專利名稱：雙面圖形芯片正裝模組封裝結(jié)構(gòu)的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本實(shí)用新型涉及一種雙面圖形芯片正裝模組封裝結(jié)構(gòu)。屬于半導(dǎo)體封裝技術(shù)領(lǐng)域。
背景技術(shù)：
傳統(tǒng)的芯片封裝結(jié)構(gòu)的制作方式是采用金屬基板的正面進(jìn)行化學(xué)蝕刻及表面電鍍層后，即完成引線框的制作(如圖85所示)。而引線框的背面則在封裝過程中再進(jìn)行蝕刻。該法存在以下不足因?yàn)樗芊馇爸辉诮饘倩逭孢M(jìn)行了半蝕刻工作，而在塑封過程中塑封料只有包裹住引腳半只腳的高度，所以塑封體與引腳的束縛能力就變小了，如果塑封體貼片到PCB 板上不是很好時(shí)，再進(jìn)行返工重貼，就容易產(chǎn)生掉腳的問題(如圖86所示)。尤其塑封料的種類是采用有填料時(shí)候，因?yàn)椴牧显谏a(chǎn)過程的環(huán)境與后續(xù)表面貼裝的應(yīng)力變化關(guān)系， 會(huì)造成金屬與塑封料產(chǎn)生垂直型的裂縫，其特性是填料比例越高則越硬越脆越容易產(chǎn)生裂縫。另外，由于芯片與引腳之間的距離較遠(yuǎn)，金屬線的長(zhǎng)度較長(zhǎng)，如圖87 88所示，金屬線成本較高(尤其是昂貴的純金質(zhì)的金屬線)；同樣由于金屬線的長(zhǎng)度較長(zhǎng)，使得芯片的信號(hào)輸出速度較慢(尤其是存儲(chǔ)類的產(chǎn)品以及需要大量數(shù)據(jù)的計(jì)算，更為突出)；也同樣由于金屬線的長(zhǎng)度較長(zhǎng)，所以在金屬線所存在的寄生電阻/寄生電容與寄生電桿對(duì)信號(hào)的干擾也較高；再由于芯片與引腳之間的距離較遠(yuǎn)，使得封裝的體積與面積較大，材料成本較高，廢棄物較多。為此，本申請(qǐng)人在先申請(qǐng)了一件名稱為《有基島引線框結(jié)構(gòu)及其生產(chǎn)方法》的發(fā)明專利，其申請(qǐng)?zhí)枮?01010165896. 0。其主要技術(shù)特征是采用金屬基板的背面先進(jìn)行半蝕刻，在金屬基板的背面形成凹陷的半蝕刻區(qū)域，同時(shí)相對(duì)形成基島和引腳的背面，再在所述半蝕刻區(qū)域，填涂上無填料的軟性填縫劑，并同時(shí)進(jìn)行烘烤，使無填料的軟性填縫劑固化成無填料的塑封料(環(huán)氧樹脂)，以包裹住引腳的背面。然后再在金屬基板的正面進(jìn)行半蝕刻，同時(shí)相對(duì)形成基島和引腳的正面。其有益效果主要有1)由于在所述金屬基板的背面引腳與引腳間的區(qū)域嵌置有無填料的軟性填縫劑， 該無填料的軟性填縫劑與在塑封過程中的金屬基板正面的常規(guī)有填料塑封料(環(huán)氧樹脂) 一起包裹住整個(gè)引腳的高度，所以塑封體與引腳的束縛能力就變大了，不會(huì)再有產(chǎn)生掉腳的問題，如圖89。2)由于采用了引線框正面與背面分開蝕刻作業(yè)的方法，所以在蝕刻作業(yè)中可形成背面引腳的尺寸稍小而正面引腳尺寸稍大的結(jié)構(gòu)，而同個(gè)引腳的上下大小不同尺寸在被無填料的塑封料(環(huán)氧樹脂)所包裹的更緊更不容易產(chǎn)生滑動(dòng)而掉腳。3)由于應(yīng)用了引線框背面與正面分開蝕刻的技術(shù)，所以能夠?qū)⒁€框正面的引腳盡可能的延伸到基島的旁邊，促使芯片與引腳距離大幅的縮短，如圖89 90，如此金屬線所使用的成本也可以大幅的降低(尤其是昂貴的純金質(zhì)的金屬線)。[0009]4)也因?yàn)榻饘倬€的縮短使得芯片的信號(hào)輸出速度也大幅的增速(尤其存儲(chǔ)類的產(chǎn)品以及需要大量數(shù)據(jù)的計(jì)算，更為突出)，由于金屬線的長(zhǎng)度變短了，所以金屬線所存在的寄生電阻/寄生電容與寄生電桿對(duì)信號(hào)的干擾也大幅度的降低。5)因運(yùn)用了引腳的延伸技術(shù)，所以可以容易的制作出高腳數(shù)與高密度的腳之間的距離，使得封裝的體積與面積可以大幅度的縮小。6)因?yàn)閷⒎庋b后的體積大幅度的縮小，更直接的體現(xiàn)出材料成本大幅度的下降與因?yàn)椴牧嫌昧康臏p少也大幅度的減少廢棄物環(huán)保的困擾。但是，還是存在有以下的不足由于封裝前先進(jìn)行引線框背面無填料塑封料的包裹引腳作業(yè)，再進(jìn)行引線框正面的高溫裝片和打線作業(yè)時(shí)，因引線框和無填料塑封料兩種材料的物理性能不同，兩種材料的膨脹系數(shù)也不同，在高溫下受熱形變不同，導(dǎo)致后續(xù)裝片時(shí)引線框產(chǎn)生扭曲。因此該種封裝結(jié)構(gòu)在裝片時(shí)不能夠耐超高溫以上)。而以往是通過把封裝體體積做得很大來達(dá)到耐高溫的要求，但現(xiàn)在要求封裝體的體積越來越小而功率是越來越大的情況下就耐不了超高溫了。

發(fā)明內(nèi)容本實(shí)用新型的目的在于克服上述不足，提供一種裝片時(shí)可承受超高溫且不會(huì)因不同物質(zhì)的不同物理性質(zhì)而產(chǎn)生引線框扭曲，也不會(huì)再有產(chǎn)生掉腳的問題和能使金屬線的長(zhǎng)度縮短的雙面圖形芯片正裝模組封裝結(jié)構(gòu)。本實(shí)用新型的目的是這樣實(shí)現(xiàn)的一種雙面圖形芯片正裝模組封裝結(jié)構(gòu)，包括基島、引腳、無填料的塑封料(環(huán)氧樹脂)、導(dǎo)電或不導(dǎo)電粘結(jié)物質(zhì)、芯片、金屬線和有填料塑封料(環(huán)氧樹脂)，所述引腳正面延伸到基島旁邊，在所述基島和引腳的正面設(shè)置有第一金屬層，在所述基島和引腳的背面設(shè)置有第二金屬層，在所述基島正面第一金屬層上通過導(dǎo)電或不導(dǎo)電粘結(jié)物質(zhì)設(shè)置有芯片，芯片正面與引腳正面第一金屬層之間用金屬線連接，在所述基島和引腳的上部以及芯片和金屬線外包封有填料塑封料(環(huán)氧樹脂)，在所述基島和引腳外圍的區(qū)域、引腳與基島之間的區(qū)域以及引腳與引腳之間的區(qū)域嵌置有無填料的塑封料(環(huán)氧樹脂)，所述無填料的塑封料(環(huán)氧樹脂)將基島和引腳下部外圍、引腳下部與基島下部以及引腳下部與引腳下部連接成一體，且使所述基島和引腳背面尺寸小于基島和引腳正面尺寸，形成上大下小的基島和引腳結(jié)構(gòu)，其特征在于在所述引腳背面設(shè)置有柱子，柱子根部埋入所述無填料的塑封料(環(huán)氧樹脂)內(nèi)。本實(shí)用新型雙面圖形芯片正裝模組封裝結(jié)構(gòu)，基島背面露出所述無填料的塑封料。本實(shí)用新型雙面圖形芯片正裝模組封裝結(jié)構(gòu)，基島有單個(gè)，引腳有多圈；基島有多個(gè)，引腳有單圈；基島有多個(gè)，引腳有多圈。本實(shí)用新型的有益效果是1、引線框耐超高溫^KTC以上)由于采用了雙面圖形蝕刻引線框技術(shù)，一次完成引線框的正、背兩面雙面蝕刻，同時(shí)封裝時(shí)先進(jìn)行引線框正面的高溫裝片打線再進(jìn)行引線框背面的引腳包裹作業(yè)，使裝片打線時(shí)只有引線框一種材料，在使用超高溫的制程過程中因沒有多種材料膨脹系數(shù)不同所帶來的沖擊，確保了引線框的耐超高溫(一般是200°C以下)性能。