專利名稱：天線和裝配有該天線的通信設備的制作方法
技術領域：
本實用新型涉及在諸如便攜式電話的電子設備中使用的天線，以及裝配有該天線的通信設備。
背景技術：
目前為止，芯片天線已經(jīng)被用作要在諸如便攜式電話的電子設備中使用的天線。 天線的一個端子被供應電力，并且天線的另一端子被用作開放端子(參見，例如專利文獻 1)。專利文獻1 JP-A-11-31913然而，根據(jù)現(xiàn)有技術，另一端子被用作開放端子。因此，當在芯片天線的附近設置金屬板或接地時，出現(xiàn)天線芯片的通信特性退化并且天線芯片受到外界影響的問題。此外，當進行減輕外界影響的嘗試時，芯片天線本身的尺寸變大，這進而妨礙了裝配有該芯片天線的整個設備的小型化。因此，鑒于前述現(xiàn)有技術的問題，本實用新型旨在提供一種在尺寸上減小的并且對外界影響具有抵抗力的天線和裝配有該天線的通信設備。

實用新型內(nèi)容為了解決該問題，本實用新型提供了一種天線，包括如下基座物(base substance)，所述基座物被放置在基底上；導電膜，所述導電膜被形成在所述基座物上；以及間隙，所述間隙將所述導電膜電氣地劃分成第一導電膜和第二導電膜，并且所述間隙包括電容分量，其特征是，所述第一導電膜被連接到置于所述基底上的電源部；所述第二導電膜通過導體被連接到接地部；并且所述電源部、所述第一導電膜、所述間隙、所述第二導電膜、所述導體以及所述接地部以該順序被串聯(lián)連接。從而可以提供在尺寸減小的同時不太受外界影響的天線。提供了一種天線，包括基座物，所述基座物被設置在基底上；導電膜，所述導電膜被形成在所述基座物上；以及間隙，所述間隙將所述導電膜電氣地劃分成第一導電膜和第二導電膜，其特征是所述第一導電膜被連接到電源部；所述第二導電膜被連接到接地部；并且所述電源部、所述第一導電膜、所述間隙、所述第二導電膜以及所述接地部被串聯(lián)連接。提供了一種通信設備，包括基底；基座物，所述基座物被設置在所述基底上；導電膜，所述導電膜被形成在所述基座物上；以及間隙，所述間隙將所述導電膜電氣地劃分成第一導電膜和第二導電膜，其特征是所述第一導電膜被連接到電源部；所述第二導電膜被連接到接地部；并且所述電源部、所述第一導電膜、所述間隙、所述第二導電膜以及所述接地部被串聯(lián)連接。

[0011]圖1是本實用新型的第一實施例的天線的概況；圖2是本實用新型的第一實施例的天線的概況；圖3是本實用新型的第一實施例的天線的電路圖；圖4A和圖4B是本實用新型的第一實施例的天線的特性曲線圖；圖5是本實用新型的第一實施例的天線的概況；圖6是本實用新型的第一實施例的天線的概況；圖7是本實用新型的第二實施例的天線的概況；圖8是本實用新型的第二實施例的天線的概況；以及圖9是本實用新型的第二實施例的天線的電路圖。
具體實施方式
本實用新型的第一方面涉及一種天線，包括下述S卩，基座物，所述基座物被放置在基底上；導電膜，所述導電膜被形成在所述基座物上；以及間隙，所述間隙將所述導電膜電氣地劃分成第一導電膜和第二導電膜，并且所述間隙包括電容分量，其中，所述第一導電膜被連接到置于所述基底上的電源部；所述第二導電膜通過導體被連接到接地部；并且所述電源部、所述第一導電膜、所述間隙、所述第二導電膜、所述導體、所述接地部以該順序被串聯(lián)連接。特定地，通過這樣的結構，天線可以獲得電容分量，并且可以以一個芯片的形式來實現(xiàn)阻抗分量和電容分量。因此，所述天線不需要被設置有外部電容器。