專利名稱：“絕緣體上半導(dǎo)體”型襯底的支撐襯底的測(cè)試方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明所屬領(lǐng)域?yàn)殡娮釉闹圃欤貏e是被稱為“絕緣體上半導(dǎo)體”、縮寫為 “SeOI”的襯底的制造。更特別地，本發(fā)明涉及一種測(cè)試方法，其包括在型襯底的支撐襯底上制造電連接角蟲頭(electric connection contact)。
背景技術(shù)：
在接下來的說明書和權(quán)利要求書中，“ ％01”型襯底表示的襯底接連包括由半導(dǎo)體材料制成的支撐襯底、完全覆蓋支撐襯底的絕緣體層(特別是氧化物層或氮化物層)以及被稱為“有源層”的另一半導(dǎo)體材料層，在“有源層”之中或之上乃是電子元件或者形成電子元件。該絕緣體層的一部分因此隱埋在所述有源層和支撐襯底的被稱為“前表面”的一個(gè)表面之間。附圖1中顯示了這種襯底1。其包括由被絕緣體層3完全覆蓋的由半導(dǎo)體材料制成的支撐襯底2和半導(dǎo)體材料有源層4。絕緣體層3面對(duì)支撐襯底2被稱為“前表面21”的那個(gè)表面的部分被標(biāo)記為31。 從圖中可以看出，絕緣體層3的部分31的一部分隱埋在有源層4和支撐襯底2的前表面21 之間。支撐襯底2的被稱為“后表面”的相反面具有附體標(biāo)記22。絕緣體層3面對(duì)后表面22的部分具有附圖標(biāo)記32，而位于支撐襯底2的外周的部分被標(biāo)記為33。絕緣體3例如可以由氧化物、氮化物或氧氮化物形成。在形成支撐襯底2和/或有源層4的半導(dǎo)體材料為硅的情況下，有利地，絕緣體為氧化硅(SiO2)或氮化硅(Si3N4)15有教益地，應(yīng)注意的是，不是所有的襯底都在支撐襯底的整個(gè)表面上具有絕緣層。這尤其關(guān)系到“厚的” SeOI，即需要具有相對(duì)較厚的隱埋絕緣體厚度(從1微米到幾微米)的％01。對(duì)于這種類型的％01襯底而言，通常在“支撐”襯底和“施主”襯底被鍵合組裝之前在兩者上都形成絕緣體(例如通過氧化)，從而在減薄施主襯底之后，SeOI的支撐被絕緣體完全覆蓋。這種類型的襯底主要針對(duì)電力應(yīng)用，例如，處理高功率信號(hào)的元件的形成。本發(fā)明應(yīng)用于其支撐襯底被絕緣體層完全覆蓋的襯底。在用于制造電子元件的工藝中，有時(shí)需要使用到支撐襯底2的后表面22，例如為了對(duì)制作在前表面21上的元件進(jìn)行電子測(cè)試；這些測(cè)試可能尤其需要在后表面22施加電壓。為了做到這一點(diǎn)，則必需去除支撐襯底的后表面上所存在的絕緣體層32?，F(xiàn)在，申請(qǐng)人看出，當(dāng)后表面上的絕緣體層32被去除時(shí)，SeOI襯底變形并且稍稍呈現(xiàn)弧形。該變形或“弧形”被稱為“彎曲”或“翹曲”，并且隨著隱埋絕緣體31的厚度的增加而增大。
