專利名稱：一種led封裝結構及其led模組的制作方法
技術領域：
本實用新型涉及一種發(fā)光二極管(Light Emitting Diode,LED)技術，尤其涉及一種LED封裝結構及其LED模組。
背景技術：
現(xiàn)有的燈具包括白熾燈、普通日光燈及LED燈具等，普通日光燈為氣體放電燈，普通日光燈的光電轉換效率比白熾燈高，然而，普通日光燈對工作環(huán)境溫度要求高，當溫度較低時不容易啟動，使用時普通日光燈內的氬氣電離生熱，從而使水銀產生蒸汽并發(fā)出強烈的紫外線，普通日光燈容易閃爍，影響使用者視力。此外，當普通日光燈的燈管在破裂時，其內流出的發(fā)光物質會污染環(huán)境及對人類造成傷害。LED燈具有能量轉換效率高、開關反應速度快、壽命長、無輻射及功耗低等優(yōu)點而被廣泛應用。LED是由III-IV族化合物，如GaAs (砷化鎵)、GaP (磷化鎵)、GaAsP (磷砷化鎵)等半導體制成的，其核心是PN結。因此它具有一般P-N結的I-N特性，即正向導通，反向截止、擊穿特性。此外，在一定條件下，它還具有發(fā)光特性。在正向電壓下，電子由N區(qū)注入P 區(qū)，空穴由P區(qū)注入N區(qū)。進入對方區(qū)域的少數(shù)載流子(少子)一部分與多數(shù)載流子(多子) 復合而發(fā)光，如圖1所示。假設發(fā)光是在P區(qū)中發(fā)生的，那么注入的電子與價帶空穴直接復合而發(fā)光， 或者先被發(fā)光中心捕獲后，再與空穴復合發(fā)光。除了這種發(fā)光復合外，還有些電子被非發(fā)光中心(這個中心介于導帶、介帶中間附近)捕獲，而后再與空穴復合，每次釋放的能量不大， 不能形成可見光。發(fā)光的復合量相對于非發(fā)光復合量的比例越大，光量子效率越高。由于復合是在少子擴散區(qū)內發(fā)光的，所以光僅在靠近PN結面數(shù)μπι以內產生。理論和實踐證明，光的峰值波長λ與發(fā)光區(qū)域的半導體材料禁帶寬度Eg有關。若能產生可見光(波長在380nm紫光 780nm紅光)，半導體材料的Eg應在 3. 1.63eV之間。比紅光波長長的光為紅外光。現(xiàn)在已有紅外、紅、黃、綠及藍光發(fā)光二極管，但其中藍光二極管成本、價格很高，使用不普遍。然而由于LED燈通常散熱效果不好，嚴重影響LED使用壽命，也會導致發(fā)光效率較低，甚至發(fā)光亮度不足。

實用新型內容本實用新型解決的技術問題是，提供一種LED封裝結構及其LED模組，散熱性能好，提高發(fā)光效率，提高照明亮度。本實用新型提供一種LED封裝結構，其包括晶片；與晶片相互電連接的金屬導線；
3[0013]與金屬導線相互電連接的電極；用于放置晶片的導熱銀塊；用于放置導熱銀塊的基板；設置在基板的表面的玻璃陶瓷；以及設置在玻璃陶瓷的上方的硅膠半球。進一步地，所述晶片與導熱銀塊相接觸的表面，相接觸的晶片的表面積小于導熱銀塊的表面積。進一步地，所述基板臨近晶片的表面鍍有反射膜。進一步地，所述玻璃陶瓷為中空結構，其中空結構的位置設有導熱銀塊。進一步地，在導熱銀塊內部設置有鋁條。進一步地，在晶片和導熱銀塊之間設置一層錫膏。本實用新型還提供一種LED模組，其包括多個晶片；與各個晶片相互電連接的對應的金屬導線；與金屬導線相互電連接的對應各個晶片的電極；用于放置晶片的導熱銀塊；用于放置導熱銀塊的基板；設置在基板的表面的玻璃陶瓷，電極設置在玻璃陶瓷內，對應不同晶片的電極設置在玻璃陶瓷的不同層；以及設置在玻璃陶瓷的上方的硅膠半球。進一步地，所述晶片與導熱銀塊相接觸的表面，相接觸的晶片的表面積小于導熱銀塊的表面積。進一步地，所述基板臨近晶片的表面鍍有反射膜。進一步地，所述玻璃陶瓷為中空結構，其中空結構的位置設有導熱銀塊。本實用新型提供的一種LED封裝結構及其LED模組，將晶片設置在導熱銀塊上，能夠良好地散熱，提高發(fā)光效率。

圖1是本實用新型一種LED封裝結構的一實施例結構示意圖。圖2是本實用新型一種LED模組的一實施例結構示意圖。
具體實施方式
