專(zhuān)利名稱(chēng)：改良式硅芯片承載裝置的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本實(shí)用新型涉及一種硅芯片承載裝置，特別是涉及這樣一種改良式硅芯片承載裝 置，該承載裝置中的承載板體具有鉆孔，可使供氣單元提供的氣流通過(guò)，以破除硅芯片與承 載板體之間的真空吸附狀態(tài)。
背景技術(shù)：
在太陽(yáng)能產(chǎn)業(yè)中，硅芯片的傳送過(guò)程在產(chǎn)能的提升或產(chǎn)品合格率及缺陷上均扮演 著舉足輕重的角色。換言之，承載硅芯片的承載板體與吸取硅芯片的吸盤(pán)之間的配合必須 效率化及最佳化。然而，公知的柏努力吸盤(pán)在吸取承載板體上的硅芯片常需耗時(shí)10至15 秒。如此一來(lái)，不僅對(duì)產(chǎn)能有很大的影響，更容易因該公知的承載板體具有定位孔的設(shè)計(jì)， 而使得硅芯片嚴(yán)重回鍍(back-plating)。有鑒于此，本申請(qǐng)的發(fā)明人提出了一種改良式硅 芯片承載裝置，以改善上述問(wèn)題。

實(shí)用新型內(nèi)容針對(duì)公知技術(shù)的問(wèn)題，本實(shí)用新型的目的就是提供一種改良式硅芯片承載裝置， 在該承載裝置中，承載板體具有至少一個(gè)鉆孔以及至少一個(gè)導(dǎo)槽，并通過(guò)供氣單元提供氣 流以通過(guò)鉆孔，從而破除硅芯片與承載板體之間的真空吸附狀態(tài)。參照本實(shí)用新型的目的，提出一種改良式硅芯片承載裝置，其包括承載板體及供 氣單元。具體地說(shuō)，承載板體具有至少一個(gè)鉆孔，而承載板體與被承載的硅芯片呈真空吸附 狀態(tài)。供氣單元設(shè)置在承載板體的周?chē)?，并提供氣流以通過(guò)上述鉆孔，從而破除承載板體與 硅芯片之間的真空吸附狀態(tài)。具體地說(shuō)，鉆孔的數(shù)量及形式并不具有局限性，不論是以直鉆或是任何形式斜鉆 的方式都可以，該斜角在O至90度的范圍內(nèi)，且承載板體由石墨和碳纖聚合材料所組成的 復(fù)材板制成。再者，供氣單元設(shè)置的位置可調(diào)整，只要供氣單元所提供的氣流可順利地通過(guò) 承載板體的鉆孔即可。同樣，供氣單元的氣流的大小及方向與鉆孔配合，從而可調(diào)整。最后， 承載板體與硅芯片之間的真空吸附力被解除后，可利用吸附單元來(lái)快速吸取硅芯片。通過(guò)上述說(shuō)明，根據(jù)本實(shí)用新型的改良式硅芯片承載裝置可具有下述優(yōu)點(diǎn)(1)依據(jù)本實(shí)用新型的改良式硅芯片承載裝置，當(dāng)承載板體與硅芯片之間的真空 吸附狀態(tài)被破除時(shí)，吸附單元可快速吸取硅芯片。所謂快速吸取對(duì)本實(shí)用新型而言，被定義 為約0.2秒。(2)依據(jù)本實(shí)用新型的改良式硅芯片承載裝置，承載板體并未設(shè)有定位孔，因而可 改善硅芯片嚴(yán)重回鍍的問(wèn)題。

圖1為本實(shí)用新型的改良式硅芯片承載裝置的承載板體的示意圖。圖2為本實(shí)用新型的改良式硅芯片承載裝置的示意圖。[0011]圖3為本實(shí)用新型的改良式硅芯片承載裝置的供氣單元及吸附單元的示意圖。主要組件符號(hào)說(shuō)明100:承載板體；110:鉆孔；120:導(dǎo)槽;200 硅芯片；300:供氣單元；310:氣流;400:吸附單元。
具體實(shí)施方式
