專(zhuān)利名稱(chēng)：半導(dǎo)體裝置的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及半導(dǎo)體裝置。
背景技術(shù)：
具備薄膜晶體管(Thin Film Transistor :TFT)的半導(dǎo)體裝置優(yōu)選用于顯示裝置的有源矩陣基板。TFT被分類(lèi)為頂柵型構(gòu)造(頂柵極構(gòu)造)和底柵型構(gòu)造(底柵極構(gòu)造) 的2類(lèi)。頂柵型構(gòu)造的TFT的半導(dǎo)體層主要使用能夠?qū)崿F(xiàn)高載流子移動(dòng)性的多晶硅，另一方面，底柵型構(gòu)造的TFT的半導(dǎo)體層主要使用能夠以較少工序且能夠簡(jiǎn)便形成的非晶硅。優(yōu)選在有源矩陣基板的顯示區(qū)域作為像素的開(kāi)關(guān)元件設(shè)置有像素TFT，像素TFT 的截止電流較小。另外，近年來(lái)，研討了在設(shè)置于顯示區(qū)域的周?chē)闹苓厖^(qū)域，設(shè)置對(duì)柵極總線供給掃描信號(hào)的柵極驅(qū)動(dòng)器、對(duì)源極總線供給顯示信號(hào)的源極驅(qū)動(dòng)器等的驅(qū)動(dòng)電路。 在該情況下，在有源矩陣基板，不僅在顯示區(qū)域設(shè)置有像素TFT，還在驅(qū)動(dòng)電路設(shè)置有電路 TFT0優(yōu)選電路TFT的導(dǎo)通電流較大，因此，電路TFT以溝道寬度變大的方式設(shè)計(jì)。然而，在溝道區(qū)域流動(dòng)大電流時(shí)，存在在半導(dǎo)體層內(nèi)產(chǎn)生熱導(dǎo)致TFT的特性劣化、TFT損壞的情況。 因此，探討實(shí)現(xiàn)防止熱引起的特性的降低的TFT (例如，參照專(zhuān)利文獻(xiàn)1和2)。在此，參照?qǐng)D9對(duì)專(zhuān)利文獻(xiàn)1中公開(kāi)的TFT進(jìn)行說(shuō)明。圖9 (a)表示專(zhuān)利文獻(xiàn)1中公開(kāi)的TFT800的俯視圖，圖9(b)表示TFT800的截面圖。TFT800包括柵極電極810、半導(dǎo)體層820、源極電極830和漏極電極840。如從圖 9可理解的那樣，柵極電極810與源極電極830和漏極電極840平行地延伸。半導(dǎo)體層820 具有半導(dǎo)體區(qū)域820a和與半導(dǎo)體區(qū)域820a分離設(shè)置的半導(dǎo)體區(qū)域820b。另外，在TFT800 中在半導(dǎo)體層820中與柵極電極810重疊的區(qū)域成為溝道區(qū)域。在半導(dǎo)體層820內(nèi)產(chǎn)生的熱不僅通過(guò)接觸孔835、845被傳遞至源極電極830和漏極電極840，還能夠從半導(dǎo)體區(qū)域 820a與半導(dǎo)體區(qū)域820b的邊界向外部傳遞，所以抑制了熱引起的特性的劣化。另外，參照?qǐng)D10對(duì)專(zhuān)利文獻(xiàn)2中公開(kāi)的TFT進(jìn)行說(shuō)明。圖10表示專(zhuān)利文獻(xiàn)2中公開(kāi)的TFT900的俯視圖。TFT900包括柵極電極910、半導(dǎo)體層920、源極電極930和漏極電極940。在 TFT900中也是半導(dǎo)體層920中的與柵極電極910重疊的區(qū)域成為溝道區(qū)域。如從圖10可理解的那樣，柵極電極910的一部分與源極電極930和漏極電極940平行地延伸，柵極電極910在與半導(dǎo)體層920重疊的區(qū)域中向與源極電極930和漏極電極940的延伸方向垂直的方向彎折。這樣，在TFT900中，由于柵極電極910彎折，所以相對(duì)于半導(dǎo)體層的大小，加大溝道寬度，另外，由于柵極電極910的彎折，至少在溝道區(qū)域的方向的不同要素的交叉部分，電場(chǎng)變小，抑制發(fā)熱。因此，在TFT900中，在將溝道寬度維持得比較大的狀態(tài)下，抑制特性的劣化。專(zhuān)利文獻(xiàn)1 日本專(zhuān)利特開(kāi)2003-1M473號(hào)公報(bào)專(zhuān)利文獻(xiàn)2 日本專(zhuān)利特開(kāi)2003-218357號(hào)公報(bào)

發(fā)明內(nèi)容
在專(zhuān)利文獻(xiàn)1中公開(kāi)的TFT800中，半導(dǎo)體層820被分離為多個(gè)半導(dǎo)體區(qū)域820a、 820b。因此，為了在維持規(guī)定的溝道寬度的狀態(tài)下充分抑制熱引起的TFT特性的劣化，需要加長(zhǎng)半導(dǎo)體區(qū)域間的間隔，TFT800的尺寸變大。或者，在將TFT800的尺寸維持為一定時(shí)，以半導(dǎo)體層820的分離為起因?qū)е耇FT800的溝道寬度變小，有可能不能獲得所期望的電流。另外，在專(zhuān)利文獻(xiàn)2中公開(kāi)的TFT900中，通過(guò)將柵極電極910彎折而加大散熱面積使散熱效果提高。然而，在TFT900中，為了充分提高散熱效果而需要加大源極電極930 與漏極電極940之間的距離，結(jié)果導(dǎo)致晶體管的尺寸變大。另外，專(zhuān)利文獻(xiàn)1、2中公開(kāi)的TFT800、900均為頂柵型構(gòu)造，在TFT800、900中，在半導(dǎo)體層820、920中產(chǎn)生的熱的一部分通過(guò)接觸孔835、845、935、945和源極電極830、930 和漏極電極840、940向外部傳遞。然而，一般由于接觸孔的尺寸比較小，所以在TFT800、900 中，有可能不能充分抑制熱引起的TFT特性的劣化。本發(fā)明鑒于上記課題而研發(fā)完成，其目的在于提供一種抑制熱引起的特性的劣化的半導(dǎo)體裝置。