專利名稱：繞包絕緣型低損耗溫度穩(wěn)相同軸射頻電纜的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本實(shí)用新型涉及一種繞包絕緣型低損耗溫度穩(wěn)相同軸射頻電纜，特別適用于地面 相控陣?yán)走_(dá)系統(tǒng)，它將雷達(dá)信號(hào)傳輸?shù)较嗫仃嚴(yán)走_(dá)天線的每一個(gè)單元，起著傳輸雷達(dá)信號(hào) 的重要作用。
背景技術(shù)：
目前我國(guó)在耐高溫射頻電纜加工時(shí)，絕緣材料采用實(shí)芯聚四氟乙烯絕緣，常溫推 擠加工形式；外導(dǎo)體只是采用單一編織鍍銀銅線。造成電纜使用頻率不高，損耗大，更重要 的是在要求溫度相位穩(wěn)定的使用環(huán)境中，相位變化太大。
發(fā)明內(nèi)容鑒于現(xiàn)有技術(shù)存在的不足，本實(shí)用新型提供了一種繞包絕緣型低損耗溫度穩(wěn)相同 軸射頻電纜。本實(shí)用新型為實(shí)現(xiàn)上述目的，所采用的技術(shù)方案是一種繞包絕緣型低損耗溫度 穩(wěn)相同軸射頻電纜，其特征在于在鍍銀銅線外繞包數(shù)層微孔聚四氟乙烯薄膜絕緣層，在數(shù) 層微孔聚四氟乙烯薄膜絕緣層外繞包鍍銀銅扁帶內(nèi)屏蔽，在鍍銀銅扁帶內(nèi)屏蔽外編織一層 鍍銀銅線外導(dǎo)體，在鍍銀銅線外導(dǎo)體外擠包一層聚全氟乙丙烯護(hù)套。本實(shí)用新型的特點(diǎn)是，內(nèi)導(dǎo)體采用鍍銀銅線，內(nèi)屏蔽層采用繞包鍍銀銅帶，絕緣采 用繞包微孔聚四氟乙烯薄膜，這種結(jié)構(gòu)形式保證了銀層全部包覆在絕緣層周圍。由于隨溫 度變化，銀層和微孔聚四氟乙烯薄膜使電纜的相位變化相反，這種結(jié)構(gòu)最大限度的抵消了 相位變化率，提高了電纜相位的穩(wěn)定度。同時(shí)降低了絕緣材料的介電常數(shù)，降低了信號(hào)傳輸 衰減，提高了電纜的傳輸功率，減小了電纜相位隨溫度變化的幅度。

圖1為本實(shí)用新型結(jié)構(gòu)示意圖。
具體實(shí)施方式
如圖1所示，繞包絕緣型低損耗溫度穩(wěn)相同軸射頻電纜，在鍍銀銅線1外繞包數(shù)層 微孔聚四氟乙烯薄膜絕緣層2，在數(shù)層微孔聚四氟乙烯薄膜絕緣層2外繞包鍍銀銅扁帶內(nèi) 屏蔽3，在鍍銀銅扁帶內(nèi)屏蔽3外編織一層鍍銀銅線外導(dǎo)體4，在鍍銀銅線外導(dǎo)體4外擠包 一層聚全氟乙丙烯護(hù)套5。數(shù)層微孔聚四氟乙烯薄膜絕緣層2為九層。
權(quán)利要求1.一種繞包絕緣型低損耗溫度穩(wěn)相同軸射頻電纜，其特征在于在鍍銀銅線(1)外繞 包數(shù)層微孔聚四氟乙烯薄膜絕緣層(2)，在數(shù)層微孔聚四氟乙烯薄膜絕緣層(2)外繞包鍍 銀銅扁帶內(nèi)屏蔽(3)，在鍍銀銅扁帶內(nèi)屏蔽(3)外編織一層鍍銀銅線外導(dǎo)體(4)，在鍍銀銅 線外導(dǎo)體(4)外擠包一層聚全氟乙丙烯護(hù)套(5)。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的繞包絕緣型低損耗溫度穩(wěn)相同軸射頻電纜，其特征在于所 述數(shù)層微孔聚四氟乙烯薄膜絕緣層(2)為九層。
專利摘要本實(shí)用新型涉及一種繞包絕緣型低損耗溫度穩(wěn)相同軸射頻電纜，在鍍銀銅線外繞包數(shù)層微孔聚四氟乙烯薄膜絕緣層，在數(shù)層微孔聚四氟乙烯薄膜絕緣層外繞包鍍銀銅扁帶內(nèi)屏蔽，在鍍銀銅扁帶內(nèi)屏蔽外編織一層鍍銀銅線外導(dǎo)體，在鍍銀銅線外導(dǎo)體外擠包一層聚全氟乙丙烯護(hù)套。本實(shí)用新型的特點(diǎn)是，這種結(jié)構(gòu)形式保證了銀層全部包覆在絕緣層周圍。由于隨溫度變化，銀層和微孔聚四氟乙烯薄膜使電纜的相位變化相反，這種結(jié)構(gòu)最大限度的抵消了相位變化率，提高了電纜相位的穩(wěn)定度。同時(shí)降低了絕緣材料的介電常數(shù)，降低了信號(hào)傳輸衰減，提高了電纜的傳輸功率，減小了電纜相位隨溫度變化的幅度。
文檔編號(hào)H01P3/06GK201868553SQ20102063461
公開日2011年6月15日 申請(qǐng)日期2010年12月1日 優(yōu)先權(quán)日2010年12月1日
發(fā)明者史衛(wèi)箭, 吳健, 徐曉川, 李炳全, 谷越濤, 趙明哲 申請(qǐng)人:天津安訊達(dá)科技有限公司