具體地，在本專利申請中，天線的一端被連接到所述接地部。因此，電容分量的變化對天線產(chǎn)生很大影響。 然而，通過對導電膜僅設置間隙來產(chǎn)生電容分量，使得可以保持較小的變化。當特別與將電容器形成為與一對電極相對的情況相比較時，可以明顯地減少變化因素，諸如位置位移。此外，可以僅通過間隙長度的改變來改變電容分量，使得可以簡單地調(diào)整通信頻率。因此，可以使天線不太受接地部的影響，并且在通信頻率方面是穩(wěn)定的。本實用新型的第二方面基于在本實用新型的第一方面中定義的天線，并且還包括如下即，在所述基座物上形成的第三導電膜和第四導電膜；以及包括電容分量的在所述第三導電膜與所述第四導電膜之間設置的另一間隙，其中，所述第一導電膜和所述第三導電膜被連接到置于所述基底上的所述電源部；所述第四導電膜通過另一導體被連接到另一接地部；并且所述電源部、所述第三導電膜、所述另一間隙、所述第四導電膜、所述另一導體以及所述接地部以該順序被串聯(lián)連接。從而能夠通過一個天線來發(fā)射和接收多個頻率。本實用新型的第三方面基于在本實用新型的第二方面中定義的天線，其中，另一接地部被連接到所述接地部?？梢砸子谡{(diào)整不同的頻率。此外，本實用新型的第四方面基于在本實用新型的第一方面中定義的天線，并且還包括下述即，在所述基座物上形成的第三導電膜和第四導電膜；以及包括電容分量的在所述第三導電膜與所述第四導電膜之間設置的另一間隙，其中，所述第三導電膜被連接到置于所述基底上的另一電源部；所述第四導電膜通過另一導體被連接到所述接地部；并且所述電源部、所述第三導電膜、所述另一間隙、所述第四導電膜、所述另一導體以及所述接地部以該順序被串聯(lián)連接?？梢允挂粋€天線發(fā)射和接收多個頻率。此外，本實用新型的第五方面基于在本實用新型的第四方面中定義的天線，其中， 所述另一導體被整體地連接到所述導體?？梢砸子谡{(diào)整不同的頻率。[0025]此外，在本實用新型的第六方面中定義的本實用新型基于在本實用新型的第一方面中定義的天線，其中，所述第一導電膜的表面積和所述第二導電膜的表面積基本上彼此等同。第一導電膜的電感分量和第二導電膜的電感分量從而變得基本上彼此等同。即使當以任何方向定向天線時，都可以獲得期望的電感分量。此外，本實用新型第七方面基于在本實用新型的第二方面中定義的天線，其中，所述第三導電膜的表面積和所述第四導體的表面積基本上彼此等同。第三導電膜的電感分量和第四導電膜的電感分量從而變得基本上彼此等同。即使當以任何方向定向天線時，都可以獲得期望的電感分量。此外，本實用新型的第八方面基于在本實用新型的第六方面中定義的天線，其中， 所述第一導電膜的表面幾何形狀和所述第二導電膜的表面幾何形狀是關于間隙對稱的并且基本上彼此等同。第一導電膜的電感分量和第二導電膜的電感分量變得基本上高精度地彼此等同。即使當以任何方向定向天線時，都可以獲得期望的電感分量。此外，本實用新型第九方面基于在本實用新型的第七方面中定義的天線，其中，所述第三導電膜的表面幾何形狀和所述第四導電膜的表面幾何形狀是關于所述間隙對稱的， 并且基本上彼此等同。第三導電膜的電感分量和第四導電膜的電感分量變得基本上高精度地彼此相等。即使當以任何方向定向天線時，都可以獲得期望的電感分量。此外，本實用新型的第十方面基于在本實用新型的第一方面中定義的天線，其中， 所述第一導電膜的表面積和所述第二導電膜的表面積彼此不同?？