換言之，當(dāng)去除后表面的絕緣體32時(shí)，SeOI襯底內(nèi)存在的力或應(yīng)力不再被抵消。附圖2顯示了通過濕法化學(xué)蝕刻去除絕緣體層的一部分之后的圖1的襯底，該襯底出現(xiàn)“翹曲”現(xiàn)象。絕緣體層31所施加的應(yīng)力不再被層32的存在抵消，SeOI襯底1傾向于以凹向支撐襯底2的后表面22的凹面方式變形，特別是在BSOI結(jié)構(gòu)(硅制成的支撐物和有源層以及氧化硅制成的絕緣體)的情況下更是如此。在支撐物2的凹入部分測(cè)量“翹曲”。其對(duì)應(yīng)于通過凹面的邊緣(即支撐襯底2的邊緣)的平面P與凹面的最深點(diǎn)(通常位于支撐襯底2的中心)之間的距離a。通過本領(lǐng)域技術(shù)人員公知的不同的技術(shù)來測(cè)量“翹曲” a，即通過光學(xué)或機(jī)械輪廓測(cè)量法或者電容厚度測(cè)量技術(shù)來測(cè)量。作為示例，可以提及使用來自制造商ADE(后來稱為KLA Tencor)的名為 “Wafersight”的設(shè)備的電容測(cè)量(capacitive measurement)，其能夠測(cè)量襯底的厚度和變形。還可以通過光學(xué)測(cè)量來測(cè)量翹曲，例如使用同一制造商生產(chǎn)的被稱為FLEXUS的設(shè)備， 其可以掃描支撐襯底的表面。作為示例，可以介紹一種本領(lǐng)域技術(shù)人員已知的襯底，其縮寫為“BS0I”，意為“絕緣體上的鍵合硅”，表示通過如下方式獲得的“絕緣體上硅，，型襯底鍵合兩個(gè)硅襯底，兩個(gè)硅襯底至少其中之一(支撐襯底)具有氧化表面，然后減薄兩個(gè)襯底其中之一，以便形成有源層?？梢詼y(cè)量得出，對(duì)于例如包括2.5μπι厚的隱埋氧化物31的這種襯底而言，當(dāng)去除后表面的氧化物32時(shí)，襯底可以獲得150 μ m量級(jí)的翹曲，而在該氧化物保持在原位的情況下，襯底具有小于30 μ m的翹曲。現(xiàn)在，明顯的翹曲給機(jī)器人抓取襯底造成了問題，也給后續(xù)使用中襯底在保持部件或平面支撐物上的定位造成問題。文件US 5，780，311中對(duì)于SOI型襯底的情況描述了這種在氧化物層消失之后在支撐襯底的后表面上存在出現(xiàn)翹曲的現(xiàn)象。然而，該方案僅包括通過沉積由多晶或無定形硅、氮化物或感光樹脂形成的保護(hù)層來保護(hù)該氧化層?，F(xiàn)在，該方案無法應(yīng)用于目的正是形成無絕緣體的電連接觸頭區(qū)域的測(cè)試方法。

發(fā)明內(nèi)容
因此，本發(fā)明的目的在于提供一種測(cè)試方法，通過該測(cè)試方法可以在襯底上制造電連接觸頭，并且可以在支撐襯底上施加電壓，同時(shí)最大程度地限制該襯底的翹曲現(xiàn)象。優(yōu)選地，本發(fā)明的目的在于將翹曲現(xiàn)象限制到小于100 μ m的值，更優(yōu)選地，將翹曲現(xiàn)象限制到小于50 μ m的值。通過包括“絕緣體上半導(dǎo)體”型襯底的支撐襯底上的電連接觸頭的測(cè)試方法來實(shí)現(xiàn)該目的。根據(jù)本發(fā)明，該方法包括下列步驟a)獲取“絕緣體上半導(dǎo)體”型襯底，所述“絕緣體上半導(dǎo)體”型襯底包括完全被絕緣體層覆蓋的由半導(dǎo)體材料制成的支撐襯底和由半導(dǎo)體材料制成的所謂的“有源”層，所述有源層位于所述支撐襯底上，使得所述絕緣體層的一部分隱埋在所述有源層和所述支撐襯底的被稱為“前”表面的一個(gè)表面之間。
