專利名稱：橫向二極管及其制造方法
技術領域：
本發(fā)明大體上涉及半導體裝置。具體來說，本發(fā)明涉及二極管。
背景技術：
集成電路(IC)易受過高電壓損壞，且這些可能具有損壞性的電壓的常見來源包括靜電放電(ESD)。ESD為靜電荷經由直接接觸或經由所誘發(fā)的電場在不同靜電電位下的主體或表面之間轉移。使用例如硅的半導體和例如二氧化硅的絕緣材料構建的IC可能在ESD事件期間在經受高電壓時永久損壞。常規(guī)上，芯片上電路在ESD事件期間保護IC。一種常規(guī)保護電路為淺溝槽隔離(STI) 二極管。圖1為說明常規(guī)淺溝槽隔離(STI) 二極管的橫截面圖。STI 二極管100包括具有第一摻雜區(qū)106(例如，N型區(qū))和第二摻雜區(qū)108(例如，P型區(qū))的襯底102。淺溝槽隔離(STI)區(qū)104分離所述第一摻雜區(qū)106與所述第二摻雜區(qū)108。淺溝槽隔離區(qū)104還提供于二極管100的周邊上。自對準硅化物層包括硅化部分116形成于所述第一摻雜區(qū)106 上且第二硅化部分118形成于第二摻雜區(qū)108上。通過載流子注入產生的從所述第一摻雜區(qū)106到所述第二摻雜區(qū)108的載流子傳導路徑120在位于摻雜區(qū)106、108之間的STI區(qū) 104周圍延伸。STI 二極管具有長電流傳導路徑120，其導致緩慢的開啟時間和高開啟電阻。在例如低噪聲放大器的特定電路中，高速二極管保護IC且尤其保護輸入柵極以防歸因于傳導延遲而引起的電壓積聚(例如，突增)。門控二極管通過縮短傳導路徑的長度而提供比STI 二極管的開啟時間快的開啟時間。圖2為說明常規(guī)門控二極管的橫截面圖。門控二極管200包括具有第一摻雜區(qū) 206(例如，P型區(qū))和第二摻雜區(qū)208(例如，N型區(qū))的襯底202。淺溝槽隔離(STI)區(qū)204 位于二極管200的周邊上，但不在摻雜區(qū)206、208之間。柵極位于所述第一摻雜區(qū)206與所述第二摻雜區(qū)208之間且在襯底202的表面上，其包括柵極氧化物層220、柵極電極222 和間隔物224。第一輕度摻雜區(qū)212(例如，輕度摻雜漏極(LDD)植入物)和第二輕度摻雜區(qū)214位于所述第一摻雜區(qū)206與所述第二摻雜區(qū)208之間，且分別鄰接所述第一摻雜區(qū) 206和所述第二摻雜區(qū)208。自對準硅化物層包括自對準硅化物部分216形成于所述第一摻雜區(qū)206上且第二自對準硅化物部分218形成于所述第二摻雜區(qū)208上。同樣，自對準硅化物部分2 形成于所述柵極電極222上。門控二極管200中的摻雜區(qū)206、208之間的傳導路徑MO比STI 二極管100的傳導路徑120短。所述門控二極管200的薄柵極氧化物220在例如ESD事件期間易受因過電壓引起的氧化物斷裂的影響。因為以較小尺寸制造IC，所以柵極氧化物220的厚度減小且門控二極管200較易受氧化物斷裂的影響。另外，門控二極管200具有低反向擊穿電壓和增大的電容。與STI 二極管100相比的增大的電容由柵極與摻雜區(qū)之間的固有電容引起。舉例來說，額外電容由柵極電極222到第一輕度摻雜區(qū)212以及門電極222到第二輕度摻雜區(qū)214產生。因此，需要具有低開啟時間、低電容、低開啟電阻、可靠操作和良好箝位特征的二極管。

發(fā)明內容