[0020]2、能確保弓I線框裝片強(qiáng)度因?yàn)椴幌茸鲱A(yù)包封，引線框裝片時(shí)承受的壓力大，打線時(shí)會(huì)使引線框產(chǎn)生振動(dòng)，引線框會(huì)出現(xiàn)下陷現(xiàn)象。本實(shí)用新型通過在引線框背面留有柱子的設(shè)計(jì)，以增加打線時(shí)引線框的強(qiáng)度。3、確保不會(huì)再有產(chǎn)生掉腳的問題由于采用了雙面蝕刻的工藝技術(shù)，所以可以輕松的規(guī)劃設(shè)計(jì)與制造出上大下小的引腳結(jié)構(gòu)，可以使上下層塑封料緊密的將上大下小的引腳結(jié)構(gòu)一起包裹住，所以塑封體與引腳的束縛能力就變大了，不會(huì)再有產(chǎn)生掉腳的問題。4、確保金屬線的長(zhǎng)度縮短1)由于應(yīng)用了引線框背面與正面同時(shí)且分開蝕刻的技術(shù)，所以能夠?qū)⒁€框正面的引腳盡可能的延伸到后續(xù)需裝芯片的區(qū)域旁邊，促使芯片與引腳距離大幅的縮短，如圖 89 圖90，如此金屬線的長(zhǎng)度也縮短了，金屬線的成本也可以大幅的降低(尤其是昂貴的純金質(zhì)的金屬線)；2)也因?yàn)榻饘倬€的長(zhǎng)度縮短使得芯片的信號(hào)輸出速度也大幅的增速(尤其存儲(chǔ)類的產(chǎn)品以及需要大量數(shù)據(jù)的計(jì)算，更為突出)，由于金屬線的長(zhǎng)度變短了，所以金屬線所存在的寄生電阻/寄生電容與寄生電桿對(duì)信號(hào)的干擾也大幅度的降低。5、使封裝的體積與面積可以大幅度的縮小因運(yùn)用了引腳的延伸技術(shù)，所以可以容易的制作出高腳數(shù)與高密度的腳與腳之間的距離，使得封裝的體積與面積可以大幅度的縮小。6、材料成本和材料用量減少因?yàn)閷⒎庋b后的體積大幅度的縮小，更直接的體現(xiàn)出材料成本大幅度的下降與因?yàn)椴牧嫌昧康臏p少也大幅度的減少廢棄物環(huán)保的困擾。

圖1 (A) 圖1 (R)為本實(shí)用新型雙面圖形芯片正裝模組封裝方法實(shí)施例1各工序示意圖。圖2為本實(shí)用新型雙面圖形芯片正裝模組封裝結(jié)構(gòu)實(shí)施例1結(jié)構(gòu)示意圖。圖3為圖2的俯視圖。圖4(A) 圖4(R)為本實(shí)用新型雙面圖形芯片正裝模組封裝方法實(shí)施例2各工序示意圖。圖5為本實(shí)用新型雙面圖形芯片正裝模組封裝結(jié)構(gòu)實(shí)施例2結(jié)構(gòu)示意圖。圖6為圖5的俯視圖。圖7 (A) 圖7 (R)為本實(shí)用新型雙面圖形芯片正裝模組封裝方法實(shí)施例3各工序示意圖。圖8為本實(shí)用新型雙面圖形芯片正裝模組封裝結(jié)構(gòu)實(shí)施例3結(jié)構(gòu)示意圖。圖9為圖8的俯視圖。圖10(A) 圖IO(R)為本實(shí)用新型雙面圖形芯片正裝模組封裝方法實(shí)施例4各工序示意圖。圖11為本實(shí)用新型雙面圖形芯片正裝模組封裝結(jié)構(gòu)實(shí)施例4結(jié)構(gòu)示意圖。[0042]圖12為圖11的俯視圖。圖13(A) 圖13 (R)為本實(shí)用新型雙面圖形芯片正裝模組封裝方法實(shí)施例5各工序示意圖。圖14為本實(shí)用新型雙面圖形芯片正裝模組封裝結(jié)構(gòu)實(shí)施例5結(jié)構(gòu)示意圖。圖15為圖14的俯視圖。圖16(A) 圖16 (R)為本實(shí)用新型雙面圖形芯片正裝模組封裝方法實(shí)施例6各工序示意圖。圖17為本實(shí)用新型雙面圖形芯片正裝模組封裝結(jié)構(gòu)實(shí)施例6結(jié)構(gòu)示意圖。圖18為圖17的俯視圖。圖19(A) 圖19 (R)為本實(shí)用新型雙面圖形芯片正裝模組封裝方法實(shí)施例7各工序示意圖。圖20為本實(shí)用新型雙面圖形芯片正裝模組封裝結(jié)構(gòu)實(shí)施例7結(jié)構(gòu)示意圖。圖21為圖20的俯視圖。圖22 (A) 圖22 (R)為本實(shí)用新型雙面圖形芯片正裝模組封裝方法實(shí)施例8各工序示意圖。圖23為本實(shí)用新型雙面圖形芯片正裝模組封裝結(jié)構(gòu)實(shí)施例8結(jié)構(gòu)示意圖。圖M為圖23的俯視圖。圖25 (A) 圖25 (R)為本實(shí)用新型雙面圖形芯片正裝模組封裝方法實(shí)施例9各工序示意圖。圖沈?yàn)楸緦?shí)用新型雙面圖形芯片正裝模組封裝結(jié)構(gòu)實(shí)施例9結(jié)構(gòu)示意圖。圖27為圖沈的俯視圖。圖^(A) 圖28(R)為本實(shí)用新型雙面圖形芯片正裝模組封裝方法實(shí)施例10各工序示意圖。圖四為本實(shí)用新型雙面圖形芯片正裝模組封裝結(jié)構(gòu)實(shí)施例10結(jié)構(gòu)示意圖。圖30為圖四的俯視圖。圖31(A) 圖31 (R)為本實(shí)用新型雙面圖形芯片正裝模組封裝方法實(shí)施例11各工序示意圖。圖32為本實(shí)用新型雙面圖形芯片正裝模組封裝結(jié)構(gòu)實(shí)施例11結(jié)構(gòu)示意圖。圖33為圖32的俯視圖。圖34(A) 圖34(R)為本實(shí)用新型雙面圖形芯片正裝模組封裝方法實(shí)施例12各工序示意圖。圖35為本實(shí)用新型雙面圖形芯片正裝模組封裝結(jié)構(gòu)實(shí)施例12結(jié)構(gòu)示意圖。圖36為圖35的俯視圖。圖37(A) 圖37 (R)為本實(shí)用新型雙面圖形芯片正裝模組封裝方法實(shí)施例13各工序示意圖。圖38為本實(shí)用新型雙面圖形芯片正裝模組封裝結(jié)構(gòu)實(shí)施例13結(jié)構(gòu)示意圖。圖39為圖38的俯視圖。圖40(A) 圖40(R)為本實(shí)用新型雙面圖形芯片正裝模組封裝方法實(shí)施例14各工序示意圖。[0071]圖41為本實(shí)用新型雙面圖形芯片正裝模組封裝結(jié)構(gòu)實(shí)施例14結(jié)構(gòu)示意圖。圖42為圖41的俯視圖。圖43(A) 圖43(R)為本實(shí)用新型雙面圖形芯片正裝模組封裝方法實(shí)施例15各工序示意圖。圖44為本實(shí)用新型雙面圖形芯片正裝模組封裝結(jié)構(gòu)實(shí)施例15結(jié)構(gòu)示意圖。圖45為圖44的俯視圖。圖46(A) 圖46(R)為本實(shí)用新型雙面圖形芯片正裝模組封裝方法實(shí)施例16各工序示意圖。圖47為本實(shí)用新型雙面圖形芯片正裝模組封裝結(jié)構(gòu)實(shí)施例16結(jié)構(gòu)示意圖。圖48為圖47的俯視圖。圖49(A) 圖49(R)為本實(shí)用新型雙面圖形芯片正裝模組封裝方法實(shí)施例17各工序示意圖。圖50為本實(shí)用新型雙面圖形芯片正裝模組封裝結(jié)構(gòu)實(shí)施例17結(jié)構(gòu)示意圖。圖51為圖50的俯視圖。圖52(A) 圖52(R)為本實(shí)用新型雙面圖形芯片正裝模組封裝方法實(shí)施例18各工序示意圖。圖53為本實(shí)用新型雙面圖形芯片正裝模組封裝結(jié)構(gòu)實(shí)施例18結(jié)構(gòu)示意圖。圖M為圖53的俯視圖。圖55(A) 圖55(R)為本實(shí)用新型雙面圖形芯片正裝模組封裝方法實(shí)施例19各工序示意圖。圖56為本實(shí)用新型雙面圖形芯片正裝模組封裝結(jié)構(gòu)實(shí)施例19結(jié)構(gòu)示意圖。圖57為圖56的俯視圖。圖58(A) 圖58(R)為本實(shí)用新型雙面圖形芯片正裝模組封裝方法實(shí)施例20各工序示意圖。圖59為本實(shí)用新型雙面圖形芯片正裝模組封裝結(jié)構(gòu)實(shí)施例20結(jié)構(gòu)示意圖。圖60為圖59的俯視圖。圖61(A) 圖61 (R)為本實(shí)用新型雙面圖形芯片正裝模組封裝方法實(shí)施例21各
