專利名稱：電致發(fā)光器件的制作方法
技術領域：
本發(fā)明涉及一種電致發(fā)光器件，該電致發(fā)光器件包括襯底和襯底之上的襯底電極、反電極以及設置在襯底電極與反電極之間的具有至少一個有機電致發(fā)光層的電致發(fā)光疊層，其中至少一個電分流(Shunt)裝置施加到襯底電極之上以便改進襯底電極上的電流分布。而且，本發(fā)明針對一種用于通過電分流裝置對電致發(fā)光器件的襯底電極分流的方法。
背景技術：
在W02009/001M1A1中，描述了一種有機發(fā)光二極管(0LED)。該電致發(fā)光器件包括具有襯底電極以及多個相互隔開的電分流裝置的襯底，每個電分流裝置與襯底電極直接電接觸。而且，電致發(fā)光疊層在襯底電極之上提供，并且反電極設置在電致發(fā)光疊層之上。 蓋附接到襯底以便密封地將電致發(fā)光疊層封閉在蓋與襯底之間，因此，所述蓋形成封裝裝置。該電致發(fā)光器件進一步包括多個絕緣隔離物結構，每個絕緣隔離物結構設置在蓋與襯底之間與電分流裝置相應的位置中。這些電分流裝置是導電結構，其被提供與所述襯底電極直接電接觸，以便使得跨電致發(fā)光器件區(qū)域的電流分布在操作期間更加均勻。這些電分流裝置被公開為可以形成柵格的金屬條紋(stripe)。為了將所述電分流裝置施加到襯底電極上，公開了不同的制造工藝，這些制造工藝通常基于材料沉積技術。例如，可以利用使用足夠厚(>30Mffl)的抗蝕劑層的絲網(wǎng)印刷或光刻術?？商鎿Q地，可以應用有時也稱為“固體噴墨印刷”的熱熔噴墨印刷。 當使用熱熔噴墨印刷時，印刷圖案應當是輪廓分明的，并且結構應當具有例如30Mm與70Mm 之間的適當高度以及與表面具有接觸角的平滑淺邊緣，在所述表面上印刷大約60°或更小的隔離物結構。遺憾的是，用于在襯底電極表面上制造所述電分流裝置的材料沉積技術或材料印刷技術的應用導致不同的問題。所述制造技術的應用基本上是費力且昂貴的。

發(fā)明內(nèi)容
因此，本發(fā)明的目的是消除上面提到的缺點。特別地，本發(fā)明的目的是公開改進的將電分流裝置施加到襯底電極表面上。這個目的是通過如本發(fā)明權利要求1教導的電致發(fā)光器件來實現(xiàn)的。再者，這個目的是通過如本發(fā)明權利要求14教導的方法來實現(xiàn)的。從屬權利要求中限定了該電致發(fā)光器件和方法的有利實施例。關于該電致發(fā)光器件所描述的特征和細節(jié)也適用于所述方法，反之亦然。本發(fā)明公開了一種電分流裝置，其被選擇為導線、金屬條紋或箔的組的至少一個元件，其中所述電分流裝置通過完全覆蓋該電分流裝置的保護裝置固定到襯底電極，所述保護裝置具有適合防止在襯底電極上出現(xiàn)陰影邊緣(shadowing edge)的形狀。本發(fā)明的主導思想是使用導線、金屬條紋或箔作為單個導電元件，其隨后施加到襯底電極表面上并且形成電分流裝置。該導線可以以數(shù)微米直到數(shù)百微米的直徑為特征，其中在本發(fā)明的范圍內(nèi)，導線的直徑不受限制。將電分流裝置施加到襯底電極表面上導致襯底電極橫向延伸上改進的電流分布。在將襯底電極材料沉積到作為載體的襯底材料上時，目標是施加低厚度的襯底電極，以便增大有機電致發(fā)光層產(chǎn)生的發(fā)射的光的量。遺憾的是，襯底電極內(nèi)的電阻隨著厚度的減小而增大，并且因此從襯底電極邊緣到中間的電壓降在操作期間變得更大，結果，電流分布和亮度是不均勻的。為了克服這個缺點，施加電分流裝置，其主要在襯底電極的外部或邊界區(qū)域與襯底電極的內(nèi)部區(qū)域之間形成具有小的電阻率的電連接，從而允許在襯底電極的區(qū)域上形成更均勻的電流分布。通過跨襯底電極的所述電分流裝置互連的每個電接觸點即使在操作時也處于幾乎相同的電位。因此，整個區(qū)域上發(fā)射的光的視亮度更加均勻。在本發(fā)明的總體思想中，可以將單個的導電元件施加到襯底電極上，從而形成電分流裝置。這些單個的導電元件可以實現(xiàn)為像導線、電纜、金屬條紋或箔那樣的簡單元件，其放置在襯底電極表面上并且其分別電接觸襯底電極。這些單個的導電元件基本上不通過沉積技術來制造，并且電分流裝置的制造不基于絲網(wǎng)印刷或光刻技術。而且，分流裝置的制造不基于也稱為固體噴墨印刷的熱熔噴墨印刷。為了克服在襯底電極上出現(xiàn)陰影邊緣，導致在分別對電致發(fā)光疊層和反電極分層中的問題的缺點，形成電分流裝置的單個的導電元件通過完全覆蓋電分流裝置的保護裝置固定到襯底電極。該保護裝置以適合防止在襯底電極上出現(xiàn)陰影邊緣的形狀為特征。而且， 該保護裝置完全覆蓋電分流裝置，具有以由所述導電元件形成的分流裝置與襯底電極的其余表面之間的平滑過渡為特征的形狀。在本發(fā)明的上下文中，概念電致發(fā)光(EL)疊層指的是在襯底電極與反電極之間制備的所有層。在電致發(fā)光疊層的一個實施例中，它包括至少一個在襯底與反電極之間制備的發(fā)光有機電致發(fā)光層。在其他實施例中，這些疊層可以包括在襯底與反電極之間制備的若干層。這些若干層可以是有機層，例如一個或多個空穴傳輸層、電子阻擋層、電子傳輸層、 空穴阻擋層、發(fā)射層或者有機層和非有機層的組合。在電荷注入層和/或疊層內(nèi)的兩個或更多發(fā)光層的情況下，非有機層可以是附加的電極。在一個優(yōu)選的實施例中，襯底電極和/ 或反電極包括至少一種以下材料ΙΤ0，鋁，銀，摻雜的&10，氧化物層。在本發(fā)明的上下文中，概念襯底材料指的是基底材料，電致發(fā)光器件的不同層沉積在該材料上。通常，襯底是透明的并且由玻璃制成。