本發(fā)明的半導(dǎo)體裝置包括下部電極；覆蓋上述下部電極的絕緣層；設(shè)置在上述絕緣層上的半導(dǎo)體層；接觸層，其具有各自的至少一部分與上述半導(dǎo)體層重疊的第一接觸層、第二接觸層和第三接觸層；和上部電極，該上部電極具有至少一部分與上述第一接觸層重疊的第一上部電極、至少一部分與上述第二接觸層重疊的第二上部電極、和至少一部分與上述第三接觸層重疊的第三上部電極，上述第二上部電極位于上述第一上部電極與上述第三上部電極之間，在該半導(dǎo)體裝置中，上述第二接觸層具有第一區(qū)域和與上述第一區(qū)域分離的第二區(qū)域，上述第二上部電極在上述第二接觸層的上述第一區(qū)域與上述第二區(qū)域之間的區(qū)域與上述半導(dǎo)體層直接接觸。在某實(shí)施方式中，上述半導(dǎo)體層具有第一半導(dǎo)體區(qū)域和與上述第一半導(dǎo)體區(qū)域分離的第二半導(dǎo)體區(qū)域，上述第二上部電極的至少一部分設(shè)置在上述第一半導(dǎo)體區(qū)域與上述第二半導(dǎo)體區(qū)域之間的區(qū)域。在某實(shí)施方式中，上述第一接觸層和上述第二接觸層的一部分與上述第一半導(dǎo)體區(qū)域重疊，上述第二接觸層的另一部分和上述第三接觸層與上述第二半導(dǎo)體區(qū)域重疊。在某實(shí)施方式中，上述第二上部電極的熱傳導(dǎo)率比上述接觸層的熱傳導(dǎo)率高。在某實(shí)施方式中，上述半導(dǎo)體層包含微晶硅膜或者非晶硅膜。在某實(shí)施方式中，上述接觸層包含導(dǎo)入有雜質(zhì)元素的硅層。本發(fā)明的半導(dǎo)體裝置包括下部電極；覆蓋上述下部電極的絕緣層；設(shè)置在上述絕緣層上的半導(dǎo)體層；和上部電極，其具有各自的至少一部分與上述半導(dǎo)體層重疊的第一上部電極、第二上部電極和第三上部電極，上述第二上部電極位于上述第一上部電極與上述第三上部電極之間，在該半導(dǎo)體裝置中，上述半導(dǎo)體層具有第一半導(dǎo)體區(qū)域和與上述第一半導(dǎo)體區(qū)域分離的第二半導(dǎo)體區(qū)域，上述第二上部電極的至少一部分設(shè)置在上述第一半導(dǎo)體區(qū)域與上述第二半導(dǎo)體區(qū)域之間。 在某實(shí)施方式中，上述半導(dǎo)體層包含多晶硅膜。 在某實(shí)施方式中，上述第二上部電極具有與上述第一上部電極相對(duì)的第一側(cè)方區(qū)域、與上述第三上部電極相對(duì)的第二側(cè)方區(qū)域、和位于上述第一側(cè)方區(qū)域與上述第二側(cè)方區(qū)域之間的中央?yún)^(qū)域，上述第二上部電極的上述中央?yún)^(qū)域與上述半導(dǎo)體層直接接觸。在某實(shí)施方式中，上述第二上部電極與上述絕緣層接觸。在某實(shí)施方式中，上述第一上部電極與上述第三上部電極直接連接。在某實(shí)施方式中，上述第一上部電極和上述第三上部電極是源極配線和漏極配線的一方的一部分，上述第二上部電極是上述源極配線和上述漏極配線的另一方的一部分。在某實(shí)施方式中，上述第一上部電極不與上述第三上部電極直接連接。在某實(shí)施方式中，上述第一上部電極是源極配線和漏極配線的一方的一部分，上述第二上部電極是中間電極，上述第三上部電極是上述源極配線和上述漏極配線的另一方的一部分。本發(fā)明的半導(dǎo)體裝置能夠抑制熱引起的特性的劣化。這種半導(dǎo)體裝置適合用于液晶顯示裝置等的顯示裝置所包含的有源矩陣基板。


圖1 (a)是表示本發(fā)明的半導(dǎo)體裝置的第一實(shí)施方式的示意性的俯視圖，(b)是沿
(a)的lb-lb，線的截面圖。圖2(a)是表示比較例的半導(dǎo)體裝置的示意性的俯視圖，(b)是沿(a)的2b_2b’線的截面圖。圖3(a)是表示在比較例的半導(dǎo)體裝置中在溝道區(qū)域產(chǎn)生的熱的傳遞的示意圖，
(b)是表示在第一實(shí)施方式的半導(dǎo)體裝置中在溝道區(qū)域產(chǎn)生的熱的傳遞的示意圖。圖4是表示劣化的薄膜晶體管的特性的圖表。圖5(a)是表示本發(fā)明的半導(dǎo)體裝置的第二實(shí)施方式的示意性的俯視圖，(b)是沿 (a) m 5b-5b'線的截面圖。圖6(a)是表示本發(fā)明的半導(dǎo)體裝置的第三實(shí)施方式的示意性的俯視圖，(b)是沿 (a)的6b_6b’線的截面圖，(c)是沿(a)的6c_6c’線的截面圖。圖7(a)是表示本發(fā)明的半導(dǎo)體裝置的第四實(shí)施方式的示意性的俯視圖，(b)是沿 (a)的7b_7b’線的截面圖。圖8(a)是表示本發(fā)明的半導(dǎo)體裝置的第5實(shí)施方式的示意性的俯視圖，(b)是沿 (a)的8b_8b，線的截面圖。圖9(a)是表示現(xiàn)有的薄膜晶體管的示意性的俯視圖，(b)是沿(a)的截面圖。圖10是表示現(xiàn)有的別的薄膜晶體管的示意性的俯視圖。
具體實(shí)施例方式以下，參照附圖對(duì)本發(fā)明的半導(dǎo)體裝置的實(shí)施方式進(jìn)行說(shuō)明。但是，本發(fā)明并不限定為以下的實(shí)施方式。(實(shí)施方式1)以下，參照?qǐng)D1，對(duì)本發(fā)明的半導(dǎo)體裝置的第一實(shí)施方式進(jìn)行說(shuō)明。圖1(a)表示本實(shí)施方式的半導(dǎo)體裝置100的示意性的俯視圖，圖1(b)表示沿圖1(a)的lb-lb’線的截面圖。半導(dǎo)體裝置100包括在絕緣基板102上設(shè)置的下部電極110 ；覆蓋下部電極110
