專利名稱：元件搭載用基板及利用該基板的元件容納用封裝件的制作方法
技術領域：
該發(fā)明涉及一種用于裝載功率用半導體元件的元件搭載用基板及利用該基板的 元件容納用封裝件。
背景技術：
作為半導體元件的材料，廣泛使用了硅元素(Si)的單晶體，但是近幾年開發(fā)了利 用碳化硅(SiC)、氮化鎵(GaN)、金剛石等耐熱性突出的半導體材料的半導體元件(例如，參 照專利文獻1)。這些半導體元件與以往的Si制半導體元件相比，通電損耗小，且開關頻率 也高。另外，適于使由這些耐熱性材料形成的半導體材料良好地進行動作的溫度(以下稱 作“動作溫度”)比Si制半導體元件的動作溫度(15 120°C左右)高(SiC制半導體元件 的動作溫度300 500°C左右)，因此期望作為流過大電流的功率用半導體元件來利用。但是，這樣的高耐熱性的半導體元件由于其動作溫度區(qū)域比以往的Si制半導體 元件的動作溫度區(qū)域高，因此容納在以往的封裝件中來使用時，將封裝件內的溫度設定為 半導體元件的動作溫度是非常困難的。因此，要求一種能夠將高耐熱性的半導體元件容易 地設定在可使其良好地發(fā)揮作用的溫度范圍內的新的封裝件。

發(fā)明內容
本發(fā)明的一實施方式的元件搭載用基板具備支承體，其具有用于在一個主面上 裝載功率用半導體元件的元件搭載部，并且具有設置為在厚度方向上離開所述搭載面且互 相隔著間隔而配置的多個柱部；和蓄熱區(qū)域，其設置在所述柱部間，且熱傳導率比所述支承 體低。本發(fā)明的一實施方式的元件搭載用基板具備與所述支承體的下表面接合的基體， 所述支承體在內部形成有多個氣孔。本發(fā)明的一實施方式的元件容納用封裝件具備上述元件搭載用基板；框體，其 在內部容納所述元件搭載用基板，且設置為包圍所述功率用半導體元件；和罩體，其接合在 所述框體的上表面上。根據上述的元件搭載用基板及元件容納用封裝件，能夠輕易地將功率用半導體元 件設定為適于動作的溫度，并且起到能夠使功率用半導體元件良好地發(fā)揮作用的效果。


圖1是表示本發(fā)明的一實施方式的元件容納用封裝件的一例的剖視圖。圖2是表示上述元件容納用封裝件的一例的立體圖。圖3是表示了上述元件容納用封裝件中的支承體的分解立體圖。圖4是表示在柱部間的基體中形成了切口部時的上述元件容納用封裝件的一例 的剖視圖。圖5是表示了變形例1的支承體的分解立體圖。
圖6是表示了變形例2的支承體的分解立體圖。圖7是表示了變形例3的支承體的分解立體圖。圖8是表示變形例4的元件容納用封裝件的一例的剖視圖。圖9是表示變形例5的元件容納用封裝件的一例的剖視圖。圖10是表示變形例6的元件容納用封裝件的一例的剖視圖。圖11是表示變形例7的元件容納用封裝件的一例的剖視圖。
具體實施例方式以下，參照

本發(fā)明的實施方式。如圖1以及圖2所示，本實施方式的元件容納用封裝件1具備基體2、支承體3、功 率用半導體元件4、框體5、功率供給用端子6以及罩體7。另外，在圖2中，省略了罩體7的 圖示。在此，支承體3以及功率用半導體元件4構成本發(fā)明的元件搭載用基板的一實施方 式?；w2例如由陶瓷材料、金屬材料、玻璃材料或高耐熱的樹脂材料等形成。陶瓷 材料例如是氧化鋁質燒結體、多鋁紅柱石質燒結體、碳化硅(SiC)質燒結體、氮化鋁質燒結 體、氮化硅質燒結體或玻璃陶瓷等。另外，金屬材料例如是Fe系合金、無氧銅(oxygen free copper)或SUS等。另外，玻璃材料例如是硼硅酸玻璃或石英玻璃等。并且，高耐熱性的樹 脂材料例如是聚酰亞胺等。支承體3接合在基體2的上表面上。另外，支承體3的上表面(具體而言是后述 的元件搭載部31的主面)接合有功率用半導體元件4。在此，在本實施方式中，功率用半導 體元件4是SiC制半導體元件，但是并非限于此，也可以是利用硅元素、氮化鎵或金剛石等 的半導體元件。即，針對本發(fā)明的功率用半導體元件4的種類并沒有特別的限定。