專利名稱：一種傳送部件的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本實(shí)用新型涉及集成電路制造技術(shù)領(lǐng)域，尤其涉及一種應(yīng)用于CVD制造機(jī)臺(tái)反應(yīng)腔的傳送部件。
背景技術(shù)：
在超大規(guī)模集成電路(ULSI)制造工藝中，隨著電路尺寸的不斷縮小，開(kāi)始通過(guò)增加淀積層數(shù)的方法，在垂直方向上進(jìn)行拓展。這些增加的層在器件、電路中起到各種不同的作用，主要可作為柵電極、多層布線的層間絕緣膜、金屬布線、電阻、表面鈍化等。對(duì)于小圖形，其分辨率受晶片表面的條件影響很大，隨著特征圖形尺寸減小到亞微米級(jí)，芯片制造工藝對(duì)低缺陷密度的要求越來(lái)越迫切，對(duì)沉積薄膜的質(zhì)量要求也越來(lái)越高，其厚度的均勻性不僅會(huì)影響到后續(xù)工藝的正常進(jìn)行，也會(huì)影響到器件的電性能和機(jī)械性能，并進(jìn)而影響到器件的成品率及產(chǎn)量。所謂沉積是指一種以物理方式沉積在晶片表面上的工藝過(guò)程，薄膜沉積的方法包括化學(xué)氣相沉積(CVD，Chemical Vapor Deposition)法和物理氣相沉積(PVD，Physical Vapor Deposition)法兩大類。其中，化學(xué)氣相沉積是含有薄膜所需要的原子和分子的化學(xué)物質(zhì)在反應(yīng)室內(nèi)混合并在氣態(tài)下發(fā)生反應(yīng)，其原子或分子淀積在晶片表面聚集形成薄膜的過(guò)程?；瘜W(xué)氣相沉積因其工藝較為簡(jiǎn)單、不需高真空、便于制備復(fù)合產(chǎn)物、淀積速率高，以及淀積的各種薄膜具有良好的階梯覆蓋性能等優(yōu)點(diǎn)在半導(dǎo)體器件的制造中被廣泛使用?；瘜W(xué)氣相沉積需使用CVD制備機(jī)臺(tái)，CVD制備機(jī)臺(tái)的生產(chǎn)效率很大程度上決定了半導(dǎo)體晶圓代工廠的生產(chǎn)效率，為了提高CVD制備機(jī)臺(tái)的生產(chǎn)效率，在CVD制備機(jī)臺(tái)的反應(yīng)腔內(nèi)設(shè)計(jì)了一個(gè)比較有效率的晶圓傳輸系統(tǒng)，以滿足反應(yīng)腔的加工需求。請(qǐng)參考圖IA至圖1B，其中圖IA為現(xiàn)有的傳送部件結(jié)構(gòu)的剖面圖，圖IB為現(xiàn)有的傳送部件結(jié)構(gòu)的立體圖，如圖IA至圖IB所示，現(xiàn)有的傳送部件100包括位于反應(yīng)腔1內(nèi)的加熱底盤101、陶瓷環(huán)102、陶瓷釘103以及位于反應(yīng)腔1外的氣缸104，所述氣缸104上有一金屬桿105，所述金屬桿105與所述陶瓷環(huán)102相連，所述氣缸104通過(guò)波紋管2進(jìn)行密封，從而使所述反應(yīng)腔1形成封閉的腔室，其中陶瓷環(huán)102包括支撐部件10 及固定在所述支撐部件10 上的軸套102b，所述金屬桿105與所述軸套102b相連；所述加熱底盤 101上均勻地設(shè)有4個(gè)孔，所述陶瓷釘103的數(shù)量為4個(gè)，所述4個(gè)陶瓷釘103分別穿過(guò)所述4個(gè)孔并立放在所述陶瓷環(huán)102的上面。所述氣缸104用于驅(qū)動(dòng)所述金屬桿105進(jìn)行上下運(yùn)動(dòng)，從而帶動(dòng)所述陶瓷環(huán)102上下運(yùn)動(dòng)，并進(jìn)一步帶動(dòng)所述4個(gè)陶瓷釘103上下運(yùn)動(dòng)， 從而可抬升和放下晶片。請(qǐng)繼續(xù)參考圖1C，圖IC為現(xiàn)有的陶瓷環(huán)與金屬桿連接方式的示意圖，如圖IC所示，現(xiàn)有的陶瓷環(huán)102與金屬桿105的連接方式為所述軸套102b上設(shè)有一通孔，所述金屬桿105插入所述通孔內(nèi)，所述軸套102b與所述金屬桿105的側(cè)面通過(guò)一字口螺絲106進(jìn)行固定，并且所述一字口螺絲106沒(méi)有完全穿通所述金屬桿105。然而，現(xiàn)有的傳送部件100存在以下問(wèn)題