6的絕緣層104 ；在絕緣層104上設(shè)置的半導(dǎo)體層120 ；接觸層130 ；和上部電極140。下部電極110例如由金屬形成，具體而言，下部電極110由鋁、鉭、鉬或者鈦形成。絕緣層104由絕緣材料形成，絕緣層104例如由氧化硅形成。下部電極110的厚度例如為IOOOA。半導(dǎo)體層120例如由硅形成，具體而言，半導(dǎo)體層120由非晶硅或者微晶硅形成。 半導(dǎo)體層120的厚度例如為500 A。半導(dǎo)體裝置100中，半導(dǎo)體層120具有半導(dǎo)體區(qū)域120a 和與半導(dǎo)體區(qū)域120a分離的半導(dǎo)體區(qū)域120b。在以下的說(shuō)明中，存在將半導(dǎo)體區(qū)域120a 和半導(dǎo)體區(qū)域120b分別稱(chēng)為第一半導(dǎo)體區(qū)域120a和第二半導(dǎo)體區(qū)域120b的情況。第一半導(dǎo)體區(qū)域120a與第二半導(dǎo)體區(qū)域120b的間隔例如為4 5 μ m。接觸層130例如由添加有雜質(zhì)元素的硅形成。接觸層130的厚度例如為350 A。 接觸層130具有在半導(dǎo)體層120上設(shè)置的接觸層132、134、136。具體而言，接觸層132設(shè)置在第一半導(dǎo)體區(qū)域120a上，接觸層136設(shè)置在第二半導(dǎo)體區(qū)域120b上。另外，接觸層134 設(shè)置在第一半導(dǎo)體區(qū)域120a和第二半導(dǎo)體區(qū)域120b上。在以下的說(shuō)明中，存在將接觸層 132、接觸層134和接觸層136分別稱(chēng)為第一接觸層132、第二接觸層134和第三接觸層136 的情況。上部電極140具有在第一接觸層132上設(shè)置的上部電極142 ；在第二接觸層134 上設(shè)置的上部電極144 ；和在第三接觸層136上設(shè)置的上部電極146。上部電極142、144、 146在同一工序由相同材料形成。上部電極142、144、146例如由金屬形成，具體而言，上部電極142、144、146例如由鋁、鉭、鉬、鈦形成。上部電極140的厚度例如為1500入。上部電極 142、上部電極144和上部電極146沿y方向依次排列。上部電極142、上部電極144和上部電極146的間隔例如為5 μ m。上部電極144不與上部電極142直接連接，另外，上部電極 146不與上部電極144直接連接。此處，上部電極142與上部電極146直接連接。其中，在以下的說(shuō)明中，存在將上部電極142、上部電極144和上部電極146分別稱(chēng)為第一上部電極 142、第二上部電極144和第三上部電極146的情況。在半導(dǎo)體裝置100中設(shè)置有底柵型構(gòu)造的TFT200。下部電極110是柵極配線210 的一部分，絕緣層104是柵極絕緣層。另外，上部電極142和上部電極146是漏極配線230 的一部分，上部電極144是源極配線220的一部分。此處，源極配線220為直線狀，漏極配線230的一部分具有分支為2個(gè)配線的形狀。在半導(dǎo)體裝置100中，半導(dǎo)體層120中上部電極142與上部電極144之間的區(qū)域、以及上部電極144與上部電極146之間的區(qū)域成為溝道區(qū)域，TFT200的溝道寬度比較大。在對(duì)柵極配線210施加規(guī)定的電壓時(shí)，對(duì)上部電極 144施加的電壓通過(guò)半導(dǎo)體層120的溝道區(qū)域被供給上部電極142、146。在半導(dǎo)體裝置100中，第二接觸層134具有區(qū)域13 和與區(qū)域13 分離的區(qū)域 134b。第二接觸層134的區(qū)域13 與區(qū)域134b的間隔例如為4 5 μ m。區(qū)域13 與半導(dǎo)體區(qū)域120a和上部電極144的重疊區(qū)域?qū)?yīng)，區(qū)域134b與半導(dǎo)體區(qū)域120b和上部電極 144的重疊區(qū)域?qū)?yīng)。在以下的說(shuō)明中，存在將區(qū)域13 和區(qū)域134b分別稱(chēng)為第一區(qū)域 134a和第二區(qū)域134b的情況。第一接觸層132和第二接觸層134的第一區(qū)域13 設(shè)置在半導(dǎo)體區(qū)域120a上， 第二接觸層134的第二區(qū)域134b和第三接觸層136設(shè)置在半導(dǎo)體區(qū)域120b上。第二接觸層1；34在與半導(dǎo)體層120相同的位置分離，在該部分處絕緣層104既沒(méi)有被半導(dǎo)體層120 覆蓋也沒(méi)有被接觸層130覆蓋。第二上部電極144覆蓋半導(dǎo)體區(qū)域120a上的接觸層134的第一區(qū)域13 和半導(dǎo)體區(qū)域120b上的第二區(qū)域134b兩方，上部電極144不僅設(shè)置在第二接觸層134的第一區(qū)域13 和第二區(qū)域134b上，還設(shè)置在第二接觸層134的第一區(qū)域 13 與第二區(qū)域134b之間的區(qū)域、以及半導(dǎo)體層120的第一半導(dǎo)體區(qū)域120a與第二半導(dǎo)體區(qū)域120b之間的區(qū)域，第二上部電極144與半導(dǎo)體區(qū)域120a和半導(dǎo)體區(qū)域120b分別直接接觸。第二上部電極144具有與第一上部電極142相對(duì)的側(cè)方區(qū)域144s、與第三上部電極146相對(duì)的側(cè)方區(qū)域144t、和位于側(cè)方區(qū)域IMs和側(cè)方區(qū)域144t之間的中央?yún)^(qū)域 144u,中央?yún)^(qū)域IMu與半導(dǎo)體層120的第一半導(dǎo)體區(qū)域120a和第二半導(dǎo)體區(qū)域120b直接接觸。例如，側(cè)方區(qū)域IMs和側(cè)方區(qū)域144t各自的寬度為3 μ m,中央?yún)^(qū)域IMu的寬度為 4 5μ m。另外，在半導(dǎo)體裝置100中，第二上部電極144的中央?yún)^(qū)域IMu也與絕緣層104 直接接觸，第二上部電極144與半導(dǎo)體層120的接觸面積比較大。在此，在對(duì)半導(dǎo)體層120內(nèi)產(chǎn)生的熱的傳遞路徑進(jìn)行研討之前，先對(duì)半導(dǎo)體裝置 100中的半導(dǎo)體層120及位于其附近的部件的熱傳導(dǎo)率進(jìn)行研討。