另外，一 般的功率用半導體元件4通常將動作溫度的范圍例如設定在200°C以上500°C以下。在此，本實施方式的支承體3支承功率用半導體元件4，并且對從功率用半導體元 件4產生的熱進行絕熱，且具有向外部進行散熱的功能。在此，支承體3例如由陶瓷材料或 金屬材料等形成。陶瓷材料例如是氧化鋁質燒結體、多鋁紅柱石質燒結體、碳化硅質燒結 體、氮化鋁質燒結體、氮化硅質燒結體或玻璃陶瓷等。另外，金屬材料例如是銅-鎢復合材 料、銅-鉬復合材料等。如圖3所示，支承體3包括具有柱部32的元件搭載部31。元件搭載部31是在主 面(一個主面)31a上裝載功率用半導體元件4的部件。即，在元件搭載部31的主面31a 上裝載功率用半導體元件4。由此，可由平板狀的元件搭載部31擴散從功率用半導體元件 4產生的熱。另外，柱部32從元件搭載部31的內面(另一個主面)31b突出，并設有多個。 而且，多個柱部32的下表面32a上接合有基體2。另外，針對柱部32間的間隔、柱部32的 長度、柱部32的數量等，根據功率用半導體元件4的種類或使用狀況而適當任意設定。而 且，柱部32彼此之間設有空間Pl。由于柱部32的熱傳導率比空間Pl大，因此相鄰的柱部32之間存在熱傳導率比柱 部32低的蓄熱區(qū)域。另外，柱部32的熱傳導率例如設定為lff/(m · K)以上400ff/(m · K)。另外，為了降低從柱部32向基體2傳遞的熱量從而使功率用半導體元件4處于 動作溫度的范圍內，柱部32的下表面32a與基體2之間的接合材料使用例如銀-銅釬料、金_鍺焊錫、陶瓷粘接劑或高耐熱性的樹脂粘接劑等材料。功率用半導體元件4所產生的熱中，大部分熱可良好地從支承體3的上方通過下 方的柱部32向基體2排出，但是一部分熱經由支承體3的上方向空間Pl內傳遞，具有該熱 滯留在空間Pl內的傾向。因此，在功率用半導體元件4的附近區(qū)域中，通過降低支承體3 的溫度，能夠防止功率用半導體元件4成為過度的高溫。另外，在離開功率用半導體元件4 的區(qū)域，即在柱部32間的空間Pl的附近區(qū)域中，能夠利用功率用半導體元件4所產生的熱 來進行良好的蓄熱，在良好地抑制封裝件內的溫度過分降低的基礎上，能夠良好地抑制從 封裝件排出的熱影響配置在封裝件周圍的其他電子部件的動作。另外，這樣的元件容納用封裝件例如作為家電制品的變換器或在發(fā)電站/變電站 中使用的功率變換裝置等各種電子設備的部件而使用?？蝮w5設置在基體2的上表面，且包圍支承體3以及功率用半導體元件4。在此， 框體5例如由陶瓷材料、金屬材料、玻璃材料或高耐熱的樹脂材料等形成。另外，框體5可 以與基體2 —體形成，也可以與基體2分別獨立形成。在框體5與基體2分別獨立形成的 情況下，例如通過焊錫或釬料等粘接劑來接合框體5與基體2。功率供給用端子6是用于向功率用半導體元件4提供功率的端子。因此，功率供 給用端子6通過引線(接合引線)W而電連接在功率用半導體元件4上。罩體7接合于框體5的上表面。即，罩體7在框體5的上表面通過焊料或釬料材 料等粘接劑接合，以便使得由框體5形成的容納功率用半導體元件4的容納空間，例如在空 氣、惰性氣體或真空狀態(tài)下密閉。如上所述，根據本實施方式的元件搭載用基板、利用該基板的元件容納用封裝件 1，能夠以簡單的構成對從功率用半導體元件4產生的熱進行絕熱，并且能夠進行散熱。其 結果，本實施方式的元件搭載用基板、利用該基板的元件容納用封裝件1起到能夠在功率 用半導體元件的動作溫度范圍內有效利用從功率用半導體元件所產生的熱的效果。另外，即使是上述的構成，根據功率用半導體元件4的種類或使用狀況等，也會存 在功率用半導體元件4的溫度會超過動作溫度的隱患。在這樣的情況下，如圖4所示，在柱 部32間的基體2上形成切口部8。此時，滯留在柱部32間的空間Pl內的熱易從形成了切 口部8的基體2向外散發(fā)。由此，能夠降低從功率用半導體元件4產生的熱的溫度。也就 是說，這是因為形成了切口部8的基體2的厚度變得比未形成切口部8的基體2的厚度薄。 