專(zhuān)利名稱(chēng)：電容封裝結(jié)構(gòu)的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本實(shí)用新型涉及一種封裝結(jié)構(gòu)，尤其涉及一種電容封裝結(jié)構(gòu)。
背景技術(shù)：
電容器已廣泛地被使用于消費(fèi)性家電用品、電腦主機(jī)板及其外圍、電源供應(yīng) 器、通信產(chǎn)品、及汽車(chē)等的基本元件，其主要的作用包括濾波、旁路、整流、耦合、 去耦、轉(zhuǎn)相等。是電子產(chǎn)品中不可缺少的元件之一。電容器依照不同的材質(zhì)及用途，有 不同的型態(tài)。包括鋁質(zhì)電解電容、鉭質(zhì)電解電容、積層陶瓷電容、薄膜電容等。然而，現(xiàn)有技術(shù)皆無(wú)法針對(duì)電容器提供快速且有效的封裝方式。因此，本發(fā)明 人有感上述缺陷的可改進(jìn)，悉心觀察且研究，并配合學(xué)理的運(yùn)用，而提出一種設(shè)計(jì)合理 且有效改進(jìn)上述缺陷的本實(shí)用新型。
發(fā)明內(nèi)容本實(shí)用新型的目的即所要解決的技術(shù)問(wèn)題，在于提供一種封裝結(jié)構(gòu)，其能夠用 來(lái)封裝任何的電容元件(例如鉭質(zhì)電容)，以制作一種電容封裝結(jié)構(gòu)。為了解決上述技術(shù)問(wèn)題，根據(jù)本實(shí)用新型的其中一種方案，提供一種電容封裝 結(jié)構(gòu)，其包括一基板單元、一絕緣單元及一電容單元。其中，該基板單元具有至少一 頂層基板及至少一底層基板。該絕緣單元具有至少一填充于上述至少一頂層基板及上述 至少一底層基板之間的絕緣層。該電容單元具有至少一電性地設(shè)置于上述至少一頂層基 板與上述至少一底層基板之間且被上述至少一絕緣層所包覆的電容元件。本實(shí)用新型的電容封裝結(jié)構(gòu)，優(yōu)選的，上述至少一頂層基板、上述至少一絕緣 層及上述至少一底層基板由上而下依序堆疊在一起。本實(shí)用新型的電容封裝結(jié)構(gòu)，優(yōu)選的，上述至少一頂層基板的上表面具有至少 兩個(gè)頂層導(dǎo)電焊墊，上述至少一頂層基板的下表面具有至少一頂層導(dǎo)電軌跡，上述至少 一底層基板的上表面具有至少一底層導(dǎo)電軌跡，且上述至少一底層基板的下表面具有至 少兩個(gè)底層導(dǎo)電焊墊。本實(shí)用新型的電容封裝結(jié)構(gòu)，優(yōu)選的，上述至少一電容元件電性連接于上述至 少一頂層導(dǎo)電軌跡與上述至少一底層導(dǎo)電軌跡之間，且每一個(gè)頂層導(dǎo)電焊墊與每一個(gè)底 層導(dǎo)電焊墊之間成形一用以連接每一個(gè)頂層導(dǎo)電焊墊與每一個(gè)相對(duì)應(yīng)底層導(dǎo)電焊墊的導(dǎo) 電層。本實(shí)用新型的電容封裝結(jié)構(gòu)，優(yōu)選的，上述至少一頂層基板的側(cè)邊具有至少兩 個(gè)第一半穿孔，上述至少一絕緣層的側(cè)邊具有至少兩個(gè)分別相對(duì)應(yīng)上述至少兩個(gè)第一半 穿孔的第二半穿孔，且上述至少一底層基板的側(cè)邊具有至少兩個(gè)分別相對(duì)應(yīng)上述至少兩 個(gè)第二半穿孔的第三半穿孔；上述至少一頂層基板具有至少兩個(gè)分別成形于上述至少兩 個(gè)第一半穿孔的內(nèi)表面上的第一導(dǎo)電層，上述至少一絕緣層具有至少兩個(gè)分別成形于上 述至少兩個(gè)第二半穿孔的內(nèi)表面上且分別電性連接于上述至少兩個(gè)第一導(dǎo)電層的第二導(dǎo)電層，且上述至少一底層基板具有至少兩個(gè)分別成形于上述至少兩個(gè)第三半穿孔的內(nèi)表 面上且分別電性連接于上述至少兩個(gè)第二導(dǎo)電層的第三導(dǎo)電層。