下部電極110和上部電極142、144、146的熱傳導(dǎo)率比半導(dǎo)體層120和接觸層132、134、136的熱傳導(dǎo)率高，另外，絕緣層104的熱傳導(dǎo)率比半導(dǎo)體層120和接觸層132、134、136的熱傳導(dǎo)率低。例如，下部電極110和上部電極142、144、146由金屬形成，半導(dǎo)體層120和接觸層132、134、136由硅膜形成，絕緣層104由絕緣材料形成。在該情況下，熱傳導(dǎo)率的大小關(guān)系為金屬>硅>絕緣材料。因此，由在半導(dǎo)體層120內(nèi)流動(dòng)的大電流引起產(chǎn)生的熱，不僅從半導(dǎo)體層120通過(guò)接觸層132、134、136和上部電極142、144、146向外部傳遞，還通過(guò)與半導(dǎo)體層120的第一半導(dǎo)體區(qū)域120a和第二半導(dǎo)體區(qū)域120b直接接觸的第二上部電極144向外部傳遞。由于熱阻抗與路徑長(zhǎng)度成比例，與熱傳導(dǎo)率和路徑的截面積成反比例，所以在半導(dǎo)體裝置100 中通過(guò)將熱傳導(dǎo)率高的第二上部電極144設(shè)置在半導(dǎo)體層120的溝道區(qū)域附近，可縮短路徑長(zhǎng)度以降低熱阻抗。從而，在半導(dǎo)體裝置100中，能夠不變更溝道寬度而抑制TFT200的特性的劣化。另外，由于在第二接觸層134的第一區(qū)域13 與第二區(qū)域134b之間、以及半導(dǎo)體層120的第一半導(dǎo)體區(qū)域120a與第二半導(dǎo)體區(qū)域120b之間設(shè)置有熱傳導(dǎo)率高的第二上部電極144，所以即使第二接觸層134的第一區(qū)域13 與第二區(qū)域134b之間的間隔以及半導(dǎo)體層120的第一半導(dǎo)體區(qū)域120a與第二半導(dǎo)體區(qū)域120b之間的間隔短，半導(dǎo)體裝置 100也能夠有效地進(jìn)行散熱。半導(dǎo)體裝置100優(yōu)選用于顯示裝置等的有源矩陣基板。由于半導(dǎo)體裝置100的 TFT200能夠?qū)崿F(xiàn)大的導(dǎo)通電流，所以優(yōu)選作為設(shè)置于有源矩陣基板的柵極驅(qū)動(dòng)器和源極驅(qū)動(dòng)器的電路TFT使用。本實(shí)施方式的半導(dǎo)體裝置100如以下所示制造。首先，在絕緣基板102上形成包括下部電極110的柵極配線210。柵極配線210是在堆積了導(dǎo)電層以后，利用使用光掩模形成的光致抗蝕劑層對(duì)導(dǎo)電層進(jìn)行圖案化而形成。 其后，形成覆蓋柵極配線210的絕緣層104。接著，在絕緣層104上堆積半導(dǎo)體膜，其后，在半導(dǎo)體膜上堆積接觸膜。例如，半導(dǎo)體膜為硅膜，接觸膜是添加有雜質(zhì)元素的硅膜。其后，對(duì)半導(dǎo)體膜和接觸膜同時(shí)進(jìn)行圖案化。圖案化是利用使用光掩模形成的光致抗蝕劑層而進(jìn)行。通過(guò)該圖案化，形成半導(dǎo)體區(qū)域120a、120b和與之對(duì)應(yīng)的接觸層。接著，在絕緣層104和接觸層上堆積導(dǎo)電層，其后，通過(guò)對(duì)堆積的導(dǎo)電層進(jìn)行圖案化而形成上部電極142、上部電極144和上部電極146。進(jìn)而，以上部電極142、上部電極144 和上部電極146作為掩模進(jìn)行接觸層的圖案化，由此，形成接觸層132、接觸層134和接觸層 136。接著，形成覆蓋半導(dǎo)體層120和第一、第二、第三上部電極142、144、146的層間絕緣膜106。另外，也可以根據(jù)需要在層間絕緣膜106形成接觸孔。如以上所示制作具備 TFT200的半導(dǎo)體裝置100。另外，在本實(shí)施方式的半導(dǎo)體裝置100中，通過(guò)變更形成光致抗蝕劑層的光掩模， 該光致抗蝕劑層用于對(duì)半導(dǎo)體膜和接觸膜進(jìn)行圖案化，能夠?qū)雽?dǎo)體層120的半導(dǎo)體區(qū)域 120a與半導(dǎo)體區(qū)域120b分離，由于其后形成的上部電極144的一部分設(shè)置在半導(dǎo)體區(qū)域 120a與半導(dǎo)體區(qū)域120b之間的區(qū)域，所以上部電極144與半導(dǎo)體區(qū)域120a和半導(dǎo)體區(qū)域 120b直接接觸。因此，半導(dǎo)體裝置100除了該光掩模的變更以外能夠利用現(xiàn)存的裝置和設(shè)備簡(jiǎn)便制作。以下，參照?qǐng)D2和圖3與比較例的半導(dǎo)體裝置進(jìn)行比較，對(duì)本實(shí)施方式的半導(dǎo)體裝置的優(yōu)點(diǎn)進(jìn)行說(shuō)明。首先，參照?qǐng)D2，對(duì)比較例的半導(dǎo)體裝置500進(jìn)行說(shuō)明。圖2(a)表示本實(shí)施方式的半導(dǎo)體裝置500的示意性的俯視圖，圖2(b)表示沿圖2(a)的2b-2b’線的截面圖。在半導(dǎo)體裝置500中，半導(dǎo)體層520沒(méi)有分離成2個(gè)區(qū)域，在半導(dǎo)體層520上設(shè)置有接觸層532、534、536，在接觸層532、534、536上設(shè)置有上部電極M2544546。在半導(dǎo)體層520中產(chǎn)生的熱通過(guò)接觸層532、534、536向上部電極M2、M4、546傳遞。這樣在比較例的半導(dǎo)體裝置500中，在半導(dǎo)體層520中產(chǎn)生的熱的一部分被傳遞至與硅膜的厚度方向垂直的方向。另一方面，以平面方向觀看半導(dǎo)體層520時(shí)半導(dǎo)體層520被層間絕緣膜506包圍，由于在平面方向傳遞的熱未被充分放出，所以導(dǎo)致半導(dǎo)體層520的溫度上升。圖3(a)示意性地表示在比較例的半導(dǎo)體裝置500中，在半導(dǎo)體層520中與上部電極542和上部電極544之間對(duì)應(yīng)的區(qū)域產(chǎn)生的熱中的沿平面方向傳遞的熱的路徑。