即，即使是如圖4所示的構成，也能夠以簡單的構成對從功率用半導體元件4產生的熱進行 絕熱，并且能夠進行散熱。另外，針對切口部8的深度、切口部8的數量等，根據功率用半導 體元件4的種類或使用狀況等而適當任意設定。另外，在上述內容中，說明了容納在元件容納用封裝件1內的功率用半導體元件4 為一個的情況，但是并未限于此。即，容納在元件容納用封裝件1內的功率用半導體元件4 的數量是任意的。也就是說，也可以在元件容納用封裝件1內容納多個支承體3、分別裝載 在多個支承體3之上的多個功率用半導體元件4。另外，也可以在元件容納用封裝件1內容 納1個支承體3、裝載在該支承體3之上的多個功率用半導體元件4。另外，上述的實施方式表示本發(fā)明的實施方式的一個具體例，能夠進行各種變更。 以下，表示幾個主要的變形例。(變形例1)
在上述的實施方式中，如圖3所示，說明了具備以下各元件的元件搭載用基板在 主面31a上裝載功率用半導體元件4的元件搭載部31、從元件搭載部31的內面31b突出的 多個柱部32、與多個柱部32的下表面32a接合的基體2。但是，即使是這樣地構成，根據功 率用半導體元件4的種類或使用狀況，也會存在過度地對從功率用半導體元件4產生的熱 進行散熱的情況。因此，在變形例1的元件搭載用基板Ia中，如圖5所示，以在支承體3a 中包括與多個柱部32的下表面32a連接的底板33為例進行說明。另外，在圖5中，對于具 有與圖3相同功能的構成附加相同的參考標記，并省略其說明。如圖5所示，變形例1的支承體3a具有元件搭載部31、柱部32、以及底板33。元 件搭載部31是在主面31a上搭載功率用半導體元件4的部件。另外，柱部32從元件搭載 部31的內面31b突出，并設有多個。另外，底板33與多個柱部32的下表面32a連接。而 且，底板33上接合有基體2。如上所述，根據變形例1的元件搭載用基板、以及利用該基板的元件容納用封裝 件la，連接多個柱部32d下表面32a與底部33，并且接合底板33與基體2，因此不會直接向 基體2傳遞從功率用半導體元件4產生的熱。因此，與上述的實施方式相比，易在柱部32間 (即，元件搭載部31與底板33之間)的空間Pl中滯留從功率用半導體元件4產生的熱。 另外，根據變形例1的元件搭載用基板、利用該基板的元件容納用封裝件la，由于具備多個 柱部32，因此能夠從多個柱部32的側面32b對從功率用半導體元件4產生的熱進行散熱。 另外，也能夠從與底板33接合的基體2對從功率用半導體元件4產生的熱進行散熱。如上 所述，根據變形例1的元件搭載用基板、利用該基板的元件容納用封裝件la，與上述的實施 方式相比，能夠更好地對從功率用半導體元件4產生的熱進行絕熱，而且在某一程度上進 行散熱。(變形例2)在上述的變形例1中，如圖5所示，說明具備以下各元件的元件搭載用基板主面 31a上裝載半導體元件4的平板狀的元件搭載部31、從元件搭載部31的內面31b突出的多 個柱部32、與多個柱部32的下表面32a連接的底板33、與底板33接合的基體2。但是，即 使是這樣的構成，根據功率用半導體元件4的種類或使用狀況，也會存在過度地對從功率 用半導體元件4產生的熱進行散熱的情況。因此，在變形例2的元件搭載用基板Ib中，如 圖6所示，在支承體3上設置連接在元件搭載部31的內面31b上且包圍多個柱部32的圍 繞部。在此，作為圍繞部，以側面板34為例進行說明。另外，在圖6中，對于具有與圖3相 同功能的構成附加相同的參照標記，并省略其說明。如圖6所示，變形例2的支承體3b具備元件搭載部31、柱部32、以及側面板34。 元件搭載部31是在主面31a上裝載功率用半導體元件4的部件。另外，柱部32從元件搭載 部31的內面31b突出，并設有多個。另外，側面板34連接在元件搭載部31的內面31b上， 且設置為圍繞多個柱部32。而且，多個柱部32的下表面32a以及側面板34的下表面34a 上接合有基體2。