梢栽谑沟锰炀€的尺寸恒定的同時，容易地改變所述第一導電膜的電感分量的大小或所述第二導電膜的電感分量的大小。此外，本實用新型的第十一方面基于在本實用新型的第二方面中定義的天線，其中，所述第三導電膜的表面積和第四導電膜的表面積互不相同?？梢栽谑沟锰炀€的尺寸恒定的同時，容易地改變所述第三導電膜的電感分量的大小或所述第四導電膜的電感分量的大小。此外，本實用新型的第十二方面基于在本實用新型的第二方面中定義的天線，其中，所述間隙的寬度和所述另一間隙的寬度互不相同?？梢匀菀椎貙⑼ㄐ蓬l率“f”和通信頻率“f’”設置為不同的值，并且可以容易地調(diào)整不同的頻率。此外，本實用新型的第十三方面基于本實用新型的第二方面的天線，其中，所述間隙的長度不同于所述另一間隙的長度。由此可以容易地將通信頻率“f”和通信頻率“f’” 設置為不同的值，并且可以容易地調(diào)整不同的頻率。此外，本實用新型的第十四方面基于在本實用新型的第四方面中定義的天線，其中，第三導電膜的表面積和第四導電膜的表面積基本上彼此等同。第三導體的電感分量和第四導體的電感分量從而變得基本上彼此等同。即使當以任何方向定向天線時，都可以獲得期望的電感分量。此外，本實用新型的第十五方面基于在本實用新型的第四方面中定義的天線，其中，所述間隙的寬度和所述另一間隙的寬度互不相同。從而，可以容易地將通信頻率“f，， 和通信頻率“f’”設置為不同的值，并且可以容易地調(diào)整不同的頻率。此外，本實用新型的第十六方面基于在本實用新型的第四方面中定義的天線，其中，所述間隙的長度不同于所述另一間隙的長度。從而，可以容易地將通信頻率“f”和通信
6頻率“f’”設置為不同的值，并且可以容易地調(diào)整不同的頻率。此外，本實用新型的第十七方面基于在本實用新型的第一方面中定義的天線，其中，所述間隙以最短的路線線性地圍繞導電膜的表面。從而可以高精確度地設置第一導體的電感分量和第二導體的電感分量。此外，本實用新型的第十八方面基于在本實用新型的第一方面中定義的天線，其中，所述間隙以階梯式折疊的方式圍繞導電膜的表面。可以在使天線的尺寸保持恒定的同時，容易地改變源自于間隙的電容分量。此外，所定義的本實用新型的第十九方面涉及一種天線，并且包括下述S卩，在基底上設置的基座物；在所述基座物上形成的導電膜；以及將所述導電膜電氣地劃分成第一導電膜和第二導電膜的間隙，其中，所述第一導電膜被連接到電源部；所述第二導電膜被連接到接地部；并且所述電源部、所述第一導電膜、所述間隙、所述第二導電膜以及所述接地部被串聯(lián)連接。本實用新型的第二十方面涉及一種通信設備并且包括下述S卩，基底；設置在所述基底上的基座物；在所述基座物上形成的導電膜；以及將所述導電膜電氣地劃分成第一導電膜和第二導電膜的間隙，其中，所述第一導電膜被連接到電源部；所述第二導電膜被連接到接地部；并且所述電源部、所述第一導電膜、所述間隙、所述第二導電膜以及所述接地部被串聯(lián)連接。(實施例)下面參考附圖來描述本實用新型的實施例。通過參考圖1和圖2來描述本實用新型的天線。圖1是本實用新型的第一實施例的天線的概況，并且圖2是本實用新型的第一實施例的天線的概況。在圖1中，芯片天線1包括基座物2，該基座物2在該基座物的整個表面上形成有導電膜；端子3和4，該端子3和4被設置在基座物2的兩端處；以及間隙5，該間隙5沿著基座物2的外圍被形成。間隙5將在基座物2上形成的導電膜分成與端子3鄰近的第一導電膜6和與端子4鄰近的第二導電膜7。芯片天線1呈現(xiàn)度量為ImmX Imm的正方形和5mm的長度；然而，也可以采用其它形狀。