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      同軸電纜的制作方法

      文檔序號(hào):6976323閱讀:274來(lái)源:國(guó)知局
      專(zhuān)利名稱:同軸電纜的制作方法
      技術(shù)領(lǐng)域
      本實(shí)用新型涉及信號(hào)傳輸線領(lǐng)域,特別涉及一種同軸電纜。
      背景技術(shù)
      泄漏同軸電纜通過(guò)在外導(dǎo)體上設(shè)置開(kāi)口而向外輻射和接收電磁波信號(hào),因而具有 信號(hào)傳輸線和收發(fā)天線的雙重功能,主要用于無(wú)線信號(hào)傳播不良的場(chǎng)合,如隧道、地鐵、地 下建筑、山區(qū)等環(huán)境。現(xiàn)有技術(shù)通常對(duì)外導(dǎo)體開(kāi)口的間距和形狀進(jìn)行優(yōu)化以降低泄漏同軸 電纜的耦合損耗的變化量和傳輸損耗。圖1為現(xiàn)有技術(shù)的一種泄漏同軸電纜的端部剖開(kāi)后的示意圖,如圖1所示,該泄漏 同軸電纜包括內(nèi)導(dǎo)體10、絕緣層20、帶有開(kāi)槽的外導(dǎo)體30和護(hù)套層40。外導(dǎo)體30所采用 的原材料為金屬銅帶或鋁帶,并以縱包工藝完成泄漏同軸電纜外導(dǎo)體30的生產(chǎn)。因外導(dǎo)體 30縱包外搭,在電纜受力彎曲過(guò)程中很容易造成外導(dǎo)體30斷裂或搭接處開(kāi)口,破壞泄漏同 軸電纜的結(jié)構(gòu),所述外導(dǎo)體30和所述絕緣層20之間因產(chǎn)生相對(duì)縫隙而造成潮氣或水的滲 透,所以這種結(jié)構(gòu)的泄漏同軸電纜的結(jié)構(gòu)穩(wěn)定性差,彎曲性能不好。而且,縱包工藝中采用 的純金屬帶的摩擦力較大,容易造成金屬帶斷裂。為改善上述泄漏同軸電纜的缺點(diǎn),現(xiàn)有技術(shù)提出了如圖2和圖3所示的泄漏同軸 電纜。圖2為現(xiàn)有技術(shù)的另一種泄漏同軸電纜的端部剖開(kāi)后的示意圖,圖3為圖2中的泄 漏同軸電纜的端部側(cè)視示意圖,如圖2和圖3所示,該泄漏同軸電纜包括內(nèi)導(dǎo)體100、絕緣 層200、帶有開(kāi)槽的外導(dǎo)體300和護(hù)套層400,在金屬外導(dǎo)體300上軋紋或壓花以提高外導(dǎo) 體的彎曲性能,并且,縱包后在外導(dǎo)體300上繞包一層聚酯膜或無(wú)紡布(圖2和圖3中所示 的繞包層500)以提高外導(dǎo)體300的結(jié)構(gòu)穩(wěn)定性。這樣做的缺點(diǎn)是,增加了生產(chǎn)成本,降低 了生產(chǎn)效率。此外,現(xiàn)有的泄漏同軸電纜采用的外導(dǎo)體金屬帶的厚度一般都在0.08mm到 0. 12mm之間。隨著銅材使用量和使用范圍的增大,銅資源緊缺,價(jià)格不斷上漲,使得生產(chǎn)電 纜的成本大幅提升。

      實(shí)用新型內(nèi)容鑒于現(xiàn)有技術(shù)的上述缺點(diǎn),本實(shí)用新型的目的在于,提高泄漏同軸電纜的穩(wěn)定性 和彎曲性,同時(shí)提高生產(chǎn)效率、降低生產(chǎn)成本。為此,本實(shí)用新型提供了一種泄漏同軸電纜,包括沿徑向由內(nèi)向外依次設(shè)置的內(nèi) 導(dǎo)體、絕緣層、外導(dǎo)體及護(hù)套層,所述外導(dǎo)體為帶有自粘結(jié)構(gòu)的金屬箔,所述帶有自粘結(jié)構(gòu) 的金屬箔縱包在所述絕緣層上,并與所述絕緣層粘接為一體。