工序示意圖。圖62為本實(shí)用新型雙面圖形芯片正裝模組封裝結(jié)構(gòu)實(shí)施例21結(jié)構(gòu)示意圖。圖63為圖62的俯視圖。圖64(A) 圖64(R)為本實(shí)用新型雙面圖形芯片正裝模組封裝方法實(shí)施例22各工序示意圖。圖65為本實(shí)用新型雙面圖形芯片正裝模組封裝結(jié)構(gòu)實(shí)施例22結(jié)構(gòu)示意圖。圖66為圖65的俯視圖。圖67(A) 圖67 (R)為本實(shí)用新型雙面圖形芯片正裝模組封裝方法實(shí)施例23各工序示意圖。圖68為本實(shí)用新型雙面圖形芯片正裝模組封裝結(jié)構(gòu)實(shí)施例23結(jié)構(gòu)示意圖。圖69為圖68的俯視圖。圖70(A) 圖70(R)為本實(shí)用新型雙面圖形芯片正裝模組封裝方法實(shí)施例對(duì)各工序示意圖。圖71為本實(shí)用新型雙面圖形芯片正裝模組封裝結(jié)構(gòu)實(shí)施例M結(jié)構(gòu)示意圖。圖72為圖71的俯視圖。圖73(A) 圖73(R)為本實(shí)用新型雙面圖形芯片正裝模組封裝方法實(shí)施例25各工序示意圖。圖74為本實(shí)用新型雙面圖形芯片正裝模組封裝結(jié)構(gòu)實(shí)施例25結(jié)構(gòu)示意圖。圖75為圖74的俯視圖。圖76(A) 圖76(R)為本實(shí)用新型雙面圖形芯片正裝模組封裝方法實(shí)施例沈各工序示意圖。圖77為本實(shí)用新型雙面圖形芯片正裝模組封裝結(jié)構(gòu)實(shí)施例沈結(jié)構(gòu)示意圖。圖78為圖77的俯視圖。圖79(A) 圖79(R)為本實(shí)用新型雙面圖形芯片正裝模組封裝方法實(shí)施例27各
工序示意圖。圖80為本實(shí)用新型雙面圖形芯片正裝模組封裝結(jié)構(gòu)實(shí)施例27結(jié)構(gòu)示意圖。圖81為圖80的俯視圖。圖82(A) 圖82(R)為本實(shí)用新型雙面圖形芯片正裝模組封裝方法實(shí)施例觀各工序示意圖。圖83為本實(shí)用新型雙面圖形芯片正裝模組封裝結(jié)構(gòu)實(shí)施例觀結(jié)構(gòu)示意圖。圖84為圖83的俯視圖。圖85為以往采用金屬基板的正面進(jìn)行化學(xué)蝕刻及表面電鍍層作業(yè)圖。圖86為以往形成的掉腳圖。圖87為以往的封裝結(jié)構(gòu)一示意圖。圖88為87的俯視圖。圖89為以往的封裝結(jié)構(gòu)二示意圖。圖90為89的俯視圖。圖中附圖標(biāo)記基島1、引腳2、無填料的塑封料(環(huán)氧樹脂)3、第一金屬層4、第二金屬層5、導(dǎo)電或不導(dǎo)電粘結(jié)物質(zhì)6、芯片7、金屬線8、有填料塑封料(環(huán)氧樹脂)9、柱子10、金屬基板11、 光阻膠膜12、光阻膠膜13、光阻膠膜14、光阻膠膜15、連筋16、光阻膠膜17、光阻膠膜18 ； 第三基島1. 1、第三基島1. 2、第三基島1. 3、第四基島1. 4。
具體實(shí)施方式
本實(shí)用新型雙面圖形芯片正裝模組封裝結(jié)構(gòu)如下實(shí)施例1 單基島單圈引腳參見圖2和圖3，圖2為本實(shí)用新型雙面圖形芯片正裝模組封裝結(jié)構(gòu)實(shí)施例1結(jié)構(gòu)示意圖。圖3為圖2的俯視圖。由圖2和圖3可以看出，本實(shí)用新型雙面圖形芯片正裝模組封裝結(jié)構(gòu)，包括基島1、引腳2、無填料的塑封料(環(huán)氧樹脂)3、導(dǎo)電或不導(dǎo)電粘結(jié)物質(zhì)6、 芯片7、金屬線8和有填料塑封料(環(huán)氧樹脂)9，所述引腳2正面延伸到基島1旁邊，在所述基島1和引腳2的正面設(shè)置有第一金屬層4，在所述基島1和引腳2的背面設(shè)置有第二金屬層5，在所述基島1正面第一金屬層4上通過導(dǎo)電或不導(dǎo)電粘結(jié)物質(zhì)6設(shè)置有芯片7， 芯片7正面與引腳2正面第一金屬層4之間用金屬線8連接，在所述基島1和引腳2的上部以及芯片7和金屬線8外包封有填料塑封料(環(huán)氧樹脂)9，在所述基島1和引腳2外圍的區(qū)域、引腳2與基島1之間的區(qū)域以及引腳2與引腳2之間的區(qū)域嵌置有無填料的塑封料(環(huán)氧樹脂)3，所述無填料的塑封料(環(huán)氧樹脂)3將基島1和引腳下部外圍、引腳2下部與基島1下部以及引腳2下部與引腳2下部連接成一體，且使所述基島和引腳背面尺寸小于基島和引腳正面尺寸，形成上大下小的基島和引腳結(jié)構(gòu)，在所述引腳2背面設(shè)置有柱子10，柱子10根部埋入所述無填料的塑封料(環(huán)氧樹脂)3內(nèi)。其封裝方法如下步驟一、取金屬基板參見圖1(A)，取一片厚度合適的金屬基板11。金屬基板的材質(zhì)可以依據(jù)芯片的功能與特性進(jìn)行變換，例如銅、鋁、鐵、銅合金或鎳鐵合金等。步驟二、金屬基板正面及背面被覆光阻膠膜參見圖1 (B)，利用被覆設(shè)備在金屬基板的正面及背面分別被覆可進(jìn)行曝光顯影的光阻膠膜12和13，以保護(hù)后續(xù)的電鍍金屬層工藝作業(yè)。而此光阻膠膜可以是干式光阻薄膠膜也可以是濕式光阻膠膜。步驟三、金屬基板正面的光阻膠膜進(jìn)行需要電鍍金屬層區(qū)域的曝光/顯影以及開窗參見圖1(C)，利用曝光顯影設(shè)備將步驟二完成光阻膠膜被覆作業(yè)的金屬基板正面進(jìn)行曝光顯影去除部分光阻膠膜，以露出金屬基板正面后續(xù)需要進(jìn)行電鍍金屬層的區(qū)域。步驟四、金屬基板正面已開窗的區(qū)域進(jìn)行金屬層電鍍被覆參見圖1(D)，對(duì)步驟三中金屬基板正面已開窗的區(qū)域進(jìn)行第一金屬層4電鍍被覆，該第一金屬層4置于所述基島1與引腳2的正面。步驟五、金屬基板正面及背面進(jìn)行光阻膠膜去膜參見圖1 (E)，將金屬基板正面余下的光阻膠膜以及金屬基板背面的光阻膠膜全部揭除。步驟六、金屬基板正面及背面被覆光阻膠膜參見圖1 (F)，利用被覆設(shè)備在金屬基板的正面及背面分別被覆可進(jìn)行曝光顯影的光阻膠膜14和15，以保護(hù)后續(xù)的蝕刻工藝作業(yè)。而此光阻膠膜可以是干式光阻薄膠膜也可以是濕式光阻膠膜。