b)去除所述絕緣體層在所述支撐襯底的前表面的外周延伸和/或在其被稱為相反“后”表面上延伸的部分，以便劃定出所述支撐襯底的至少一個(gè)無絕緣體區(qū)域，即所謂的 “可及區(qū)域”，同時(shí)在所述后表面上保留所述絕緣體層的至少一部分，c)對(duì)所述一個(gè)或所述至少一些可及區(qū)域施加電壓，以便在“絕緣體上半導(dǎo)體”襯底的支撐襯底上制造所述電連接觸頭。根據(jù)本發(fā)明的其他的有利的和非限制性的單獨(dú)或者組合的特征-所述絕緣體層在步驟b)中被去除的部分取在在所述支撐物的后表面的外周延伸的環(huán)形絕緣體區(qū)域和/或在圍繞所述有源層的支撐物的前表面的外周延伸的環(huán)形絕緣體層；-在應(yīng)用步驟b)的過程中保留所述后表面的絕緣體層的表面積的至少50%；-步驟b)包括執(zhí)行所述絕緣體層的在所述支撐襯底的前表面的外周延伸的環(huán)形區(qū)域的布線(routing)，該布線是在介于0. 5mm和5mm之間的寬度上執(zhí)行的，和/或執(zhí)行所述絕緣體層的在所述支撐襯底的后表面的外周延伸的環(huán)形區(qū)域的布線，該布線是在介于 0. 5mm和15mm之間的寬度上執(zhí)行的；-通過磨削和/或拋光來執(zhí)行所述絕緣體的去除；-通過光刻和/或化學(xué)蝕刻來執(zhí)行所述絕緣體的去除；-在所述有源層之上和/或之中的電子元件的制造過程中執(zhí)行所述絕緣體的去除；-在制造所述絕緣體上半導(dǎo)體襯底之后以及在制造所述有源層之上和/或之中的電子元件之前執(zhí)行所述絕緣體的去除；-通過鍵合覆蓋有所述絕緣體層的所述支撐襯底和所述有源層所源自的源襯底來獲得所述絕緣體上半導(dǎo)體襯底，在制造所述絕緣體上半導(dǎo)體襯底的過程中以及在用于穩(wěn)定兩個(gè)襯底的鍵合的熱處理之后執(zhí)行所述絕緣體的去除；-所述絕緣體為氧化物、氮化物或氧氮化物。本發(fā)明涉及一種“絕緣體上半導(dǎo)體”型測(cè)試襯底，包括覆蓋有絕緣體層的由半導(dǎo)體材料制成的支撐襯底和由半導(dǎo)體材料制成的所謂的“有源”層，所述有源層位于所述支撐襯底上，使得所述絕緣體層的一部分隱埋在所述有源層和所述支撐襯底的被稱為“前”表面的一個(gè)表面之間。根據(jù)本發(fā)明，所述支撐襯底的一部分沒有絕緣體，因此是暴露的，所述支撐襯底的后表面的至少一部分覆蓋有所述絕緣體層，且所述襯底具有小于或等于50 μ m的翹曲a。此外，有利地-在所述支撐襯底的后表面上延伸的所述絕緣體層在該后表面的表面積的至少 50%上延伸，-該測(cè)試襯底的隱埋絕緣體層具有大于或等于0.2 μ m的厚度，優(yōu)選地具有大于或等于Ιμπι的厚度。


現(xiàn)在參考示意性但非限制性地顯示本發(fā)明的幾個(gè)可能實(shí)施例的附圖來描述本發(fā)明，本發(fā)明的其他特征和優(yōu)點(diǎn)將由此顯現(xiàn)。
在這些圖中前述圖1是以剖面圖顯示型襯底的圖示，前述圖2是顯示通過濕法化學(xué)蝕刻去除絕緣體層的一部分之后在圖1的襯底上觀察到的翹曲現(xiàn)象的圖示，圖3-圖5是以剖面圖顯示根據(jù)本發(fā)明的方法的三個(gè)不同的實(shí)施例在支撐襯底上形成提供電連接觸頭的區(qū)域之后的型襯底的圖示，圖6是圖3的襯底的較小比例的俯視圖，圖7是圖5的襯底的較小比例的仰視圖，以及圖8是顯示圖7的替代方式的型襯底的仰視圖。這些圖是示意性的，不同的層的尺寸和厚度未按照其實(shí)際相對(duì)值來顯示。