根據本發(fā)明的一個方面，一種二極管包括襯底中的用第一摻雜劑摻雜的第一摻雜區(qū)。所述二極管還包括所述襯底中的用第二摻雜劑摻雜的第二摻雜區(qū)。所述第二摻雜劑具有與所述第一摻雜劑的極性相反的極性。所述二極管還包括形成于所述第一摻雜區(qū)上的第一自對準硅化物部分。所述第一自對準硅化物部分由定位于所述第一摻雜區(qū)與所述第二摻雜區(qū)之間的自對準硅化物阻斷掩模界定。所述二極管進一步包括形成于所述第二摻雜區(qū)上的第二自對準硅化物部分。所述第二自對準硅化物部分由所述自對準硅化物阻斷掩模界定。根據本發(fā)明的另一方面，一種制造二極管的方法包括植入由第一植入掩模界定的第一摻雜區(qū)。所述方法還包括植入由第二植入掩模界定的第二摻雜區(qū)。所述方法進一步包括在對所述第二摻雜區(qū)進入植入之后，在所述第一摻雜區(qū)與所述第二摻雜區(qū)之間沉積自對準硅化物阻斷物。所述方法還包括在沉積了所述自對準硅化物阻斷物之后，在所述第一摻雜區(qū)上未由所述自對準硅化物阻斷物阻斷的區(qū)中形成第一自對準硅化物部分。所述方法進一步包括在沉積了所述自對準硅化物阻斷物之后，在所述第二摻雜區(qū)上未由所述自對準硅化物阻斷物阻斷的區(qū)中形成第二自對準硅化物部分。所述方法還包括在形成所述第二自對準硅化物部分之后，剝離所述自對準硅化物阻斷物。根據本發(fā)明的另一方面，一種制造二極管的方法包括形成由作用掩模界定的淺溝槽隔離區(qū)的步驟。所述方法還包括在形成所述淺溝槽隔離區(qū)之后植入由第一植入掩模界定的第一摻雜區(qū)的步驟。所述方法進一步包括在形成所述淺溝槽隔離區(qū)之后植入由第二植入掩模界定的第二摻雜區(qū)的步驟。所述方法還包括在植入所述第二摻雜區(qū)之后在所述第一摻雜區(qū)與所述第二摻雜區(qū)之間沉積自對準硅化物阻斷物的步驟。所述方法進一步包括在沉積了所述自對準硅化物阻斷物之后在所述第一摻雜區(qū)上未由自對準硅化物阻斷物阻斷的區(qū)中形成第一自對準硅化物部分的步驟。所述方法還包括在沉積了所述自對準硅化物阻斷物之后在所述第二摻雜區(qū)上未由所述自對準硅化物阻斷物阻斷的區(qū)中形成第二自對準硅化物部分的步驟。所述方法進一步包括在形成所述第二自對準硅化物部分之后剝離所述自對準硅化物阻斷物的步驟。根據本發(fā)明的另一方面，一種二極管包括用第一摻雜劑摻雜的第一摻雜區(qū)。所述二極管還包括用第二摻雜劑摻雜的第二摻雜區(qū)。所述第二摻雜劑具有與所述第一摻雜劑的極性相反的極性。所述二極管進一步包括用于將第一觸點耦合到所述第一摻雜區(qū)的裝置。 所述二極管還包括用于將第二觸點耦合到所述第二摻雜區(qū)的裝置。所述第一耦合裝置和所述第二耦合裝置由定位于所述第一摻雜區(qū)與所述第二摻雜區(qū)之間的自對準硅化物阻斷掩模界定。上文已相當廣泛地概述了本發(fā)明的特征和技術優(yōu)勢以便可較佳地理解以下詳細描述。下文將描述形成本發(fā)明的權利要求書的標的物的額外特征和優(yōu)勢。所屬領域的技術人員應了解，所揭示的概念和特定實施例可容易用作用于修改或設計用于實行本發(fā)明的相同目的的其它結構的基礎。所屬領域的技術人員還應認識到，這些等效構造不偏離如所附權利要求書中所陳述的本發(fā)明的技術。當結合附圖考慮時，從下文描述將較好地理解據信為本發(fā)明所特有的新穎特征(關于其組織和操作方法兩者)以及其它目的和優(yōu)勢。然而， 應明確理解，所述圖中的每一者僅出于說明和描述的目的而提供且無意作為對本發(fā)明的限制的界定。