步驟七、金屬基板的光阻膠膜進(jìn)行需要雙面蝕刻區(qū)域的曝光/顯影以及開窗參見圖1 (G)，利用曝光顯影設(shè)備將步驟六完成光阻膠膜被覆作業(yè)的金屬基板正面及背面進(jìn)行曝光顯影去除部分光阻膠膜，以露出局部金屬基板以備后續(xù)需要進(jìn)行的金屬基板雙面蝕刻作業(yè)。 步驟八、金屬基板進(jìn)行雙面蝕刻作業(yè) 參見圖1 (H)，完成步驟七的曝光/顯影以及開窗作業(yè)后，即在金屬基板的正面及背面進(jìn)行各圖形的蝕刻作業(yè)，蝕刻出基島1和引腳2的正面和背面，同時(shí)將引腳正面盡可能的延伸到基島旁邊，且使所述基島1和引腳2的背面尺寸小于基島1和引腳2的正面尺寸，形成上大下小的基島1和引腳2結(jié)構(gòu)；以及在引腳2背面形成柱子10，并在基島1與引腳2 之間和引腳2與引腳2之間留有連筋16。步驟九、金屬基板正面及背面進(jìn)行光阻膠膜去膜參見圖1(1)，將金屬基板正面和背面余下的光阻膠膜全部揭除，制成引線框，步驟十、裝片參見圖1 (J)，在基島1正面第一金屬層4上通過導(dǎo)電或不導(dǎo)電粘結(jié)物質(zhì)6進(jìn)行芯片7的植入。步驟^^一、打金屬線參見圖I(K)，將已完成芯片植入作業(yè)的半成品進(jìn)行芯片正面與引腳正面第一金屬層之間打金屬線8作業(yè)。步驟十二、包封有填料塑封料(環(huán)氧樹脂)參見圖1 (L)，將已打線完成的半成品正面進(jìn)行包封有填料塑封料(環(huán)氧樹脂)9作業(yè)，并進(jìn)行塑封料包封后的固化作業(yè)，使基島和引腳的上部以及芯片和金屬線外均被有填料塑封料(環(huán)氧樹脂)包封。步驟十三、被覆光阻膠膜參見圖1 (M)，利用被覆設(shè)備在將已完成包封有填料塑封料(環(huán)氧樹脂)作業(yè)的半成品的正面及背面分別被覆可進(jìn)行曝光顯影的光阻膠膜17和18，以保護(hù)后續(xù)的蝕刻工藝作業(yè)。而此光阻膠膜可以是干式光阻薄膠膜也可以是濕式光阻膠膜。步驟十四、已完成包封有填料塑封料(環(huán)氧樹脂)作業(yè)的半成品的背面進(jìn)行需要蝕刻區(qū)域的曝光/顯影以及開窗參見圖1 (N)，利用曝光顯影設(shè)備將步驟十三完成光阻膠膜被覆作業(yè)的已完成包封有填料塑封料(環(huán)氧樹脂)作業(yè)的半成品背面進(jìn)行曝光顯影去除部分光阻膠膜，以露出步驟八金屬基板雙面蝕刻作業(yè)后留有的連筋16以及在引腳2背面形成的柱子10，以備后續(xù)需要進(jìn)行柱子根部和連筋蝕刻作業(yè)。步驟十五、第二次蝕刻作業(yè)參見圖1 (0)，完成步驟十四的曝光/顯影以及開窗作業(yè)后，即在完成包封有填料塑封料(環(huán)氧樹脂)作業(yè)的半成品背面進(jìn)行各圖形的蝕刻作業(yè)，將步驟八金屬基板雙面蝕刻作業(yè)后留有的連筋16全部蝕刻掉，在這個(gè)過程中所述柱子10的根部也會(huì)同時(shí)的蝕刻掉相對(duì)的厚度，使柱子根部不露出包封后的封裝結(jié)構(gòu)背面，避免產(chǎn)生斷路。步驟十六、半成品正面及背面進(jìn)行光阻膠膜去膜參見圖1 (P)，將完成步驟十五蝕刻作業(yè)的半成品背面余下的光阻膠膜以及半成品正面的光阻膠膜全部揭除。步驟十七、包封無填料的塑封料(環(huán)氧樹脂)參見圖1⑴)，將已完成步驟十六所述去膜作業(yè)的半成品背面進(jìn)行包封無填料的塑封料(環(huán)氧樹脂)作業(yè)，并進(jìn)行塑封料包封后的固化作業(yè)，使基島1和引腳2外圍的區(qū)域、 引腳2與基島1之間的區(qū)域以及引腳2與引腳2之間的區(qū)域均嵌置無填料的塑封料(環(huán)氧樹脂)3，該無填料的塑封料(環(huán)氧樹脂)3將基島1和引腳下部外圍、引腳2下部與基島1 下部以及引腳2下部與引腳2下部連接成一體，且使所述柱子10根部埋入該無填料的塑封料(環(huán)氧樹脂)3內(nèi)。[0161]特別說明但也因?yàn)槎嗔怂鲋?0在封裝體內(nèi)，反而在封裝體內(nèi)的結(jié)構(gòu)更為強(qiáng)壯了(好比混泥土中增加了鋼筋又有強(qiáng)度又有韌性)步驟十八、基島和引腳的背面進(jìn)行金屬層電鍍被覆參見圖1 (R)，對(duì)已完成步驟十七包封無填料塑封料作業(yè)的所述基島和引腳的背面進(jìn)行第二金屬層5電鍍被覆作業(yè)，而電鍍的材料可以是錫、鎳金、鎳鈀金....等金屬材質(zhì)。步驟十九、切割成品參見圖2和圖3，將已完成步驟十八第二金屬層電鍍被覆的半成品進(jìn)行切割作業(yè)， 使原本以列陣式集合體方式連在一起的芯片一顆顆獨(dú)立開來，制得雙面圖形芯片正裝模組封裝結(jié)構(gòu)成品。實(shí)施例2 下沉基島露出型單圈引腳參見圖4 6，圖4(A) 圖4(R)為本實(shí)用新型雙面圖形芯片正裝模組封裝方法實(shí)施例2各工序示意圖。圖5為本實(shí)用新型雙面圖形芯片正裝模組封裝結(jié)構(gòu)實(shí)施例2結(jié)構(gòu)示意圖。圖6為圖5的俯視圖。由圖4、圖5和圖6可以看出，實(shí)施例2與實(shí)施例1的不同之處僅在于所述基島1為下沉型基島，即基島1正面中央?yún)^(qū)域下沉。實(shí)施例3 埋入型基島單圈引腳參見圖7 9，圖7(A) 圖7 (R)為本實(shí)用新型雙面圖形芯片正裝模組封裝方法實(shí)施例3各工序示意圖。圖8為本實(shí)用新型雙面圖形芯片正裝模組封裝結(jié)構(gòu)實(shí)施例3結(jié)構(gòu)示意圖。圖9為圖8的俯視圖。由圖7、圖8和圖9可以看出，實(shí)施例3與實(shí)施例1的不同之處僅在于所述基島1為埋入型基島，即基島1背面埋入所述無填料的塑封料(環(huán)氧樹脂)3內(nèi)。實(shí)施例4 多凸點(diǎn)基島露出型單圈引腳參見圖10 12，圖10(A) 圖IO(R)為本實(shí)用新型雙面圖形芯片正裝模組封裝方法實(shí)施例4各工序示意圖。圖11為本實(shí)用新型雙面圖形芯片正裝模組封裝結(jié)構(gòu)實(shí)施例 4結(jié)構(gòu)示意圖。圖12為圖11的俯視圖。由圖10、圖11和圖12可以看出，實(shí)施例4與實(shí)施例1的不同之處僅在于所述基島1為多凸點(diǎn)基島，即基島1表面設(shè)置有多個(gè)凸點(diǎn)。實(shí)施例5 基島露出型多圈引腳參見圖13 15，圖13 (A) 圖13(R)為本實(shí)用新型雙面圖形芯片正裝模組封裝方法實(shí)施例5各工序示意圖。圖14為本實(shí)用新型雙面圖形芯片正裝模組封裝結(jié)構(gòu)實(shí)施例5 結(jié)構(gòu)示意圖。圖15為圖14的俯視圖。由圖13 15可以看出，實(shí)施例5與實(shí)施例1的不同之處在于所述引腳2有多圈。實(shí)施例6 下沉基島露出型多圈引腳參見圖16 18，圖16 (A) 圖16 (R)為本實(shí)用新型雙面圖形芯片正裝模組封裝方法實(shí)施例6各工序示意圖。圖17為本實(shí)用新型雙面圖形芯片正裝模組封裝結(jié)構(gòu)實(shí)施例6 結(jié)構(gòu)示意圖。圖18為圖17的俯視圖。由圖16 18可以看出，實(shí)施例6與實(shí)施例2的不同之處在于所述引腳2有多圈。實(shí)施例7 埋入型基島多圈引腳參見圖19 21，圖19(A) 圖19 (R)為本實(shí)用新型雙面圖形芯片正裝模組封裝方法實(shí)施例7各工序示意圖。