具體實(shí)施例方式根據(jù)本發(fā)明的測(cè)試方法可以應(yīng)用于任何類型的襯底，無論是通過上述BSOI 型方法還是通過諸如被稱為SMART⑶T或SIMOX的方法之一的其他方法獲得的襯底， 如果一開始支撐襯底實(shí)際上被絕緣體層包圍的話。根據(jù)本發(fā)明的測(cè)試方法包括下列步驟-a)獲取型襯底1-b)去除絕緣體層3的位于前表面21外周的環(huán)形區(qū)域的至少一部分，或者只去除絕緣體層3在支撐襯底2的后表面22上延伸的部分，以便避免發(fā)生翹曲現(xiàn)象，-c)對(duì)步驟b)中清除的支撐襯底的所述區(qū)域(或者如果存在幾個(gè)這樣的區(qū)域，則至少對(duì)其中的一些區(qū)域)施加電壓，以便在襯底1的支撐襯底2上制造電連接觸頭?，F(xiàn)在參考圖1，圖3和圖6來描述根據(jù)本發(fā)明的方法的步驟b)的第一實(shí)施例。在圖1中，有源層4的直徑略微小于支撐物2的直徑，典型地為小于2_5mm。這是因?yàn)槭褂昧擞糜谥圃煲r底的倒棱(chamfered)晶片，無法將兩個(gè)初始襯底鍵合直到最邊緣。位于前表面上的所謂的“排除”區(qū)域因此不包括任何有源層。因此，支撐襯底2的前表面21覆蓋有超出有源層4的邊緣延伸并且具有環(huán)形形狀的絕緣體層。該環(huán)形形狀被標(biāo)記為310。步驟b)是去除所述絕緣體層的環(huán)形區(qū)域310的至少一部分，以便劃定出支撐襯底 2的至少一個(gè)沒有絕緣體的區(qū)域。這種所謂的“可及”區(qū)域具有附圖標(biāo)記210。當(dāng)然，如果有源層4的直徑等于覆蓋有絕緣體層的支撐襯底2的直徑，則這種去除是不可能的。所述可及區(qū)域的表面區(qū)域應(yīng)該足夠大，以便允許例如至少幾平方毫米的電連接觸頭。該布線(routing)操作可以如圖6所示去除全部的環(huán)形絕緣體區(qū)域310，或者也可以根據(jù)圖中未顯示的替代方式，只去除一部分。在第二種情況下，可以在襯底的外周獲得至少一個(gè)可及區(qū)域210，可能是幾個(gè)。圖8顯示了在后表面絕緣體32上的外周環(huán)形區(qū)域上獲得的類似結(jié)果。如圖3所示，取決于用來去除環(huán)形絕緣體層310的技術(shù)，支撐襯底2位于該環(huán)形區(qū)域310緊下方的小的厚度也應(yīng)被去除。
環(huán)形區(qū)域310優(yōu)選地從襯底1的邊緣開始在介于0. 5mm和5mm之間的寬度Ll上延伸。作為示例，對(duì)于6英寸(大約15厘米)直徑的襯底而言，該寬度Ll通常介于1毫米和3毫米之間，對(duì)于8英寸(大約20厘米)直徑的襯底而言，該寬度Ll通常介于1毫米和4毫米之間。去除區(qū)域el的深度至少是絕緣體310的厚度，即幾微米量級(jí)，例如2 μ m，如果還去除支撐襯底2的一部分，則可以達(dá)到15 μ m，甚至是幾十微米。用于去除絕緣體的第一種技術(shù)包括執(zhí)行絕緣體的磨削和/或拋光。該磨削或拋光可以是機(jī)械的和/或化學(xué)的。在機(jī)械磨削的情況下，襯底1例如可以被保持在被驅(qū)動(dòng)旋轉(zhuǎn)的支撐物上，同樣在旋轉(zhuǎn)的工具與環(huán)形區(qū)域相接觸，以便磨削該環(huán)形區(qū)域。在拋光的情況下，可以使用與適當(dāng)?shù)幕瘜W(xué)溶液聯(lián)用的拋光靴(polishing shoe)。磨削技術(shù)通常導(dǎo)致去除絕緣體層和支撐襯底2的一部分，而使用拋光可能會(huì)更特定地只去除絕緣體層。