本實(shí)用新型的電容封裝結(jié)構(gòu)，優(yōu)選的，上述至少一電容元件具有一向外延伸且 電性接觸于其中一第二導(dǎo)電層的導(dǎo)電接腳，且上述至少一電容元件為一鉭質(zhì)電容。本實(shí)用新型的電容封裝結(jié)構(gòu)，優(yōu)選的，該電容封裝結(jié)構(gòu)還進(jìn)一步包括一導(dǎo)電 單元，其具有至少兩個(gè)導(dǎo)電體，其分別電性接觸于上述至少一頂層基板與上述至少一電 容元件的上表面之間及電性連接于上述至少一電容元件的下表面與上述至少一底層基板 之間。為了解決上述技術(shù)問(wèn)題，根據(jù)本實(shí)用新型的其中一種方案，提供一種電容封裝 結(jié)構(gòu)，其包括一基板單元、一絕緣單元及一電容單元。其中，該基板單元具有至少一 頂層基板、至少一中間基板及至少一底層基板。該絕緣單元具有至少一填充于上述至少 一頂層基板及上述至少一中間基板之間的第一絕緣層及至少一填充于上述至少一中間基 板及上述至少一底層基板之間的第二絕緣層。該電容單元具有至少一電性地設(shè)置于上述 至少一頂層基板與上述至少一中間基板之間且被上述至少一第一絕緣層所包覆的第一電 容元件及至少一電性地設(shè)置于上述至少一中間基板與上述至少一底層基板之間且被上述 至少一第二絕緣層所包覆的第二電容元件。本實(shí)用新型的電容封裝結(jié)構(gòu)，優(yōu)選的，上述至少一頂層基板、上述至少一第一 絕緣層、上述至少一中間基板、上述至少一第二絕緣層及上述至少一底層基板由上而下 依序堆疊在一起，且上述至少一第一電容元件與上述至少一第二電容元件皆為鉭質(zhì)電容。本實(shí)用新型的電容封裝結(jié)構(gòu)，優(yōu)選的，該電容封裝結(jié)構(gòu)還進(jìn)一步包括一導(dǎo)電 單元，其具有至少兩個(gè)第一導(dǎo)電體及至少兩個(gè)第二導(dǎo)電體，其中上述至少兩個(gè)第一導(dǎo)電 體分別電性接觸于上述至少一頂層基板與上述至少一第一電容元件的上表面之間及電性 接觸于上述至少一第一電容元件的下表面與上述至少一中間基板之間，上述至少兩個(gè)第 二導(dǎo)電體分別電性接觸于上述至少一中間基板與上述至少一第二電容元件的上表面之間 及電性接觸于上述至少一第二電容元件的下表面與上述至少一底層基板之間。因此，本實(shí)用新型的有益效果在于本實(shí)用新型可通過(guò)上述至少一頂層基板與 上述至少一底層基板之間具有一層容置空間，以收容至少一被上述至少一絕緣層所包覆 或包圍的電容元件。或者，本實(shí)用新型可通過(guò)“上述至少一頂層基板與上述至少一中間 基板之間具有一層容置空間”及“上述至少一中間基板與上述至少一底層基板之間具有 一層容置空間”，以分別收容至少兩個(gè)分別被上述至少兩個(gè)絕緣層所包覆或包圍的電容 元件。為使能更進(jìn)一步了解本實(shí)用新型的特征及技術(shù)內(nèi)容，請(qǐng)參閱以下有關(guān)本實(shí)用新 型的詳細(xì)說(shuō)明與附圖，然而所附附圖僅提供參考與說(shuō)明用，并非用來(lái)對(duì)本實(shí)用新型加以 限制。

圖IA為本實(shí)用新型第一實(shí)施例的其中一視角的立體分解示意圖；圖IB為本實(shí)用新型第一實(shí)施例的另外一視角的立體分解示意圖；[0019]圖IC為本實(shí)用新型第一實(shí)施例的立體組合示意圖[0020]圖ID為本實(shí)用新型第一實(shí)施例的剖面示意圖；[0021]圖2為本實(shí)用新型第二實(shí)施例的立體組合示意圖；[0022]圖3A為本實(shí)用新型第三實(shí)施例的立體組合示意圖[0023]圖3B為本實(shí)用新型第三實(shí)施例的剖面示意圖；[0024]圖4為本實(shí)用新型第二實(shí)施例的立體組合示意圖。