圖20為本實(shí)用新型雙面圖形芯片正裝模組封裝結(jié)構(gòu)實(shí)施例7 結(jié)構(gòu)示意圖。圖21為圖20的俯視圖。由圖19 21可以看出，實(shí)施例7與實(shí)施例3的不同之處在于所述引腳2有多圈。實(shí)施例8 多凸點(diǎn)基島露出型多圈引腳參見圖22 M，圖22 (A) 圖22 (R)為本實(shí)用新型雙面圖形芯片正裝模組封裝方法實(shí)施例8各工序示意圖。圖23為本實(shí)用新型雙面圖形芯片正裝模組封裝結(jié)構(gòu)實(shí)施例8 結(jié)構(gòu)示意圖。圖M為圖23的俯視圖。由圖22 M可以看出，實(shí)施例8與實(shí)施例4的不同之處在于所述引腳2有多圈。實(shí)施例9 多個(gè)基島露出型單圈引腳參見圖25 27，圖25 (A) 圖25 (R)為本實(shí)用新型雙面圖形芯片正裝模組封裝方法實(shí)施例9各工序示意圖。圖沈?yàn)楸緦?shí)用新型雙面圖形芯片正裝模組封裝結(jié)構(gòu)實(shí)施例9 結(jié)構(gòu)示意圖。圖27為圖沈的俯視圖。由圖25 27可以看出，實(shí)施例9與實(shí)施例1的不同之處在于所述基島1有多個(gè)，引腳2有單圈。實(shí)施例10 多個(gè)下沉基島露出型單圈引腳參見圖觀 30，圖觀(幻 圖觀(R)為本實(shí)用新型雙面圖形芯片正裝模組封裝方法實(shí)施例10各工序示意圖。圖四為本實(shí)用新型雙面圖形芯片正裝模組封裝結(jié)構(gòu)實(shí)施例10 結(jié)構(gòu)示意圖。圖30為圖四的俯視圖。由圖觀 30可以看出，實(shí)施例10與實(shí)施例2的不同之處在于所述基島1有多個(gè)，引腳2有單圈。實(shí)施例11 多個(gè)埋入型基島單圈引腳參見圖31 33，圖31 (A) 圖31 (R)為本實(shí)用新型雙面圖形芯片正裝模組封裝方法實(shí)施例11各工序示意圖。圖32為本實(shí)用新型雙面圖形芯片正裝模組封裝結(jié)構(gòu)實(shí)施例11 結(jié)構(gòu)示意圖。圖33為圖32的俯視圖。由圖31 33可以看出，實(shí)施例11與實(shí)施例3的不同之處在于所述基島1有多個(gè)，引腳2有單圈。實(shí)施例12 多個(gè)多凸點(diǎn)基島露出型單圈引腳參見圖34 36，圖34 (A) 圖34 (R)為本實(shí)用新型雙面圖形芯片正裝模組封裝方法實(shí)施例12各工序示意圖。圖35為本實(shí)用新型雙面圖形芯片正裝模組封裝結(jié)構(gòu)實(shí)施例12 結(jié)構(gòu)示意圖。圖36為圖35的俯視圖。由圖34 36可以看出，實(shí)施例12與實(shí)施例4的不同之處在于所述基島1有多個(gè)，引腳2有單圈。實(shí)施例13 多個(gè)基島露出型多圈引腳參見圖37 39，圖37 (A) 圖37 (R)為本實(shí)用新型雙面圖形芯片正裝模組封裝方法實(shí)施例13各工序示意圖。圖38為本實(shí)用新型雙面圖形芯片正裝模組封裝結(jié)構(gòu)實(shí)施例13 結(jié)構(gòu)示意圖。圖39為圖38的俯視圖。由圖37 39可以看出，實(shí)施例13與實(shí)施例1的不同之處在于所述基島1有多個(gè)，引腳2有多圈。實(shí)施例14 多個(gè)下沉基島露出型多圈引腳參見圖40 42，圖40(A) 圖40 (R)為本實(shí)用新型雙面圖形芯片正裝模組封裝方法實(shí)施例14各工序示意圖。圖41為本實(shí)用新型雙面圖形芯片正裝模組封裝結(jié)構(gòu)實(shí)施例14結(jié)構(gòu)示意圖。圖42為圖41的俯視圖。由圖40 42可以看出，實(shí)施例14與實(shí)施例 2的不同之處在于所述基島1有多個(gè)，引腳2有多圈。實(shí)施例15 多個(gè)埋入型基島多圈引腳參見圖43 45，圖43 (A) 圖43 (R)為本實(shí)用新型雙面圖形芯片正裝模組封裝方法實(shí)施例15各工序示意圖。圖44為本實(shí)用新型雙面圖形芯片正裝模組封裝結(jié)構(gòu)實(shí)施例15結(jié)構(gòu)示意圖。圖45為圖44的俯視圖。由圖43 45可以看出，實(shí)施例15與實(shí)施例3的不同之處在于所述基島1有多個(gè)，引腳2有多圈。實(shí)施例16 多個(gè)多凸點(diǎn)基島露出型多圈引腳參見圖46 48，圖46 (A) 圖46 (R)為本實(shí)用新型雙面圖形芯片正裝模組封裝方法實(shí)施例16各工序示意圖。圖47為本實(shí)用新型雙面圖形芯片正裝模組封裝結(jié)構(gòu)實(shí)施例16 結(jié)構(gòu)示意圖。圖48為圖47的俯視圖。由圖46 48可以看出，實(shí)施例16與實(shí)施例4的不同之處在于所述基島1有多個(gè)，引腳2有多圈。實(shí)施例17 基島露出型及下沉基島露出型單圈引腳參見圖49 51，圖49(A) 圖49 (R)為本實(shí)用新型雙面圖形芯片正裝模組封裝方法實(shí)施例17各工序示意圖。圖50為本實(shí)用新型雙面圖形芯片正裝模組封裝結(jié)構(gòu)實(shí)施例 17結(jié)構(gòu)示意圖。圖51為圖50的俯視圖。由圖49 51可以看出，實(shí)施例17與實(shí)施例1的不同之處在于所述基島1有二組也可以是多組基島，一組為第一基島1. 1，另一組為第二基島1. 2，所述第二基島1. 2正面中央?yún)^(qū)域下沉，在所述第一基島1. 1和引腳2的正面設(shè)置第一金屬層4，在所述第一基島1. 1、第二基島1. 2和引腳2的背面設(shè)置第二金屬層5，在第二基島1.2正面中央下沉區(qū)域和第一基島1. 1正面通過導(dǎo)電或不導(dǎo)電粘結(jié)物質(zhì)6設(shè)置芯片7，芯片7正面與引腳2正面第一金屬層4之間以及芯片7與芯片7之間均用金屬線8連接，在所述引腳2外圍的區(qū)域、引腳2與第一基島1. 1之間的區(qū)域、第一基島1. 1與第二基島1. 2之間的區(qū)域、第二基島1. 2與引腳2之間的區(qū)域以及引腳2與引腳2之間的區(qū)域嵌置無填料塑封料3，所述無填料塑封料3將引腳下部外圍、引腳2與第一基島1. 1下部、第一基島1. 1與第二基島1. 2下部、第二基島1. 2與引腳2下部以及引腳2與引腳2下部連接成一體，所述引腳2有單圈。實(shí)施例18 基島露出型及下沉基島露出型多圈引腳參見圖52 54，圖52(A) 圖52 (R)為本實(shí)用新型雙面圖形芯片正裝模組封裝方法實(shí)施例18各工序示意圖。圖53為本實(shí)用新型雙面圖形芯片正裝模組封裝結(jié)構(gòu)實(shí)施例 18結(jié)構(gòu)示意圖。圖M為圖53的俯視圖。由圖52 M可以看出，實(shí)施例18與實(shí)施例17 的不同之處在于所述引腳2有多圈。實(shí)施例19 基島露出型及埋入型基島單圈引腳參見圖55 57，圖55(A) 圖55 (R)為本實(shí)用新型雙面圖形芯片正裝模組封裝方法實(shí)施例19各工序示意圖。圖56為本實(shí)用新型雙面圖形芯片正裝模組封裝結(jié)構(gòu)實(shí)施例 19結(jié)構(gòu)示意圖。