在半導(dǎo)體裝置500中，散熱路徑的路徑長(zhǎng)度比較長(zhǎng)。另外，如上所述，熱阻抗與散熱路徑的路徑長(zhǎng)度成比例，與路徑的截面積成反比例。因此，在比較例的半導(dǎo)體裝置500中，熱阻抗變大，容易產(chǎn)生TFT600的特性的劣化。圖4表示因熱引起特性的劣化的TFT600的結(jié)果。在這樣的TFT600中，如圖4的 A所示，當(dāng)施加正的柵極電壓時(shí)，漏極電流不飽和而持續(xù)增加。另外，如圖4的B所示，劣化的程度變顯著時(shí)，導(dǎo)致TFT600被損壞，不再輸出漏極電流。圖3(b)示意性地表示在本實(shí)施方式的半導(dǎo)體裝置100中，在半導(dǎo)體層120中與上部電極142和上部電極144之間對(duì)應(yīng)的區(qū)域產(chǎn)生的熱中的沿平面方向傳遞的熱的路徑。在半導(dǎo)體裝置100中，半導(dǎo)體層120與熱傳導(dǎo)率比較高的上部電極144直接接觸。因此，在半導(dǎo)體裝置100中，與半導(dǎo)體裝置500相比，硅膜的散熱路徑較短，熱阻抗下降。從而，容易使半導(dǎo)體層120內(nèi)產(chǎn)生的熱通過(guò)半導(dǎo)體層120和上部電極144向外部傳遞。這樣，在半導(dǎo)體裝置100中，能夠有效地進(jìn)行散熱，抑制TFT200的特性的劣化。另外，此處，在從半導(dǎo)體裝置100的背面觀看的情況下，柵極配線210覆蓋半導(dǎo)體層120。因此，使用該半導(dǎo)體裝置100 制作液晶顯示裝置時(shí)，利用柵極配線210，抑制來(lái)自背光源的光入射到半導(dǎo)體裝置100。另外，在上述的說(shuō)明中，第一上部電極142和第三上部電極146是漏極配線230的一部分，第二上部電極144是源極配線220的一部分，但本發(fā)明并不限定于此。也可以第一上部電極142和第三上部電極146是源極配線的一部分，第二上部電極144是漏極配線的一部分。(實(shí)施方式2)在上述的說(shuō)明中，上部電極相互平行地延伸，但本發(fā)明并不限定于此。以下，參照?qǐng)D5，對(duì)本發(fā)明的半導(dǎo)體裝置的第二實(shí)施方式進(jìn)行說(shuō)明。圖5(a)表示本實(shí)施方式的半導(dǎo)體裝置100A的示意性的俯視圖，圖5(b)表示沿圖5(a)的^_5b’線的截面圖。半導(dǎo)體裝置100A除了在上部電極140設(shè)置有分支部這一點(diǎn)以外具有與半導(dǎo)體裝置 100相同的結(jié)構(gòu)，為了避免冗長(zhǎng)而省略重復(fù)的說(shuō)明。在半導(dǎo)體裝置100A中上部電極140具有上部電極142、144、146。上部電極144是源極配線220的一部分。另外，上部電極142和上部電極146直接連接，上部電極142和上部電極146是漏極配線230的一部分。漏極配線230的一部分呈“U”字形狀。第一上部電極142具有主干部14 和從主干部14 向第二上部電極144延伸的分支部142b。第三上部電極146具有主干部146a和從主干部146a向第二上部電極144延伸的主干部1妨b。另外，第二上部電極144具有主干部14 和從主干部14 向第一上部電極142和第三上部電極146延伸的分支部144b。分支部144b從主干部14 向+y方向和_y方向兩方向延伸。相對(duì)于主干部14加、144a、146a，分支部142b、144b、146b交替地延伸，第一上部電極142與第二上部電極144之間的最短距離、以及第二上部電極144與第三上部電極146之間的最短距離大致保持為一定。這樣，半導(dǎo)體層120中與第一上部電極142 和第二上部電極144之間對(duì)應(yīng)的區(qū)域、以及與第二上部電極144和第三上部電極146之間對(duì)應(yīng)的區(qū)域成為溝道區(qū)域。另外，在上述的半導(dǎo)體裝置100中設(shè)置有矩形狀的溝道區(qū)域，但在本實(shí)施方式的半導(dǎo)體裝置100A中，溝道區(qū)域呈曲折構(gòu)造。這樣，在TFT200A中，能夠使溝道寬度比較大，能夠?qū)崿F(xiàn)大的導(dǎo)通電流。接觸層132設(shè)置在半導(dǎo)體區(qū)域120a上，在接觸層132上設(shè)置有上部電極142。同樣地，接觸層136設(shè)置在半導(dǎo)體區(qū)域120b上，在接觸層136上設(shè)置有上部電極146。另外，接觸層134設(shè)置在半導(dǎo)體區(qū)域120a、120b上。接觸層134的區(qū)域13 從區(qū)域134b分離，接觸層134的區(qū)域13 設(shè)置在半導(dǎo)體區(qū)域120a上，接觸層134的區(qū)域134b 設(shè)置在半導(dǎo)體區(qū)域120b上。另外，上部電極144覆蓋接觸層134的區(qū)域13 和區(qū)域134b， 上部電極144還設(shè)置在接觸層134的區(qū)域13 與區(qū)域134b之間。因此，上部電極144與半導(dǎo)體層120直接接觸，具體而言，上部電極144與半導(dǎo)體區(qū)域120a和半導(dǎo)體區(qū)域120b直接接觸。因此，由在半導(dǎo)體層120的溝道區(qū)域流動(dòng)的大電流引起產(chǎn)生的熱，不僅從半導(dǎo)體層 120通過(guò)接觸層132、134、136和上部電極142、144、146向外部傳遞，還通過(guò)與半導(dǎo)體層120 的第一半導(dǎo)體區(qū)域120a和第二半導(dǎo)體區(qū)域120b直接接觸的第二上部電極144向外部傳遞。這樣，在半導(dǎo)體裝置100A中能夠縮短路徑長(zhǎng)度以使熱阻抗降低，有效地進(jìn)行散熱。半導(dǎo)體裝置100A優(yōu)選用于顯示裝置等的有源矩陣基板。(實(shí)施方式3)