根據(jù)本實(shí)用新型的技術(shù)特征，以下將參照相關(guān)附圖圖說(shuō)明根據(jù)本實(shí)用新型的改良 式硅芯片承載裝置的實(shí)施例，為便于理解，下述實(shí)施例中的相同組件以相同的符號(hào)標(biāo)示來(lái) 說(shuō)明。首先，請(qǐng)參閱圖1，該圖為本實(shí)用新型的改良式硅芯片承載裝置的承載板體的示意 圖。如圖1所示，本實(shí)用新型的改良式硅芯片承載裝置的承載板體100具有至少一個(gè)鉆孔 110及至少一個(gè)導(dǎo)槽120，所述鉆孔110的斜角在0至90度的范圍內(nèi)，所述斜角是鉆孔110 與承載板體100的平面法線的夾角。換言之，本實(shí)用新型的承載板體100上的鉆孔110可 以只有一個(gè)，當(dāng)然也可以布滿(mǎn)整個(gè)承載板體100，且鉆孔110不論采用直鉆或任何形式斜鉆 的方式，皆為本實(shí)用新型所欲主張的技術(shù)范圍的樣態(tài)。因此，在圖1中舉例示出承載板體100具有4個(gè)鉆孔110及4個(gè)導(dǎo)槽120的例子， 且鉆孔110及導(dǎo)槽120有共同的幾何中心，鉆孔110及導(dǎo)槽120都由該幾何中心往外呈放 射狀排列。其中，導(dǎo)槽120的功能在于將從外部所導(dǎo)入的氣流均勻化且可用于釋放多余的 氣流，以使承載板體100內(nèi)分布的氣流平穩(wěn)。當(dāng)然，無(wú)論是鉆孔110或?qū)Р?20的數(shù)量或排 列的位置都僅為舉例，并不具限制性。值得注意的是，本實(shí)用新型的承載板體100由石墨和 碳纖聚合材料所組成的復(fù)材板制成，且承載板體100并未設(shè)有定位孔。請(qǐng)同時(shí)參閱圖2和圖3，圖2和圖3分別為本實(shí)用新型的改良式硅芯片承載裝置的 示意圖及本實(shí)用新型的改良式硅芯片承載裝置的供氣單元及吸附單元的示意圖。如圖2及 圖3所示，承載板體100用于承載至少一個(gè)硅芯片200，而承載板體100與被承載的硅芯片 200之間呈真空吸附狀態(tài)。也就是說(shuō)，當(dāng)承載板體100在傳送的過(guò)程中，每一片硅芯片200 與承載板體100都通過(guò)真空吸附而彼此緊密貼合。在此強(qiáng)調(diào)，上述承載板體100位于所承 載的硅芯片200處都包括至少一個(gè)鉆孔110及至少一個(gè)導(dǎo)槽120，當(dāng)然本實(shí)用新型的承載板 體100也可承載多個(gè)硅芯片200?？傊?，本實(shí)用新型的承載板體100在對(duì)應(yīng)每個(gè)硅芯片200 處都包含至少一個(gè)鉆孔110及至少一個(gè)導(dǎo)槽120，以利于破除硅芯片200與承載板體100之 間的真空吸附狀態(tài)。此外，本實(shí)用新型還包括供氣單元300，其設(shè)置于承載板體100的周?chē)?該供氣單元300可提供氣流310以通過(guò)上述鉆孔110，并以此破除硅芯片200與承載板體 100之間的真空吸附狀態(tài)，使得承載板體100與硅芯片200得以分離。由此，可以了解的是 本實(shí)用新型的主要技術(shù)特征在于可通過(guò)外在的供氣單元300提供氣流310，并將氣流310吹 向承載板體100的鉆孔110，從而使承載板體100與硅芯片200之間的真空吸附力被解除。
4從而，供氣單元300設(shè)置的位置能夠被調(diào)整，只要供氣單元位于承載板體100的周?chē)允沟?供氣單元300所提供的氣流310可順利地通過(guò)承載板體100的鉆孔110即可。雖然圖3示 出了供氣單元300設(shè)置于承載板體100下方，但值得注意的是，這僅是舉例性的示意，而非 為限制性表示。也就是說(shuō)，供氣單元300的氣流310的大小及方向與鉆孔110配合。舉例來(lái)說(shuō)，供 氣單元300可設(shè)置于承載板體100的鉆孔110的下方，所以供氣單元300的氣流310可往 上輕易地吹至上方的承載板體100的鉆孔110，并以此解除承載板體100與被承載的硅芯片 200之間的真空吸附狀態(tài)；然而，這僅為舉例，并非具有限制性，只要供氣單元300設(shè)置的位 置可使氣流310通過(guò)承載板體100上的鉆孔110，并以此解除承載板體100與被承載的硅芯 片200之間的真空吸附狀態(tài)即可。