專利名稱：一種8英寸晶圓切口氧化膜去除裝置的制作方法
技術領域：
本實用新型涉及一種8英寸晶圓切口氧化膜去除裝置。
背景技術：
隨著國內集成電路產業(yè)的迅速發(fā)展，硅襯底材料的需求量也越來越大，質量要求 越來越嚴格，為了防止重摻雜硅片在外延生產過程中引起雜質的外擴散和自摻雜，通常需 要對重摻雜硅片進行背封處理，即在襯底片的背面生長一層S^2薄膜，由于雜質在S^2中 的擴散系數(shù)遠小于在硅中的擴散系數(shù)，因此可以對襯底片中的雜質進行有效封堵。隨之而 來的問題是硅片背面生長3102薄膜的同時，硅片邊緣也同樣生長了 SiO2薄膜，而邊緣的這 一層SW2薄膜，對硅片正面的外延層質量會產生較大的影響，因此必須去除邊緣氧化膜。目前國內采取的去邊方式主要有貼膜去邊和滾輪去邊兩種，貼膜去邊采取硅片背 面貼PTFE藍膜的方式，對背面氧化膜進行保護，將邊緣以及切口氧化膜去除，該工藝采用 的設備和原材料成本較高，且生產工藝復雜，操作困難。滾輪去邊針對6英寸以下的背封片，去邊技術已經比較完善，但是硅片尺寸上升 到8英寸以后，采用切口代替了參考面，原有的滾輪去邊技術遇到了難以解決的問題，就是 無法將切口氧化膜去除，因此有必要提供一種新型的裝置，用于去除切口氧化膜。
發(fā)明內容本實用新型的目的是提供一種8英寸晶圓切口氧化膜去除裝置，該裝置簡單，操 作方便，工作效率高，工藝成本較低，與貼膜去邊相比，工藝成本僅僅為其萬分之幾。為實現(xiàn)上述目的，本實用新型采取以下設計方案這種8英寸晶圓切口氧化膜去除裝置，它包括一個氮氣保護罩，一個底部開孔的 升降槽，升降槽內置錐形腐蝕塊，一個HF酸液槽，一個作用于升降槽的電機絲杠組合，一個 帶有排風孔的外殼箱體。這種8英寸晶圓切口氧化膜去除方法包括以下幾個步驟將理片機理好的8英寸 硅片放置于花籃卡槽上，此時切口垂直向下，蓋好氮氣保護罩，開動電機，帶動升降槽勻速 上升，直至錐形腐蝕塊與硅片切口接觸后停止上升，攜帶的HF酸與切口氧化膜發(fā)生反應， 完成氧化膜去除后，電機帶動升降槽降至HF酸液槽內，打開氮氣保護罩，取出硅片進行檢 驗。

[0009]圖1去除切口氧化膜的工藝流程圖圖2本裝置的主視圖；圖3圖2的左視圖；圖4圖2的俯視圖；圖5裝置核心示意圖；[0014]圖6 錐形腐蝕塊示意圖。
具體實施方式
圖2、圖3、圖4中，1為外殼箱體，2為氮氣保護罩，3為內置腐蝕塊的升降槽，4為 HF酸液槽，5為電機絲杠組合。它包括一個氮氣保護罩2，一個底部開孔的升降槽3，升降槽內置錐形腐蝕塊，一 個HF酸液槽4，一個作用于升降槽的電機絲杠組合5，一個帶有排風孔的外殼箱體1。升 降槽底部為開圓孔結構，圓孔直徑10_25mm，所述腐蝕塊材料為四氟，且錐形尖位置粘貼了 易于浸潤和存儲HF酸的布，其中錐形腐蝕塊的錐形尖曲率半徑r為0. 8-1. Omm,錐形面長 度a為0. 5-2cm，兩錐形面夾角90°，腐蝕塊高度b為5-15cm，錐形尖位置粘貼的布，厚度 0. 1-0. 3mm。
權利要求1.一種8英寸晶圓切口氧化膜去除裝置，其特征在于它包括一個氮氣保護罩，一個底 部開孔的升降槽，升降槽內置錐形腐蝕塊，一個HF酸液槽，一個作用于升降槽的電機絲杠 組合，一個帶有排風孔的外殼箱體。
2.根據(jù)權利要求1所述8英寸晶圓切口氧化膜去除裝置，其特征在于所述升降槽底 部為開圓孔結構，圓孔直徑10-25mm。
3.根據(jù)權利要求1所述8英寸晶圓切口氧化膜去除裝置，其特征在于所述腐蝕塊材 料為四氟，且錐形尖位置粘貼了易于浸潤和存儲HF酸的布。
4.根據(jù)權利要求1或3所述8英寸晶圓切口氧化膜去除裝置，其特征在于錐形腐蝕 塊的錐形尖曲率半徑r為0. 8-1. Omm,錐形面長度a為0. 5-2cm,兩錐形面夾角90°，腐蝕塊 高度b為5_15cm。
5.根據(jù)權利要求3所述8英寸晶圓切口氧化膜去除裝置，其特征在于，錐形尖位置粘貼 的布，厚度0. 1-0. 3mm。
專利摘要本實用新型提供一種8英寸晶圓切口氧化膜去除裝置，它包括一個氮氣保護罩，一個底部開孔的升降槽，升降槽內置錐形腐蝕塊，一個HF酸液槽，一個作用于升降槽的電機絲杠組合，一個帶有排風孔的外殼箱體。利用錐形腐蝕塊與8英寸切口的接觸，達到去除切口氧化膜的目的。本實用新型的優(yōu)點是裝置結構簡單，操作方便，工藝成本低。
文檔編號H01L21/00GK201910408SQ20102067081
公開日2011年7月27日 申請日期2010年12月10日 優(yōu)先權日2010年12月10日
發(fā)明者劉斌, 孫洪波, 寧永鐸, 張靜, 徐繼平, 籍小兵, 邊永智 申請人:北京有色金屬研究總院, 有研半導體材料股份有限公司