以下，參照?qǐng)D6，對(duì)本發(fā)明的半導(dǎo)體裝置的第三實(shí)施方式進(jìn)行說(shuō)明。圖6(a)表示本實(shí)施方式的半導(dǎo)體裝置100B的示意性的俯視圖，圖6(b)表示沿圖6(a)的6b_6b’線的截面圖，圖6(c)表示沿圖6(a)的6c-6c’線的截面圖。另外，半導(dǎo)體裝置100B除了半導(dǎo)體層 120、接觸層130和上部電極140以外具有與半導(dǎo)體裝置100相同的結(jié)構(gòu)，為了避免冗長(zhǎng)而省略重復(fù)的說(shuō)明。在半導(dǎo)體裝置100B的TFT200B設(shè)置有4個(gè)上部電極142、144、146和148。另外， 在上述的半導(dǎo)體裝置100、100A中，上部電極142、144、146沿y方向排列，但在半導(dǎo)體裝置 100B中，上部電極142、144、146和148沿χ方向按照該順序以規(guī)定的間隔排列。上部電極 142、146是源極配線220的一部分，上部電極144、148是漏極配線230的一部分。源極配線 220和漏極配線230呈相互相對(duì)的梳形狀。另外，在半導(dǎo)體裝置100Β中，在半導(dǎo)體層120設(shè)置有狹縫120sl、120s2。狹縫 120sl設(shè)置在半導(dǎo)體層120中的與上部電極144重疊的部分，狹縫120s2設(shè)置在半導(dǎo)體層 120中與的上部電極146重疊的部分。狹縫120sl和120s2通過(guò)圖案化與島狀的半導(dǎo)體層 120的形成一起形成。在半導(dǎo)體裝置100B中，接觸層130具有接觸層132、134、136和138。上部電極 142、144、146和148各自的至少一部分分別設(shè)置在接觸層132、134、136和138上。接觸層134與半導(dǎo)體層120的狹縫120sl對(duì)應(yīng)并分離。接觸層134具有區(qū)域 134a、與區(qū)域13 分離的區(qū)域134b、將區(qū)域13 和區(qū)域134b聯(lián)絡(luò)的聯(lián)絡(luò)區(qū)域13如。區(qū)域 13 對(duì)應(yīng)于半導(dǎo)體層120中的相對(duì)于狹縫120sl在一個(gè)長(zhǎng)邊側(cè)與上部電極144重疊的區(qū)域，區(qū)域134b對(duì)應(yīng)于半導(dǎo)體層120中的相對(duì)于狹縫120sl在另一個(gè)長(zhǎng)邊側(cè)與上部電極144 重疊的區(qū)域，聯(lián)絡(luò)區(qū)域13 對(duì)應(yīng)于半導(dǎo)體層120中的在狹縫120sl的短邊側(cè)與上部電極 144重疊的區(qū)域。同樣地，接觸層136具有區(qū)域136a、與區(qū)域136a分離的區(qū)域136b、將區(qū)域136a和區(qū)域136b聯(lián)絡(luò)的聯(lián)絡(luò)區(qū)域136c。區(qū)域136a對(duì)應(yīng)于半導(dǎo)體層120中的相對(duì)于狹縫120s2 在一個(gè)長(zhǎng)邊側(cè)與上部電極146重疊的區(qū)域，區(qū)域136b對(duì)應(yīng)于半導(dǎo)體層120中的相對(duì)于狹縫120s2在另一個(gè)長(zhǎng)邊側(cè)與上部電極146重疊的區(qū)域，聯(lián)絡(luò)區(qū)域136c對(duì)應(yīng)于半導(dǎo)體層120 中的在狹縫120s2的短邊側(cè)與上部電極146重疊的區(qū)域。在與狹縫120sl、120s2對(duì)應(yīng)的部分，絕緣層104既沒(méi)有被半導(dǎo)體層120覆蓋也沒(méi)有被接觸層130覆蓋。上部電極144設(shè)置在接觸層134的區(qū)域13 與區(qū)域134b之間，上部電極144與半導(dǎo)體層120直接接觸。同樣地，上部電極146設(shè)置在接觸層136的區(qū)域136a與區(qū)域136b之間，上部電極146與半導(dǎo)體層120直接接觸。因此，由在半導(dǎo)體層120的溝道區(qū)域流動(dòng)的大電流引起產(chǎn)生的熱，不僅從半導(dǎo)體層120通過(guò)接觸層132、134、136和138以及上部電極142、144、146和148向外部傳遞，還通過(guò)與半導(dǎo)體層120直接接觸的第二上部電極144和第三上部電極146向外部傳遞。在半導(dǎo)體裝置100B中縮短路徑長(zhǎng)度以使熱阻抗降低，半導(dǎo)體裝置100B能夠有效地進(jìn)行散熱。半導(dǎo)體裝置100B優(yōu)選用于顯示裝置等的有源矩陣基板。(實(shí)施方式4) 在上述的說(shuō)明中，第一上部電極142與第三上部電極146直接連接，但本發(fā)明并不
限定于此。第一上部電極142也可以不與第三上部電極146直接連接。 以下，參照?qǐng)D7，對(duì)本發(fā)明的半導(dǎo)體裝置的第四實(shí)施方式進(jìn)行說(shuō)明。圖7(a)表示本實(shí)施方式的半導(dǎo)體裝置100C的示意性的俯視圖，圖7(b)表示沿圖7(a)的7b-7b’線的截面圖。另外，為了避免冗長(zhǎng)而省略與上述的說(shuō)明重復(fù)的說(shuō)明。在半導(dǎo)體裝置100C中，TFT200C具有雙柵極構(gòu)造，上部電極140具有3個(gè)上部電極 142、144、146。上部電極142、144、146按照該順序沿χ方向排列。在半導(dǎo)體裝置100C中， 上部電極142是源極配線220的一部分，上部電極146是漏極配線230的一部分。另外，在半導(dǎo)體裝置100C中對(duì)柵極配線210施加規(guī)定的電壓時(shí)，施加至源極配線220的電壓通過(guò)中間電極240被供給漏極配線230。因此，上部電極144也被稱(chēng)為中間電極MO。半導(dǎo)體層120具有半導(dǎo)體區(qū)域120a和與半導(dǎo)體區(qū)域120a分離的半導(dǎo)體區(qū)域 120b。