第二種技術(shù)是在干法或濕法化學(xué)蝕刻步驟之后使用光刻步驟(lithographic step)。這種選擇性更高的技術(shù)可以只去除環(huán)形絕緣層310，而不腐蝕位于正下方的支撐襯底2的部分。最后，應(yīng)注意的是，優(yōu)選地在后表面上保留絕緣體層32，以避免翹曲現(xiàn)象，或者如果去除絕緣體層32的一部分的話，則如下文所述進(jìn)行去除。現(xiàn)在參考圖4和圖7來描述步驟b)的第二實(shí)施例。在這種情況下，步驟b)包括去除支撐襯底2的后表面的絕緣體層32的一部分，同時(shí)在后表面上保留該絕緣體層的至少一部分。優(yōu)選地，保留部分對(duì)應(yīng)于覆蓋支撐襯底2的后表面22的絕緣體層32的總表面積的至少50%。優(yōu)選地，步驟b)包括去除絕緣體層32的環(huán)形區(qū)域的全部(見圖7)或者一部分 (見圖8)，該環(huán)形區(qū)域在支撐物2的后表面的外周延伸。被去除之前在圖1上可見的該環(huán)形區(qū)域具有附圖標(biāo)記320。環(huán)形絕緣體層320的這種去除具有清除在支撐襯底2的后表面上延伸的可及區(qū)域220的作用。通過在后表面上至少保留絕緣體層的中心部分來應(yīng)用這種去除。該中心部分具有附圖標(biāo)記321。去除的環(huán)形區(qū)域的L2從襯底1的邊緣開始優(yōu)選地介于0. 5mm和15mm之間。作為示例，對(duì)于直徑為6英寸(大約15cm)的襯底而言L2介于2mm和IOmm之間， 對(duì)于8英寸(大約20cm)的襯底而言，L2介于2mm和15mm之間。去除的區(qū)域的厚度e2對(duì)應(yīng)于絕緣體層32的厚度，即為幾微米量級(jí)，例如2 μ m。圖5顯示了一種替代方式，其中支撐襯底2的后表面22位于環(huán)形絕緣體部分320 下方的部份也被去除。在這種情況下，厚度e3可以達(dá)到15 μ m。用來去除環(huán)形絕緣體區(qū)域320和可能的支撐襯底2的一部分的技術(shù)與之前用于第一實(shí)施例的技術(shù)相同。在圖8所顯示的實(shí)施例中，只去除了絕緣體的環(huán)形區(qū)域320的位于支撐襯底2的后表面上的部分。劃定出被標(biāo)記為221的兩個(gè)點(diǎn)狀可及區(qū)域。這些被清除的區(qū)域的數(shù)量取決于將要進(jìn)行的后續(xù)測(cè)試，例如與所采用的設(shè)備的約束或者連接觸頭配置有關(guān)。被清除的區(qū)域的形狀是任意的，可以是圓形、正方形或其他形狀。優(yōu)選地，通過包括與要得到的區(qū)域221的形狀相對(duì)應(yīng)的孔的掩模，用化學(xué)蝕刻來獲得點(diǎn)狀可及區(qū)域221。圖中未顯示的第四實(shí)施例包括在外周(區(qū)域33)清除支撐襯底的邊緣。在剛剛描述的所有實(shí)施例中，可以在方法的不同階段中執(zhí)行或插入用于去除環(huán)形絕緣體區(qū)域310、320的至少一部分的步驟。因此，可以在制造絕緣體上半導(dǎo)體襯底1之后、但在制造有源層4之上和/或之中的電子元件之前進(jìn)行這種去除。還可以在有源層4之上和/或之中的電子元件的制造過程中執(zhí)行這種去除。