3[0008]1)由于長(zhǎng)時(shí)間的伸縮運(yùn)動(dòng)，氣缸104的波紋管2的密封性會(huì)變差，從而會(huì)產(chǎn)生漏源；2)由于反應(yīng)腔1在正常工作狀態(tài)下的溫度是400°C，長(zhǎng)時(shí)間處于反應(yīng)腔1的400°C 高溫環(huán)境下，氣缸104的金屬桿105會(huì)產(chǎn)生形變，從而使陶瓷釘103的水平升降受到影響， 造成晶片位置的偏移；3)陶瓷環(huán)102與氣缸104的金屬桿105通過(guò)一字口螺絲106進(jìn)行固定，由于反應(yīng)腔1內(nèi)的電漿的影響，所述一字口螺絲106的裸露部分會(huì)發(fā)生氧化腐蝕，因此需拆換氣缸 104，然而由于所述一字口螺絲106沒(méi)有完全穿通所述金屬桿105，從而造成拆換氣缸104的同時(shí)需報(bào)廢沒(méi)有問(wèn)題的陶瓷環(huán)102。在上述的問(wèn)題中，一字口螺絲106的裸露部分發(fā)生氧化腐蝕，從而造成報(bào)廢沒(méi)有問(wèn)題的陶瓷環(huán)102這一問(wèn)題是最突出的，因此需要對(duì)陶瓷環(huán)102與氣缸104的金屬桿105 的固定方式進(jìn)行一番改進(jìn)，來(lái)減少此類問(wèn)題的發(fā)生。

實(shí)用新型內(nèi)容本實(shí)用新型的目的在于提供一種傳送部件，以解決現(xiàn)有技術(shù)中傳送部件的陶瓷環(huán)的軸套與氣缸的金屬桿之間通過(guò)一字口螺絲固定，由于一字口螺絲的裸露部分易發(fā)生氧化腐蝕，從而造成報(bào)廢沒(méi)有問(wèn)題的陶瓷環(huán)的問(wèn)題。為解決上述問(wèn)題，本實(shí)用新型提出一種傳送部件，用于CVD制造機(jī)臺(tái)的晶片傳輸， 該傳送部件包括加熱底盤、陶瓷環(huán)、氣缸以及多個(gè)陶瓷釘，所述加熱底盤上均勻地設(shè)有多個(gè)孔，所述多個(gè)陶瓷釘分別穿過(guò)所述多個(gè)孔立放在所述陶瓷環(huán)上，所述氣缸上設(shè)有金屬桿，其特征在于，所述金屬桿與所述陶瓷環(huán)通過(guò)內(nèi)六角螺絲及內(nèi)六角螺母固定，所述內(nèi)六角螺絲穿通所述金屬桿與所述陶瓷環(huán)，并且所述內(nèi)六角螺絲與所述內(nèi)六角螺母的裸露部分罩有陶
PL1InL ο可選的，所述陶瓷環(huán)包括支撐部件及固定在所述支撐部件上的軸套，所述軸套上設(shè)有通孔，所述金屬桿插入所述通孔內(nèi)，所述金屬桿的側(cè)面與所述軸套的側(cè)面通過(guò)所述內(nèi)六角螺絲及所述內(nèi)六角螺母固定，所述內(nèi)六角螺絲穿通所述金屬桿與所述軸套?？蛇x的，所述陶瓷蓋包括第一部件及第二部件，所述第一部件包括第一底座以及與所述第一底座固定的第一圓環(huán)柱體結(jié)構(gòu)，所述第一圓環(huán)柱體結(jié)構(gòu)的內(nèi)壁上開(kāi)有多個(gè)凹槽，所述第一圓環(huán)柱體結(jié)構(gòu)的側(cè)面對(duì)稱地設(shè)有第一開(kāi)口，所述第一開(kāi)口的尾部為第一半圓形結(jié)構(gòu)；所述第二部件包括第二底座以及與所述第二底座固定的第二圓環(huán)柱體結(jié)構(gòu)，所述第二圓環(huán)柱體結(jié)構(gòu)的外壁上設(shè)有多個(gè)凸塊，所述第二圓環(huán)柱體結(jié)構(gòu)的側(cè)面對(duì)稱地設(shè)有第二開(kāi)口，所述第二開(kāi)口的尾部為第二半圓形結(jié)構(gòu)；其中，所述凹槽與所述凸塊相匹配。