圖57為圖56的俯視圖。由圖55 57可以看出，實(shí)施例19與實(shí)施例1的不同之處在于所述基島1有二組也可以是多組基島，一組為第一基島1. 1，另一組為第三基島1. 3，在所述第一基島1. 1第三基島1. 3和引腳2的正面設(shè)置第一金屬層4，在所述第一基島1. 1和引腳2的背面設(shè)置第二金屬層5，芯片7正面與引腳2正面第一金屬層4之間以及芯片7與芯片7之間均用金屬線8連接，在所述引腳2外圍的區(qū)域、引腳2與第一基島 1. 1之間的區(qū)域、第三基島1. 3背面、第三基島1. 3與第一基島1. 1之間的區(qū)域、第三基島 1. 3與引腳2之間的區(qū)域以及引腳與引腳之間的區(qū)域嵌置無填料塑封料3，所述無填料塑封料3將引腳下部外圍、引腳2與第一基島1. 1下部、第三基島1. 3背面、第三基島1. 3背面與第一基島1. 1下部、第三基島1. 3背面與引腳2下部以及引腳2與引腳2下部連接成一體，所述引腳2設(shè)置有單圈。[0202]實(shí)施例20 基島露出型及埋入型基島多圈引腳參見圖58 60，圖58(A) 圖58 (R)為本實(shí)用新型雙面圖形芯片正裝模組封裝方法實(shí)施例20各工序示意圖。圖59為本實(shí)用新型雙面圖形芯片正裝模組封裝結(jié)構(gòu)實(shí)施例 20結(jié)構(gòu)示意圖。圖60為圖59的俯視圖。由圖58 60可以看出，實(shí)施例20與實(shí)施例19 的不同之處在于所述引腳(2)有多圈。實(shí)施例21 基島露出型及多凸點(diǎn)基島露出型單圈引腳參見圖61 63，圖61 (A) 圖61 (R)為本實(shí)用新型雙面圖形芯片正裝模組封裝方法實(shí)施例21各工序示意圖。圖62為本實(shí)用新型雙面圖形芯片正裝模組封裝結(jié)構(gòu)實(shí)施例21 結(jié)構(gòu)示意圖。圖63為圖62的俯視圖。由圖61 63可以看出，實(shí)施例21與實(shí)施例1的不同之處在于所述基島1有二組也可以是多組基島，一組為第一基島1. 1，另一組為第四基島1.4，所述第四基島1.4正面設(shè)置成多凸點(diǎn)狀結(jié)構(gòu)，在所述引腳2外圍的區(qū)域、引腳2與第一基島1. 1之間的區(qū)域、第一基島1. 1與第四基島1. 4之間的區(qū)域、第四基島1. 4與引腳2 之間的區(qū)域以及引腳2與引腳2之間的區(qū)域嵌置無填料塑封料3，所述無填料的塑封料(環(huán)氧樹脂)3將引腳下部外圍、引腳2與第一基島1. 1下部、第一基島1. 1與第四基島1. 4下部、第四基島1. 4與引腳2下部以及引腳2與引腳2下部連接成一體，所述引腳2設(shè)置有單圈。實(shí)施例22 基島露出型及多凸點(diǎn)基島露出型多圈引腳參見圖64 66，圖64(A) 圖64(R)為本實(shí)用新型雙面圖形芯片正裝模組封裝方法實(shí)施例22各工序示意圖。圖65為本實(shí)用新型雙面圖形芯片正裝模組封裝結(jié)構(gòu)實(shí)施例 22結(jié)構(gòu)示意圖。圖66為圖65的俯視圖。由圖64 66可以看出，實(shí)施例22與實(shí)施例21 的不同之處在于所述引腳2有多圈。實(shí)施例23 下沉基島露出型及埋入型基島露出型單圈引腳參見圖67 69，圖67 (A) 圖67 (R)為本實(shí)用新型雙面圖形芯片正裝模組封裝方法實(shí)施例23各工序示意圖。圖68為本實(shí)用新型雙面圖形芯片正裝模組封裝結(jié)構(gòu)實(shí)施例23 結(jié)構(gòu)示意圖。圖69為圖68的俯視圖。由圖67 69可以看出，實(shí)施例23與實(shí)施例1的不同之處在于所述基島1有二組也可以是多組基島，一組為第二基島1.2，另一組為第三基島1. 3，所述第二基島1. 2正面中央?yún)^(qū)域下沉，在第二基島1. 2正面中央下沉區(qū)域和第三基島1. 3正面通過導(dǎo)電或不導(dǎo)電粘結(jié)物質(zhì)6設(shè)置芯片7，在所述引腳2外圍的區(qū)域、引腳2與第二基島1. 2之間的區(qū)域、第三基島1. 3背面、第二基島背面1. 2與第二基島1. 2之間的區(qū)域、第三基島1. 3背面與引腳2之間的區(qū)域以及引腳與引腳之間的區(qū)域嵌置無填料塑封料 3，所述無填料塑封料3將引腳下部外圍、引腳2與第二基島1.2下部、第三基島1.3、第三基島1. 3與第二基島1. 2下部、第三基島1. 3背面與引腳2下部以及引腳2與引腳2下部連接成一體，所述引腳2設(shè)置有一圈。實(shí)施例M 下沉基島露出型及埋入型基島露出型多圈引腳參見圖70 72，圖70(A) 圖70 (R)為本實(shí)用新型雙面圖形芯片正裝模組封裝方法實(shí)施例M各工序示意圖。圖71為本實(shí)用新型雙面圖形芯片正裝模組封裝結(jié)構(gòu)實(shí)施例 M結(jié)構(gòu)示意圖。圖72為圖71的俯視圖。由圖70 72可以看出，實(shí)施例M與實(shí)施例23 的不同之處在于所述引腳2有多圈。實(shí)施例25 下沉基島露出型及多凸點(diǎn)基島露出型單圈引腳[0213]參見圖73 75，圖73 (A) 圖73 (R)為本實(shí)用新型雙面圖形芯片正裝模組封裝方法實(shí)施例25各工序示意圖。圖74為本實(shí)用新型雙面圖形芯片正裝模組封裝結(jié)構(gòu)實(shí)施例25 結(jié)構(gòu)示意圖。圖75為圖74的俯視圖。由圖73 75可以看出，實(shí)施例25與實(shí)施例1的不同之處在于所述基島1有二組也可以是多組基島，一組為第二基島1. 2，另一組為第四基島1. 4，所述第二基島1. 2正面中央?yún)^(qū)域下沉，第四基島1. 4正面設(shè)置成多凸點(diǎn)狀結(jié)構(gòu)，在所述第四基島1. 4和引腳2的正面設(shè)置第一金屬層4，在所述第二基島1. 2、第四基島1. 4和引腳2的背面設(shè)置第二金屬層5，在所述第二基島1. 2正面中央下沉區(qū)域和第四基島1. 4正面通過導(dǎo)電或不導(dǎo)電粘結(jié)物質(zhì)6設(shè)置芯片7，在所述引腳2外圍的區(qū)域、引腳2與第二基島 1. 2之間的區(qū)域、第二基島1. 2與第四基島1. 4之間的區(qū)域、第四基島1. 4與引腳2之間的區(qū)域以及引腳2與引腳2之間的區(qū)域嵌置無填料塑封料3，所述無填料的塑封料(環(huán)氧樹脂)3將引腳下部外圍、引腳2與第二基島1. 2下部、第二基島1. 2與第四基島1. 4下部、第四基島1. 4與引腳2下部以及引腳2與引腳2下部連接成一體，所述引腳2設(shè)置有一圈。實(shí)施例沈下沉基島露出型及多凸點(diǎn)基島露出型多圈引腳參見圖76 78，圖76(A) 圖76 (R)為本實(shí)用新型雙面圖形芯片正裝模組封裝方法實(shí)施例沈各工序示意圖。圖77為本實(shí)用新型雙面圖形芯片正裝模組封裝結(jié)構(gòu)實(shí)施例 26結(jié)構(gòu)示意圖。圖78為圖77的俯視圖。由圖76 78可以看出，實(shí)施例沈與實(shí)施例25 的不同之處在于所述引腳2有多圈。實(shí)施例27 埋入型基島及多凸點(diǎn)基島露出型單圈引腳參見圖79 81，圖79(A) 圖79 (R)為本實(shí)用新型雙面圖形芯片正裝模組封裝方法實(shí)施例27各工序示意圖。