最后，還可以在絕緣體上半導(dǎo)體襯底1的制造過程中、在覆蓋有絕緣體層3的支撐襯底2被鍵合到源襯底(source substrate)上之后、以及在用于穩(wěn)定這兩個(gè)襯底的鍵合的熱處理之后但在減薄源襯底以獲得有源層4之前執(zhí)行這種去除。還可以考慮制備支撐襯底 2，以便在支撐襯底2鍵合到源襯底之前形成暴露區(qū)域。該方法的最終步驟包括例如通過電極對(duì)所述可及區(qū)域以及對(duì)所述可及區(qū)域中的至少一些施加電壓，如圖8所示，目的是制造電連接觸頭。根據(jù)本發(fā)明的方法的主要優(yōu)點(diǎn)在于-可便于使用在支撐襯底2上制造的觸頭區(qū)域210、220，同時(shí)避免襯底上的翹曲現(xiàn)象，根據(jù)本發(fā)明的方法獲得的襯底實(shí)際上具有小于或等于50 μ m的翹曲a ；-能夠加入用于形成可及區(qū)域210、220的附加步驟，而不需要修改現(xiàn)有的制造過程，無論它們是用于制造襯底的方法還是用于電子元件的方法。
權(quán)利要求
1.一種包括“絕緣體上半導(dǎo)體”型襯底⑴的支撐襯底⑵上的電連接觸頭的測(cè)試方法，其特征在于，該方法包括下列步驟a)獲取“絕緣體上半導(dǎo)體”型襯底(1)，所述“絕緣體上半導(dǎo)體”型襯底(1)包括完全被絕緣體層C3)覆蓋的由半導(dǎo)體材料制成的支撐襯底( 和由半導(dǎo)體材料制成的所謂的“有源”層G)，所述有源層(4)位于所述支撐襯底上，使得所述絕緣體層(3)的一部分(31)隱埋在所述有源層(4)和所述支撐襯底O)的被稱為“前”表面的一個(gè)表面之間，b)去除所述絕緣體層(3，31，32)在所述支撐襯底O)的前表面的外周延伸和/ 或在所述支撐襯底的被稱為“后”表面的相反面0 上延伸的部分，以便劃定出所述支撐襯底的至少一個(gè)無絕緣體區(qū)域010，220)，即所謂的“可及區(qū)域”，同時(shí)在所述后表面上保留所述絕緣體層(3)的至少一部分(321)，c)對(duì)所述可及區(qū)域Ο10，220)的一個(gè)或至少一些施加電壓，以便在“絕緣體上半導(dǎo)體” 襯底(1)的支撐襯底( 上制造所述電連接觸頭。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，所述絕緣體層(3，31，3 在步驟b)中被去除的部分取在在所述支撐物的后表面0 的外周延伸的環(huán)形絕緣體區(qū)域(320) 和/或在圍繞所述有源層的支撐物的前表面的外周延伸的環(huán)形絕緣體區(qū)域 (310)。
3.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的方法，其特征在于，在應(yīng)用步驟b)的過程中保留所述后表面的絕緣體層(3 的表面積的至少50%。
4.根據(jù)前述權(quán)利要求中任一項(xiàng)所述的方法，其特征在于，步驟b)包括在介于0.5mm和 5mm之間的寬度(Li)上執(zhí)行所述絕緣體層(3)的在所述支撐襯底O)的前表面Ql)的外周延伸的環(huán)形區(qū)域(310)的布線，和/或在介于0.5mm和15mm之間的寬度(L2)上執(zhí)行所述絕緣體層(3)的在所述支撐襯底O)的后表面0 的外周延伸的環(huán)形區(qū)域(320)的布線。
5.根據(jù)前述權(quán)利要求中任一項(xiàng)所述的方法，其特征在于，通過磨削和/或拋光來執(zhí)行所述絕緣體(310，320)的去除。