可選的，所述第一圓環(huán)柱體結(jié)構(gòu)的內(nèi)徑大于所述第二圓環(huán)柱體結(jié)構(gòu)的外徑，且所述第二圓環(huán)柱體結(jié)構(gòu)的外徑與所述凸塊的寬度之和大于所述第一圓環(huán)柱體結(jié)構(gòu)的內(nèi)徑，同時(shí)小于所述第一圓環(huán)柱體結(jié)構(gòu)的內(nèi)徑與所凹槽的深度之和?？蛇x的，所述第一圓環(huán)柱體結(jié)構(gòu)的內(nèi)徑大于所述內(nèi)六角螺絲的螺帽的直徑，所述第二圓環(huán)柱體結(jié)構(gòu)的內(nèi)徑大于所述內(nèi)六角螺母的直徑?？蛇x的，所述第一半圓形結(jié)構(gòu)的直徑與所述第二半圓形結(jié)構(gòu)的直徑相等，且所述第一半圓形結(jié)構(gòu)的直徑大于所述軸套的直徑。
4[0019]可選的，所述孔的數(shù)量為四個(gè)，所述陶瓷釘?shù)臄?shù)量為四個(gè)。本實(shí)用新型由于采用以上的技術(shù)方案，使之與現(xiàn)有技術(shù)相比，具有以下的優(yōu)點(diǎn)和積極效果(1)將現(xiàn)有的一字口螺絲改為內(nèi)六角螺絲，方便拆卸金屬桿時(shí)借力；(2)將現(xiàn)有的簡(jiǎn)單螺絲固定改為內(nèi)六角螺絲穿通所述金屬桿與所述陶瓷環(huán)，并以螺母固定，這樣一來(lái)，即使出現(xiàn)拆卸困難，也只需將內(nèi)六角螺絲強(qiáng)行破壞即可，避免損傷陶瓷環(huán)，從而節(jié)約了成本；(3)增加一組陶瓷蓋對(duì)所述內(nèi)六角螺絲及內(nèi)六角螺母進(jìn)行保護(hù)，降低了內(nèi)六角螺絲及內(nèi)六角螺母被氧化腐蝕的概率及程度，從而降低了拆卸螺絲的次數(shù)，節(jié)約了成本。

圖IA為現(xiàn)有的傳送部件結(jié)構(gòu)的剖面圖；圖IB為現(xiàn)有的傳送部件結(jié)構(gòu)的立體圖；圖IC為現(xiàn)有的陶瓷環(huán)與金屬桿連接方式的示意圖；圖2A為本實(shí)用新型實(shí)施例提供的傳送部件結(jié)構(gòu)的立體圖；圖2B為本實(shí)用新型實(shí)施例提供的陶瓷環(huán)與金屬桿連接方式的示意圖；圖3A為本實(shí)用新型實(shí)施例提供的陶瓷蓋的第一部件沿A-A方向的剖面結(jié)構(gòu)示意圖；圖;3B為本實(shí)用新型實(shí)施例提供的陶瓷蓋的第二部件沿A-A方向的剖面結(jié)構(gòu)示意圖；圖3C為本實(shí)用新型實(shí)施例提供的陶瓷蓋的第一部件的俯視圖；圖3D為本實(shí)用新型實(shí)施例提供的陶瓷蓋的第二部件的俯視圖。
具體實(shí)施方式
以下結(jié)合附圖和具體實(shí)施例對(duì)本實(shí)用新型提出的傳送部件進(jìn)一步詳細(xì)說(shuō)明。根據(jù)下面說(shuō)明和權(quán)利要求書，本實(shí)用新型的優(yōu)點(diǎn)和特征將更清楚。需說(shuō)明的是，附圖均采用非常簡(jiǎn)化的形式且均使用非精準(zhǔn)的比率，僅用于方便、明晰地輔助說(shuō)明本實(shí)用新型實(shí)施例的目的。