為了更完整地理解本發(fā)明，現結合附圖參考以下描述。圖1為說明常規(guī)淺溝槽隔離二極管的橫截面圖。圖2為說明常規(guī)門控二極管的橫截面圖。圖3為說明根據一個實施例的具有輕度摻雜區(qū)的示范性作用二極管的橫截面圖。圖4A為說明根據一個實施例的無輕度摻雜區(qū)的示范性作用二極管的橫截面圖。圖4B為說明根據一個實施例的無輕度摻雜區(qū)的示范性作用二極管的俯視圖。圖5為說明根據一個實施例的制造作用二極管的示范性工藝的流程圖。圖6A為說明根據一個實施例的在形成淺溝槽隔離區(qū)之后的部分示范性作用二極管的橫截面圖。圖6B為說明根據一個實施例的在對第一摻雜區(qū)進入植入之后的部分示范性作用二極管的橫截面圖。圖6C為說明根據一個實施例的在對第二摻雜區(qū)進入植入之后的部分示范性作用二極管的橫截面圖。圖6D為說明根據一個實施例的在沉積了自對準硅化物阻斷物之后的部分示范性
作用二極管的橫截面圖。圖6E為說明根據一個實施例的在形成自對準硅化物層之后的部分示范性作用二極管的橫截面圖。圖6F為說明根據一個實施例的在移除了自對準硅化物阻斷物之后的部分示范性作用二極管的橫截面圖。圖7A為說明根據一個實施例的示范性作用掩模的俯視圖。圖7B為說明根據一個實施例的示范性第一植入掩模的俯視圖。圖7C為說明根據一個實施例的示范性第二植入掩模的俯視圖。圖7D為說明根據一個實施例的示范性自對準硅化物阻斷掩模的俯視圖。圖8為展示可有利地采用一實施例的示范性無線通信系統(tǒng)的方框圖。圖9為說明根據一個實施例的用于半導體組件的電路、布局和邏輯設計的設計工作站的方框圖。
具體實施方式
可制造具有較快開啟時間和減少的對高電壓的敏感性的作用二極管。根據一個實施例，制造沒有柵極結構且沒有淺溝槽隔離(STI)區(qū)置于摻雜區(qū)之間的二極管。在沒有柵極結構的情況下，不存在柵極氧化物，這減少了二極管對高電壓的敏感性。此外，在二極管的摻雜區(qū)之間沒有STI區(qū)的情況下，在摻雜區(qū)之間可得到較短的電流傳導路徑。這減少了二極管的開啟時間，從而允許較快的操作。圖3為說明根據一個實施例的具有輕度摻雜區(qū)的示范性作用二極管的橫截面圖。 作用二極管300包括具有第一摻雜區(qū)306 (例如，P+型區(qū))和第二摻雜區(qū)308 (例如，N+型區(qū))的襯底302。第一輕度摻雜區(qū)312位于第一摻雜區(qū)306與第二摻雜區(qū)308之間且鄰接第一摻雜區(qū)306。第二輕度摻雜區(qū)314(例如，輕度摻雜漏極(LDD))位于第一摻雜區(qū)306與第二摻雜區(qū)308之間且鄰接第二摻雜區(qū)308。自對準硅化物層包括第一自對準硅化物部分 316形成于第一摻雜區(qū)306上，且還包括第二自對準硅化物部分318形成于第二摻雜區(qū)308 上。在作用二極管300中，電流在第一摻雜區(qū)306與第二摻雜區(qū)308之間沿著大體上平行于襯底302的表面的路徑傳導。在周邊提供STI區(qū)304。在第一摻雜區(qū)306與第二摻雜區(qū) 308之間沒有STI區(qū)的情況下，沿著比常規(guī)STI 二極管中的路徑短的路徑330發(fā)生電流傳導。圖4A為說明根據一個實施例的無輕度摻雜區(qū)的示范性作用二極管的橫截面圖。 圖4B為說明根據一個實施例的無輕度摻雜區(qū)的示范性作用二極管的俯視圖。作用二極管 400包括第一摻雜區(qū)306和第二摻雜區(qū)308。然而，無輕度摻雜區(qū)位于第一摻雜區(qū)306與第二摻雜區(qū)308之間。根據一個實施例，通過在形成第一摻雜區(qū)306和第二摻雜區(qū)308期間在襯底302上沉積植入阻斷物層來防止在第一摻雜區(qū)306與第二摻雜區(qū)308之間形成輕度摻雜區(qū)。到自對準硅化物部分318的觸點340提供與外部組件(未圖示)的電耦合。同樣，到自對準硅化物部分316的觸點342提供與外部組件(未圖示)的電耦合。在周邊提供 STI 區(qū) 304。圖5為說明根據一個實施例的用于制造作用二極管的示范性工藝的流程圖。流程圖500始于方框505，在方框505處，形成淺溝槽隔離(STI)區(qū)。