即S卩，根據變形例2的元件搭載用基板及利用該基板的元件容納用封裝件lb，具備 連接在元件搭載部31的內面31b上且設置為圍繞多個柱部32的側面板34。因此，與變形 例1相比，從功率用半導體元件4產生的熱容易滯留在柱部32間(即，元件搭載部31與基 體2之間)的空間Pl中。另外，根據變形例2的元件搭載用基板及利用該基板的元件容納用封裝件lb，能夠從側面板34以及基體2對從功率用半導體元件4產生的熱進行散熱。如 上所述，根據變形例2的元件搭載用基板及利用該基板的元件容納用封裝件lb，與變形例 1相比，能夠進一步對從功率用半導體元件4產生的熱進行絕熱，而且能夠進行某一程度的 散熱。(變形例3)在上述的變形例2中，如圖6所示，說明了具備以下元件的元件搭載用基板主面 31a上裝載功率用半導體元件4的平板狀的元件搭載部31、從元件搭載部31的內面31b突 出的多個柱部32、與元件搭載部4的內面31b連接且設置為包圍多個柱部32的側面板34、 與多個柱部32的下表面32a以及側面板34的下表面34a接合的基體2。但是，即使是這樣 的構成，根據功率用半導體元件4的種類或使用狀況，也會存在過度地對從功率用半導體 元件4產生的熱進行散熱的情況。因此，在變形例3的元件搭載用基板Ic中，如圖7所示， 以在支承體3c中包括連接了多個柱部32的下表面32a以及側面板35的下表面35a的底 板36為例進行說明。另外，在圖7中，對于具有與圖3相同功能的構成附加相同的參照標 記，并省略其說明。如圖7所示，變形例3的支承體3c具備元件搭載部31、柱部32、側面板35、以及底 板36。元件搭載部31是在主面31a上裝載功率用半導體元件4的部件。另外，柱部32從 元件搭載部31的內面31b突出，并設有多個。另外，側面板35連接在元件搭載部31的內 面31b上，且設置為圍繞多個柱部32。另外，底板36與多個柱部32的下表面32a以及側面 板35的下表面35a連接。而且，底板36上接合有基體2。也就是說，根據變形例3的元件搭載用基板及利用該基板的元件容納用封裝件 lb,由于多個柱部32的下表面32a以及側面板35的下表面35與底板36連接，并且底板36 與基體2接合，因此不會直接向基體2傳遞從功率用半導體元件4產生的熱。并且，由于具 備連接在元件搭載部31的內面31b上且設置為圍繞多個柱部32的側面板35，因此與變形 例2相比，從功率用半導體元件4產生的熱容易滯留在柱部32間(即，元件搭載部31與底 板36之間)的空間Pl中。另外，根據變形例3的元件搭載用基板及利用該基板的元件容 納用封裝件lc，能夠從側面板35以及基體2對從功率用半導體元件4產生的熱進行散熱。 如上所述，根據變形例3的元件搭載用基板及利用該基板的元件容納用封裝件lc，與變形 例2相比，能夠進一步對從功率用半導體元件4產生的熱進行絕熱，而且能夠進行某一程度 的散熱。(變形例4)如圖8所示，變形例4的元件容納用封裝件Id代替圖1所示的支承體3而具備支 承體3d。另外，在圖8中，對于具有與圖3相同功能的構成附加相同的參照標記，并省略其 說明。如圖8所示，變形例4的元件搭載用基板Id具備在上表面裝載半導體元件4的支 承體3d。另外，變形例4的基體2與支承體3d的下表面接合。而且，支承體3d在內部形成 有多個氣孔B。另外，在支承體3d例如由陶瓷材料形成的情況下，支承體3d內部的多個氣 孔B例如按照以下方式形成。即，預先在陶瓷材料中混合多個樹脂珠。之后，通過將陶瓷材 料與樹脂珠一起在規(guī)定的溫度下進行煅燒，從而使樹脂珠分解。由此，不存在樹脂珠的地方 成為氣孔B，并且在支承體3d的內部形成多個氣孔B。另外，這僅僅是一個例子，對于在支