圖80為本實(shí)用新型雙面圖形芯片正裝模組封裝結(jié)構(gòu)實(shí)施例 27結(jié)構(gòu)示意圖。圖81為圖80的俯視圖。由圖79 81可以看出，實(shí)施例27與實(shí)施例1的不同之處在于所述基島1有二組也可以是多組基島，一組為第三基島1. 3，另一組為第四基島1.4，所述第四基島1.4正面設(shè)置成多凸點(diǎn)狀結(jié)構(gòu)，在所述第三基島1.3、第四基島1.4 和引腳2的正面設(shè)置第一金屬層4，在所述第四基島1. 4和引腳2的背面設(shè)置第二金屬層 5，在所述引腳2外圍的區(qū)域、引腳2與第四基島1. 4之間的區(qū)域、第三基島1. 3背面、第二基島1.2與第四基島1.4之間的區(qū)域、第三基島1.3與引腳2之間的區(qū)域以及引腳與引腳之間的區(qū)域嵌置無填料塑封料3，所述無填料塑封料3將引腳下部外圍、引腳2與第四基島 1. 4下部、第三基島1. 3背面、第三基島1. 3背面與第四基島1. 4下部、第三基島1. 3背面與引腳2下部以及引腳2與引腳2下部連接成一體，所述引腳2設(shè)置有一圈。實(shí)施例觀埋入型基島及多凸點(diǎn)基島露出型多圈引腳參見圖82 84，圖82(A) 圖82 (R)為本實(shí)用新型雙面圖形芯片正裝模組封裝方法實(shí)施例觀各工序示意圖。圖83為本實(shí)用新型雙面圖形芯片正裝模組封裝結(jié)構(gòu)實(shí)施例觀結(jié)構(gòu)示意圖。圖84為圖83的俯視圖。由圖82 84可以看出，實(shí)施例觀與實(shí)施例27 的不同之處在于所述引腳2有多圈。
權(quán)利要求1.一種雙面圖形芯片正裝模組封裝結(jié)構(gòu)，包括基島(1)、引腳O)、無填料的塑封料 (3)、導(dǎo)電或不導(dǎo)電粘結(jié)物質(zhì)(6)、芯片(7)、金屬線(8)和有填料塑封料(9)，所述引腳(2) 正面延伸到基島(1)旁邊，在所述基島(1)和引腳O)的正面設(shè)置有第一金屬層，在所述基島(1)和引腳O)的背面設(shè)置有第二金屬層(5)，在所述基島(1)正面第一金屬層(4) 上通過導(dǎo)電或不導(dǎo)電粘結(jié)物質(zhì)(6)設(shè)置有芯片(7)，芯片(7)正面與引腳(2)正面第一金屬層⑷之間用金屬線⑶連接，在所述基島⑴和引腳⑵的上部以及芯片(7)和金屬線 ⑶外包封有填料塑封料(9)，在所述基島⑴和引腳⑵外圍的區(qū)域、引腳(2)與基島⑴ 之間的區(qū)域以及引腳( 與引腳( 之間的區(qū)域嵌置有無填料的塑封料(3)，所述無填料的塑封料⑶將基島⑴和引腳下部外圍、引腳⑵下部與基島⑴下部以及引腳⑵下部與引腳(2)下部連接成一體，且使所述基島和引腳背面尺寸小于基島和引腳正面尺寸， 形成上大下小的基島和引腳結(jié)構(gòu)，其特征在于在所述引腳( 背面設(shè)置有柱子(10)，柱子 (10)根部埋入所述無填料的塑封料(3)內(nèi)。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種雙面圖形芯片正裝模組封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于基島(1) 背面露出所述無填料的塑封料(3)。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種雙面圖形芯片正裝模組封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于基島(1) 正面中央?yún)^(qū)域下沉。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種雙面圖形芯片正裝模組封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于基島1背面埋入所述無填料的塑封料3內(nèi)。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種雙面圖形芯片正裝模組封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于所述基島 (1)正面設(shè)置成多凸點(diǎn)狀結(jié)構(gòu)。
6.根據(jù)權(quán)利要求1 5其中之一所述的一種雙面圖形芯片正裝模組封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于所述基島⑴有單個(gè)，引腳⑵有多圈。
7.根據(jù)權(quán)利要求1 5其中之一所述的一種雙面圖形芯片正裝模組封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于所述基島⑴有多個(gè)，引腳⑵有單圈。
8.根據(jù)權(quán)利要求1 5其中之一所述的一種雙面圖形芯片正裝模組封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于所述基島⑴有多個(gè)，引腳⑵有多圈。
9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種雙面圖形芯片正裝模組封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于所述基島 (1)有二組，一組為第一基島(1.1)，另一組為第二基島(1.2)，所述第二基島(1.2)正面中央?yún)^(qū)域下沉，在所述第一基島(1. 1)和引腳O)的正面設(shè)置有第一金屬層G)，在所述第一基島(1. 1)、第二基島(1. 2)和引腳(2)的背面設(shè)置有第二金屬層(5)，在第二基島(1. 2)正面中央下沉區(qū)域和第一基島(1. 1)正面通過導(dǎo)電或不導(dǎo)電粘結(jié)物質(zhì)(6)設(shè)置有芯片(7)，芯片(7)正面與引腳(2)正面第一金屬層(4)之間以及芯片(7)與芯片(7)之間均用金屬線 (8)連接，在所述引腳(2)外圍的區(qū)域、引腳O)與第一基島(1. 1)之間的區(qū)域、第一基島 (1. 1)與第二基島(1. 2)之間的區(qū)域、第二基島(1. 2)與引腳⑵之間的區(qū)域以及引腳(2) 與引腳( 之間的區(qū)域嵌置無填料塑封料(3)，所述無填料塑封料C3)將引腳下部外圍、引腳⑵與第一基島(1. 1)下部、第一基島(1. 1)與第二基島(1. 2)下部、第二基島(1. 2)與引腳⑵下部以及引腳(2)與引腳(2)下部連接成一體，所述引腳(2)設(shè)置有單圈或多圈。