圖6A為說明根據一個實施例的在形成淺溝槽隔離區(qū)之后的部分示范性作用二極管的橫截面圖。淺溝槽隔離(STI) 區(qū)604形成于襯底602中。襯底602可為(例如)硅、玻璃(SiO2)、藍寶石(Al2O3)或氧化鎂(MgO)。根據一個實施例，STI區(qū)604是通過以下步驟形成使用作用掩模在襯底602中蝕刻溝槽(未圖示)；熱生長覆蓋溝槽的側壁和底部的氧化物(未圖示)；接著沉積例如氧化物的絕緣材料。圖7A為說明根據一個實施例的示范性作用掩模的俯視圖。作用掩模700包括第一區(qū)702和第二區(qū)704。第一區(qū)702與第二區(qū)704極性相反。S卩，如果第一區(qū)702不透明， 則第二區(qū)704透明。第二區(qū)704在襯底602上界定作用窗，摻雜區(qū)可形成于所述作用窗中。 根據一個實施例，兩個植入區(qū)均形成于由第二區(qū)704界定的作用窗內。作用掩模700可替代地為光罩(photoreticle)、相移掩模(phase shift mask)或模板掩模(stencil mask)。流程圖500繼續(xù)到方框510，其中植入第一摻雜區(qū)。圖6B為說明根據一個實施例的在植入第一摻雜區(qū)之后的部分示范性作用二極管的橫截面圖。第一摻雜區(qū)606和第一輕度摻雜區(qū)612形成于襯底602中。根據一個實施例，第一摻雜區(qū)606鄰接STI區(qū)604中的一者。第一摻雜區(qū)606可植入有例如硼的ρ型摻雜劑。根據一個實施例，第一摻雜區(qū)606是通過以下步驟形成在襯底602上沉積例如光致抗蝕劑的犧牲層(未圖示)；使用第一植入掩模將所述犧牲層圖案化；植入襯底602的所述犧牲層被圖案化掉的區(qū)；以及移除所述犧牲層。圖7B為說明根據一個實施例的示范性第一植入掩模的俯視圖。第一植入掩模710 包括第一區(qū)712和第二區(qū)714。第一區(qū)712與第二區(qū)714極性相反。即，視處理期間所使用的光致抗蝕劑的極性而定，如果第一區(qū)712不透明，則第二區(qū)714透明，或如果第一區(qū)712 透明，則第二區(qū)714不透明。第一植入掩模710可替代地為光罩、相移掩?；蚰０逖谀！８鶕粋€實施例，可在不形成第一輕度摻雜區(qū)612的情況下執(zhí)行植入所述第一摻雜劑區(qū)。舉例來說，在將犧牲層圖案化期間，可調整工藝參數以在第一輕度摻雜區(qū)612的位置上方形成植入阻斷物以防形成第一輕度摻雜區(qū)612。在另一實例中，可調整第一植入掩模 710的第一區(qū)712和第二區(qū)714以在第一輕度摻雜區(qū)612的位置上方形成植入阻斷物以防形成第一輕度摻雜區(qū)612。流程圖500繼續(xù)到方框515，其中植入第二摻雜區(qū)。圖6C為說明根據一個實施例的在植入第二摻雜區(qū)之后的部分示范性作用二極管的橫截面圖。第二摻雜區(qū)608和第二輕度摻雜區(qū)614形成于襯底602中。根據一個實施例，第二摻雜區(qū)608鄰接STI區(qū)604中的一者。第二摻雜區(qū)608可植入有例如磷或砷的η型摻雜劑。根據一個實施例，使用第二植入掩模形成第二摻雜區(qū)608。圖7C為說明根據一個實施例的示范性第二植入掩模的俯視圖。第二植入掩模720 包括第一區(qū)722和第二區(qū)724。第一區(qū)722與第二區(qū)7Μ極性相反。即，視在處理期間所使用的光致抗蝕劑的極性而定，如果第一區(qū)722不透明，則第二區(qū)7Μ透明，或如果第一區(qū) 722透明，則第二區(qū)7Μ不透明。第二區(qū)7Μ可經定位以產生第二摻雜區(qū)608。第二植入掩模720可替代地為光罩、相移掩?；蚰０逖谀?。