在基座物2上形成的導電膜的厚度在4μπι至Μμπι的范圍內(nèi)，并且平均厚度是 16 μ m。間隙5的間隔在15至1000 μ m范圍內(nèi)，并且在本實施例中呈現(xiàn)20 μ m的值。在本實施例中，還在芯片天線1的中心區(qū)域處部署間隙5 ；然而，可以根據(jù)設計適當?shù)馗淖冮g隙的位置?，F(xiàn)在詳細地描述基座物2?；?由絕緣材料制成。優(yōu)選地使用諸如鈦酸鋇、氧化鋁、包含氧化鋁作為主要成分的材料以及氧化硅之類的材料作為基座物2的構成材料。 氧化鋁或包含氧化鋁作為主要成分的材料的使用使得可以產(chǎn)生符合高頻的電子組件。電子組件還展現(xiàn)出高強度并且易于機加工。在本實施例中使用氧化鋁。所述導電膜以單層或多層的形式由諸如銅、銀、金和鎳等的導電材料制成。在導電膜上形成導電表面。蒸發(fā)、濺射、粘貼、CVD技術或印刷技術用于導電膜。在本實施例中，通過鍍銅來形成導電膜。在本實施例中，在形成導電膜之后，在使基座物2旋轉的同時，通過激光微調(diào)來形成間隙5。然而，還可以采用另一種技術，諸如蝕刻。在圖1中，以正方形描繪基座物2，但可以呈現(xiàn)柱形或多角柱。雖然在本實施例中在基座物2的整個表面上形成導電膜，但是只要能夠形成第一導電膜6和第二導電膜7，就還可以在除了各個端子3和4的端面之外的基座物的整個外圍上形成導電膜。此外，還可以通過在平板的一個表面上形成導電膜并且還在導電膜中形成間隙來制造芯片天線1。在本實施例中，為了促進在基底上安裝芯片天線時的安裝操作，在芯片天線中設置臺階高度，從而使第一導電膜6和第二導電膜7低于端子3和4。圖2是示出安裝在基底8上的芯片天線1的圖。在基底8上布置焊臺圖案。該焊臺圖案包括沿著基底8的外圍布置的接地圖案9、連接到端子3的導體圖案10以及連接到端子4的導體圖案11。芯片天線1被安裝在基底8上，并且從未示出的電源部向導體圖案10供電，由此向芯片天線1供電。導體圖案10通過匹配元件12被連接到接地圖案9。導體圖案11被連接到端子4和接地圖案9，從而將芯片天線1連接到地?，F(xiàn)在參考圖3、圖4A和圖4B來描述具有該構造的天線的操作。圖3是本實用新型的第一實施例的天線的電路圖，并且圖4A和圖4B是本實用新型的第一實施例的天線的特性曲線圖。圖3中所示的電路圖是用于高頻；例如，1.5GHz (GPS)和2. 4GHz，的等效電路圖。結合本實施例描述的高頻不限于該頻率，并且還包括600MHz或以上的便攜式電話中使用的頻率。如圖3中所示，在發(fā)射和接收高頻的天線中，芯片天線1的第一導電膜6、將第二導電膜7和電源部電連接到端子3的導體圖案10以及將端子4電連接到接地圖案9的導體圖案11可以被視為線圈。在圖3中，向芯片天線1供電的電源部13、導體圖案10、第一導電膜6、間隙5、第二導電膜7、導體圖案11以及接地圖案9以該順序被串聯(lián)連接。匹配元件12被插入在電源部13與導體圖案10之間，并且匹配元件12也被連接到接地圖案9。關于上文提供的電路構造，假設間隙5的電容分量是C ；第二導電膜7的電感分量是Ll ；并且導體圖案11的電感分量是L2，則(用數(shù)據(jù)公式1)表達本實施例的天線的頻率 “f”。[數(shù)學公式1]f=2^(Ll+L2、C從電源部13延伸到間隙5的區(qū)域中存在的電感分量基本上不影響本實施例的天線的通信頻率。