如果供氣單元300離承載裝置100較遠(yuǎn)時(shí)，即可調(diào)整放 大該氣流310的流量。反之，供氣單元300離承載裝置100較近時(shí)，可調(diào)整減低該氣流310 的流量?？傊?，供氣單元300的氣流310的大小及方向可調(diào)整，在生產(chǎn)在線的使用非常具有 便利性?？偟膩?lái)說(shuō)，本實(shí)用新型的承載板體100與硅芯片200之間的真空吸附力被解除后， 可利用吸附單元400快速吸取硅芯片200。對(duì)于本實(shí)用新型而言，所謂快速吸取的定義為約 0. 2秒。也就是說(shuō)，供氣單元300解除該真空吸附力所耗時(shí)相當(dāng)短，吸附單元400不需在硅 芯片200上停留太久的時(shí)間，因而可增大生產(chǎn)線的產(chǎn)能并提高硅芯片200的合格率。另外， 所述吸附單元400為符合柏努力定律的吸盤(pán)，在供氣單元300強(qiáng)制破除真空后，以快速有效 率的方式吸取硅芯片200，同時(shí)可減少破壞硅片發(fā)生的機(jī)率。上述描述僅為舉例性，而非為限制性。任何未脫離本實(shí)用新型的精神與范疇，而對(duì) 其進(jìn)行的等效修改或變更，均應(yīng)落入本申請(qǐng)的專(zhuān)利范圍中。
權(quán)利要求1.一種改良式硅芯片承載裝置，其特征在于該裝置包括 承載板體，具有至少一個(gè)鉆孔；以及供氣單元，設(shè)置于所述承載板體的周?chē)?，該供氣單元提供氣流，該氣流通過(guò)所述至少一 個(gè)鉆孔，以破除所述承載板體與被承載的硅芯片之間所呈現(xiàn)的真空吸附狀態(tài)。
2.如權(quán)利要求1所述的改良式硅芯片承載裝置，其特征在于該裝置還包括吸附單元， 當(dāng)所述承載板體與所述硅芯片之間的真空吸附狀態(tài)被破除時(shí)，該吸附單元用于吸取所述硅芯片。
3.如權(quán)利要求1所述的改良式硅芯片承載裝置，其特征在于所述供氣單元被設(shè)置于所 述承載板體的下方。
4.如權(quán)利要求1所述的改良式硅芯片承載裝置，其特征在于設(shè)置所述供氣單元的位置 能夠被調(diào)整。
5.如權(quán)利要求1所述的改良式硅芯片承載裝置，其特征在于所述供氣單元的氣流的方 向與所述至少一個(gè)鉆孔配合。
6.如權(quán)利要求1所述的改良式硅芯片承載裝置，其特征在于所述承載板體由石墨和碳 纖聚合材料所組成的復(fù)材板制成。
7.如權(quán)利要求1所述的改良式硅芯片承載裝置，其特征在于所述承載板體還具有至少 一個(gè)導(dǎo)槽。
8.如權(quán)利要求1所述的改良式硅芯片承載裝置，其特征在于所述至少一個(gè)鉆孔的斜角 在0至90度的范圍內(nèi)。
專(zhuān)利摘要本實(shí)用新型公開(kāi)了一種改良式硅芯片承載裝置，其包括承載板體及供氣單元。所述承載板體具有至少一個(gè)鉆孔及至少一個(gè)導(dǎo)槽，而承載板體與被承載的硅芯片呈真空吸附狀態(tài)。此外，供氣單元設(shè)置于承載板體的周?chē)?，并提供氣流以通過(guò)承載板體的鉆孔，從而破除承載板體與硅芯片的真空吸附狀態(tài)。由此，承載板體與硅芯片之間的真空吸附力被解除后，可利用吸附單元快速吸取硅芯片。
文檔編號(hào)H01L21/683GK201868407SQ201020624458
公開(kāi)日2011年6月15日 申請(qǐng)日期2010年11月23日 優(yōu)先權(quán)日2010年11月23日
發(fā)明者葉耿偉, 張育升, 張顥騫, 楊新興, 林俊良, 陳威有 申請(qǐng)人:茂迪股份有限公司