專利名稱：半透明led的制作方法
技術領域：
本實用新型涉及電子領域，尤其是一種具有高亮度的半透明LED。
背景技術：
目前的LED，即發(fā)光二極管，主要包括導電基板、外殼以及發(fā)光晶片，其中，發(fā)光晶 片與普通二極管一樣是由N型半導體和P半導體組成，它們在接觸面附近形成一個PN結(jié)， 亦具有單向?qū)щ娦?，當給發(fā)光二極管加上正向電壓后，從P區(qū)注入到N區(qū)的空穴和由N區(qū)注 入到P區(qū)的電子，在PN結(jié)附近數(shù)微米內(nèi)分別與N區(qū)的電子和P區(qū)的空穴復合，并發(fā)射光線。而目前的LED中，一般都采用磷砷化鎵、磷化鎵、碳化硅等材料作為半導體，由于 它們都不是透明的，因此在電子與空穴復合的過程中，只有PN結(jié)外圍所發(fā)射的光線可照射 到二極管外部，而PN結(jié)內(nèi)部所產(chǎn)生的很大一部分光線則被PN結(jié)本身所遮擋，無法發(fā)射到二 極管外部，因此，目前的LED發(fā)光亮度尚且不高。
發(fā)明內(nèi)容針對上述問題，本實用新型的目的在于提供一種半透明LED，該半透明LED不僅可 以在加設正向電壓時發(fā)光，而且可以使發(fā)光面充分外露，從而獲得極大的發(fā)光強度。本實用新型解決其技術問題所采用的技術方案是該半透明LED包括金屬導電基板、正極引腳、負極引腳、外殼、晶片，所述的外殼為 環(huán)氧樹脂，將金屬導電基板、晶片包裹其中，并將正極引腳、負極引腳固定，所述晶片又包括 N型半導體、P型半導體，且N型半導體、P型半導體中的一種為透明半導體，晶片兩端各有 一個金屬導電基板，其中P型半導體側(cè)的金屬導電基板與正極引腳連接，N型半導體側(cè)的金 屬導電基板與負極引腳連接。作為優(yōu)選，所述N型半導體為摻硅的磷砷化鎵半導體。作為優(yōu)選，所述P型半導體為透明半導體。作為優(yōu)選，所述P型半導體為CuA102摻雜半導體。作為優(yōu)選，所述N型半導體和P型半導體中，透明半導體的接觸面為凹面，非透明 半導體的接觸面為凸面，從而使PN結(jié)中所產(chǎn)生的光可以高效地向二極管外發(fā)散。本實用新型的有益效果在于該半透明LED由于采用了一半的透明半導體，因此， 從光學角度而言，其發(fā)光的PN結(jié)相當于完全暴露在外部，因此，該半透明LED加上正向電壓 后，PN結(jié)所產(chǎn)生的全部光線可毫無遮擋地射向外界，相對于普通發(fā)光二極管而言，該半透明 LED具有極高的亮度。

圖1是本實用新型的結(jié)構(gòu)示意圖；圖中標號1，金屬導電基板；2，正極引腳；3，負極引腳；4，外殼；5，N型半導體；6， P型半導體。
具體實施方式
下面通過實施例，結(jié)合附圖，對本實用新型的技術方案做進一步具體的說明實施例1 如圖1所示，一種半透明LED，包括金屬導電基板1、正極引腳2、負極引腳3、外殼 4、晶片，所述的外殼4為環(huán)氧樹脂，將金屬導電基板、晶片包裹其中，并將正極引腳、負極引 腳固定，所述晶片又包括N型半導體、P型半導體，且N型半導體、P型半導體中的一種為透 明半導體，晶片兩端各有一個金屬導電基板，其中P型半導體側(cè)的金屬導電基板與正極引 腳連接，N型半導體5側(cè)的金屬導電基板與負極引腳3連接。N型半導體為摻硅的磷砷化鎵 半導體，P型半導體為透明半導體。上述的半透明LED，P型半導體為CuAlO2摻雜半導體。上述的半透明LED，N型半導體和P型半導體中，透明半導體的接觸面為凹面，非透 明半導體的接觸面為凸面，從而使PN結(jié)中所產(chǎn)生的光可以高效地向二極管外發(fā)散。上述的半透明LED，由于采用了一半的透明半導體，因此，從光學角度而言，其發(fā)光 的PN結(jié)相當于完全暴露在外部，因此，該半透明LED加上正向電壓后，PN結(jié)所產(chǎn)生的全部 光線可毫無遮擋地射向外界，相對于普通發(fā)光二極管而言，該半透明LED具有極高的亮度。本文中所描述的具體實施例僅僅是對本實用新型精神作舉例說明。本實用新型所 屬技術領域的技術人員可以對所描述的具體實施例做各種各樣的修改或補充或采用類似 的方式替代，但并不會偏離本實用新型的精神或者超越所附權利要求書所定義的范圍。
權利要求1.一種半透明LED，包括金屬導電基板(1)、正極引腳(2)、負極引腳(3)、外殼(4)、 晶片，所述的外殼為環(huán)氧樹脂，將金屬導電基板、晶片包裹其中，并將正極引腳、負極引腳固 定，所述晶片又包括N型半導體(5)、P型半導體(6)，晶片兩端各有一個金屬導電基板，其 中P型半導體側(cè)的金屬導電基板與正極引腳連接，N型半導體側(cè)的金屬導電基板與負極引 腳連接，其特征在于所述N型半導體、P型半導體中的一種為透明半導體。
2.根據(jù)權利要求1所述的半透明LED，其特征在于所述N型半導體為摻硅的磷砷化鎵 半導體。
3.根據(jù)權利要求1所述的半透明LED，其特征在于所述P型半導體為透明半導體。
4.根據(jù)權利要求3所述的半透明LED，其特征在于所述P型半導體為CuAlO2摻雜半 導體。
5.根據(jù)權利要求1所述的半透明LED，其特征在于所述N型半導體和P型半導體中， 透明半導體的接觸面為凹面，非透明半導體的接觸面為凸面。
專利摘要本實用新型提供一種半透明LED，包括金屬導電基板、正極引腳、負極引腳、外殼、晶片，所述的外殼為環(huán)氧樹脂，將金屬導電基板、晶片包裹其中，并將正極引腳、負極引腳固定，所述晶片又包括N型半導體、P型半導體，且N型半導體、P型半導體中的一種為透明半導體，晶片兩端各有一個金屬導電基板，其中P型半導體側(cè)的金屬導電基板與正極引腳連接，N型半導體側(cè)的金屬導電基板與負極引腳連接。該半透明LED不僅可以在加設正向電壓時發(fā)光，而且可以使發(fā)光面充分外露，從而獲得極大的發(fā)光強度。
文檔編號H01L33/02GK201780986SQ201020283590
公開日2011年3月30日 申請日期2010年8月4日 優(yōu)先權日2010年8月4日
發(fā)明者姜躍忠 申請人:姜躍忠