(qū)的電子，在PN結(jié)附近數(shù)微米內(nèi)分別與N區(qū)的電子和P區(qū)的空穴復(fù)合，產(chǎn)生自發(fā) 輻射的熒光。發(fā)光亮度是發(fā)光二極管發(fā)光性能的一個(gè)重要參數(shù)，發(fā)光體表面亮度等于發(fā)光體表 面上單位投射面積在單位立體角內(nèi)所輻射的光通量。現(xiàn)有技術(shù)制造的發(fā)光二極管其發(fā)光亮 度有待進(jìn)一步的提高。
發(fā)明內(nèi)容本實(shí)用新型的目的就是為了克服上述現(xiàn)有技術(shù)的不足之處，而提供一種具有新型 結(jié)構(gòu)的高亮度發(fā)光二極管晶粒，能有效提高發(fā)光二極管的發(fā)光亮度。本實(shí)用新型的目的是通過(guò)如下技術(shù)措施來(lái)實(shí)現(xiàn)的一種高亮度發(fā)光二極管晶粒， 包括N面電極、N型摻雜層、P型摻雜層、襯底層和P面電極層，其所述N型摻雜層的邊緣設(shè) 有內(nèi)圓倒角。在上述技術(shù)方案中，所述高亮度發(fā)光二極管晶粒截面呈梯形。本實(shí)用新型的有益效果在于，利用化學(xué)方法在N型摻雜層的邊緣形成內(nèi)圓倒角， 增加發(fā)光區(qū)的面積，從而提高發(fā)光二極管的發(fā)光亮度。

圖1為本實(shí)用新型一種高亮度發(fā)光二極管晶粒的結(jié)構(gòu)示意圖。圖2為圖1的俯視圖。其中1. N面電極層、2. N型摻雜層、3. P型摻雜層、4.襯底層、5. P面電極層、6.內(nèi) 圓倒角。
具體實(shí)施方式
以下結(jié)合附圖及實(shí)施例對(duì)本實(shí)用新型作進(jìn)一步的描述。如圖1、2所示，一種高亮度發(fā)光二極管晶粒，其截面呈梯形，包括N面電極1、N型 摻雜層2、P型摻雜層3、襯底層4和P面電極層5，其所述N型摻雜層2的邊緣設(shè)有內(nèi)圓倒 角6。本實(shí)用新型所涉及的發(fā)光二極管晶粒是半導(dǎo)體發(fā)光二極管制造過(guò)程中的中間產(chǎn) 品，是利用物理或化學(xué)氣相沉積的方法在襯底層4上生長(zhǎng)出P型摻雜層3和N型摻雜層2，然后通過(guò)蒸鍍的方法在兩面分別鍍上N面電極1和P面電極層5，最后再利用化學(xué)藥水在N 型摻雜層2邊緣蝕刻出內(nèi)圓倒角6。使用上述方法在N型摻雜層2邊緣蝕刻出內(nèi)圓倒角6 后，增加了發(fā)光區(qū)的面積，從而提高發(fā)光二極管的發(fā)光亮度。
權(quán)利要求一種高亮度發(fā)光二極管晶粒，包括N面電極、N型摻雜層、P型摻雜層、襯底層和P面電極層，其特征在于N型摻雜層的邊緣設(shè)有內(nèi)圓倒角。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種高亮度發(fā)光二極管晶粒，其特征是所述高亮度發(fā)光二 極管晶粒截面呈梯形。
專利摘要本實(shí)用新型涉及半導(dǎo)體制備技術(shù)領(lǐng)域，提供一種具有新型結(jié)構(gòu)的高亮度發(fā)光二極管晶粒，包括N面電極、N型摻雜層、P型摻雜層、襯底層和P面電極層，其所述N型摻雜層的邊緣設(shè)有內(nèi)圓倒角。本實(shí)用新型利用化學(xué)方法在N型摻雜層的邊緣形成內(nèi)圓倒角，增加發(fā)光區(qū)的面積，從而提高發(fā)光二極管的發(fā)光亮度。
文檔編號(hào)H01L33/20GK201758136SQ20102027365
公開(kāi)日2011年3月9日 申請(qǐng)日期2010年7月23日 優(yōu)先權(quán)日2010年7月23日
發(fā)明者胡泰祥 申請(qǐng)人:元茂光電科技(武漢)有限公司