以下結合附圖和實施例對本實用新型進行詳細說明。請參閱圖1，其是本實用新型一種LED封裝結構的一實施例結構示意圖。本實用新型一種LED封裝結構，其包括晶片11、與晶片11相互電連接的金屬導線 12、與金屬導線12相互電連接的電極13、導熱銀塊14、基板15、玻璃陶瓷16以及硅膠半球 17。其中，晶片11設置在導熱銀塊14的表面，且晶片11與導熱銀塊14相接觸的表面， 相接觸的晶片11的表面積小于導熱銀塊14的表面積。[0041]導熱銀塊14設置在基板15的表面?；?5臨近晶片11的表面鍍有反射膜。玻璃陶瓷16設置在基板15的表面，且為中空結構，其中空結構的位置為設置在基板15表面的導熱銀塊14。電極13設置在玻璃陶瓷16內，用于連接外部電源，通過金屬導線12向晶片11施加電壓。硅膠半球17設置在玻璃陶瓷16的上方，且與晶片11相對設置。當然為了節(jié)省成本，可以在導熱銀塊14內部設置鋁條，節(jié)省銀的用量。進一步地，可以在晶片11和導熱銀塊14之間設置一層錫膏。請參閱圖2，其是本實用新型一種LED模組的一實施例結構示意圖。本實用新型一種LED模組包括多個晶片111、與各個晶片111相互電連接的金屬導線112、與金屬導線112相互電連接的電極113、導熱銀塊114、基板115、玻璃陶瓷116以及硅膠半球117。其中，晶片111設置在導熱銀塊114的表面，且晶片111與導熱銀塊114相接觸的表面，相接觸的晶片111的表面積小于導熱銀塊114的表面積。導熱銀塊114設置在基板115的表面?；?15臨近晶片111的表面鍍有反射膜。玻璃陶瓷116設置在基板115的表面，且為中空結構，其中空結構的位置為設置在基板115表面的導熱銀塊114。電極113設置在玻璃陶瓷116內，用于連接外部電源，通過金屬導線112向晶片 111施加電壓。每一個晶片111都對應各自不同的電極113。對應不同晶片111的電極113 可以設置在玻璃陶瓷116的同一層，也可以不同層。硅膠半球117設置在玻璃陶瓷116的上方，且與晶片111相對設置。同樣，為了節(jié)省成本，可以在導熱銀塊114內部設置鋁條，節(jié)省銀的用量。進一步地，可以在晶片111和導熱銀塊114之間設置一層錫膏。綜上所述，本實用新型通過在導熱銀塊上設置晶片，能夠良好地散熱，提高發(fā)光效率，提高照明亮度。在上述實施例中，僅對本實用新型進行了示范性描述，但是本領域技術人員在閱讀本專利申請后可以在不脫離本實用新型的精神和范圍的情況下對本實用新型進行各種修改。
權利要求1.一種LED封裝結構，其特征在于，包括曰t±" 曰曰/T ；與晶片相互電連接的金屬導線； 與金屬導線相互電連接的電極； 用于放置晶片的導熱銀塊； 用于放置導熱銀塊的基板； 設置在基板的表面的玻璃陶瓷；以及設置在玻璃陶瓷的上方的硅膠半球。
2.根據(jù)權利要求1所述的一種LED封裝結構，其特征在于，所述晶片與導熱銀塊相接觸的表面，相接觸的晶片的表面積小于導熱銀塊的表面積。
3.根據(jù)權利要求1所述的一種LED封裝結構，其特征在于，所述基板臨近晶片的表面鍍有反射膜。
4.根據(jù)權利要求1所述的一種LED封裝結構，其特征在于，所述玻璃陶瓷為中空結構， 其中空結構的位置設有導熱銀塊。
5.根據(jù)權利要求1所述的一種LED封裝結構，其特征在于，在導熱銀塊內部設置有鋁 條。
6.根據(jù)權利要求1所述的一種LED封裝結構，其特征在于，在晶片和導熱銀塊之間設置一層錫膏。
7.一種LED模組，其特征在于，包括 多個晶片；與各個晶片相互電連接的對應的金屬導線； 與金屬導線相互電連接的對應各個晶片的電極； 用于放置晶片的導熱銀塊； 用于放置導熱銀塊的基板；設置在基板的表面的玻璃陶瓷，電極設置在玻璃陶瓷內，對應不同晶片的電極設置在玻璃陶瓷的不同層；以及設置在玻璃陶瓷的上方的硅膠半球。
8.根據(jù)權利要求7所述的一種LED模組，其特征在于，所述晶片與導熱銀塊相接觸的表面，相接觸的晶片的表面積小于導熱銀塊的表面積。
9.根據(jù)權利要求7所述的一種LED模組，其特征在于，所述基板臨近晶片的表面鍍有反射膜。
10.根據(jù)權利要求7所述的一種LED模組，其特征在于，所述玻璃陶瓷為中空結構，其中空結構的位置設有導熱銀塊。
專利摘要本實用新型提供一種LED封裝結構，其包括晶片；與晶片相互電連接的金屬導線；與金屬導線相互電連接的電極；用于放置晶片的導熱銀塊；用于放置導熱銀塊的基板；設置在基板的表面的玻璃陶瓷；以及設置在玻璃陶瓷的上方的硅膠半球。本實用新型還提供一種LED模組。本實用新型散熱性能好，提高發(fā)光效率，提高照明亮度。
文檔編號H01L33/48GK201936915SQ20102067449
公開日2011年8月17日 申請日期2010年12月22日 優(yōu)先權日2010年12月22日
發(fā)明者蔣守鋒 申請人:鹽城六方體光電科技有限公司