[0025]其中，附圖標(biāo)記說(shuō)明如下[0026]封裝結(jié)構(gòu)Z[0027]基板單元1頂層基板 11[0028]頂層導(dǎo)電焊墊IlA[0029]頂層導(dǎo)電軌跡IlB[0030]第一半穿孔 IlC[0031]第一導(dǎo)電層 IlD[0032]底層基板 12[0033]底層導(dǎo)電軌跡12A[0034]底層導(dǎo)電焊墊12B[0035]第三半穿孔 12C[0036]第三導(dǎo)電層 12D[0037]中間基板 13[0038]絕緣單元2絕緣層 20[0039]開(kāi)口 200[0040]第二半穿孔 20A[0041]第二導(dǎo)電層 20B[0042]電容單元3 電容元件 30[0043]導(dǎo)電接腳 300[0044]導(dǎo)電單元4 導(dǎo)電體 40[0045]貫穿孔P[0046]導(dǎo)電層C
具體實(shí)施方式
請(qǐng)參閱圖IA至圖ID所示，本發(fā)明第一實(shí)施例提供一種電容封裝結(jié)構(gòu)Z，其包 括一基板單元1、一絕緣單元2及一電容單元3。其中，該基板單元1具有至少一頂層基板11及至少一底層基板12。舉例來(lái) 說(shuō)，上述至少一頂層基板11的上表面具有至少兩個(gè)頂層導(dǎo)電焊墊11A，上述至少一頂層 基板11的下表面具有至少一頂層導(dǎo)電軌跡11B，上述至少一底層基板12的上表面具有至 少一底層導(dǎo)電軌跡12A，且上述至少一底層基板12的下表面具有至少兩個(gè)底層導(dǎo)電焊墊 12B。再者，該絕緣單元2具有至少一填充于上述至少一頂層基板11及上述至少一底 層基板12之間的絕緣層20。此外，上述至少一頂層基板11、上述至少一絕緣層20及上述至少一底層基板12由上而下依序堆疊在一起(如圖IC所示)。另外，上述至少一頂層基板11的側(cè)邊具有至少兩個(gè)第一半穿孔11C，上述至少 一絕緣層20的側(cè)邊具有至少兩個(gè)分別相對(duì)應(yīng)上述至少兩個(gè)第一半穿孔IlC的第二半穿孔 20A，且上述至少一底層基板12的側(cè)邊具有至少兩個(gè)分別相對(duì)應(yīng)上述至少兩個(gè)第二半穿 孔20A的第三半穿孔12C。換言之，每一個(gè)第一半穿孔11C、每一個(gè)第二半穿孔20A及 每一個(gè)第三半穿孔12C皆相連在一起以形成每一個(gè)貫穿孔P (如圖IC所示的立體組合示 意圖)。此外，上述至少一頂層基板11具有至少兩個(gè)分別成形于上述至少兩個(gè)第一半穿 孔lie的內(nèi)表面上的第一導(dǎo)電層11D，上述至少一絕緣層20具有至少兩個(gè)分別成形于上 述至少兩個(gè)第二半穿孔20A的內(nèi)表面上且分別電性連接于所述第一導(dǎo)電層IlD的第二導(dǎo) 電層20B，且上述至少一底層基板12具有至少兩個(gè)分別成形于上述至少兩個(gè)第三半穿孔 12C的內(nèi)表面上且分別電性連接于上述至少兩個(gè)第二導(dǎo)電層20B的第三導(dǎo)電層12D。換 言之，每一個(gè)第一導(dǎo)電層11D、每一個(gè)第二導(dǎo)電層20B及每一個(gè)第三導(dǎo)電層12D皆相連 在一起以形成每一個(gè)導(dǎo)電層C(如圖IC所示的立體組合示意圖)。再者，該電容單元3具有至少一電性地設(shè)置于上述至少一頂層基板11與上述至 少一底層基板12之間且被上述至少一絕緣層20所完全包覆或圍繞的電容元件30 (例如鉭 質(zhì)電容)，其中上述至少一電容元件30電性連接于上述至少一頂層導(dǎo)電軌跡IlB及上述 至少一底層導(dǎo)電軌跡12A之間。另外，上述至少一電容元件30具有一向外延伸且電性接 觸于其中一第二導(dǎo)電層20B的導(dǎo)電接腳300。換言之，該導(dǎo)電接腳300可穿過(guò)上述至少 一絕緣層20且電性接觸于其中一導(dǎo)電層C (如圖IC所示)。