該通信頻率由從間隙5延伸到接地圖案9的區(qū)域；S卩，間隙5、第二導電膜7 以及導體圖案11，中存在的電容分量和電感分量來確定。現(xiàn)在參考圖4A和圖4B來描述從電源部13延伸到間隙5的區(qū)域中存在的電感分量基本上不影響通信頻率的事實。圖4A和圖4B是本實用新型的第一實施例的天線的特性曲線圖。在圖4A和圖4B中，如圖2所示地使用和安裝芯片天線1，并且對焊臺圖案給定 3mm X 8mm的尺寸。圖4A是當在端子4與接地圖案9之間插入2. 7nH芯片電感器時獲得的頻率圖，其中，水平軸表示頻率。在芯片電感器的插入之前獲得的頻率是2167MHz。然而，在插入芯片電感器之后， 頻率變成2008MHz。可以看到由于芯片電感器的插入而導致159MHz的頻率波動。圖4B是在電源部13與端子3之間插入2. 7nH芯片電感器時獲取的頻率圖，并且水平軸表示頻率。在芯片電感器的插入之前獲得的頻率是2168MHz。然而，在插入芯片電感器之后， 頻率變成2161MHz?？梢钥吹接捎谛酒姼衅鞯牟迦攵鴮е?MHz的頻率波動。簡言之，當在端子4與接地圖案9之間；S卩，從間隙5延伸到接地圖案9的區(qū)域， 插入芯片電感器時，頻率顯著波動。相反，當在電源部13與端子3 卩，電源部與間隙5，之間插入芯片電感器時，頻率幾乎不波動。應當理解，當確定了天線的頻率時幾乎可以忽略電源部13和間隙5之間的區(qū)域中存在的電感分量，并且如上述定義頻率(如公式1中所表示)°如上述確定天線的頻率，并且因此，下面詳細地描述實施例的特性點。在該實施例中，芯片天線1具有確定天線的頻率的間隙5的電容分量C和第二導電膜7的電感分量Li。因此，可以通過調(diào)整該值來產(chǎn)生具有期望頻率的芯片天線?？梢栽诓簧婕安贾迷诨?上的導體圖案11的變化的情況下，容易地通過僅調(diào)整芯片天線1來調(diào)整頻率。具體地，通過借助于電鍍或使膜受到激光微調(diào)在基座物2的表面上形成導電膜來制造本實施例的芯片天線1。因此，可以借助于僅改變激光微調(diào)的位置來改變電感分量Li。 此外，可以通過改變激光微調(diào)的寬度來容易地改變電容分量C，使得可以針對期望頻率來調(diào)諧芯片天線。現(xiàn)在通過參考圖5和圖6來描述芯片天線1的間隙5的幾何形狀。圖5是本實用新型的第一實施例的天線的概況，并且圖6是本實用新型的第一實施例的天線的概況。在圖5中，為了延長將通過激光微調(diào)形成的間隙路徑并且獲得間隙5的電容分量， 沿著其縱向微調(diào)基座物2 —次，從而產(chǎn)生階梯形間隙5。在圖6中，為了以與上述相同的方式延長將通過激光微調(diào)形成的間隙路徑并且獲得間隙5的電容分量，以Z形圖案形成間隙5。通過前述操作，可以在不涉及芯片天線1的尺寸改變的情況下增加間隙的電容分量。因此，當將頻率調(diào)整為相當?shù)偷念l率時，芯片天線是實用的。(第二實施例)第二實施例針對其中使芯片天線符合兩個頻率的情況，并且參考圖7和圖9來進行描述。結合與結合第一實施例所述的那些類似的元件對第一實施例進行參考。圖7是本實用新型的第二實施例的天線的概況，并且圖8是本實用新型的第二實施例的天線的概況。如圖7所示，在本實施例中，天線包括耦合在一起的兩個芯片天線。芯片天線21包括在基座物的整個表面上形成有導電膜的基座物22、在基座物22的兩端處設置的端子23 和M、在端子23與M之間插入的端子25、在端子23與25之間插入的間隙沈以及在端子 24與25之間插入的間隙27。