此外，可能優(yōu)選的是，襯底是透明的， 優(yōu)選地包括至少一種以下材料銀，金，玻璃或陶瓷。它也可以由透明聚合物片或箔制成，具有基本上防止?jié)駳夂?或氧氣進入電致發(fā)光器件疊層的適當濕氣和氧氣屏障。也可能使用像金屬箔那樣的不透明材料作為襯底。襯底可以包括另外的層，例如用于像光外耦合增強那樣的光學目的或者其他目的。襯底通常是平坦的，但是它也可以定形為希望的任何三維形狀。在本發(fā)明的上下文中，概念襯底電極指的是沉積到襯底之上的電極。通常，它包含透明ITO (氧化銦錫)，可選地具有SiA或SiO的底部涂層以便抑制活動原子或離子從玻璃擴散進入電極中。對于具有ITO電極的玻璃襯底，ITO通常為陽極，但是在特殊的情況下， 它也可以用作陰極。在一些情況下，薄的Ag或Au層(8-15nm厚)單獨地或者與ITO組合地用作襯底電極。如果金屬箔用作襯底，那么它也起著襯底電極的作用，作為陽極或陰極。概念之上表示列出的層的順序。該概念明確地包括另外的層介于表示為在彼此之上的層之間的可能性。例如，可能存在設置在襯底電極與襯底之間的增強光的外耦合的附加光學層。在本發(fā)明的上下文中，概念反電極指的是遠離襯底的電極。它通常是不透明的且由足夠厚的Al或Ag層制成，使得該電極是反射的(典型地，對于Al為lOOnm，對于Ag為 100-200nm)o它通常為陰極，但是它也可以偏置作為陽極。對于頂部發(fā)射或透明電致發(fā)光器件而言，反電極必須是透明的。透明反電極由沉積在其他先前沉積的層之上的ITO層或者薄的Ag或Al層(5-15nm)制成。在本發(fā)明的上下文中，具有透明襯底、透明襯底電極和不透明反電極(通常是反射的)的組合的、通過襯底發(fā)射光的電致發(fā)光器件稱為“底部發(fā)射”。在電致發(fā)光器件包括另外的電極的情況下，在特定實施例中，當內(nèi)部電極作為陰極或陽極而被驅(qū)動時，襯底電極和反電極二者可以均為陽極或者均為陰極。此外，在本發(fā)明的上下文中，具有不透明襯底電極和透明反電極的組合的、通過反電極發(fā)射光的電致發(fā)光器件稱為“頂部發(fā)射”。在本發(fā)明的上下文中，概念透明電致發(fā)光器件指的是其中襯底、襯底電極、反電極和封裝裝置透明的電致發(fā)光器件。在這里，電致發(fā)光器件為底部發(fā)射的和頂部發(fā)射的。在本發(fā)明的上下文中，如果可見光范圍內(nèi)的光的透射超過50% ；其余被吸收或反射，則稱層、 襯底或電極是透明的。此外，在本發(fā)明的上下文中，如果可見光范圍內(nèi)的光的透射介于10% 與50%之間；其余被吸收或反射，則稱層、襯底或電極是半透明的。另外，在本發(fā)明的上下文中，當光具有450nm與650nm之間的波長時，該光稱為可見光。在本發(fā)明的上下文中，當光由電致發(fā)光器件的有機電致發(fā)光層發(fā)射時，該光稱為人造光。此外，在本發(fā)明的上下文中，電致發(fā)光器件的層、連接器或構造元件在其電阻小于 100000歐姆的情況下被稱為導電的。在本發(fā)明的上下文中，無源電子部件包括電阻器、電容器和感應率。此外，在本發(fā)明的上下文中，有源電子部件包括二極管、晶體管和所有類型的集成電路。在本發(fā)明的上下文中，電致發(fā)光器件的層、襯底、電極或構造元件在入射到其界面上的光依照反射定律返回(宏觀入射角等于宏觀反射角)的情況下被稱為反射的。此外，術語鏡面反射用于這種情況。此外，在本發(fā)明的上下文中，電致發(fā)光器件的層、襯底、電極或構造元件在入射到其上的光不依照反射定律返回(宏觀入射角不等于宏觀的返回光角度)的情況下被稱為散射的。對于返回的光，也存在角度分布。代替散射的是，也使用術語漫反射。在其優(yōu)選的實施例中，所述保護裝置實現(xiàn)為導電保護裝置，其中所述保護裝置優(yōu)選地包括導電膠。電分流裝置可以嵌入到保護裝置內(nèi)，并且分流裝置與襯底電極之間的電接觸通過沿著由導電元件形成的分流裝置的整個長度的導電膠形成。當將分流裝置施加到襯底電極上并且導電膠將分流裝置嵌入時，導電膠尤其是由于毛細作用而沿著分流裝置形成平坦的蓋狀物裝置。導電膠用作保護裝置導致由單個導電元件形成的分流裝置的簡單施加，并且分流裝置的機械布置，包括分流裝置與襯底電極二者的電接觸，通過所述導電膠的施加而實現(xiàn)。在一個優(yōu)選的實施例中，導電膠包括基質(zhì)和填料。優(yōu)選地，導電膠包括作為基質(zhì)的有機材料以及作為填料的無機材料。在一個實施例中，導電膠可以包括至少一種以下基質(zhì) 環(huán)氧樹脂，聚氨酯或硅樹脂。填料和/或基質(zhì)必須導電以便將電流從電源傳導到反電極。因此，優(yōu)選的是，導電膠和/或填料包括導電薄片(flake)或顆粒。填料顆粒必須具有低電阻、穩(wěn)定性和耐久性。因此，優(yōu)選的是，填料包括以下項的薄片或顆粒銀，金，鎳，鉬，銅，鈀和/或其他金屬或其他非金屬，比如碳，玻璃碳，石墨，碳納米管，摻雜的ai0，Sn0， 導電氮化物，導電硼化物，金屬覆蓋玻璃或塑料珠，金屬覆蓋玻璃或塑料空心珠或者覆蓋有銅、金或銀的金屬或石墨顆粒。在一個優(yōu)選的實施例中，導電膠是無水的和/或不含水的。在本發(fā)明的上下文中， 概念不含水和/或無水描述了以下事實肉眼不能觀察到由于電致發(fā)光器件的平均壽命期間的水含量而引起的退化。由于水擴散到疊層中而引起的有機電致發(fā)光層的可見退化可能采取生長黑斑或者從邊緣收縮發(fā)射區(qū)的形式。概念不含水和/或無水不僅取決于導電膠本身，而且取決于可以由有機電致發(fā)光層吸收而不損壞它的水量。在另一優(yōu)選的實施例中，電致發(fā)光器件可以包括濕氣和/或氧氣屏障。