本實(shí)用新型的泄漏同軸電纜與現(xiàn)有技術(shù)的泄漏同軸電纜相比,至少具有以下優(yōu) 點(diǎn)本實(shí)用新型的泄漏同軸電纜的結(jié)構(gòu)穩(wěn)定性高,彎曲性能好,同時(shí),由于采用帶有自粘結(jié) 構(gòu)的金屬箔,減少了金屬的使用量,省去了現(xiàn)有工藝中的金屬帶軋紋或壓花工藝及縱包后 的繞包工藝,因此提高了生產(chǎn)效率,降低了生產(chǎn)成本。
      圖1為現(xiàn)有技術(shù)的一種泄漏同軸電纜的端部剖開(kāi)后的示意圖;圖2為現(xiàn)有技術(shù)的另一種泄漏同軸電纜的端部剖開(kāi)后的示意圖;圖3為圖2中的泄漏同軸電纜的端部側(cè)視示意圖;圖4為本實(shí)用新型的泄漏同軸電纜的端部剖開(kāi)后的示意圖;圖5為本實(shí)用新型的泄漏同軸電纜的端部側(cè)視示意圖。
      具體實(shí)施方式
      以下結(jié)合附圖詳細(xì)說(shuō)明本實(shí)用新型的泄漏同軸電纜。研究者發(fā)現(xiàn)銅導(dǎo)體在IOOMHz下的趨膚深度只有0. 0067mm,而且頻率越高,趨膚作 用越明顯。因此,可以利用趨膚效應(yīng)有效減低銅塑復(fù)合帶中銅的厚度而保證不影響電纜的 性能。此外,金屬?gòu)?fù)合帶與純金屬帶相比,有更好的強(qiáng)度而不會(huì)影響縱包成型,還可以有效 減少縱包工藝中金屬帶受到的摩擦力,防止生產(chǎn)過(guò)程中斷帶問(wèn)題的發(fā)生,提高生產(chǎn)效率?;谏鲜黾夹g(shù),提出了本實(shí)用新型的泄漏同軸電纜。圖4為本實(shí)用新型的泄漏同 軸電纜的端部剖開(kāi)后的示意圖,圖5為本實(shí)用新型的泄漏同軸電纜的端部側(cè)視示意圖,如 圖4和圖5所示,本實(shí)用新型的泄漏同軸電纜中包括沿徑向由內(nèi)向外依次設(shè)置的內(nèi)導(dǎo)體 1、絕緣層2、帶有開(kāi)槽的外導(dǎo)體3和護(hù)套層4。其中,內(nèi)導(dǎo)體1、絕緣層2、護(hù)套層4以及開(kāi)槽形式都可以采用現(xiàn)有技術(shù),此處為了 簡(jiǎn)單起見(jiàn),不再詳細(xì)描述。所述外導(dǎo)體3包括帶有自粘結(jié)構(gòu)的金屬?gòu)?fù)合層。優(yōu)選的,所述金屬?gòu)?fù)合層是單面 金屬?gòu)?fù)合層,即所述金屬?gòu)?fù)合層包括金屬箔和設(shè)置于所述金屬箔內(nèi)側(cè)的塑料層,所述金屬 箔與所述絕緣層4通過(guò)所述塑料層粘接為一體。所述塑料層構(gòu)成所述金屬?gòu)?fù)合層的自粘結(jié) 構(gòu),所述金屬箔構(gòu)成所述外導(dǎo)體3的導(dǎo)電部分。當(dāng)然,所述金屬?gòu)?fù)合層也可以是雙面金屬?gòu)?fù) 合層,即所述金屬?gòu)?fù)合層還包括設(shè)置于所述金屬箔外側(cè)的塑料層。所述金屬箔可以是但不 限于銅箔或鋁箔,也可以在銅箔或鋁箔外再鍍有或復(fù)合另一種金屬如銀等,所述金屬箔的 厚度在0.01mm到0. Imm之間。所述塑料層可以為乙烯共聚物層,也可以為乙烯共聚物及乙 烯的疊加層,所述乙烯共聚物為乙烯/丙烯酸共聚物(EthyleneAcrylic Acid Copolymers, EAA)、乙烯/丙烯酸乙酯共聚物 thylene/EthylACrylate,EEA)、乙烯/甲基丙烯酸共聚物 (Ethylene/Meth Acrylicacid,EMA)、乙烯-乙酸乙烯脂共聚物(Ethylene-Vinyl Acetate, EVA)中的至少一種。