本實(shí)用新型的核心思想在于，提供一種傳送部件，該傳送部件包括加熱底盤、陶瓷環(huán)、氣缸以及多個(gè)陶瓷釘，所述加熱底盤上均勻地設(shè)有多個(gè)孔，所述多個(gè)陶瓷釘分別穿過(guò)所述多個(gè)孔立放在所述陶瓷環(huán)上，所述氣缸上設(shè)有金屬桿，所述金屬桿與所述陶瓷環(huán)通過(guò)內(nèi)六角螺絲及內(nèi)六角螺母固定，所述內(nèi)六角螺絲穿通所述金屬桿與所述陶瓷環(huán)，并且所述內(nèi)六角螺絲與所述內(nèi)六角螺母的裸露部分罩有陶瓷蓋，從而方便拆卸金屬桿時(shí)借力，避免拆卸金屬桿時(shí)損傷陶瓷環(huán)，節(jié)約了成本，并且降低了內(nèi)六角螺絲及內(nèi)六角螺母被氧化腐蝕的概率及程度。請(qǐng)參考圖2A至圖2B，其中圖2A為本實(shí)用新型實(shí)施例提供的傳送部件結(jié)構(gòu)的立體圖，圖2B為本實(shí)用新型實(shí)施例提供的陶瓷環(huán)與金屬桿連接方式的示意圖，如圖2A至圖2B 所示，該傳送部件包括加熱底盤101、陶瓷環(huán)、氣缸104以及多個(gè)陶瓷釘103，所述加熱底盤 101上均勻地設(shè)有多個(gè)孔，所述多個(gè)陶瓷釘103分別穿過(guò)所述多個(gè)孔立放在所述陶瓷環(huán)上，所述氣缸104上設(shè)有金屬桿105，所述金屬桿105與所述陶瓷環(huán)通過(guò)內(nèi)六角螺絲107及內(nèi)六角螺母108固定，所述內(nèi)六角螺絲107穿通所述金屬桿105與所述陶瓷環(huán)，并且所述內(nèi)六角螺絲107與所述內(nèi)六角螺母108的裸露部分罩有陶瓷蓋200。其中，所述陶瓷環(huán)包括支撐部件10 及固定在所述支撐部件10 上的軸套102b， 所述軸套102b上設(shè)有通孔，所述金屬桿105插入所述通孔內(nèi)，所述金屬桿105的側(cè)面與所述軸套102b的側(cè)面通過(guò)所述內(nèi)六角螺絲107及所述內(nèi)六角螺母108固定，所述內(nèi)六角螺絲 107穿通所述金屬桿105與所述軸套102b。請(qǐng)繼續(xù)參考圖3A至圖3D，其中，圖3A為本實(shí)用新型實(shí)施例提供的陶瓷蓋的第一部件沿A-A方向的剖面結(jié)構(gòu)示意圖，圖;3B為本實(shí)用新型實(shí)施例提供的陶瓷蓋的第二部件沿A-A方向的剖面結(jié)構(gòu)示意圖，圖3C為本實(shí)用新型實(shí)施例提供的陶瓷蓋的第一部件的俯視圖，圖3D為本實(shí)用新型實(shí)施例提供的陶瓷蓋的第二部件的俯視圖，如圖3A至圖3D所示，所述陶瓷蓋200包括第一部件210及第二部件220，所述第一部件210包括第一底座211以及與所述第一底座211固定的第一圓環(huán)柱體結(jié)構(gòu)212，所述第一圓環(huán)柱體結(jié)構(gòu)212的內(nèi)壁上開(kāi)有多個(gè)凹槽213，所述第一圓環(huán)柱體結(jié)構(gòu)212的側(cè)面對(duì)稱地設(shè)有第一開(kāi)口 214，所述第一開(kāi)口 214的尾部為第一半圓形結(jié)構(gòu)215 ；所述第二部件220包括第二底座221以及與所述第二底座221固定的第二圓環(huán)柱體結(jié)構(gòu)222，所述第二圓環(huán)柱體結(jié)構(gòu)222的外壁上設(shè)有多個(gè)凸塊223，所述第二圓環(huán)柱體結(jié)構(gòu)222的側(cè)面對(duì)稱地設(shè)有第二開(kāi)口 224，所述第二開(kāi)口 2 的尾部為第二半圓形結(jié)構(gòu)225 ；其中，所述凹槽213與所述凸塊223相匹配。