流程圖500繼續(xù)到方框520，其中沉積自對準硅化物阻斷物。圖6D為說明根據一個實施例的在沉積了自對準硅化物阻斷物之后的部分示范性作用二極管的橫截面圖。自對準硅化物阻斷物630沉積襯底602上，大體上位于第一摻雜區(qū)606與第二摻雜區(qū)608之間。 自對準硅化物阻斷物630防止在襯底602上由自對準硅化物阻斷物630覆蓋的任何區(qū)上形成自對準硅化物。根據一個實施例，自對準硅化物阻斷物630部分覆蓋第一摻雜區(qū)606與第二摻雜區(qū)608之間的區(qū)、第一摻雜區(qū)606的一部分和第二摻雜區(qū)608的一部分。自對準硅化物阻斷物630可為(例如)光致抗蝕劑。根據一個實施例，使用自對準硅化物阻斷掩模形成自對準硅化物阻斷物630。圖7D為說明根據一個實施例的示范性自對準硅化物阻斷掩模的俯視圖。自對準硅化物阻斷掩模730包括第一區(qū)732和第二區(qū)734。視在處理期間所使用的光致抗蝕劑的極性而定，第一區(qū)732與第二區(qū)734極性相反，或反的還然。即，如果第一區(qū)732不透明，則第二區(qū)734透明。自對準硅化物阻斷掩模730可替代地為光罩、相移掩?；蚰０逖谀?。流程圖500繼續(xù)到方框525，其中形成自對準硅化物層。圖6Ε為說明根據一個實施例在形成自對準硅化物層之后的部分示范性作用二極管的橫截面圖。自對準硅化物層包括第一自對準硅化物部分616形成于第一摻雜區(qū)606上，且還包括第二自對準硅化物部分 618形成于第二摻雜區(qū)608上。根據一個實施例，自對準硅化物部分616、618是通過以下步驟形成在襯底602上沉積導電材料(未圖示)，例如，金屬；升高襯底602的溫度以使金屬擴散且成合金到摻雜區(qū)606、608中；且蝕刻未與摻雜區(qū)606、608成合金的金屬。自對準硅化物部分616、618可為(例如)硅化鈷、硅化鎳或硅化鎢。流程圖500繼續(xù)到方框530，其中移除自對準硅化物阻斷物。圖6F為說明根據一個實施例的在移除自對準硅化物阻斷物之后的部分示范性作用二極管的橫截面圖。從襯底 602移除自對準硅化物阻斷物630。根據一個實施例，使用濕式蝕刻從襯底602剝離自對準硅化物阻斷物630。在摻雜區(qū)之間沒有淺溝槽隔離(STI)區(qū)且沒有柵極的作用二極管與常規(guī)STI晶體管相比具有改進的開啟時間。另外，作用二極管沒有柵極氧化物。因此，作用二極管具有對高電壓和ESD事件的增加的耐受性。由于沒有柵極且因此沒有柵極到摻雜區(qū)電容，所以作用二極管還具有較低電容。較低開啟電阻、較短傳導路徑長度和較低電容允許作用二極管具有優(yōu)于門控二極管的箝位特征。上文所述的作用二極管可用于靜電放電(ESD)保護電路中。圖8展示可有利地采用本發(fā)明的實施例的示范性無線通信系統(tǒng)800。出于說明的目的，圖8展示三個遠程單元820、830和850以及兩個基站840。應認識到，無線通信系統(tǒng)可具有多得多的遠程單元和基站。遠程單元820、830和850分別包括二極管825A、825C、 825B，所述二極管為如上所論述的實施例。圖8展示從基站840到遠程單元820、830和850 的前向鏈路信號880和從遠程單元820、830和850到基站840的反向鏈路信號890。在圖8中，將遠程單元820展示為移動電話，將遠程單元830展示為便攜式計算機，且將遠程單元850展示為無線本地環(huán)路系統(tǒng)中的計算機。舉例來說，遠程單元可為手機、移動電話、計算機、機頂盒、音樂播放器、視頻播放器、娛樂單元、手持式個人通信系統(tǒng) (PCS)單元、例如個人數據助理的便攜式數據單元、或例如儀表讀取設備的固定位置數據單元。