10.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種雙面圖形芯片正裝模組封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于所述基島(1)有二組，一組為第一基島(1. 1)，另一組為第三基島(1. 3)，在所述第一基島(1. 1)第三基島(1.3)和引腳(2)的正面設(shè)置有第一金屬層(4)，在所述第一基島(1. 1)和引腳(2) 的背面設(shè)置有第二金屬層(5)，在基島(1)正面通過導(dǎo)電或不導(dǎo)電粘結(jié)物質(zhì)(6)設(shè)置有芯片 (7)，芯片(7)正面與引腳(2)正面第一金屬層⑷之間以及芯片(7)與芯片(7)之間均用金屬線⑶連接，在所述基島(1)和引腳⑵的上部以及芯片(7)和金屬線⑶外包封有填料塑封料(9)，在所述引腳(2)外圍的區(qū)域、引腳O)與第一基島(1. 1)之間的區(qū)域、第三基島(1. 3)背面、第三基島(1. 3)與第一基島(1. 1)之間的區(qū)域、第三基島(1. 3)與引腳 (2)之間的區(qū)域以及引腳與引腳之間的區(qū)域嵌置無填料塑封料(3)，所述無填料塑封料(3) 將引腳下部外圍、引腳(2)與第一基島(1.1)下部、第三基島(1.3)背面、第三基島(1.3) 背面與第一基島(1. 1)下部、第三基島(1. 3)背面與引腳(2)下部以及引腳(2)與引腳(2) 下部連接成一體，所述引腳( 設(shè)置有單圈或多圈。
11.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種雙面圖形芯片正裝模組封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于所述基島(1)有二組，一組為第一基島(1. 1)，另一組為第四基島(1.4)，所述第四基島(1.4)正面設(shè)置成多凸點(diǎn)狀結(jié)構(gòu)，在所述引腳(2)外圍的區(qū)域、引腳O)與第一基島(1. 1)之間的區(qū)域、第一基島(1. 1)與第四基島(1.4)之間的區(qū)域、第四基島(1.4)與引腳⑵之間的區(qū)域以及引腳( 與引腳( 之間的區(qū)域嵌置無填料塑封料(3)，所述無填料的塑封料C3)將引腳下部外圍、引腳(2)與第一基島(1. 1)下部、第一基島(1. 1)與第四基島(1.4)下部、第四基島(1.4)與引腳⑵下部以及引腳(2)與引腳⑵下部連接成一體，所述引腳(2)設(shè)置有單圈或多圈。
12.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種雙面圖形芯片正裝模組封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于所述基島(1)有二組也可以是多組基島，一組為第二基島(1.2)，另一組為第三基島(1.3)，所述第二基島(1.2)正面中央?yún)^(qū)域下沉，在第二基島(1.2)正面中央下沉區(qū)域和第三基島(1.3) 正面通過導(dǎo)電或不導(dǎo)電粘結(jié)物質(zhì)(6)設(shè)置有芯片(7)，在所述引腳(2)外圍的區(qū)域、引腳(2)與第二基島(1.2)之間的區(qū)域、第三基島(1.3)背面、第二基島背面(1.2)與第二基島(1.2)之間的區(qū)域、第三基島(1.3)背面與引腳(2)之間的區(qū)域以及引腳與引腳之間的區(qū)域嵌置無填料塑封料(3)，所述無填料塑封料C3)將引腳下部外圍、引腳( 與第二基島 (1. 2)下部、第三基島(1. 3)、第三基島(1. 3)與第二基島(1. 2)下部、第三基島(1. 3)背面與引腳⑵下部以及引腳⑵與引腳⑵下部連接成一體，所述引腳⑵設(shè)置有單圈。
13.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種雙面圖形芯片正裝模組封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于所述基島⑴有二組，一組為第二基島(1.2)，另一組為第四基島(1.4)，所述第二基島(1.2)正面中央?yún)^(qū)域下沉，第四基島(1.4)正面設(shè)置成多凸點(diǎn)狀結(jié)構(gòu)，在所述第四基島(1.4)和引腳O)的正面設(shè)置有第一金屬層G)，在所述第二基島(1.2)、第四基島(1.4)和引腳(2) 的背面設(shè)置有第二金屬層(5)，在所述第二基島(1.2)正面中央下沉區(qū)域和第四基島(1.4) 正面通過導(dǎo)電或不導(dǎo)電粘結(jié)物質(zhì)(6)設(shè)置有芯片(7)，在所述引腳(2)外圍的區(qū)域、引腳 ⑵與第二基島(1. 2)之間的區(qū)域、第二基島(1. 2)與第四基島(1. 4)之間的區(qū)域、第四基島(1.4)與引腳⑵之間的區(qū)域以及引腳(2)與引腳(2)之間的區(qū)域嵌置無填料塑封料(3)，所述無填料的塑封料(3)將引腳下部外圍、引腳(2)與第二基島(1.2)下部、第二基島 (1. 2)與第四基島(1. 4)下部、第四基島(1. 4)與引腳(2)下部以及引腳(2)與引腳(2)下部連接成一體，所述引腳( 設(shè)置有單圈或多圈。
14.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種雙面圖形芯片正裝模組封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于所述基島(1)有二組，一組為第三基島(1.3)，另一組為第四基島(1.4)，所述第四基島(1.4)正面設(shè)置成多凸點(diǎn)狀結(jié)構(gòu)，在所述第三基島(1.3)、第四基島(1.4)和引腳O)的正面設(shè)置有第一金屬層G)，在所述第四基島(1.4)和引腳O)的背面設(shè)置有第二金屬層(5)，在所述引腳⑵外圍的區(qū)域、引腳⑵與第四基島(1. 4)之間的區(qū)域、第三基島(1. 3)背面、第二基島 (1. 2)與第四基島(1. 4)之間的區(qū)域、第三基島(1. 3)與引腳(2)之間的區(qū)域以及引腳與引腳之間的區(qū)域嵌置無填料塑封料(3)，所述無填料塑封料C3)將引腳下部外圍、引腳(2)與第四基島(1.4)下部、第三基島(1.3)背面、第三基島(1.3)背面與第四基島(1.4)下部、 第三基島(1. 背面與引腳( 下部以及引腳O)與引腳( 下部連接成一體，所述引腳 (2)設(shè)置有單圈或多圈。
專利摘要本實(shí)用新型涉及一種雙面圖形芯片正裝模組封裝結(jié)構(gòu)，所述結(jié)構(gòu)包括基島(1)、引腳(2)、無填料的塑封料(環(huán)氧樹脂)(3)、導(dǎo)電或不導(dǎo)電粘結(jié)物質(zhì)(6)、芯片(7)、金屬線(8)和有填料塑封料(環(huán)氧樹脂)(9)，所述引腳(2)正面延伸到基島(1)旁邊，所述無填料的塑封料(3)將基島(1)和引腳下部外圍、引腳(2)下部與基島(1)下部以及引腳(2)下部與引腳(2)下部連接成一體，且使所述基島和引腳背面尺寸小于基島和引腳正面尺寸，形成上大下小的基島和引腳結(jié)構(gòu)，其特征在于在所述引腳(2)背面設(shè)置有柱子(10)，柱子(10)根部埋入所述無填料的塑封料(3)內(nèi)。本實(shí)用新型裝片時(shí)可承受超高溫且不會(huì)因不同物質(zhì)的不同物理性質(zhì)而產(chǎn)生引線框扭曲，也不會(huì)再有產(chǎn)生掉腳的問題和能使金屬線的長(zhǎng)度縮短的問題。
文檔編號(hào)H01L23/31GK201936875SQ201020517910
公開日2011年8月17日 申請(qǐng)日期2010年9月4日 優(yōu)先權(quán)日2010年9月4日
發(fā)明者梁志忠, 王新潮 申請(qǐng)人:江蘇長(zhǎng)電科技股份有限公司