專利名稱：低溫沖擊型浪涌抑制負(fù)溫度熱敏電阻的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本實用新型涉及一種熱敏電阻，尤其是一種可以在低溫(零度以下)下使用的一 種負(fù)溫度系數(shù)熱敏電阻。
背景技術(shù)：
浪涌抑制負(fù)溫度熱敏電阻主要起到電路開關(guān)瞬間抑制電路中突波電流且保護(hù)其 它組件不受電流沖擊而損害的作用。瞬間抑制突波電流后產(chǎn)品將直接連接在電路中長時間 通電，但是隨著此種類型的產(chǎn)品暢銷度的增加，使用的地區(qū)差異也越來越大。其中地區(qū)差異 所帶來的溫差與使用環(huán)境嚴(yán)重影響著此種浪涌抑制熱敏電阻的使用壽命及實際標(biāo)注的性 能等級！目前，常規(guī)的浪涌抑制負(fù)溫度熱敏電阻使用溫度一般在25 65°C，此溫度亦是較 為合理的產(chǎn)品使用溫區(qū)(因室溫一般在20 25度左右，產(chǎn)品通電后會產(chǎn)生自熱現(xiàn)象，產(chǎn)品 亦會將此熱量散發(fā)之使用環(huán)境中，故產(chǎn)品使用溫區(qū)一般都在25 60之間)。但較大跨度 的地區(qū)差異與特殊的機(jī)器設(shè)備導(dǎo)致客戶在實際使用本產(chǎn)品時環(huán)境溫度往往超出標(biāo)準(zhǔn)使用 環(huán)境。其中較大部份的客戶使用條件出現(xiàn)在零度以下，因負(fù)溫度系數(shù)熱敏電阻隨著溫度的 降低其阻值會有上升趨勢。當(dāng)產(chǎn)品運用于零度以下時，此時產(chǎn)品實際的阻值將是常溫下的 3 5倍之多，通電后加載于產(chǎn)品的能量也瞬時提高2 3倍，突增的能量使產(chǎn)品瞬間或者 再很短時間內(nèi)造成能量擊穿失效。此種不良不但使整機(jī)產(chǎn)品無法適用較為低溫的環(huán)境且容 易在開機(jī)瞬間被擊穿導(dǎo)致重要組件承受浪涌電流而擊穿！因此大大縮減了本類產(chǎn)品的廣 泛應(yīng)用！
實用新型內(nèi)容本實用新型要解決的技術(shù)問題是提供一種能夠提高現(xiàn)有的浪涌抑制負(fù)溫度熱敏 電阻在低溫下的使用等級，保證其它組件能不受突波電流沖擊損害的低溫沖擊型浪涌抑制 負(fù)溫度熱敏電阻。本實用新型解決其技術(shù)問題所采用的技術(shù)方案是一種低溫沖擊型浪涌抑制負(fù) 溫度熱敏電阻，包括由陶瓷體制成的本體元件以及設(shè)置在本體元件下端的引腳，所述的本 體元件內(nèi)具有電極層，所述的電極層中的電極膏燒入本體元件陶瓷體的深度為ΙΟΟμπι 150 μ m，焊接拉力為0. 9kg 1. 5kgo進(jìn)一步的說，為了保護(hù)本體元件的陶瓷體，本實用新型包括所述的本體元件表面 設(shè)置有保護(hù)層。本實用新型在-10 0°C使用條件下，其耐受能量Ct值不需進(jìn)行相應(yīng)的降低，按照 常溫下能量Ct值直接使用。受沖擊次數(shù)也與常溫下達(dá)到值次數(shù)相當(dāng)。由此大大提高了此 類產(chǎn)品在低溫環(huán)境高功率、高能量電路中的應(yīng)用！防止產(chǎn)品因低溫高能量沖擊而失效從而 無法保證電路其它組件之正常運行！本實用新型通過對電極膏中玻璃粉燒入陶瓷的程度調(diào)整，使得電極與陶瓷體附著3程度加深，即電極高中的玻璃纖維滲入陶瓷體深度得到提高，最終保證其在長時間高溫 情況下，仍保證相當(dāng)?shù)燃壍母街?，將現(xiàn)有電極高中玻璃粉含量提高，加大燒銀曲線斜率 有利于電極中玻璃纖維更好地滲入陶瓷體。最后使得電極與陶瓷體的附著拉力從原有的 0. 4 0. 7Kg提升至現(xiàn)有的0. 9 1. ^(g，提升幅度超過200% ！以及電極面積大小的調(diào)整， 使得同樣通流面積下通過產(chǎn)品的能量幅度得到有效提高。附著力的提升與通流密度的降 低，提高了產(chǎn)品在低溫環(huán)境使用下的能量沖擊的持久性及穩(wěn)定性！本實用新型的有益效果是，解決了背景技術(shù)中存在的缺陷，可以在命中阻值的情 況下提升產(chǎn)品在低溫環(huán)境下耐受能量的程度，從而有效降低產(chǎn)品在通電過程中所產(chǎn)生的熱 量，使其能更廣泛地援用于低溫環(huán)境下高能量、高功率電路！以下結(jié)合附圖和實施例對本實用新型進(jìn)一步說明。