再者，本實(shí)用新型第一實(shí)施例的封裝結(jié)構(gòu)還進(jìn)一步包括一導(dǎo)電單元4，其具 有至少兩個(gè)導(dǎo)電體40 (例如導(dǎo)電膠)，其分別電性接觸于上述至少一頂層基板11與上述至 少一電容元件30的上表面之間及電性連接于上述至少一電容元件30的下表面與上述至少 一底層基板12之間。如圖ID所示，上述至少一頂層基板11與上述至少一底層基板12之間具有一層 容置空間，其可用以收容至少一被上述至少一絕緣層20所完全包覆的電容元件30(上述 至少一絕緣層20完全貼緊上述至少一電容元件30的周?chē)嗉瓷鲜鲋辽僖唤^緣層20與 上述至少一電容元件30之間沒(méi)有任何的間隙)或收容至少一被上述至少一絕緣層20所圍 繞的電容元件30 (上述至少一絕緣層20沒(méi)有完全貼緊上述至少一電容元件30的周?chē)?，?即上述至少一絕緣層20與上述至少一電容元件30之間可以有間隙)，以使得本實(shí)用新型 可達(dá)成電容封裝結(jié)構(gòu)的制作。請(qǐng)參閱圖2所示，本發(fā)明第二實(shí)施例提供一種電容封裝結(jié)構(gòu)Z，其包括一基板 單元1、一絕緣單元2及一電容單元(圖中未示出)。由圖2與圖IC的比較可知，第二 實(shí)施例與第一實(shí)施例最大的差別在于當(dāng)該頂層基板11、該絕緣層20與該底層基板12 相互堆疊后，直接在該電容封裝結(jié)構(gòu)Z的兩相反側(cè)端分別設(shè)置兩個(gè)導(dǎo)電組(好像套在該電 容封裝結(jié)構(gòu)Z的兩相反側(cè)端一樣)。換言之，第二實(shí)施例不僅具有兩個(gè)頂層導(dǎo)電焊墊IlA 及兩個(gè)底層導(dǎo)電焊墊12B，而且如同圖2所示一樣，每一個(gè)頂層導(dǎo)電焊墊IlA與每一個(gè)相 對(duì)應(yīng)底層導(dǎo)電焊墊12B之間成形一導(dǎo)電層，以連接每一個(gè)頂層導(dǎo)電焊墊IlA與每一個(gè)相 對(duì)應(yīng)底層導(dǎo)電焊墊12B。[0056]請(qǐng)參閱圖3A及圖3B所示，本實(shí)用新型第三實(shí)施例與第一實(shí)施例最大的差別在 于在第三實(shí)施例中，該基板單元1具有至少一頂層基板11、至少一中間基板13及至少 一底層基板12。該絕緣單元2具有至少一填充于上述至少一頂層基板11及上述至少一 中間基板13之間的第一絕緣層20及至少一填充于上述至少一中間基板13及上述至少一 底層基板12之間的第二絕緣層20。該電容單元3具有至少一電性地設(shè)置于上述至少一 頂層基板11與上述至少一中間基板13之間且被上述至少一第一絕緣層20所包覆的第一 電容元件30(例如鉭質(zhì)電容)及至少一電性地設(shè)置于上述至少一中間基板13與上述至少 一底層基板12之間且被上述至少一第二絕緣層20所包覆的第二電容元件30 (例如鉭質(zhì)電 容)。該導(dǎo)電單元4具有至少兩個(gè)第一導(dǎo)電體40及至少兩個(gè)第二導(dǎo)電體40。其中，上述至少一頂層基板11、上述至少一第一絕緣層20、上述至少一中間基 板13、上述至少一第二絕緣層20及上述至少一底層基板12由上而下依序堆疊在一起(如 圖3A所示)。此外，上述至少兩個(gè)第一導(dǎo)電體40分別電性接觸于上述至少一頂層基板 11與上述至少一第一電容元件30的上表面之間及電性接觸于上述至少一第一電容元件30 的下表面與上述至少一中間基板13之間，上述至少兩個(gè)第二導(dǎo)電體40分別電性接觸于上 述至少一中間基板13與上述至少一第二電容元件30的上表面之間及電性接觸于上述至少 一第二電容元件30的下表面與上述至少一底層基板12之間。請(qǐng)參閱圖4所示，本發(fā)明第二實(shí)施例提供一種電容封裝結(jié)構(gòu)Z，其包括一基板 單元1、一絕緣單元2及一電容單元(圖中未示出)。