在本發(fā)明的上下文中，防止?jié)駳夂?或氧氣有害地擴散到疊層中的層稱為濕氣和/或氧氣屏障。如果可以觀察到發(fā)射的光的顯著的壽命縮短，那么擴散意味著有害。依照最新發(fā)展水平的標準OLED器件實現(xiàn)大約100000小時或更多的貨架壽命。顯著的縮短意味著大約2倍或更多的壽命縮短。依照本發(fā)明的另一個實施例，每個電分流裝置通過至少兩個電連接裝置固定到襯底電極，其中所述電連接裝置優(yōu)選地被設置成被保護裝置完全覆蓋并且其中依照該實施例的所述保護裝置優(yōu)選地實現(xiàn)為非導電保護裝置。電連接裝置形成單個接觸點，所述接觸點可以形成單個導電元件的端柱，或者電連接裝置沿著電分流裝置的縱向延伸形成多個電接觸柱。當保護裝置實現(xiàn)為非導電保護裝置時，避免了電分流裝置與反電極之間短路的風險。 而且，分流裝置與襯底電極之間的電連接限于形成接觸柱的電連接裝置。非導電保護裝置可以包括非導電膠，形成導電膠的可替換方案，所述導電膠形成導電保護裝置，并且僅當保護裝置非導電時，所述電連接裝置對于使分流裝置接觸襯底電極才是必要的。依照本發(fā)明的另一個優(yōu)選的實施例，電連接裝置是導電膠、導電樹脂和/或?qū)щ娖岬慕M的至少一個元件。這些列舉的制劑可以容易地施加到所述電分流裝置上，從而形成液滴形式的接觸柱，其中在施加所述制劑之后，開始隨后的固化。取決于電連接裝置的制劑的行為，可以在施加了連接裝置之后直接施加由非導電膠制成的所述保護裝置，并且連接裝置和所述保護裝置二者的固化可以同時發(fā)生。作為另一個實施例，施加到電分流裝置的電連接裝置可以形成電連接裝置的對稱陣列，其中該陣列優(yōu)選地實現(xiàn)為六角形陣列。該陣列可以形成一種矩陣，并且電連接裝置的布置可以跨電致發(fā)光器件的整個發(fā)射場延伸。在電連接裝置之間，所述分流裝置形成電連接線。所述電連接裝置可以以水平線和豎直列設置，但是有利的是，電分流裝置以六角形方式形成陣列。這導致這樣的優(yōu)點當該陣列實現(xiàn)為六角形陣列時，對于人眼的可見性降低。 遺憾的是，所述電連接裝置可能導致電致發(fā)光器件發(fā)射場內(nèi)的暗區(qū)，并且因而當以六角形陣列設置電連接裝置時，所述暗區(qū)的可見性降低。依照又一個實施例，至少一個電接觸裝置被設置用于使反電極電接觸電源，其中非導電保護裝置被設置成至少完全地覆蓋接觸裝置之下的區(qū)域，并且其中所述電接觸裝置優(yōu)選地以導電膠為特征。這導致以下優(yōu)點提供了具有最小短路風險的三維接觸模式。通過使用導電膠作為接觸裝置而實現(xiàn)的另一優(yōu)點在于，可以使用具有僅僅一個緊鄰的電極的襯底，該電極用作用于電致發(fā)光器件的襯底電極。在已知的OLED中，襯底上的電極至少結構化成兩個電分離的區(qū)域一個用作襯底電極并且另一個連接到反電極。因此，襯底和反電極二者在一個平面內(nèi)通往襯底的邊沿，在那里它們可以通過標準的裝置接觸。 該2維接觸方案的缺點在于，襯底電極以及反電極必須共享OLED的外圍以便接觸，從而襯底上的電極需要劃分成至少兩個分開的區(qū)域(襯底電極和要與反電極接觸的第二電極)以避免使器件短路。所公開的3維接觸消除了 2維接觸的這個嚴重缺點。至少完全地覆蓋接觸裝置之下的區(qū)域的非導電保護裝置的布置導致以下優(yōu)點避免了在將膠設置在反電極上期間襯底電極與反電極之間的短路。如果不希望對膠的類型進行限制，并且如果不能使得反電極更厚，那么將所述非導電保護裝置施加到襯底電極以便防止由于導電膠而引起的可能的短路。至少一個保護裝置的使用使得電致發(fā)光器件對于導電膠的特定性質(zhì)完全不敏感。因此，所有已知的導電膠都可以用于使反電極接觸電源。保護裝置必須覆蓋其中將接觸裝置施加到反電極的整個區(qū)域，因為這可能是短路的來源，但是它也可以大于接觸裝置的區(qū)域。為了防止反電極與襯底電極直接接觸，優(yōu)選的是，保護裝置具有一定厚度和/或硬度，其確保接觸裝置不可能與襯底電極電接觸。為了實現(xiàn)這個目的，保護裝置可以包括非導電膠和/或光致抗蝕劑和/或漆和/或涂料和/或由重熔玻璃粉制成的玻璃層。保護裝置也可以包括像陽極氧化鋁那樣的氧化金屬層。本領域技術人員可以在本發(fā)明的范圍內(nèi)選擇其他的非導電材料。保護裝置必須具有一方面確保其非導電的性質(zhì)。此外，它必須足夠厚和/或硬以便將襯底電極與接觸裝置屏蔽開來。精確的厚度和硬度取決于接觸裝置施加的實際壓力， 但是典型地1-100微米的厚度是足夠的。希望的保護已經(jīng)利用1.5微米厚度的光致抗蝕劑層以及利用10-200微米厚度的非導電膠層實現(xiàn)，但是也可以使用更厚的層。此外，必須確保保護裝置既不損壞襯底電極、有機電致發(fā)光層，也不損壞反電極。在其優(yōu)選的實施例中， 保護裝置包括非導電膠。此外，優(yōu)選的是，保護裝置的非導電膠是無水的和/或不含水的。 此外，優(yōu)選的是，保護裝置的非導電膠是無水的和/或不含水的。有利的是，電致發(fā)光器件以封裝裝置為特征，該封裝裝置被設置用于至少封裝所述電致發(fā)光疊層，其中電接觸裝置優(yōu)選地設置在所述封裝裝置與反電極之間以便使反電極電接觸封裝裝置。當封裝裝置頂部導電時，電接觸裝置由封裝裝置頂部供應電流。在這種情況下，封裝裝置側面可以是絕緣的，以便確保襯底電極與反電極之間的電絕緣。當封裝裝置側面是導電的并且接觸襯底電極時，可以使電接觸裝置接觸導電封裝裝置頂部中的電絕緣饋通。在封裝裝置的非導電頂部的情況下，可替換地可以應用簡單的導電饋通。封裝裝置也可以封裝電致發(fā)光器件的整個疊層或者僅僅形成整個疊層一部分的多個層。