所述塑料層的厚度在0.02mm到0.1mm之間。帶有自粘結(jié)構(gòu)的金屬箔 縱包在絕緣層2上,并與絕緣層2粘附在一起。本實(shí)用新型的泄漏同軸電纜的制造方法如下將帶有自粘結(jié)構(gòu)的金屬?gòu)?fù)合帶縱包到絕緣層2上,以形成所述泄露同軸電纜的外 導(dǎo)體3,所述金屬?gòu)?fù)合構(gòu)成所述外導(dǎo)體3的金屬?gòu)?fù)合層。 通過(guò)擠塑工藝在所述外導(dǎo)體上形成護(hù)套層4。在擠塑形成護(hù)套層4的過(guò)程中,所述 金屬?gòu)?fù)合帶的塑料層受熱軟化而粘附到絕緣層2上。 將擠塑形成護(hù)套層4后的泄露同軸電纜送入冷卻水槽冷卻。所述護(hù)套層4受冷而 進(jìn)行收縮,隨著所述護(hù)套層4的不斷收縮,所述護(hù)套層4壓迫所述外導(dǎo)體3,使得所述外導(dǎo)體3緊密地粘附到絕緣層2上,從而所述外導(dǎo)體3完成降溫固化的過(guò)程。這樣,外導(dǎo)體3與絕緣層2緊緊地粘附在一起,形成一個(gè)有機(jī)整體,具有極好的結(jié) 構(gòu)穩(wěn)定性和彎曲性能。實(shí)施例1在本實(shí)施例中,內(nèi)導(dǎo)體1為折波銅管,絕緣層2為高發(fā)泡度物理發(fā)泡聚乙烯,護(hù)套 層4采用無(wú)鹵阻燃聚乙烯,外導(dǎo)體3為帶有自粘結(jié)構(gòu)的光滑開(kāi)槽銅塑復(fù)合帶。帶有自粘結(jié)構(gòu) 的光滑開(kāi)槽銅塑復(fù)合帶的厚度為0. 08mm,其中銅基帶的厚度為0. 04mm,與現(xiàn)有產(chǎn)品相比, 本實(shí)施例的泄露同軸電纜的實(shí)際用銅量只有原來(lái)的40% (以現(xiàn)有泄漏同軸電纜的純銅帶 厚度為0. Imm計(jì)算),有效地減少了銅的使用量,節(jié)約了成本。實(shí)施例2本實(shí)施例與實(shí)施例1所述的泄漏同軸電纜基本相同,此處為了簡(jiǎn)單起見(jiàn),不再詳 細(xì)描述。實(shí)施例2與實(shí)施例1的不同之處在于,內(nèi)導(dǎo)體1為光滑銅管,外導(dǎo)體3采用的自粘 結(jié)構(gòu)的光滑開(kāi)槽銅塑復(fù)合帶的厚度為0. 06mm,其中銅基帶的厚度為0. 02mm,與現(xiàn)有產(chǎn)品相 比,本實(shí)施例的泄漏同軸電纜的實(shí)際用銅量只有原來(lái)的20% (以現(xiàn)有泄漏同軸電纜的純銅 帶厚度為0. Imm計(jì)算),也有效地減少了銅的使用量,節(jié)約了成本。本實(shí)用新型的泄漏同軸電纜的結(jié)構(gòu)穩(wěn)定性高,彎曲性能好,同時(shí),由于采用帶有自 粘結(jié)構(gòu)的金屬箔,減少了金屬的使用量,省去了現(xiàn)有工藝中的金屬帶軋紋或壓花工藝及縱 包后的繞包工藝,因此提高了生產(chǎn)效率,降低了生產(chǎn)成本。本實(shí)用新型的泄漏同軸電纜的外導(dǎo)體包括帶有自粘結(jié)構(gòu)的金屬?gòu)?fù)合層,利用所述 金屬?gòu)?fù)合層,所述外導(dǎo)體與所述絕緣層粘接為一體,但并不限于上述實(shí)施例所述。依據(jù)上述 原理,也可以將其他種類(lèi)的同軸電纜的外導(dǎo)體設(shè)置成金屬?gòu)?fù)合層,利用所述金屬?gòu)?fù)合層,將 同軸電纜的外導(dǎo)體與絕緣層粘接為一體。以上所述僅為本實(shí)用新型的示例性實(shí)施例,不用于限制本實(shí)用新型,本實(shí)用新型 的保護(hù)范圍由附加的權(quán)利要求書(shū)限定。在本實(shí)用新型的實(shí)質(zhì)和保護(hù)范圍內(nèi),本領(lǐng)域技術(shù)人 員可以對(duì)本實(shí)用新型做出各種修改或等同替換,這種修改或等同替換也應(yīng)視為落在本實(shí)用 新型的保護(hù)范圍內(nèi)。