圖1是本實用新型的優(yōu)選實施例的結(jié)構(gòu)示意圖；圖中1、本體元件；2、引腳；3、電極層；4、保護(hù)層。
具體實施方式
現(xiàn)在結(jié)合附圖和優(yōu)選實施例對本實用新型作進(jìn)一步詳細(xì)的說明。這些附圖均為簡 化的示意圖，僅以示意方式說明本實用新型的基本結(jié)構(gòu)，因此其僅顯示與本實用新型有關(guān) 的構(gòu)成。如圖1所示的一種低溫沖擊型浪涌抑制負(fù)溫度熱敏電阻，包括由陶瓷體制成的本 體元件1以及設(shè)置在本體元件1下端的引腳2，所述的本體元件1內(nèi)具有電極層3，電極層 3中電極膏內(nèi)的玻璃粉的加入量相比較原有的玻璃粉的加入量增加了 5 %，使得電極層3中 的電極膏燒入本體元件1陶瓷體的深度有改善前的40 μ m增加至125 μ m,焊接拉力由原有 的0. 7kg提升至1. 5kg。對本實用新型進(jìn)行加工時，首先進(jìn)行配料，配料完成后對其加水滾料，然后再進(jìn)行 噴霧造粒，噴霧造粒完成后進(jìn)行成型制作，最后將成型的產(chǎn)品進(jìn)行排膠，并燒結(jié)印刷成成 品，印刷面積相比較之前增加50%以上。這樣，所生產(chǎn)出的產(chǎn)品可以在命中阻值的情況下提 升產(chǎn)品在低溫環(huán)境下耐受能量的程度，從而有效降低產(chǎn)品在通電過程中所產(chǎn)生的熱量，使 其能更廣泛地援用于低溫環(huán)境下高能量、高功率電路！以上說明書中描述的只是本實用新型的具體實施方式
，各種舉例說明不對本實用 新型的實質(zhì)內(nèi)容構(gòu)成限制，所屬技術(shù)領(lǐng)域的普通技術(shù)人員在閱讀了說明書后可以對以前所 述的具體實施方式
做修改或變形，而不背離實用新型的實質(zhì)和范圍。
權(quán)利要求1.一種低溫沖擊型浪涌抑制負(fù)溫度熱敏電阻，包括由陶瓷體制成的本體元件(1)以及 設(shè)置在本體元件⑴下端的引腳O)，其特征在于所述的本體元件⑴內(nèi)具有電極層(3)， 所述的電極層(3)中的電極膏燒入本體元件(1)陶瓷體的深度為100 μ m 150 μ m，焊接拉 力為 0. 9kg 1. 5kg。
2.如權(quán)利要求1所述的低溫沖擊型浪涌抑制負(fù)溫度熱敏電阻，其特征在于所述的本 體元件(1)的外部設(shè)置有保護(hù)層。
專利摘要本實用新型涉及一種低溫沖擊型浪涌抑制負(fù)溫度熱敏電阻，包括由陶瓷體制成的本體元件以及設(shè)置在本體元件下端的引腳，所述的本體元件內(nèi)具有電極層，通過對電極膏中玻璃粉燒入陶瓷的程度調(diào)整，使得電極與陶瓷體附著程度加深，最后使得電極與陶瓷體的附著拉力從原有的0.7Kg提升至現(xiàn)有的1.5Kg，提升幅度超過200％！以及電極面積大小的調(diào)整，使得同樣通流面積下通過產(chǎn)品的能量幅度得到有效提高(見表1)。經(jīng)過試驗產(chǎn)品后段信賴性測試結(jié)果來看，附著力的提升與通流密度的降低，提高了產(chǎn)品在低溫環(huán)境使用下的能量沖擊的持久性及穩(wěn)定性。
文檔編號H01C7/04GK201838412SQ20102057897
公開日2011年5月18日 申請日期2010年10月27日 優(yōu)先權(quán)日2010年10月27日
發(fā)明者李曉樂 申請人:興勤(常州)電子有限公司