進(jìn)一步地，所述第一圓環(huán)柱體結(jié)構(gòu)212的內(nèi)徑大于所述第二圓環(huán)柱體結(jié)構(gòu)222的外徑，且所述第二圓環(huán)柱體結(jié)構(gòu)222的外徑與所述凸塊223的寬度之和大于所述第一圓環(huán)柱體結(jié)構(gòu)212的內(nèi)徑，同時(shí)小于所述第一圓環(huán)柱體結(jié)構(gòu)212的內(nèi)徑與所凹槽213的深度之和。進(jìn)一步地，所述第一圓環(huán)柱體結(jié)構(gòu)212的內(nèi)徑大于所述內(nèi)六角螺絲107的螺帽的直徑，所述第二圓環(huán)柱體結(jié)構(gòu)222的內(nèi)徑大于所述內(nèi)六角螺母108的直徑。進(jìn)一步地，所述第一半圓形結(jié)構(gòu)215的直徑與所述第二半圓形結(jié)構(gòu)225的直徑相等，且所述第一半圓形結(jié)構(gòu)215的直徑大于所述軸套102b的直徑。進(jìn)一步地，所述孔的數(shù)量為四個(gè)，所述陶瓷釘103的數(shù)量為四個(gè)。本實(shí)用新型提供的陶瓷蓋200的使用方法為所述第一部件210沿著開(kāi)口 214的方向插入所述軸套102b的外面，所述第二部件220沿著開(kāi)口 2 的方向插入所述第一部件 210內(nèi)，使所述凸塊223插入所述凹槽213內(nèi)。在上述的具體實(shí)施例中，所述第一底座211與所述第一圓環(huán)柱體結(jié)構(gòu)212是一體成型結(jié)構(gòu)，所述第二底座221與所述第二圓環(huán)柱體結(jié)構(gòu)222是一體成型結(jié)構(gòu)。在上述的具體實(shí)施例中，所述陶瓷蓋被描述成用于保護(hù)內(nèi)六角螺絲與內(nèi)六角螺母，避免其被氧化腐蝕的，然而應(yīng)該認(rèn)識(shí)到，根據(jù)實(shí)際情況，所述陶瓷蓋還可以用于其它易被氧化腐蝕的結(jié)構(gòu)。綜上所述，本實(shí)用新型提供了一種傳送部件，該傳送部件包括加熱底盤、陶瓷環(huán)、 氣缸以及多個(gè)陶瓷釘，所述加熱底盤上均勻地設(shè)有多個(gè)孔，所述多個(gè)陶瓷釘分別穿過(guò)所述多個(gè)孔立放在所述陶瓷環(huán)上，所述氣缸上設(shè)有金屬桿，所述金屬桿與所述陶瓷環(huán)通過(guò)內(nèi)六角螺絲及內(nèi)六角螺母固定，所述內(nèi)六角螺絲穿通所述金屬桿與所述陶瓷環(huán)，并且所述內(nèi)六角螺絲與所述內(nèi)六角螺母的裸露部分罩有陶瓷蓋，從而方便拆卸金屬桿時(shí)借力，避免拆卸金屬桿時(shí)損傷陶瓷環(huán)，節(jié)約了成本，并且降低了內(nèi)六角螺絲及內(nèi)六角螺母被氧化腐蝕的概率及程度。 顯然，本領(lǐng)域的技術(shù)人員可以對(duì)實(shí)用新型進(jìn)行各種改動(dòng)和變型而不脫離本實(shí)用新型的精神和范圍。這樣，倘若本實(shí)用新型的這些修改和變型屬于本實(shí)用新型權(quán)利要求及其等同技術(shù)的范圍之內(nèi)，則本實(shí)用新型也意圖包含這些改動(dòng)和變型在內(nèi)。
權(quán)利要求1.一種傳送部件，用于CVD制造機(jī)臺(tái)的晶片傳輸，包括加熱底盤、陶瓷環(huán)、氣缸以及多個(gè)陶瓷釘，所述加熱底盤上均勻地設(shè)有多個(gè)孔，所述多個(gè)陶瓷釘分別穿過(guò)所述多個(gè)孔立放在所述陶瓷環(huán)上，所述氣缸上設(shè)有金屬桿，其特征在于，所述金屬桿與所述陶瓷環(huán)通過(guò)內(nèi)六角螺絲及內(nèi)六角螺母固定，所述內(nèi)六角螺絲穿通所述金屬桿與所述陶瓷環(huán)，并且所述內(nèi)六角螺絲與所述內(nèi)六角螺母的裸露部分罩有陶瓷蓋。