接觸層132設(shè)置在半導(dǎo)體區(qū)域120a上，在接觸層132上設(shè)置有上部電極142。同樣地，接觸層136設(shè)置在半導(dǎo)體區(qū)域120b上，在接觸層136上設(shè)置有上部電極146。接觸層134設(shè)置在半導(dǎo)體區(qū)域120a、120b上。接觸層134的區(qū)域13 從區(qū)域134b 分離，接觸層134的區(qū)域13 設(shè)置在半導(dǎo)體區(qū)域120a上，接觸層134的區(qū)域134b設(shè)置在半導(dǎo)體區(qū)域120b上。另外，上部電極144覆蓋接觸層134的區(qū)域13 和區(qū)域134b，上部電極144還設(shè)置在接觸層134的區(qū)域13 與區(qū)域134b之間。因此，上部電極144與半導(dǎo)體層120的第一半導(dǎo)體區(qū)域120a和第二半導(dǎo)體區(qū)域120b直接接觸。在半導(dǎo)體裝置100C中，由在半導(dǎo)體層120的溝道區(qū)域流動(dòng)的大電流引起產(chǎn)生的熱，不僅從半導(dǎo)體層120通過(guò)接觸層132、134、136和上部電極142、144、146向外部傳遞，還通過(guò)與半導(dǎo)體層120的第一半導(dǎo)體區(qū)域120a和第二半導(dǎo)體區(qū)域120b直接接觸的第二上部電極144向外部傳遞。這樣，在半導(dǎo)體裝置100C中縮短路徑長(zhǎng)度以使熱阻抗降低，能夠有效地進(jìn)行散熱。這種半導(dǎo)體裝置100C優(yōu)選用于顯示裝置等的有源矩陣基板。另外，上述的TFT200C為雙柵極構(gòu)造，但本發(fā)明并不限定于此。TFT200C可以是三柵極構(gòu)造，TFT200C也可以是其他多柵極構(gòu)。(實(shí)施方式5)在上述的說(shuō)明中，半導(dǎo)體層120通過(guò)接觸層130與上部電極140電連接，但本發(fā)明并不限定于此。半導(dǎo)體層也可以不通過(guò)接觸層與上部電極電連接。以下，參照?qǐng)D8，對(duì)本發(fā)明的半導(dǎo)體裝置的第五實(shí)施方式進(jìn)行說(shuō)明。圖8(a)表示本實(shí)施方式的半導(dǎo)體裝置100D的示意性的俯視圖，圖8(b)表示沿圖8(a)的8b_8b’線的截面圖。另外，為了避免冗長(zhǎng)而省略與上述的說(shuō)明重復(fù)的說(shuō)明。在半導(dǎo)體裝置100D中，上部電極140具有3個(gè)上部電極142、144、146。上部電極 142、144、146按照該順序沿y方向排列。在半導(dǎo)體裝置100D中，上部電極144是源極配線 220的一部分，上部電極142、146是漏極配線230的一部分。另外，在半導(dǎo)體裝置100D中對(duì)柵極配線210施加規(guī)定的電壓時(shí)，施加至上部電極144的電壓通過(guò)半導(dǎo)體層120的溝道區(qū)域被供給上部電極142、146。半導(dǎo)體層120例如由硅形成，具體而言，由多晶硅膜形成?；蛘?，半導(dǎo)體層120也可以由氧化物半導(dǎo)體形成。半導(dǎo)體層120中在與上部電極140重疊的區(qū)域被導(dǎo)入有雜質(zhì)元素。半導(dǎo)體層120具有半導(dǎo)體區(qū)域120a和與半導(dǎo)體區(qū)域120a分離的半導(dǎo)體區(qū)域120b。上部電極142設(shè)置在半導(dǎo)體區(qū)域120a上，上部電極146設(shè)置在半導(dǎo)體區(qū)域120b 上。另外，上部電極144覆蓋半導(dǎo)體層120的第一半導(dǎo)體區(qū)域120a與第二半導(dǎo)體區(qū)域120b 之間的區(qū)域，上部電極144的至少一部分還設(shè)置在半導(dǎo)體層120的第一半導(dǎo)體區(qū)域120a與第二半導(dǎo)體區(qū)域120b之間。在半導(dǎo)體裝置100D中，由在半導(dǎo)體層120的溝道區(qū)域流動(dòng)的大電流引起產(chǎn)生的熱，不僅向半導(dǎo)體層120的厚度方向傳遞從半導(dǎo)體層120通過(guò)上部電極142、144、146向外部傳遞，還沿半導(dǎo)體層120的平面方向傳遞通過(guò)與半導(dǎo)體層120的第一半導(dǎo)體區(qū)域120a和第二半導(dǎo)體區(qū)域120b直接接觸的第二上部電極144向外部傳遞。這樣，通過(guò)在半導(dǎo)體裝置 100D中形成進(jìn)一步的散熱路徑，能夠抑制熱引起的TFT200D的特性的劣化。這樣的半導(dǎo)體裝置100D優(yōu)選用于顯示裝置等的有源矩陣基板。另外，在上述的說(shuō)明中，在半導(dǎo)體裝置100D中，上部電極142、146是漏極配線230 的一部分，上部電極144是源極配線220的一部分，但本發(fā)明并不限定于此。也可以上部電極142、146是源極配線的一部分，上部電極144是漏極配線的一部分?；蛘撸部梢陨喜侩姌O142是源極配線的一部分，上部電極146是漏極配線的一部分，上部電極144是中間電極。另外，為了參考，在本說(shuō)明書(shū)中引用作為本申請(qǐng)的基礎(chǔ)申請(qǐng)的專(zhuān)利申請(qǐng) 2009-23776號(hào)的公開(kāi)內(nèi)容。產(chǎn)業(yè)上的可利用性優(yōu)選使用本發(fā)明的半導(dǎo)體裝置，制作單片化基板的驅(qū)動(dòng)器。另外，本發(fā)明的半導(dǎo)體裝置優(yōu)選用于有機(jī)EL用的有源矩陣基板。