雖然圖8說明根據本發(fā)明的教示的遠程單元，但本發(fā)明不限于這些示范性所說明單元。 本發(fā)明可適合地用于包括二極管的任何裝置中。圖9為說明用于半導體組件(例如，上文所揭示的二極管)的電路、布局和邏輯設計的設計工作站的方框圖。設計工作站900包括硬盤901，硬盤901含有操作系統(tǒng)軟件、支持文件和例如Cadence或OrCAD的設計軟件。設計工作站900還包括顯示器以促進設計電路910或例如上文所論述的二極管等半導體組件912。提供存儲媒體904以用于有形地存儲電路設計910或半導體組件912。電路設計910或半導體組件912可以例如⑶SII或 GERBER等文件格式存儲于存儲媒體904上。存儲媒體904可為⑶-ROM、DVD、硬盤、快閃存儲器或其它適當裝置。此外，設計工作站900包括驅動設備903，以用于接受來自存儲媒體 904的輸入或將輸出寫入到存儲媒體904。記錄于存儲媒體904上的數據可規(guī)定邏輯電路配置、光刻掩模的圖案數據、或例如電子束光刻等串行寫入工具的掩模圖案數據。所述數據可進一步包括例如與邏輯仿真相關聯的時序圖或網狀電路等邏輯驗證數據。在存儲媒體904上提供數據通過減少設計半導體晶片的過程數而促進設計電路設計910或半導體組件912。視應用而定，本文中所描述的方法可由各種組件實施。舉例來說，這些方法可以硬件、固件、軟件或其任何組合來實施。對于硬件實施方案來說，處理單元可實施于以下各者內一個或一個以上專用集成電路(ASIC)、數字信號處理器(DSP)、數字信號處理裝置 (DSPD)、可編程邏輯裝置(PLD)、現場可編程門陣列(FPGA)、處理器、控制器、微控制器、微處理器、電子裝置、經設計以執(zhí)行本文中所述的功能的其它電子單元，或其組合。對于固件和/或軟件實施方案來說，可用執(zhí)行本文中所描述的功能的模塊(例如， 程序、函數等)來實施所述方法。有形地體現指令的任何機器可讀媒體可用于實施本文中所描述的方法。舉例來說，可將軟件代碼存儲在存儲器中且由處理器單元執(zhí)行。存儲器可實施于處理器單元內或處理器單元外。如本文中所使用，術語“存儲器”指任何類型的長期存儲器、短期存儲器、易失性存儲器、非易失性存儲器或其它存儲器，且不限于任何特定類型的存儲器或任何數目的存儲器或上面存儲有存儲器的媒體的類型。如果以固件和/或軟件實施，則可將功能作為一個或一個以上指令或代碼存儲在計算機可讀媒體上。實例包括用數據結構編碼的計算機可讀媒體和用計算機程序編碼的計算機可讀媒體。計算機可讀媒體包括物理計算機存儲媒體。存儲媒體可為可由計算機存取的任何可用媒體。以實例而非限制的方式，此類計算機可讀媒體可包含RAM、ROM、EEPROM、 CD-ROM或其它光盤存儲裝置、磁盤存儲裝置或其它磁性存儲裝置，或可用于存儲呈指令或數據結構的形式的所要程序代碼且可由計算機存取的任何其它媒體；如本文中所使用，磁盤和光盤包括壓縮光盤(CD)、激光光盤、光學光盤、數字多功能光盤(DVD)、軟盤和藍光光盤，其中磁盤通常以磁方式再現數據，而光盤使用激光以光學方式再現數據。上述各者的組合也應包括在計算機可讀媒體的范圍內。除了存儲在計算機可讀媒體上以外，指令和/或數據還可作為信號提供于通信設備中所包括的傳輸媒體上。舉例來說，通信設備可包括具有指示指令和數據的信號的收發(fā)器。指令和數據經配置以致使一個或一個以上處理器實施權利要求書中所概述的功能。雖然已詳細描述了本發(fā)明和其優(yōu)勢，但應理解，在不偏離如由所附權利要求書界定的本發(fā)明的技術的情況下，可在本文中作出各種改變、替代和更改。舉例來說，關系術語， 例如“上方”和“下方”是相對于襯底或電子裝置而使用。當然，如果將襯底或電子裝置倒轉，則上方變?yōu)橄路?，且反之亦然。另外，如果橫向定向，則上方和下方可指襯底或電子裝置的側面。此外，本申請案的范圍無意限于本說明書中所描述的工藝、機器、制品、物質組成、 裝置、方法和步驟的特定實施例。如所屬領域的技術人員從本發(fā)明容易了解的，根據本發(fā)明可利用執(zhí)行與本文中所描述的對應實施例大體上相同的功能或實現與本文中所描述的對應實施例大體上相同的結果的現有或以后待開發(fā)的工藝、機器、制品、物質組成、裝置、方法或步驟。因此，所附權利要求書意欲在其范圍內包括此些工藝、機器、制品、物質組成、裝置、 方法或步驟。