由圖4與圖3B的比較可知，第四 實(shí)施例與第三實(shí)施例最大的差別在于當(dāng)該頂層基板11、該絕緣層20、該中間基板13、 該絕緣層20與該底層基板12相互堆疊后，直接在該電容封裝結(jié)構(gòu)Z的兩相反側(cè)端分別設(shè) 置兩個(gè)導(dǎo)電組(好像套在該電容封裝結(jié)構(gòu)Z的兩相反側(cè)端一樣)。換言之，第四實(shí)施例 不僅具有兩個(gè)頂層導(dǎo)電焊墊IlA及兩個(gè)底層導(dǎo)電焊墊12B，而且如同圖4所示一樣，每一 個(gè)頂層導(dǎo)電焊墊IlA與每一個(gè)相對(duì)應(yīng)底層導(dǎo)電焊墊12B之間成形一導(dǎo)電層，以連接每一 個(gè)頂層導(dǎo)電焊墊IlA與每一個(gè)相對(duì)應(yīng)底層導(dǎo)電焊墊12B。本實(shí)用新型可通過(guò)上述至少一頂層基板與上述至少一底層基板之間具有一層容 置空間，以收容至少一被上述至少一絕緣層所包覆或包圍的電容元件?；蛘?，本實(shí)用新 型可通過(guò)“上述至少一頂層基板與上述至少一中間基板之間具有一層容置空間”及“上 述至少一中間基板與上述至少一底層基板之間具有一層容置空間”，以分別收容至少兩 個(gè)分別被上述至少兩個(gè)絕緣層所包覆或包圍的電容元件。以上所述僅為本實(shí)用新型的較佳可行實(shí)施例，非因此局限本實(shí)用新型的保護(hù)范 圍，故舉凡運(yùn)用本實(shí)用新型說(shuō)明書(shū)及附圖內(nèi)容所為的等效技術(shù)變化，均包含于本實(shí)用新 型的保護(hù)范圍內(nèi)。
權(quán)利要求1.一種電容封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于，包括一基板單元，其具有至少一頂層基板及至少一底層基板；一絕緣單元，其具有至少一填充于上述至少一頂層基板及上述至少一底層基板之間 的絕緣層；以及一電容單元，其具有至少一電性地設(shè)置于上述至少一頂層基板與上述至少一底層基 板之間且被上述至少一絕緣層所包覆的電容元件。
2.如權(quán)利要求1所述的電容封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于，上述至少一頂層基板、上述至少 一絕緣層及上述至少一底層基板由上而下依序堆疊在一起。
3.如權(quán)利要求1所述的電容封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于，上述至少一頂層基板的上表面具 有至少兩個(gè)頂層導(dǎo)電焊墊，上述至少一頂層基板的下表面具有至少一頂層導(dǎo)電軌跡，上 述至少一底層基板的上表面具有至少一底層導(dǎo)電軌跡，且上述至少一底層基板的下表面 具有至少兩個(gè)底層導(dǎo)電焊墊。
4.如權(quán)利要求3所述的電容封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于，上述至少一電容元件電性連接于 上述至少一頂層導(dǎo)電軌跡與上述至少一底層導(dǎo)電軌跡之間，且每一個(gè)頂層導(dǎo)電焊墊與每 一個(gè)底層導(dǎo)電焊墊之間成形一用以連接每一個(gè)頂層導(dǎo)電焊墊與每一個(gè)相對(duì)應(yīng)底層導(dǎo)電焊 墊的導(dǎo)電層。
5.如權(quán)利要求3所述的電容封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于，上述至少一頂層基板的側(cè)邊具有 至少兩個(gè)第一半穿孔，上述至少一絕緣層的側(cè)邊具有至少兩個(gè)分別相對(duì)應(yīng)上述至少兩個(gè) 第一半穿孔的第二半穿孔，且上述至少一底層基板的側(cè)邊具有至少兩個(gè)分別相對(duì)應(yīng)上述 至少兩個(gè)第二半穿孔的第三半穿孔；上述至少一頂層基板具有至少兩個(gè)分別成形于上述 至少兩個(gè)第一半穿孔的內(nèi)表面上的第一導(dǎo)電層，上述至少一絕緣層具有至少兩個(gè)分別成 形于上述至少兩個(gè)第二半穿孔的內(nèi)表面上且分別電性連接于上述至少兩個(gè)第一導(dǎo)電層的 第二導(dǎo)電層，且上述至少一底層基板具有至少兩個(gè)分別成形于上述至少兩個(gè)第三半穿孔 的內(nèi)表面上且分別電性連接于上述至少兩個(gè)第二導(dǎo)電層的第三導(dǎo)電層。