      權(quán)利要求1.一種同軸電纜,包括沿徑向由內(nèi)向外依次設(shè)置的內(nèi)導(dǎo)體、絕緣層、外導(dǎo)體及護(hù)套層, 其特征在于,所述外導(dǎo)體包括帶有自粘結(jié)構(gòu)的金屬?gòu)?fù)合層,所述外導(dǎo)體與所述絕緣層粘接 為一體。
      2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的同軸電纜,其特征在于,所述金屬?gòu)?fù)合層包括金屬箔和設(shè)置 于所述金屬箔內(nèi)側(cè)的塑料層,所述金屬箔與所述絕緣層通過(guò)所述塑料層粘接為一體。
      3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的同軸電纜,其特征在于,所述金屬?gòu)?fù)合層還包括設(shè)置于所述 金屬箔外側(cè)的塑料層。
      4.根據(jù)權(quán)利要求2或3所述的同軸電纜,其特征在于,所述金屬箔為銅箔或鋁箔。
      5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的同軸電纜,其特征在于,所述銅箔或鋁箔的表面還鍍有銀。
      6.根據(jù)權(quán)利要求2或3所述的同軸電纜,其特征在于,所述金屬箔的厚度為 0. Olmm-O. Imm0
      7.根據(jù)權(quán)利要求2或3所述的同軸電纜,其特征在于,所述塑料層為乙烯共聚物層,或 者乙烯共聚物與乙烯的疊加層。
      8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的同軸電纜,其特征在于,所述乙烯共聚物層為乙烯/丙烯酸共 聚物層、或乙烯/丙烯酸乙酯共聚物層、或乙烯/甲基丙烯酸共聚物層、或乙烯-乙酸乙烯 脂共聚物層。
      9.根據(jù)權(quán)利要求7所述的同軸電纜,其特征在于,所述塑料層的厚度為0.02mm-0. 1mm。
      專(zhuān)利摘要本實(shí)用新型提供一種同軸電纜,包括沿徑向由內(nèi)向外依次設(shè)置的內(nèi)導(dǎo)體、絕緣層、外導(dǎo)體及護(hù)套層,其中,外導(dǎo)體為帶有自粘結(jié)構(gòu)的金屬箔,帶有自粘結(jié)構(gòu)的金屬箔縱包在絕緣層上,并與絕緣層粘接為一體。本實(shí)用新型的泄漏同軸電纜的結(jié)構(gòu)穩(wěn)定性高,彎曲性能好,同時(shí),由于采用帶有自粘結(jié)構(gòu)的金屬箔,減少了金屬的使用量,省去了現(xiàn)有工藝中的金屬帶軋紋或壓花工藝及縱包后的繞包工藝,因此提高了生產(chǎn)效率,降低了生產(chǎn)成本。
      文檔編號(hào)H01B11/18GK201853531SQ20102052701
      公開(kāi)日2011年6月1日 申請(qǐng)日期2010年9月13日 優(yōu)先權(quán)日2010年9月13日
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