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權利要求
1.一種二極管，其包含襯底中的用第一摻雜劑摻雜的第一摻雜區(qū)；所述襯底中的用第二摻雜劑摻雜的第二摻雜區(qū)，所述第二摻雜劑具有與所述第一摻雜劑的極性相反的極性；形成于所述第一摻雜區(qū)上的第一自對準硅化物部分，所述第一自對準硅化物部分由定位于所述第一摻雜區(qū)與所述第二摻雜區(qū)之間的自對準硅化物阻斷掩模界定；以及形成于所述第二摻雜區(qū)上的第二自對準硅化物部分，所述第二自對準硅化物部分由所述自對準硅化物阻斷掩模界定。
2.根據權利要求1所述的二極管，其中電流大體上平行于所述第一摻雜區(qū)的表面和所述第二摻雜區(qū)的表面而在所述第一摻雜區(qū)與所述第二摻雜區(qū)之間傳導。
3.根據權利要求1所述的二極管，其中沒有柵極存在于所述第一摻雜區(qū)與所述第二摻雜區(qū)之間，且沒有淺溝槽隔離區(qū)位于所述第一摻雜區(qū)與所述第二摻雜區(qū)之間。
4.根據權利要求1所述的二極管，其中所述第一摻雜區(qū)由第一植入掩模界定，且所述第二摻雜區(qū)由第二植入掩模界定。
5.根據權利要求1所述的二極管，其進一步包含位于所述第一摻雜區(qū)與所述第二摻雜區(qū)之間的第一輕度摻雜區(qū)，所述第一輕度摻雜區(qū)被用所述第一摻雜劑摻雜且鄰接所述第一摻雜區(qū)；以及位于所述第一摻雜區(qū)與所述第二摻雜區(qū)之間的第二輕度摻雜區(qū)，所述第二輕度摻雜區(qū)被用所述第二摻雜劑摻雜且鄰接所述第二摻雜區(qū)。
6.根據權利要求5所述的二極管，其中所述第一輕度摻雜區(qū)和所述第二輕度摻雜區(qū)由植入阻斷物界定。
7.根據權利要求1所述的二極管，其中所述第一摻雜劑為P型摻雜劑且所述第二摻雜劑為η型摻雜劑。
8.根據權利要求1所述的二極管，其集成到以下各者中的至少一者中移動電話、機頂盒、音樂播放器、視頻播放器、娛樂單元、導航裝置、計算機、手持式個人通信系統(tǒng)PCS單元、 便攜式數據單元和固定位置數據單元。
9.一種制造二極管的方法，其包含 植入由第一植入掩模界定的第一摻雜區(qū)； 植入由第二植入掩模界定的第二摻雜區(qū)；在植入所述第二摻雜區(qū)之后，在所述第一摻雜區(qū)與所述第二摻雜區(qū)之間沉積自對準硅化物阻斷物；在沉積了所述自對準硅化物阻斷物之后，在所述第一摻雜區(qū)上未由所述自對準硅化物阻斷物阻斷的區(qū)中形成第一自對準硅化物部分；在沉積了所述自對準硅化物阻斷物之后，在所述第二摻雜區(qū)上未由所述自對準硅化物阻斷物阻斷的區(qū)中形成第二自對準硅化物部分；以及在形成所述第二自對準硅化物部分之后，剝離所述自對準硅化物阻斷物。
10.根據權利要求9所述的方法，其中在不沉積柵極的情況下執(zhí)行植入所述第一摻雜區(qū)和植入所述第二摻雜區(qū)。
11.根據權利要求9所述的方法，其進一步包含在植入所述第一摻雜區(qū)之前，向由作用掩模界定的淺溝槽隔離區(qū)之間的襯底打開作用窗，所述第一摻雜區(qū)和所述第二摻雜區(qū)位于所述作用窗中。
