專利名稱：45kV單芯電纜的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本實(shí)用新型涉及到一種電纜，尤其涉及一種單芯電纜。
背景技術(shù)：
普通的單芯電纜的電壓等級(jí)一般為35KV，現(xiàn)有的35KV單芯電纜的結(jié)構(gòu)包括導(dǎo) 體，設(shè)置在導(dǎo)體外側(cè)的導(dǎo)體屏蔽層，設(shè)置在導(dǎo)體屏蔽層外側(cè)絕緣層，設(shè)置在絕緣層外側(cè)的銅 絲屏蔽層，設(shè)置在銅絲屏蔽層外側(cè)的銅帶屏蔽層和設(shè)置在銅帶屏蔽層外側(cè)的外護(hù)層。上述 35KV單芯電纜傳輸容量較小，傳輸距離較近，電纜的優(yōu)質(zhì)品率不高。

實(shí)用新型內(nèi)容本實(shí)用新型所要解決的技術(shù)問題是提供一種電纜的優(yōu)質(zhì)品率高的45KV單芯電纜。為了解決上述技術(shù)問題，本實(shí)用新型采用的技術(shù)方案是45KV單芯電纜，包括導(dǎo) 體，設(shè)置在導(dǎo)體外側(cè)的導(dǎo)體屏蔽層，設(shè)置在導(dǎo)體屏蔽層外側(cè)的絕緣層，設(shè)置在絕緣層外側(cè)的 銅絲屏蔽層，設(shè)置在銅絲屏蔽層外側(cè)的銅帶屏蔽層和設(shè)置在銅帶屏蔽層外側(cè)的外護(hù)層，在 所述絕緣層的外側(cè)還設(shè)置有絕緣屏蔽層，絕緣屏蔽層是由若干相互間隔均勻設(shè)置在絕緣層 外側(cè)的絕緣屏蔽條組成，銅絲屏蔽層的銅絲均勻地疏繞在絕緣屏蔽條上。本實(shí)用新型的優(yōu)點(diǎn)是上述45KV單芯電纜比普通的35KV單芯電力電纜傳輸容量 大，傳輸距離遠(yuǎn)。使在屏蔽過程中銅絲確保疏繞，不發(fā)生位移，不至于嵌入絕緣層，從而確保 了產(chǎn)品的金屬屏蔽效果，提高了電纜的優(yōu)質(zhì)品率，延長(zhǎng)了電纜的使用壽命。

圖1為本實(shí)用新型45KV單芯電纜的結(jié)構(gòu)示意圖。圖2為本實(shí)用新型45KV單芯電纜銅絲與絕緣屏蔽條纏繞的俯視結(jié)構(gòu)示意圖。圖中1、導(dǎo)體，2、導(dǎo)體屏蔽層，3、絕緣層，4、銅絲屏蔽層，41、銅絲，5、銅帶屏蔽層， 6、外護(hù)層，7、絕緣屏蔽層，71、絕緣屏蔽條。
具體實(shí)施方式
以下結(jié)合附圖和具體實(shí)施例詳細(xì)描述一下本實(shí)用新型的具體內(nèi)容。如圖1、圖2所示，45KV單芯電纜，包括導(dǎo)體1，設(shè)置在導(dǎo)體1外側(cè)的導(dǎo)體屏蔽層 2，設(shè)置在導(dǎo)體屏蔽層2外側(cè)的絕緣層3，設(shè)置在絕緣層3外側(cè)的銅絲屏蔽層4，設(shè)置在銅絲 屏蔽層4外側(cè)的銅帶屏蔽層5和設(shè)置在銅帶屏蔽層5外側(cè)的外護(hù)層6，在所述絕緣層2的外 側(cè)還設(shè)置有絕緣屏蔽層7，絕緣屏蔽層7是由若干相互間隔均勻設(shè)置在絕緣層2外側(cè)的絕緣 屏蔽條71組成，銅絲屏蔽層4的銅絲41均勻地疏繞在絕緣屏蔽條71上。上述45KV單芯電纜比普通的35KV單芯電力電纜傳輸容量大，傳輸距離遠(yuǎn)。使在 屏蔽過程中銅絲41確保疏繞，不發(fā)生位移，不至于嵌入絕緣層3，從而確保了產(chǎn)品的金屬屏蔽效果，提高了電纜的優(yōu)質(zhì)品率，延長(zhǎng)了電纜的使用壽命。 上述實(shí)施例僅供說明本實(shí)用新型之用，而并非是對(duì)本實(shí)用新型的限制，有關(guān)技術(shù) 領(lǐng)域的普通技術(shù)人員，在不脫離本實(shí)用新型精神和保護(hù)范圍的情況下，還可以作出各種變 化和變型，因此所有等同的技術(shù)方案也應(yīng)屬于本實(shí)用新型的保護(hù)范疇。
權(quán)利要求1.45KV單芯電纜，包括導(dǎo)體(1)，設(shè)置在導(dǎo)體(1)外側(cè)的導(dǎo)體屏蔽層0)，設(shè)置在導(dǎo)體 屏蔽層(2)外側(cè)的絕緣層(3)，設(shè)置在絕緣層(3)外側(cè)的銅絲屏蔽層G)，設(shè)置在銅絲屏蔽 層(4)外側(cè)的銅帶屏蔽層(5)和設(shè)置在銅帶屏蔽層(5)外側(cè)的外護(hù)層(6)，其特征在于在 所述絕緣層(2)的外側(cè)還設(shè)置有絕緣屏蔽層(7)，絕緣屏蔽層(7)是由若干相互間隔均勻設(shè) 置在絕緣層(2)外側(cè)的絕緣屏蔽條(71)組成，銅絲屏蔽層的銅絲Gl)均勻地疏繞在 絕緣屏蔽條(71)上。
專利摘要本實(shí)用新型公開了一種電纜的優(yōu)質(zhì)品率高的45kV單芯電纜，包括導(dǎo)體，設(shè)置在導(dǎo)體外側(cè)的導(dǎo)體屏蔽層，設(shè)置在導(dǎo)體屏蔽層外側(cè)的絕緣層，設(shè)置在絕緣層外側(cè)的銅絲屏蔽層，設(shè)置在銅絲屏蔽層外側(cè)的銅帶屏蔽層和設(shè)置在銅帶屏蔽層外側(cè)的外護(hù)層，在所述絕緣層的外側(cè)還設(shè)置有絕緣屏蔽層，絕緣屏蔽層是由若干相互間隔均勻設(shè)置在絕緣層外側(cè)的絕緣屏蔽條組成，銅絲屏蔽層的銅絲均勻地疏繞在絕緣屏蔽條上。其優(yōu)點(diǎn)是上述45kV單芯電纜比普通的35kV單芯電力電纜傳輸容量大，傳輸距離遠(yuǎn)。使在屏蔽過程中銅絲確保疏繞，不發(fā)生位移，不至于嵌入絕緣層，從而確保了產(chǎn)品的金屬屏蔽效果，提高了電纜的優(yōu)質(zhì)品率，延長(zhǎng)了電纜的使用壽命。
文檔編號(hào)H01B9/02GK201877197SQ201020637189
公開日2011年6月22日 申請(qǐng)日期2010年12月1日 優(yōu)先權(quán)日2010年12月1日
發(fā)明者張劍, 張玉華, 徐貴紅, 王乃斌, 王乃江, 王曉華, 顧新亞 申請(qǐng)人:江蘇亞特電纜有限公司