0099]符號(hào)說(shuō)明0100]100半導(dǎo)體裝置0101]110下部電極0102]120半導(dǎo)體層0103]120a第—-半導(dǎo)體區(qū)域0104]120b第二半導(dǎo)體區(qū)域0105]130接觸層0106]132第—-接觸層0107]134第二接觸層0108]134a第—-區(qū)域0109]134b第二區(qū)域0110]136第三接觸層0111]140上部電極0112]142第—-上部電極0113]144第二上部電極0114]146第三上部電極0115]200TFT
權(quán)利要求
1.一種半導(dǎo)體裝置，其特征在于，包括 下部電極；覆蓋所述下部電極的絕緣層； 設(shè)置在所述絕緣層上的半導(dǎo)體層；接觸層，該接觸層具有各自的至少一部分與所述半導(dǎo)體層重疊的第一接觸層、第二接觸層和第三接觸層；和上部電極，該上部電極具有至少一部分與所述第一接觸層重疊的第一上部電極、至少一部分與所述第二接觸層重疊的第二上部電極、和至少一部分與所述第三接觸層重疊的第三上部電極，所述第二上部電極位于所述第一上部電極與所述第三上部電極之間， 所述第二接觸層具有第一區(qū)域和與所述第一區(qū)域分離的第二區(qū)域， 所述第二上部電極在所述第二接觸層的所述第一區(qū)域與所述第二區(qū)域之間的區(qū)域中與所述半導(dǎo)體層直接接觸。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體裝置，其特征在于所述半導(dǎo)體層具有第一半導(dǎo)體區(qū)域和與所述第一半導(dǎo)體區(qū)域分離的第二半導(dǎo)體區(qū)域， 所述第二上部電極的至少一部分設(shè)置在所述第一半導(dǎo)體區(qū)域與所述第二半導(dǎo)體區(qū)域之間的區(qū)域。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的半導(dǎo)體裝置，其特征在于所述第一接觸層和所述第二接觸層的一部分與所述第一半導(dǎo)體區(qū)域重疊，所述第二接觸層的另一部分和所述第三接觸層與所述第二半導(dǎo)體區(qū)域重疊。
4.根據(jù)權(quán)利要求1 3中任一項(xiàng)所述的半導(dǎo)體裝置，其特征在于 所述第二上部電極的熱傳導(dǎo)率比所述接觸層的熱傳導(dǎo)率高。
5.根據(jù)權(quán)利要求1 4中任一項(xiàng)所述的半導(dǎo)體裝置，其特征在于 所述半導(dǎo)體層包含微晶硅膜或者非晶硅膜。
6.根據(jù)權(quán)利要求1 5中任一項(xiàng)所述的半導(dǎo)體裝置，其特征在于 所述接觸層包含導(dǎo)入有雜質(zhì)元素的硅層。
7.一種半導(dǎo)體裝置，其特征在于，包括 下部電極；覆蓋所述下部電極的絕緣層； 設(shè)置在所述絕緣層上的半導(dǎo)體層；和上部電極，該上部電極具有各自的至少一部分與所述半導(dǎo)體層重疊的第一上部電極、 第二上部電極和第三上部電極，所述第二上部電極位于所述第一上部電極與所述第三上部電極之間，所述半導(dǎo)體層具有第一半導(dǎo)體區(qū)域和與所述第一半導(dǎo)體區(qū)域分離的第二半導(dǎo)體區(qū)域， 所述第二上部電極的至少一部分設(shè)置在所述第一半導(dǎo)體區(qū)域與所述第二半導(dǎo)體區(qū)域之間。
8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的半導(dǎo)體裝置，其特征在于 所述半導(dǎo)體層包含多晶硅膜。
9.根據(jù)權(quán)利要求7所述的半導(dǎo)體裝置，其特征在于 所述半導(dǎo)體層包含氧化物半導(dǎo)體膜。
10.根據(jù)權(quán)利要求1 9中任一項(xiàng)所述的半導(dǎo)體裝置，其特征在于所述第二上部電極具有與所述第一上部電極相對(duì)的第一側(cè)方區(qū)域、與所述第三上部電極相對(duì)的第二側(cè)方區(qū)域、和位于所述第一側(cè)方區(qū)域與所述第二側(cè)方區(qū)域之間的中央?yún)^(qū)域，所述第二上部電極的所述中央?yún)^(qū)域與所述半導(dǎo)體層直接接觸。
11.根據(jù)權(quán)利要求1 10中任一項(xiàng)所述的半導(dǎo)體裝置，其特征在于 所述第二上部電極與所述絕緣層接觸。
12.根據(jù)權(quán)利要求1 11中任一項(xiàng)所述的半導(dǎo)體裝置，其特征在于 所述第一上部電極與所述第三上部電極直接連接。
13.根據(jù)權(quán)利要求12所述的半導(dǎo)體裝置，其特征在于所述第一上部電極和所述第三上部電極是源極配線和漏極配線的一個(gè)的一部分， 所述第二上部電極是所述源極配線和所述漏極配線的另一個(gè)的一部分。
14.根據(jù)權(quán)利要求1 11中任一項(xiàng)所述的半導(dǎo)體裝置，其特征在于 所述第一上部電極不與所述第三上部電極直接連接。
15.根據(jù)權(quán)利要求14所述的半導(dǎo)體裝置，其特征在于 所述第一上部電極是源極配線和漏極配線的一個(gè)的一部分， 所述第二上部電極是中間電極，所述第三上部電極是所述源極配線和所述漏極配線的另一個(gè)的一部分。
全文摘要
本發(fā)明的半導(dǎo)體裝置包括下部電極(110)；具有與半導(dǎo)體層(120)重疊的第一接觸層(132)、第二接觸層(134)和第三接觸層(136)的接觸層(130)；和具有第一上部電極(142)、第二上部電極(144)和第三上部電極(146)的上部電極(140)。第二接觸層(134)具有第一區(qū)域(134a)和與第一區(qū)域(134a)分離的第二區(qū)域(134b)，第二上部電極(144)在第二接觸層(134)的第一區(qū)域(134a)與第二區(qū)域(134b)之間的區(qū)域與半導(dǎo)體層(120)直接接觸。
文檔編號(hào)H01L29/786GK102308389SQ20108000670
公開(kāi)日2012年1月4日 申請(qǐng)日期2010年1月29日 優(yōu)先權(quán)日2009年2月4日
發(fā)明者守口正生, 高西雄大 申請(qǐng)人:夏普株式會(huì)社