優(yōu)選地，將封裝裝置作為氣密元件而提供，其覆蓋至少有機電致發(fā)光層和反電極。 通過使用氣密封裝裝置，防止了像水或氧氣那樣的環(huán)境因素損壞封裝的層。封裝裝置可以形成氣密蓋。該蓋可以由玻璃或金屬形成。也可能通過提供給電致發(fā)光器件或者僅僅其部分的一個或多個層而形成封裝裝置。這些層可以包括硅樹脂、硅氧化物、硅氮化物、氧化鋁或硅氮氧化物。所有列舉的封裝裝置防止機械和/或環(huán)境因素不利地影響電致發(fā)光器件的疊層。作為一個實例，封裝裝置可以由金屬、玻璃、陶瓷或者這些的組合制成。它通過導電膠或非導電膠、熔化玻璃粉或者金屬焊料附接到襯底。因此，它也可以為電致發(fā)光器件提供機械穩(wěn)定性，其中所述層與封裝裝置之間施加的膠的至少若干部分是導電的，以便接觸反電極。優(yōu)選地，電分流裝置包括優(yōu)選地由銅、金和/或銀合金制成的金屬導線、金屬條紋或金屬箔，其中所述金屬條紋或所述金屬箔優(yōu)選地通過管芯切割(die-cutting)而制成。形成電分流裝置的合金可以選自本領域技術人員已知的用于電導體的合金。當所述導電元件通過管芯切割而制造時，尤其是當分流裝置以柵格形式設置并且整個柵格可以通過僅僅數(shù)個管芯沖程(die stroke)或者特別地僅僅一個沖程完成時，可以應用形成分流裝置的廉價的批量生產(chǎn)技術。依照另一個有利的實施例，保護裝置包括至少一個用于散射由有機電致發(fā)光層產(chǎn)生的光的散射裝置，其中散射裝置優(yōu)選地嵌入、溶解和/或包含于保護裝置和/或電連接裝置內(nèi)。如所公開的，保護裝置可以包括非導電膠。該非導電膠可以是透明的、不透明的或者包括散射性質(zhì)。取決于用于保護裝置的材料，實驗表明，施加保護裝置的區(qū)域在電致發(fā)光器件的正常操作期間可能看起來是暗的，因為從反電極或襯底電極到電致發(fā)光疊層的電荷注入被阻擋。因此，另一個優(yōu)選的實施例的特征在于，保護裝置包括至少一個用于散射由有機電致發(fā)光層產(chǎn)生的光的散射裝置；優(yōu)選地，散射裝置嵌入到保護裝置內(nèi)。該散射裝置散射和或反射由襯底引導的人造光的一部分。這導致別的情況下非發(fā)射的區(qū)域的增亮。由于襯底經(jīng)常充當一種光導，因而保護裝置的散射裝置使得該光能夠散射和反射出電致發(fā)光器件。 散射裝置可以由嵌入到保護裝置內(nèi)的多個色素和/或薄片形成。該色素和/或薄片可以例如包括鋁，云母效應色素，二氧化鈦顆?；蛘弑绢I域技術人員已知的散射和/或反射有機電致發(fā)光器件的人造光的其他薄片或顆粒。為了在電致發(fā)光器件操作時跨反電極的區(qū)域?qū)崿F(xiàn)電壓的均勻分布，優(yōu)選的是，將多個接觸裝置施加到反電極。通過使用若干接觸裝置，實現(xiàn)的電壓分布更加均勻。由于接觸裝置由導電膠形成，因而容易將多個接觸裝置(例如導電膠滴)施加到反電極。這些導電膠滴可以與封裝裝置直接接觸。因此，為了將電致發(fā)光器件連接到電源，只需將封裝裝置連接到電源。封裝裝置最可能具有比反電極的電阻小若干數(shù)量級的電阻。因此，所有的接觸裝置將連接到相同的電位。這導致到有機電致發(fā)光層的電壓和電流的均勻分布并且導致有機電致發(fā)光層均勻地產(chǎn)生人造光。施加到反電極的接觸裝置的數(shù)量一方面取決于反電極的電阻并且另一方面取決于反電極的尺寸。對于已知的電致發(fā)光器件而言，已經(jīng)證明優(yōu)選的是，將以下數(shù)量的接觸裝置施加到反電極2，4，5，8，16或32。在另一個優(yōu)選的實施例中，反電極被結構化成多個電斷開的反電極段，其中每個反電極段包括至少一個接觸裝置。如上面所描述的，存在如何將每個反電極段的接觸裝置連接到電源的多個實施例。在另一個優(yōu)選的實施例中，保護裝置被著色。這可以通過對保護裝置本身著色或者通過將彩色色素施加到保護裝置而完成。依照本發(fā)明的又一個實施例，保護裝置以特定空間幾何結構為特征，導致有機電致發(fā)光層產(chǎn)生的光的改進的外耦合。所述特定空間幾何結構可以在由導電膠制成并且優(yōu)選地由非導電膠制成的保護裝置內(nèi)例如通過特殊膠施加工具形成，該膠施加工具導致形成保護裝置并且封裝分流裝置的膠的預定形狀。依照由保護裝置形成的優(yōu)選的特定空間幾何結構，保護裝置包括形成所述特定空間幾何結構并且導致有機電致發(fā)光層產(chǎn)生的光的改進的外耦合的光學外耦合主體，其中所述光學外耦合主體優(yōu)選地由光學透明材料制成，該光學透明材料以與襯底的折射率近乎相等或者比襯底的折射率更高的折射率為特征。所述光學外耦合主體可以通過由膠形成的保護裝置完全地嵌入。通過根據(jù)襯底材料的折射率調(diào)整光學外耦合主體的光學折射率，由有機電致發(fā)光層產(chǎn)生的光的外耦合效應可以由于所述光學外耦合主體與所述襯底材料之間的最優(yōu)化光學渡越而最大化。依照又一個實施例，可以將所述電分流裝置設置在襯底電極表面上，其中所述光學外耦合主體以這樣的方式覆蓋電分流裝置，使得電分流裝置的布置三明治狀地在所述襯底電極與所述光學外耦合主體之間實現(xiàn)。因此，可以通過以高折射率為特征的光學透明膠將光學外耦合主體膠合到襯底電極，所述高折射率優(yōu)選地匹配襯底的折射率。光學外耦合主體與襯底之間的膠可以不同于嵌入所述光學外耦合主體的保護裝置的膠。所述光學外耦合主體的截面可以形成為矩形、三角形、棱形、拋物形、半圓形或者橢圓形，并且其中光學外耦合主體優(yōu)選地通過注射成型工藝制造。