在基座物22上形成的導電膜通過間隙沈、端子25以及間隙27從端子23開始順序地被劃分成第一導電膜觀、第二導電膜四、第三導電膜30以及第四導電膜31。芯片天線21呈現(xiàn)度量為ImmX Imm的正方形形狀和8mm的長度。端子23至端子 25之間的長度是5mm，并且端子25至端子M之間的長度是3mm。還可以采用其它尺寸。圖8是示出安裝在基底32上的芯片天線21的視圖。在基底32上形成焊臺圖案。該焊臺圖案包括沿著基底32的外圍布置的接地圖案33、將端子23連接到接地圖案33 的導體圖案35、連接到端子25的導體圖案34以及將端子M連接到接地圖案33的導體圖案36。芯片天線21被安裝在基底32上，并且從未示出的電源部向導體圖案35供電，并且進一步向芯片天線21供應電力。導體圖案35通過匹配元件37被連接到接地圖案33。本實施例的芯片天線21符合兩個頻率。在本實施例中，從端子23延伸到端子25 的芯片天線的一部分(左半部分)用作用于1.5GHz (在下文中稱為第一頻率)的GPS天線， 并且從端子25延伸到端子M的芯片天線的一部分(右半部分)用作用于2. 4GHz (在下文中稱為第二頻率)的天線。下面參考圖9來描述具有上述構造的天線的操作。圖9是本實用新型的第二實施例的天線的電路圖。圖9的電路圖是高頻的等效電路圖。如圖9所示，在發(fā)射和接收高頻的天線中，芯片天線21的第一導電膜觀、第二導電膜四、第三導電膜30、第四導電膜31、導體圖案34、導體圖案35以及導體圖案36可以被視為線圈。在圖9中，當首先觀看芯片天線21的左半部分時，向芯片天線21供電的電源部 38、導體圖案35、第二導電膜29、間隙26、第一導電膜28、導體圖案34以及接地圖案33以該順序被串聯(lián)連接在一起。在該構造中，假設間隙沈的電容分量是Cl ；第一導電膜觀的電感分量是Ll ；并且假設導體圖案；34的電感分量是L2，則用(數(shù)學公式2)來表達由芯片天線21的左半部分發(fā)射和接收的頻率，即，頻率Π。通過芯片天線21的左半部分的構造來發(fā)射和接收第一頻率。[數(shù)學公式2]
權利要求1.一種天線，包括基座物，所述基座物被放置在基底上；導電膜，所述導電膜被形成在所述基座物上；以及間隙，所述間隙將所述導電膜電氣地劃分成第一導電膜和第二導電膜，所述間隙包括電容元件；其特征是所述第一導電膜被連接到置于所述基底上的電源部；所述第二導電膜通過導體被連接到接地部；并且所述電源部、所述第一導電膜、所述間隙、所述第二導電膜、所述導體以及所述接地部以該順序被串聯(lián)連接。
2.如權利要求1所述的天線，其特征是，所述天線還包括第三導電膜和第四導電膜，所述第三導電膜和所述第四導電膜被形成在所述基座物上；以及另一間隙，所述另一間隙被設置在所述第三導電膜與所述第四導電膜之間，所述另一間隙包括電容分量，其中，所述第一導電膜和所述第三導電膜被連接到置于所述基底上的所述電源部；所述第四導電膜通過另一導體被連接到另一接地部；并且所述電源部、所述第三導電膜、所述另一間隙、所述第四導電膜、所述另一導體以及所述接地部以該順序被串聯(lián)連接。
3.如權利要求2所述的天線，其特征是，所述另一接地部被連接到所述接地部。