2.如權(quán)利要求1所述的傳送部件，其特征在于，所述陶瓷環(huán)包括支撐部件及固定在所述支撐部件上的軸套，所述軸套上設(shè)有通孔，所述金屬桿插入所述通孔內(nèi)，所述金屬桿的側(cè)面與所述軸套的側(cè)面通過(guò)所述內(nèi)六角螺絲及所述內(nèi)六角螺母固定，所述內(nèi)六角螺絲穿通所述金屬桿與所述軸套。
3.如權(quán)利要求2所述的傳送部件，其特征在于，所述陶瓷蓋包括第一部件及第二部件， 所述第一部件包括第一底座以及與所述第一底座固定的第一圓環(huán)柱體結(jié)構(gòu)，所述第一圓環(huán)柱體結(jié)構(gòu)的內(nèi)壁上開(kāi)有多個(gè)凹槽，所述第一圓環(huán)柱體結(jié)構(gòu)的側(cè)面對(duì)稱地設(shè)有第一開(kāi)口，所述第一開(kāi)口的尾部為第一半圓形結(jié)構(gòu)；所述第二部件包括第二底座以及與所述第二底座固定的第二圓環(huán)柱體結(jié)構(gòu)，所述第二圓環(huán)柱體結(jié)構(gòu)的外壁上設(shè)有多個(gè)凸塊，所述第二圓環(huán)柱體結(jié)構(gòu)的側(cè)面對(duì)稱地設(shè)有第二開(kāi)口，所述第二開(kāi)口的尾部為第二半圓形結(jié)構(gòu)；其中，所述凹槽與所述凸塊相匹配。
4.如權(quán)利要求3所述的傳送部件，其特征在于，所述第一圓環(huán)柱體結(jié)構(gòu)的內(nèi)徑大于所述第二圓環(huán)柱體結(jié)構(gòu)的外徑，且所述第二圓環(huán)柱體結(jié)構(gòu)的外徑與所述凸塊的寬度之和大于所述第一圓環(huán)柱體結(jié)構(gòu)的內(nèi)徑，同時(shí)小于所述第一圓環(huán)柱體結(jié)構(gòu)的內(nèi)徑與所凹槽的深度之和。
5.如權(quán)利要求3所述的傳送部件，其特征在于，所述第一圓環(huán)柱體結(jié)構(gòu)的內(nèi)徑大于所述內(nèi)六角螺絲的螺帽的直徑，所述第二圓環(huán)柱體結(jié)構(gòu)的內(nèi)徑大于所述內(nèi)六角螺母的直徑。
6.如權(quán)利要求3所述的傳送部件，其特征在于，所述第一半圓形結(jié)構(gòu)的直徑與所述第二半圓形結(jié)構(gòu)的直徑相等，且所述第一半圓形結(jié)構(gòu)的直徑大于所述軸套的直徑。
7.如權(quán)利要求1所述的傳送部件，其特征在于，所述孔的數(shù)量為四個(gè)，所述陶瓷釘?shù)臄?shù)量為四個(gè)。
專利摘要本實(shí)用新型公開(kāi)了一種傳送部件，該傳送部件包括加熱底盤、陶瓷環(huán)、氣缸以及多個(gè)陶瓷釘，所述加熱底盤上均勻地設(shè)有多個(gè)孔，所述多個(gè)陶瓷釘分別穿過(guò)所述多個(gè)孔立放在所述陶瓷環(huán)上，所述氣缸上設(shè)有金屬桿，所述金屬桿與所述陶瓷環(huán)通過(guò)內(nèi)六角螺絲及內(nèi)六角螺母固定，所述內(nèi)六角螺絲穿通所述金屬桿與所述陶瓷環(huán)，并且所述內(nèi)六角螺絲與所述內(nèi)六角螺母的裸露部分罩有陶瓷蓋，從而方便拆卸金屬桿時(shí)借力，避免拆卸金屬桿時(shí)損傷陶瓷環(huán)，節(jié)約了成本，并且降低了內(nèi)六角螺絲及內(nèi)六角螺母被氧化腐蝕的概率及程度。
文檔編號(hào)H01L21/677GK201946579SQ20102051640
公開(kāi)日2011年8月24日 申請(qǐng)日期2010年9月3日 優(yōu)先權(quán)日2010年9月3日
發(fā)明者王昕昕, 陳雄博 申請(qǐng)人:中芯國(guó)際集成電路制造(上海)有限公司