而且，所述光學外耦合主體可以以柵格結構為特征，該柵格結構優(yōu)選地實現(xiàn)為施加到襯底電極上的矩形柵格、六角形柵格或者不規(guī)則柵格。光學外耦合主體的柵格結構可以與電分流裝置的柵格結構對準，并且光學外耦合主體與襯底電極之間的分流裝置的三明治狀布置跨電致發(fā)光器件的整個發(fā)射場而實現(xiàn)。如果不同的電連接裝置形成用于使電分流裝置電接觸襯底電極的若干接觸柱，那么光學外耦合主體可能以腔體為特征以便接納電連接裝置，并且優(yōu)選地電連接裝置實現(xiàn)為光學外耦合主體與襯底電極之間的特定區(qū)域中的膠點，其中所述膠點實現(xiàn)為導電膠點。本發(fā)明也針對一種用于通過電分流裝置對電致發(fā)光器件的襯底電極分流的方法， 所述電致發(fā)光器件包括襯底和襯底之上的襯底電極、反電極以及設置在襯底電極與反電極之間的具有至少一個有機電致發(fā)光層的電致發(fā)光疊層，該方法包括步驟將導線、金屬條紋或箔的組的至少一個元件固定到襯底電極，從而形成電分流裝置；施加完全覆蓋電分流裝置的保護裝置，該保護裝置具有適合于防止在襯底電極上出現(xiàn)陰影邊緣的形狀；以及在具有由保護裝置覆蓋的附接的分流裝置的襯底電極之上施加電致發(fā)光疊層和反電極。在分流方法的開始，將形成單個導電元件或者多個單個導電元件的導線、金屬條紋或箔固定到襯底電極表面。所述固定可以利用像基于彈簧的保持器那樣的固定器件或者適合于將導電元件固定到襯底電極表面的任何類似布置來實現(xiàn)。在固定形成電分流裝置的導電元件之后，施加完全覆蓋電分流裝置的所述保護裝置，該保護裝置具有適合于防止在襯底電極上出現(xiàn)陰影邊緣的形狀。在一個實施例中，所述方法進一步包括步驟優(yōu)選地通過使用形成電連接裝置的導電膠將電連接裝置施加到襯底電極以便使電分流裝置電接觸襯底電極。依照又一個實施例，所述電連接裝置可以導致分流裝置的第一固定，并且在通過使用所述電連接裝置將分流裝置施加到襯底電極表面之后，施加完全覆蓋所述電分流裝置并且完全覆蓋電連接裝置的保護裝置。前面提到的電致發(fā)光器件和/或方法以及要求保護的部件和在所描述的實施例中依照本發(fā)明使用的部件在尺寸、形狀或材料選擇方面不受到任何特殊的例外。可以不受限制地應用相關領域中已知的諸如選擇準則之類的技術概念。從屬權利要求以及以下各附圖的描述中公開了本發(fā)明目的的附加細節(jié)、特性和優(yōu)點，這些附圖僅僅是示例性的方式，示出依照本發(fā)明的電致發(fā)光器件的多個優(yōu)選實施例。


下面將參照以下附圖描述本發(fā)明的另外的實施例，這些附圖示出 圖1依照本發(fā)明的電致發(fā)光器件的第一實施例，
圖2具有到封裝裝置的接觸裝置的電致發(fā)光器件， 圖3依照圖2的電致發(fā)光器件的頂視圖， 圖4依照本發(fā)明的電致發(fā)光器件的另一個實施例，
圖5包括電分流裝置的布置的另一個實施例的電致發(fā)光器件的修改的實施例， 圖6依照圖5的電致發(fā)光器件的頂視圖， 圖7依照另一個實施例的電致發(fā)光器件的頂視圖， 圖8保護裝置內(nèi)具有施加的散射裝置的電致發(fā)光器件， 圖9示出依照第一幾何實施例的電分流裝置的電致發(fā)光器件的截面， 圖10包括依照第二幾何實施例的電分流裝置的電致發(fā)光器件的截面。
具體實施例方式在圖1中，示出了依照本發(fā)明第一實施例的電致發(fā)光器件10。電致發(fā)光器件10包括襯底電極20、反電極30以及代表該實例和以下實例中的電致發(fā)光疊層的有機電致發(fā)光層50。有機電致發(fā)光層50設置在襯底電極20與反電極30之間，形成所述疊層。這些層設置在形成電致發(fā)光器件10的載體材料的襯底40上。在所示的實施例中，襯底電極20由近似IOOnm厚的ITO層形成，ITO是透明且導電的。利用ITO電極每平方10-20歐姆的典型電阻，具有高發(fā)光效能的OLED設計表現(xiàn)出在遠離襯底電極邊緣1. 5-2cm之后開始可見的50% 的亮度下降。有機電致發(fā)光層50沉積到該襯底電極20上。如果在襯底電極20與反電極 30之間施加電壓，那么有機電致發(fā)光層50內(nèi)的一些有機分子被激發(fā)，導致由電致發(fā)光層50 發(fā)射的人造光的發(fā)射。反電極30由鋁層形成，充當反射人造光通過襯底電極20和襯底40 的鏡。為了將光發(fā)射到周圍環(huán)境中，該實施例中的襯底40由玻璃制成。因此，電致發(fā)光器件10是底部發(fā)射0LED。以下附圖中所示電致發(fā)光器件10以及部件和依照本發(fā)明使用的部件沒有按照其真實尺度示出。特別地，電極20和30、有機電致發(fā)光層50和襯底40的厚度的尺度不真實。所有的附圖僅僅用來闡明本發(fā)明。如圖1中所示，有機電致發(fā)光層50和反電極30由封裝裝置90封裝。封裝裝置90 包括蓋狀形狀，該蓋狀形狀包括完全封閉所述層的組成的封裝裝置頂部95和封裝裝置側面96。為了將電流源提供給反電極30和襯底電極20，提供連接裝置93和93’。用于接觸反電極30的連接裝置93僅以示例性方式示出，并且封裝裝置90內(nèi)反電極30的詳細電連接在下文中示出。封裝裝置90必須是氣密的，以便防止外界大氣損壞封裝裝置90內(nèi)封裝的有機電致發(fā)光層50或者所述兩個電極20和30中的任何一個。所示的電致發(fā)光器件10此外可以包括設置在封裝裝置90內(nèi)的吸氣劑170。該吸氣劑用來吸收偶然擴散進入封裝裝置90內(nèi)的受保護區(qū)域的濕氣或其他破壞性氣體。吸氣劑170可以包括CaO或沸石。其他的材料對于本領域技術人員是已知的。