7承體3d的內部形成氣孔B的方法并沒有特別的限定。也就是說，根據變形例4的元件搭載用基板及利用該基板的元件容納用封裝件 Id,由于在支承體3d的內部形成有多個氣孔B，因此從功率用半導體元件4產生的熱容易 滯留在形成于支撐體3d的內部的多個氣孔B中。另外，根據變形例4的元件搭載用基板及 利用該基板的元件容納用封裝件ld，能夠從與支承體3d的下表面接合的基體2對從功率 用半導體元件4產生的熱進行散熱。如上所述，根據變形例4的元件搭載用基板及利用該 基板的元件容納用封裝件ld，能夠以簡單的構成對從功率用半導體元件4產生的熱進行絕 熱，并且能夠進行散熱。在此，如圖8所示，優(yōu)選形成在支承體3d的內部中的多個氣孔B的氣孔率隨著從 支承體3d的功率用半導體元件4側向基體2側而變高。即，氣孔率越高，則熱的傳遞特性 就越低(很難傳遞熱)。因此，根據隨著從支承體3d的功率用半導體元件4側向基體2側 氣孔率變高，能夠使從功率用半導體元件4產生的熱滯留在基體2側的支承體3d的氣孔B 中，而不是滯留在功率用半導體元件4側的支承體3d的氣孔B中。另外，即使從其他電子 部件產生的熱通過基體2傳遞到支承體3d，該熱也有可能滯留在基體2側的支承體3d的氣 孔B中。由此，能夠降低功率用半導體元件4超過動作溫度的可能性。(變形例5)在上述的實施方式以及變形例1 4中，說明了在元件容納用封裝件l、la Id 內只容納支承體3、3a 3d、以及功率用半導體元件4的例子。但是，如圖9所示，也可以在 元件容納用封裝件Ie內，與支承體3以及功率用半導體元件4 一起還容納接合于基體2的 上表面的臺座11、裝載于臺座11的上表面的電子部件12。S卩，框體5設置為在基體2的上 表面且包圍功率用半導體元件4和電子部件12。在此，電子部件12例如是電阻器、壓電元 件、晶體振蕩器或陶瓷振蕩器等。由此，能夠在元件容納用封裝件Ie內容納功率用半導體 元件4以及電子部件12這兩者。另外，也可以代替電子部件12而使用半導體元件(例如， SiC制半導體元件、Si制半導體元件、利用氮化鎵或金剛石等的半導體元件)。另外，在圖9中，圖示了容納在元件容納用封裝件Ie內的支承體為上述的實施方 式中所說明的支承體3(參照圖3)的情況，但是并非限于此。即，容納在元件容納用封裝件 Ie內的支承體可以是變形例1的支承體3a(參照圖5)、變形例2的支承體3b(參照圖6)、 變形例3的支承體3c (參照圖7)、變形例4的支承體3d (參照圖8)。在此，為了使從功率 用半導體元件4產生的熱不會影響電子部件12，優(yōu)選使用絕熱性高的支承體。例如，是變形 例2的支承體3b或者變形例3的支承體3c。另外，在上述中，說明了容納在元件容納用封裝件Ie內的電子部件12為一個的情 況，但是并非僅限于此。即，容納在元件容納用封裝件Ie內的電子部件12的數量是任意的。(變形例6)在上述的變形例5的圖9中，圖示了臺座11為長方體的例子。但是，在上述的變 形例5中，從功率用半導體元件4產生的熱通過支承體3、基體2、以及臺座11傳遞到電子 部件12。因此，電子部件12受到很大程度的從功率用半導體元件4產生的熱的影響。因 此，由于從功率用半導體元件4產生的熱，存在電子部件12產生故障的可能性。因此，在變 形例6中，如圖10所示，說明在柱部132間的基體2中形成切口部14的例子。另外，代替 電子部件12，也可以使用半導體元件(例如，SiC制半導體元件、Si制半導體元件、利用氮化鎵或金剛石等的半導體元件)。如圖10所示，變形例6的元件容納用封裝件If的臺座13具有在主面(一個主 面)上裝載有電子部件12的平板狀的電子部件搭載部131、從電子部件搭載部131的內面 (另一個主面)突出的多個柱部132。另外，在多個柱部132的下表面接合有基體2。在此，柱部132間的基體2中形成有切口部14。該切口部14隨著遠離功率用半導 體元件4，在基體2的厚度方向上被深深地切入。由此，如圖10的箭頭(熱的路徑)所示， 從功率用半導體元件4產生的熱易從切口部14的下方的基體2散發(fā)至元件容納用封裝件 If的外部。因此，根據變形例6的元件容納用封裝件If，電子部件12能夠抑制從功率用半 導體元件4產生的熱的影響。(變形例7)在上述的實施方式中，如圖3所示，說明了具備以下元件的元件搭載用基板在主 面31a上裝載功率用半導體元件4的元件搭載部31、從元件搭載部31的內面31b突出的多 個柱部32、與多個柱部32的下表面32a接合的基體2。