12.根據權利要求9所述的方法，其進一步包含在植入所述第一摻雜區(qū)之前沉積阻斷層，以防止在所述第一摻雜區(qū)與所述第二摻雜區(qū)之間形成第一輕度摻雜區(qū)，且防止在所述第一摻雜區(qū)與所述第二摻雜區(qū)之間形成第二輕度摻雜區(qū)。
13.根據權利要求9所述的方法，其進一步包含在植入所述第一摻雜區(qū)之前形成由作用掩模界定的淺溝槽隔離區(qū)。
14.根據權利要求9所述的方法，其中植入所述第一摻雜區(qū)包含植入ρ型區(qū)，且植入所述第二摻雜區(qū)包含植入η型區(qū)。
15.根據權利要求9所述的方法，其進一步包含將所述二極管集成到以下各者中的至少一者中移動電話、機頂盒、音樂播放器、視頻播放器、娛樂單元、導航裝置、計算機、手持式個人通信系統(tǒng)PCS單元、便攜式數據單元和固定位置數據單元。
16.一種制造二極管的方法，其包含以下步驟形成由作用掩模界定的淺溝槽隔離區(qū)；在形成所述淺溝槽隔離區(qū)之后植入由第一植入掩模界定的第一摻雜區(qū)；在形成所述淺溝槽隔離區(qū)之后植入由第二植入掩模界定的第二摻雜區(qū)；在植入所述第二摻雜區(qū)之后，在所述第一摻雜區(qū)與所述第二摻雜區(qū)之間沉積自對準硅化物阻斷物；在沉積了所述自對準硅化物阻斷物之后，在所述第一摻雜區(qū)上未由所述自對準硅化物阻斷物阻斷的區(qū)中形成第一自對準硅化物部分；在沉積了所述自對準硅化物阻斷物之后，在所述第二摻雜區(qū)上未由所述自對準硅化物阻斷物阻斷的區(qū)中形成第二自對準硅化物部分；以及在形成所述第二自對準硅化物部分之后，剝離所述自對準硅化物阻斷物。
17.根據權利要求16所述的方法，其中在沒有沉積多晶硅柵極的步驟的情況下執(zhí)行所述植入所述第一摻雜區(qū)的步驟和所述植入所述第二摻雜區(qū)的步驟。
18.根據權利要求16所述的方法，其進一步包含將所述二極管集成到以下各者中的至少一者中的步驟移動電話、機頂盒、音樂播放器、視頻播放器、娛樂單元、導航裝置、計算機、手持式個人通信系統(tǒng)PCS單元、便攜式數據單元和固定位置數據單元。
19.一種二極管，其包含 用第一摻雜劑摻雜的第一摻雜區(qū)；用第二摻雜劑摻雜的第二摻雜區(qū)，所述第二摻雜劑具有與所述第一摻雜劑的極性相反的極性；用于將第一觸點耦合到所述第一摻雜區(qū)的裝置；以及用于將第二觸點耦合到所述第二摻雜區(qū)的裝置，其中所述第一耦合裝置和所述第二耦合裝置由定位于所述第一摻雜區(qū)與所述第二摻雜區(qū)之間的自對準硅化物阻斷掩模界定。
20.根據權利要求19所述的二極管，其中所述二極管集成到以下各者中的至少一者中移動電話、機頂盒、音樂播放器、視頻播放器、娛樂單元、導航裝置、計算機、手持式個人通信系統(tǒng)PCS單元、便攜式數據單元和固定位置數據單元。
全文摘要
可制造一種沒有柵極且在二極管的摻雜區(qū)之間沒有淺溝槽隔離區(qū)的具有快速開啟時間、低電容和低開啟電阻的作用二極管。所述作用二極管中的短傳導路徑允許快速開啟時間，且沒有柵極氧化物減少了所述作用二極管對極端電壓的敏感性。所述作用二極管可實施于集成電路中來防止并減少由靜電放電ESD事件導致的損壞。制造所述作用二極管是通過在硅化之前在所述二極管的摻雜區(qū)之間沉積自對準硅化物阻斷物而實現。當在所述摻雜區(qū)上形成自對準硅化物層之后，移除所述自對準硅化物阻斷物。
文檔編號H01L29/06GK102379031SQ201080015113
公開日2012年3月14日 申請日期2010年4月2日 優(yōu)先權日2009年4月2日
發(fā)明者埃文·希安蘇里, 尤金·R·沃利, 斯雷克爾·R·敦迪蓋爾, 禮薩·賈利利塞納里 申請人:高通股份有限公司