在襯底電極表面上示出了以抽象形式繪出的電分流裝置122。電分流裝置122導致跨襯底電極20的電壓的對齊。因此，電分流裝置122形成設置成與襯底電極20的外部區(qū)域的距離不同的至少兩個電連接裝置120之間的電互連，并且因此第一電連接裝置120 設置在跨襯底電極20的發(fā)射場的中心內(nèi)或中心附近，第二電連接裝置120設置在發(fā)射場的邊界區(qū)域。通常，依照現(xiàn)有技術的不同電分流裝置122已經(jīng)是已知的。已知的分流裝置122 通過絲網(wǎng)印刷或者通過使用光刻術而施加到襯底電極20上。而且，已知熱熔噴墨印刷用于施加電分流裝置122，并且電分流裝置122沿著分流裝置122的整個長度直接設置在襯底電極20上。依照本發(fā)明，電分流裝置122為導線、金屬條紋或箔的組的至少一個元件。所述導線、金屬條紋或箔形成單個導電元件，其必須通過所述連接裝置120實現(xiàn)的電連接施加到襯底電極20的表面。甚至非常薄的0. Imm直徑的銅導線典型地具有僅僅每米長度2. 2 歐姆或者每IOcm長度0. 22歐姆的電阻，因而它可以容易地用于在覆蓋有每平方10-20歐姆的ITO的典型15cm大的OLED襯底上進行分流。得到的從襯底電極邊緣到中間的電壓降的改進取決于使用的分流線數(shù)，但是可以容易地實現(xiàn)90%的改進。這種分流方案的優(yōu)點是在襯底電極之上使用比通常使用的薄金屬膜厚得多的分流裝置。電分流裝置122到襯底電極20的機械固定通過完全覆蓋電分流裝置122的保護裝置70實現(xiàn)，該保護裝置具有適合防止在襯底電極20上出現(xiàn)陰影邊緣的形狀。如繪圖中所示，所述保護裝置70完全封閉電分流裝置122。電分流裝置122以長繪制的細長形狀為特征，并且保護裝置70適應該細長形狀并且實現(xiàn)為一種沿著電分流裝置122的保護軌道。 而且，電連接裝置120同樣地由保護裝置70覆蓋。結果，在電分流裝置122與襯底電極20 的其余表面之間形成一種平滑的軟過渡。這導致以下優(yōu)點可以將至少包括有機電致發(fā)光層50和反電極30的接下來的層沉積到襯底電極20的表面以及保護裝置70上而不出現(xiàn)陰影邊緣。圖2示出了圖1的包括施加的接觸裝置60的布置。電致發(fā)光器件10可以包括至少一個或者多個所描繪的接觸裝置60，所述接觸裝置被設置用于使反電極30電接觸電源。 因此，接觸裝置60為從反電極30通往電源的路徑的一部分。接觸裝置60完全設置在非導電保護裝置70上方以便防止下面的層的任何機械損壞最終導致反電極30與襯底電極20 之間的短路。接觸裝置60的材料可以是導電膠，其可以以柔和的方式施加到反電極30，從而沒有通常導致兩個列舉的電極20和30之間的短路的對于反電極30和有機電致發(fā)光層 50和/或電致發(fā)光疊層的損壞。接觸裝置60可以以導電膠實現(xiàn)，其設置成與反電極30以及與封裝裝置90直接電接觸。因此，容易經(jīng)由所述封裝裝置90將反電極30電連接到電源。用戶只需將示為連接裝置93的導電裝置施加到封裝裝置90。封裝裝置90與反電極30之間的導電膠于是將電流引導到反電極30。在所示的實施例中，封裝裝置90 —方面連接到襯底電極20并且另一方面與接觸裝置60的導電膠接觸。為了防止短路，封裝裝置90的至少一部分和/或整個封裝裝置90必須與襯底電極20絕緣。在所示的實施例中，封裝裝置頂部95是導電的，而封裝裝置側面96是電絕緣的。因此，防止了反電極30與襯底電極20之間經(jīng)由所述封裝裝置90短路。當導電膠用來形成電接觸裝置60時，所公開的電致發(fā)光器件10的優(yōu)選實施例包括所述保護裝置70，該保護裝置被實現(xiàn)為非導電保護裝置70。該非導電保護裝置70被設置成至少完全覆蓋接觸裝置60之下的區(qū)域。保護裝置70設置在襯底電極20上，并且保護裝置70可以保護接觸裝置60之下的區(qū)域且也可以封閉電分流裝置122。使用保護裝置70的這種布置滿足兩個目的，即完全覆蓋分流裝置122和完全覆蓋電接觸裝置60之下的區(qū)域，并且其需要形成保護裝置70的非導電膠。這導致以下結果防止了具有施加的接觸裝置60的反電極30與襯底電極20之間出現(xiàn)短路。圖3示出了依照圖2的電致發(fā)光器件10的背側視圖。為了更容易理解，示出了沒有封裝裝置90的電致發(fā)光器件10。保護裝置70設置在襯底電極20上并且以非導電膠為特征。保護裝置70的目的是封裝設置在電連接裝置120之間的分流裝置122，所述電連接裝置也被保護裝置70覆蓋。依照該繪圖，分流裝置122和所述電連接裝置120的布置分別設置在電接觸裝置60的布置的旁邊。因此，當電接觸裝置60設置在所述發(fā)射場內(nèi)的第一位置并且分流裝置122設置在所述發(fā)射場內(nèi)的第二位置時，所述保護裝置70覆蓋電致發(fā)光器件10的區(qū)域的大部分。在圖4中，示出了電致發(fā)光器件10的另一個實施例，其包括用于對襯底電極20分流的分流裝置122以及用于使反電極30接觸封裝裝置頂部95的電接觸裝置60。依照所繪出的實施例，所述電接觸裝置60與電分流裝置122的布置重疊。因此，封裝電分流裝置122 的保護裝置70完全覆蓋電接觸裝置60下面的區(qū)域。該布置要求可以實現(xiàn)為非導電膠的保護裝置70的非導電行為。電分流裝置122借助于電連接裝置120與襯底電極20接觸。像電分流裝置122 —樣，電連接裝置120也封裝在非導電保護裝置70內(nèi)?；谠摬贾?，電致發(fā)光器件10的發(fā)射場內(nèi)的非發(fā)射區(qū)域最小化，因為保護裝置70的布置既覆蓋了電分流裝置122，又與電接觸裝置60之下的區(qū)域重疊。