4.如權利要求1所述的天線，其特征是，所述天線還包括第三導電膜和第四導電膜，所述第三導電膜和所述第四導電膜被形成在所述基座物上；以及另一間隙，所述另一間隙被設置在所述第三導電膜與所述第四導電膜之間，所述另一間隙包括電容分量，其中，所述第三導電膜被連接到置于所述基底上的另一電源部；所述第四導電膜通過另一導體被連接到所述接地部；以及所述電源部、所述第三導電膜、所述另一間隙、所述第四導電膜、所述另一導體以及所述接地部以該順序被串聯(lián)連接。
5.如權利要求4所述的天線，其特征是，所述另一導體被整體地連接到所述導體。
6.如權利要求1所述的天線，其特征是，所述第一導電膜的表面積和所述第二導電膜的表面積基本上彼此等同。
7.如權利要求2所述的天線，其特征是，第三導電膜的表面積和第四導電膜的表面積基本上彼此等同。
8.如權利要求6所述的天線，其特征是，所述第一導電膜的表面幾何形狀和所述第二導電膜的表面幾何形狀是關于所述間隙對稱的并且基本上彼此等同。
9.如權利要求7所述的天線，其特征是，所述第三導電膜的表面幾何形狀和所述第四導電膜的表面幾何形狀是關于所述間隙對稱的并且基本上彼此等同。
10.如權利要求1所述的天線，其特征是，所述第一導電膜的表面積和所述第二導電膜的表面積互不相同。
11.如權利要求2所述的天線，其特征是，所述第三導電膜的表面積和第四導電膜的表面積互不相同。
12.如權利要求2所述的天線，其特征是，所述間隙的寬度和所述另一間隙的寬度互不相同。
13.如權利要求2所述的天線，其特征是，所述間隙的長度與所述另一間隙的長度不同。
14.如權利要求4所述的天線，其特征是，所述第三導電膜的表面積和所述第四導電膜的表面積基本上彼此等同。
15.如權利要求4所述的天線，其特征是，所述間隙的寬度和所述另一間隙的寬度互不相同。
16.如權利要求4所述的天線，其特征是，所述間隙的長度與所述另一間隙的長度不同。
17.如權利要求1所述的天線，其特征是，所述間隙以最短的路線線性地圍繞所述導電膜的表面。
18.如權利要求1所述的天線，其特征是，所述間隙以階梯式折疊方式圍繞所述導電膜的表面。
19.一種天線，包括基座物，所述基座物被設置在基底上；導電膜，所述導電膜被形成在所述基座物上；以及間隙，所述間隙將所述導電膜電氣地劃分成第一導電膜和第二導電膜，其特征是所述第一導電膜被連接到電源部； 所述第二導電膜被連接到接地部；并且所述電源部、所述第一導電膜、所述間隙、所述第二導電膜以及所述接地部被串聯(lián)連接。
20.—種通信設備，包括基底；基座物，所述基座物被設置在所述基底上； 導電膜，所述導電膜被形成在所述基座物上；以及間隙，所述間隙將所述導電膜電氣地劃分成第一導電膜和第二導電膜， 其特征是所述第一導電膜被連接到電源部； 所述第二導電膜被連接到接地部；并且所述電源部、所述第一導電膜、所述間隙、所述第二導電膜以及所述接地部被串聯(lián)連接。
專利摘要本實用新型涉及天線和裝配有該天線的通信設備。該天線包括下述在基底(8)上設置的基座物；在該基座物上形成的導電膜；以及將導電膜電氣地劃分成第一導電膜(6)和第二導電膜(7)的間隙(5)。第一導電膜(6)被連接到在基底(8)上設置的電源部，并且第二導電膜(7)通過導體被連接到接地部(9)。該電源部、第一導電膜(6)、間隙(5)、第二導電膜(7)、導體(11)以及接地部(9)以該順序被串聯(lián)連接。
文檔編號H01Q1/38GK202067892SQ20102059389
公開日2011年12月7日 申請日期2010年11月1日 優(yōu)先權日2009年10月30日
發(fā)明者后藤和秀, 小崎堅一, 長友泰樹 申請人:松下電器產(chǎn)業(yè)株式會社