6.根據(jù)權(quán)利要求1至4中任一項(xiàng)所述的方法，其特征在于，通過光刻和/或化學(xué)蝕刻來執(zhí)行所述絕緣體(310，320)的去除。
7.根據(jù)前述權(quán)利要求中任一項(xiàng)所述的方法，其特征在于，在所述有源層(4)之上和/或之中的電子元件的制造過程中執(zhí)行所述絕緣體(310，320)的去除。
8.根據(jù)權(quán)利要求1至6中任一項(xiàng)所述的方法，其特征在于，在制造所述絕緣體上半導(dǎo)體襯底(1)之后以及在制造所述有源層(4)之上和/或之中的電子元件之前執(zhí)行所述絕緣體 (310，320)的去除。
9.根據(jù)權(quán)利要求1至6中任一項(xiàng)所述的方法，其特征在于，通過鍵合覆蓋有所述絕緣體層(3)的所述支撐襯底( 和所述有源層(4)所源自的源襯底來獲得所述絕緣體上半導(dǎo)體襯底，以及其特征在于，在制造所述絕緣體上半導(dǎo)體襯底的過程中以及在用于穩(wěn)定兩個(gè)襯底的鍵合的熱處理之后執(zhí)行所述絕緣體(310，320)的去除。
10.根據(jù)前述權(quán)利要求中任一項(xiàng)所述的方法，其特征在于，所述絕緣體C3)為氧化物、 氮化物或氧氮化物。
11.一種“絕緣體上半導(dǎo)體”型測(cè)試襯底(1)，包括覆蓋有絕緣體層(3)的由半導(dǎo)體材料制成的支撐襯底⑵和由半導(dǎo)體材料制成的所謂的“有源”層G)，所述有源層⑷位于所述支撐襯底上，使得所述絕緣體層( 的一部分(31)隱埋在所述有源層(4)和所述支撐襯底⑵的被稱為“前”表面的一個(gè)表面之間，其特征在于，所述支撐襯底⑵的一部分沒有絕緣體，因此是暴露的，所述支撐襯底(2)的后表面0 的至少一部分覆蓋有所述絕緣體層，且所述襯底具有小于或等于50 μ m的翹曲(a)。
12.根據(jù)權(quán)利要求11所述的測(cè)試襯底，其特征在于，在所述支撐襯底O)的后表面 (22)上延伸的所述絕緣體層(321)在該后表面02)的表面積的至少50%上延伸。
13.根據(jù)權(quán)利要求11或12所述的測(cè)試襯底(1)，其特征在于，隱埋的絕緣體層(3)具有大于或等于0.2μπι的厚度。
全文摘要
本發(fā)明涉及一種包括“絕緣體上半導(dǎo)體”型襯底(1)的支撐襯底(2)上的電連接觸頭的測(cè)試方法。該方法的特征在于包括下列步驟a)獲取“絕緣體上半導(dǎo)體”型襯底(1)，所述“絕緣體上半導(dǎo)體”型襯底(1)包括完全被絕緣體層(3)覆蓋的支撐襯底(2)和有源層(4)，所述絕緣體層(3)的一部分(31)隱埋在所述有源層和所述支撐襯底(2)的前表面(21)之間，b)去除所述絕緣體層(3)在所述支撐襯底(2)的前表面(21)的外周延伸和/或在其后表面(22)上延伸的部分，以便劃定出所述支撐襯底(2)的至少一個(gè)無絕緣體的可及區(qū)域(210)，同時(shí)在所述后表面上保留所述絕緣體層的至少一部分(321)，c)對(duì)所述可及區(qū)域(210)施加電壓，以便制造所述電連接觸頭。
文檔編號(hào)H01L21/66GK102272912SQ201080004225
公開日2011年12月7日 申請(qǐng)日期2010年1月14日 優(yōu)先權(quán)日2009年1月19日
發(fā)明者C·拉賈赫布蘭切德 申請(qǐng)人:S.O.I.Tec絕緣體上硅技術(shù)公司