圖5示出了電致發(fā)光器件10的又一個實施例。在該實施例中，襯底電極20以電致發(fā)光器件10的邊界區(qū)域中的接觸區(qū)域21為特征。用于向襯底電極20供電的連接裝置 93’電連接到接觸區(qū)域21，該接觸區(qū)域包含施加的附加導電材料22。該施加的附加導電材料22以高電導率為特征，該電導率高于襯底電極20的電導率。接觸區(qū)域21的橫向延伸穿過封裝裝置90的布置，特別是越過封裝裝置側面96。因此，所述連接裝置93’可以設置在封裝裝置90之外，而封裝裝置90內(nèi)的用于連接電分流裝置122的電連接裝置120可以以通過在接觸區(qū)域21表面之上施加電連接裝置120而與連接裝置93’直接電接觸為特征。依照該實施例，非導電膠形成的保護裝置70將電分流裝置122封裝在有機電致發(fā)光層50之下以及反電極30之下的區(qū)域內(nèi)。通過使用所述保護裝置70，電分流裝置122引導通過所述層系統(tǒng)并且終止于電連接裝置120。圖6為依照圖5的電致發(fā)光器件10的背側視圖。如圖所示，施加的附加導電材料 22設置在電致發(fā)光器件10的邊界側，其中依照該示例性繪圖的所述施加的附加導電材料 22的布置限于電致發(fā)光器件10的僅僅一側。如圖所示，用于使電分流裝置122電接觸導電材料22的電連接裝置120設置在接觸區(qū)域21內(nèi)。電致發(fā)光層50和反電極30限于接觸區(qū)域21旁邊的區(qū)域，并且電分流裝置122穿過有機電致發(fā)光層50的區(qū)域到達接觸區(qū)域21。圖7示出了對電致發(fā)光器件10的襯底電極20分流的另一個實施例。如圖所示， 設置了兩個電分流裝置122，即豎直延伸的第一電分流裝置122以及以水平延伸為特征的第二電分流裝置122。電分流裝置122通過使用電連接裝置120電連接到襯底電極20，所述電連接裝置實現(xiàn)為若干由導電膠制成的導電柱。電連接裝置120可以分別劃分成有機電致發(fā)光層50和反電極30之外的電連接裝置以及有機電致發(fā)光層50的發(fā)光區(qū)域和反電極 30內(nèi)的電連接裝置120。每個電連接裝置120以相同的電位為特征，導致跨整個發(fā)射場的對齊的光強度。保護裝置70被設置用于完全覆蓋電分流裝置122和電連接裝置120，而依照另一個實施例，所述保護裝置70也可以覆蓋電接觸裝置60 (未詳細示出)之下的區(qū)域。圖8示出了具有保護裝置70的電致發(fā)光器件10的一個實施例，該保護裝置完全覆蓋電連接裝置120和所述連接裝置120之間的電分流裝置122。如所公開的，保護裝置 70包括至少一個用于散射有機電致發(fā)光層50產(chǎn)生的光的散射裝置180，優(yōu)選地，所述散射裝置180嵌入到保護裝置70內(nèi)。該散射裝置180散射和/或反射由襯底40引導的一部分人造光。這導致別的情況下非發(fā)射的區(qū)域的增亮。由于襯底40經(jīng)常充當一種光導，因而保護裝置70的散射裝置180使得該光能夠散射和反射出電致發(fā)光器件。散射裝置180可以由嵌入到保護裝置70內(nèi)的多個色素和/或薄片形成。圖9示出了通過電致發(fā)光器件10的截面在嵌入到保護裝置70內(nèi)的所施加的分流裝置122的區(qū)域中的詳細繪圖。包括襯底電極20、有機電致發(fā)光層50和反電極30的層的系統(tǒng)以非真實尺度示出，并且僅僅以示例性方式示出以便闡明由非導電膠制成的保護裝置 70內(nèi)的分流裝置122的布置。如詳細地示出的，電致發(fā)光層50和反電極30施加到襯底電極20和保護裝置70 二者的表面上。電分流裝置122以導線的形式示出，其可以是銅導線或者對襯底電極20分流的具有圓形形狀的任何導電元件。在覆蓋襯底電極20的保護裝置 70區(qū)域內(nèi)，施加電接觸裝置60以便使反電極30接觸所述層系統(tǒng)上面的以蓋形式示出的封裝裝置90。圖10示出了金屬條紋或箔形式的電分流裝置122的另一個實施例。形成電分流裝置122的金屬條紋完全封裝在保護裝置70內(nèi)并且形成平坦的、但典型地非平面的形狀。作為基本的原理，形成電分流裝置122的導電元件可以以任何任意截面為特征，并且特別地， 該導電元件可以直接地施加到襯底電極20的表面上。所描述的實施例作為實例包括疊層內(nèi)的有機電致發(fā)光層50。在本發(fā)明范圍內(nèi)的可替換實施例中，電致發(fā)光疊層可以包括除了有機電致發(fā)光層50之外的層，例如全透明層、 全阻擋層、電子傳輸層、電子阻擋層、電荷注入層、另外的導電層等等。附圖標記列表 10電致發(fā)光器件 20襯底電極
21接觸區(qū)域
22施加的附加導電材料
30 反電極
40襯底
50有機電致發(fā)光層
60電接觸裝置
70保護裝置
90封裝裝置
93，93，連接裝置
94接合裝置
95封裝裝置頂部
96封裝裝置側面98絕緣裝置 120電連接裝置 122電分流裝置 170吸氣劑 180散射裝置
權利要求
1.一種電致發(fā)光器件(10)，包括襯底(40)和襯底(40)之上的襯底電極(20)、反電極 (30 )和設置在襯底電極(20 )與反電極(30 )之間的具有至少一個有機電致發(fā)光層(50 )的電致發(fā)光疊層，以及至少一個電分流裝置(122)，所述電分流裝置施加到襯底電極(20)之上以便改進襯底電極(20)上的電流分布，其中所述至少一個電分流裝置(122)是導線、金屬條紋或箔的組的至少一個元件，所述電分流裝置(122)通過完全覆蓋電分流裝置(122)的保護裝置(70 )固定到襯底電極(20 )，該保護裝置(70 )具有適合于防止在襯底電極(20 )上出現(xiàn)陰影邊緣的形狀。