但是，即使是這樣的構成，根據功率 用半導體元件4的種類或使用狀況，也會存在過度地對從功率用半導體元件4產生的熱進 行散熱的情況。在此，如圖11所示，變形例7的元件容納用封裝件Id代替設置在圖1所示 的柱部彼此間的空間P1，在柱部彼此間設置了保溫材料P2。另外，在圖11中，對于具有與 圖3相同功能的構成附加相同的參照標記，并省略其說明。如圖11所示，變形例7的支承體3a具備元件搭載部31、柱部32。元件搭載部31 是在主面31a上裝載功率用半導體元件4的部件。另外，柱部32從元件搭載部31的內面 31b突出，并設有多個。另外，底板33與多個柱部32的下表面32a連接。而且，底板33上 接合有基體2。另外，在柱部32彼此間設有保溫材料P2。保溫材料P2由熱傳導率比柱部32低的材料構成。保溫材料P2例如由玻璃、高耐 熱的樹脂等材料構成，并且加工成纖維狀或者由內部形成有氣泡的材料構成。保溫材料P2 的熱傳導率例如設定為0. 02ff/(m · K)以上2ff/(m · K)以下。如上所述，根據變形例7的元件搭載用基板及利用該基板的元件容納用封裝件 la,由于在多個柱部32彼此間設有保溫材料P2，因此不會直接向基體2傳遞從功率用半導 體元件4產生的熱。因此與上述的實施方式相比，從功率用半導體元件4產生的熱易滯留 在柱部32間(即，元件搭載部31與底板33之間)的保溫材料P2中。如上所述，根據變形 例7的元件搭載用基板及利用該基板的元件容納用封裝件la，與上述的實施方式相比，能 夠進一步在元件容納用封裝件Ia內對從功率用半導體元件4產生的熱保溫。
權利要求
一種元件搭載用基板，具備支承體，其具有用于在一個主面上裝載功率用半導體元件的元件搭載部，并且具有設置為在厚度方向上離開所述搭載面且互相隔著間隔而配置的多個柱部；和蓄熱區(qū)域，其設置在所述柱部間，且熱傳導率比所述支承體低。
2.根據權利要求1所述的元件搭載用基板，其中， 還具備基體，其在所述柱部中與所述支承體接合， 并且在所述柱部間的所述基體中形成有切口部。
3.根據權利要求1或2所述的元件搭載用基板，其中， 所述支承體還具有圍繞部，其設置為包圍所述多個柱部。
4.一種元件搭載用基板，具備支承體，其在上表面裝載功率用半導體元件；和 基體，其與所述支承體的下表面接合， 所述支承體在內部中形成有多個氣孔。
5.根據權利要求4所述的元件搭載用基板，其中，形成于所述支承體的內部的多個氣孔的氣孔率隨著從所述支承體的所述功率用半導 體元件側向所述基體側而變高。
6.根據權利要求1至5的任一項所述的元件搭載用基板，其中， 所述功率用半導體元件是由SiC構成的半導體元件。
7.—種元件容納用封裝件，具備權利要求1至6的任一項所述的元件搭載用基板；框體，其在內部容納所述元件搭載用基板，且設置為包圍所述功率用半導體元件；和 罩體，其接合在所述框體的上表面上。
8.根據權利要求7所述的元件容納用封裝件，其中， 還具備臺座，其在所述框體內裝載電子部件。
全文摘要
本發(fā)明提供一種元件搭載用基板及利用該基板的元件容納用封裝件，該元件搭載用基板能夠輕易地將功率用半導體元件設定為適于動作的溫度中，并且起到能夠使功率用半導體元件良好地發(fā)揮作用的效果。元件搭載用基板具備支承體(3)，其具有用于在一個主面(31a)上裝載功率用半導體元件(4)的元件搭載部(31)，并且具有設置為在厚度方向上遠離元件搭載部(31)且互相隔著間隔而配置的多個柱部(32)；和蓄熱區(qū)域，其設置在柱部(32)間，且熱傳導率比支承體(3)低。
文檔編號H01L23/36GK101925998SQ201080001027
公開日2010年12月22日 申請日期2010年1月22日 優(yōu)先權日2009年1月22日
發(fā)明者中本真二, 宮脅清茂, 川畑和弘, 杉本努, 植田義明 申請人:京瓷株式會社