6.如權(quán)利要求1所述的電容封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于，上述至少一電容元件具有一向 外延伸且電性接觸于其中一第二導(dǎo)電層的導(dǎo)電接腳，且上述至少一電容元件為一鉭質(zhì)電 容。
7.如權(quán)利要求1所述的電容封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于，該電容封裝結(jié)構(gòu)還進(jìn)一步包括 一導(dǎo)電單元，其具有至少兩個(gè)導(dǎo)電體，其分別電性接觸于上述至少一頂層基板與上述至 少一電容元件的上表面之間及電性連接于上述至少一電容元件的下表面與上述至少一底 層基板之間。
8.—種電容封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于，包括一基板單元，其具有至少一頂層基板、至少一中間基板及至少一底層基板；一絕緣單元，其具有至少一填充于上述至少一頂層基板及上述至少一中間基板之間 的第一絕緣層及至少一填充于上述至少一中間基板及上述至少一底層基板之間的第二絕 緣層；以及一電容單元，其具有至少一電性地設(shè)置于上述至少一頂層基板與上述至少一中間基 板之間且被上述至少一第一絕緣層所包覆的第一電容元件及至少一電性地設(shè)置于上述至 少一中間基板與上述至少一底層基板之間且被上述至少一第二絕緣層所包覆的第二電容元件。
9.如權(quán)利要求8所述的電容封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于，上述至少一頂層基板、上述至少 一第一絕緣層、上述至少一中間基板、上述至少一第二絕緣層及上述至少一底層基板由 上而下依序堆疊在一起，且上述至少一第一電容元件與上述至少一第二電容元件皆為鉭 質(zhì)電容。
10.如權(quán)利要求8所述的電容封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于，該電容封裝結(jié)構(gòu)還進(jìn)一步包 括一導(dǎo)電單元，其具有至少兩個(gè)第一導(dǎo)電體及至少兩個(gè)第二導(dǎo)電體，其中上述至少 兩個(gè)第一導(dǎo)電體分別電性接觸于上述至少一頂層基板與上述至少一第一電容元件的上表 面之間及電性接觸于上述至少一第一電容元件的下表面與上述至少一中間基板之間，上 述至少兩個(gè)第二導(dǎo)電體分別電性接觸于上述至少一中間基板與上述至少一第二電容元件 的上表面之間及電性接觸于上述至少一第二電容元件的下表面與上述至少一底層基板之 間。
專(zhuān)利摘要本實(shí)用新型公開(kāi)了一種電容封裝結(jié)構(gòu)，其包括一基板單元、一絕緣單元及一電容單元?；鍐卧哂兄辽僖豁攲踊寮爸辽僖坏讓踊?。絕緣單元具有至少一填充于上述至少一頂層基板及上述至少一底層基板之間的絕緣層。電容單元具有至少一電性地設(shè)置于上述至少一頂層基板與上述至少一底層基板之間且被上述至少一絕緣層所包覆的電容元件。本實(shí)用新型針對(duì)電容器提供快速且有效的封裝方式。
文檔編號(hào)H01G2/10GK201804711SQ201020535000
公開(kāi)日2011年4月20日 申請(qǐng)日期2010年9月17日 優(yōu)先權(quán)日2010年9月17日
發(fā)明者邱承賢, 鍾宇鵬, 陳恩明 申請(qǐng)人:智威科技股份有限公司