2.依照權利要求1的電致發(fā)光器件(10)，特征在于，保護裝置(70)實現(xiàn)為導電保護裝置(70 )，并且保護裝置(70 )優(yōu)選地包括導電膠。
3.依照權利要求2的電致發(fā)光器件(10)，特征在于，包括導電膠的保護裝置(70)以基質(zhì)和填料為特征，其中所述導電膠包括作為基質(zhì)的有機材料以及作為填料的無機材料。
4.依照任何權利要求1的電致發(fā)光器件(10)，特征在于，電分流裝置(122)中的至少一個通過至少兩個電連接裝置(120)固定到襯底電極(20)，其中所述電連接裝置(120)優(yōu)選地被設置成被保護裝置(70)完全覆蓋并且其中所述保護裝置(70)優(yōu)選地實現(xiàn)為非導電保護裝置(70)。
5.依照權利要求4的電致發(fā)光器件(10)，特征在于，所述電連接裝置(120)是導電膠、 導電樹脂和/或?qū)щ娖岬慕M的至少一個元件。
6.依照權利要求4或5的電致發(fā)光器件(10)，特征在于，施加到電分流裝置(122)的電連接裝置(120)形成電連接裝置(120)的對稱陣列，其中該陣列優(yōu)選地實現(xiàn)為六角形陣列。
7.依照權利要求4-6中任何一項的電致發(fā)光器件(10)，特征在于，至少一個電接觸裝置(60 )被設置用于使反電極(30 )電接觸電源，其中非導電保護裝置(70 )被設置成至少完全地覆蓋接觸裝置(60)之下的區(qū)域，并且其中所述電接觸裝置(60)優(yōu)選地以導電膠為特征。
8.依照權利要求7的電致發(fā)光器件(10)，特征在于，封裝裝置(90)被設置用于至少封裝所述電致發(fā)光疊層，其中電接觸裝置(60)優(yōu)選地設置在所述封裝裝置(90)與反電極 (30 )之間以便使反電極(30 )電接觸封裝裝置(90 )。
9.依照前面的權利要求之一的電致發(fā)光器件，特征在于，電分流裝置(122)以優(yōu)選地由銅材料、金材料和/或銀材料制成的金屬導線、金屬條紋或金屬箔為特征，其中所述金屬條紋或所述金屬箔優(yōu)選地通過管芯切割而制成。
10.依照前面的權利要求中任何一項的電致發(fā)光器件(10)，特征在于，保護裝置(70) 包括至少一個用于散射由有機電致發(fā)光層(50)產(chǎn)生的光的散射裝置(180)，其中散射裝置 (180)優(yōu)選地嵌入、溶解和/或包含于保護裝置(70)和/或電連接裝置(120)內(nèi)。
11.依照前面的權利要求中任何一項的電致發(fā)光器件(10)，特征在于，保護裝置(70) 以特定空間幾何結構為特征，導致有機電致發(fā)光層(50)產(chǎn)生的光的改進的外耦合。
12.依照權利要求11的電致發(fā)光器件(10)，特征在于，保護裝置(70)包括形成所述特定空間幾何結構并且導致有機電致發(fā)光層(50)產(chǎn)生的光的改進的外耦合的光學外耦合主體(71)，其中所述光學外耦合主體(71)優(yōu)選地由光學透明材料制成，該光學透明材料以與襯底(40)的折射率近乎相等或者比襯底(40)的折射率更高的折射率為特征。
13.依照權利要求12的電致發(fā)光器件(10)，特征在于，將電分流裝置(122)設置在襯底電極(20)表面上，并且其中所述光學外耦合主體(71)以這樣的方式覆蓋電分流裝置 (122)，使得電分流裝置(122)的布置三明治狀地在所述襯底電極(20)與所述光學外耦合主體(71)之間實現(xiàn)。
14.一種用于通過電分流裝置(122)對電致發(fā)光器件(10)的襯底電極(20)分流的方法，所述電致發(fā)光器件(10)包括襯底(40)和襯底(40)之上的襯底電極(20)、反電極(30) 以及設置在襯底電極(20)與反電極(30)之間的具有至少一個有機電致發(fā)光層(50)的電致發(fā)光疊層，該方法包括步驟-將導線、金屬條紋或箔的組的至少一個元件固定到襯底電極(20)，從而形成電分流裝置(122)，-施加完全覆蓋電分流裝置(122)的保護裝置(70)，該保護裝置具有適合于防止在襯底電極(20)上出現(xiàn)陰影邊緣的形狀，-在具有由保護裝置覆蓋的附接的分流裝置的襯底電極之上施加電致發(fā)光疊層和反電極。
15.依照權利要求14的方法，其中該方法進一步包括步驟優(yōu)選地通過使用形成電連接裝置(120)的導電膠將電連接裝置(120)施加到襯底電極(20)以便使電分流裝置(122) 電接觸襯底電極(20)。
全文摘要
本發(fā)明涉及一種電致發(fā)光器件(10)，該電致發(fā)光器件包括襯底(40)和襯底(40)之上的襯底電極(20)、反電極(30)和設置在襯底電極(20)與反電極(30)之間的具有至少一個有機電致發(fā)光層(50)的電致發(fā)光疊層，以及施加到襯底電極(20)之上以便改進襯底電極(20)上的電流分布的至少一個電分流裝置(122)，其中所述至少一個電分流裝置(122)是導線、金屬條紋或箔的組的至少一個元件，所述電分流裝置(122)通過完全覆蓋電分流裝置(122)的保護裝置(70)固定到襯底電極(20)，該保護裝置(70)具有適合于防止在襯底電極(20)上出現(xiàn)陰影邊緣的形狀。本發(fā)明進一步涉及制造這種器件的方法。
文檔編號H01L51/52GK102308406SQ201080006743
公開日2012年1月4日 申請日期2010年1月27日 優(yōu)先權日2009年2月5日
發(fā)明者F. 博爾納 H. 申請人:皇家飛利浦電子股份有限公司