專(zhuān)利名稱(chēng)：光電轉(zhuǎn)換裝置的制造方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及光電轉(zhuǎn)換裝置的制造方法，特別是涉及通過(guò)制膜制作發(fā)電層的薄膜型太陽(yáng)能電池的制造方法。
背景技術(shù)：
作為用于將太陽(yáng)光能轉(zhuǎn)換為電能的太陽(yáng)能電池的光電轉(zhuǎn)換裝置，已知具備在形成于基板的透明電極層上通過(guò)等離子體CVD法等制膜ρ型硅系半導(dǎo)體(ρ層)、i型硅系半導(dǎo)體(i層)及η型硅系半導(dǎo)體(η層)的薄膜而形成的光電轉(zhuǎn)換層的薄膜硅系光電轉(zhuǎn)換裝置。為了增加薄膜硅系太陽(yáng)能電池的轉(zhuǎn)換效率即發(fā)電輸出，提案有通過(guò)將吸收波長(zhǎng)帶域不同的發(fā)電單電池層設(shè)為兩層重疊的光電轉(zhuǎn)換層，從而使入射光高效吸收的串聯(lián)型太陽(yáng)能電池。串聯(lián)型太陽(yáng)能電池中，以抑制作為光電轉(zhuǎn)換層的第一發(fā)電單電池層和第二發(fā)電單電池層之間的摻雜劑相互擴(kuò)散、及、調(diào)整光量分配為目的，有時(shí)會(huì)插入中間接觸層。另外，從透明基板側(cè)入射太陽(yáng)光的超連接型中，為了在太陽(yáng)能電池內(nèi)使入射光反射延長(zhǎng)光路長(zhǎng)度而使在光電轉(zhuǎn)換層的光吸收量增大，有時(shí)在光電轉(zhuǎn)換層和背面的金屬電極之間介設(shè)透明電極層。上述基板側(cè)的透明電極層、中間接觸層、背面?zhèn)鹊耐该麟姌O層為例如GZO (摻雜了 Ga的SiO)膜等的具有導(dǎo)電性的透明氧化物薄膜。已知GZO制膜時(shí)的氧氣環(huán)境的控制對(duì)GZO膜的膜質(zhì)控制很重要。適用于太陽(yáng)能電池的GZO膜要求具有透明性和高的導(dǎo)電性，但兩者卻顯示出相互相反的傾向。S卩，就GZO膜的導(dǎo)電性而言，由于SiO的氧欠缺，因此，環(huán)境中的氧濃度越低則導(dǎo)電性越提高。但是，伴隨著氧欠缺(載體)的增大的紅外吸收增大的同時(shí)，來(lái)自由游離的金屬ai引起的紅外線的可見(jiàn)域的吸收的增大同時(shí)發(fā)生。另外，濺射制膜時(shí)由于在靶材表面發(fā)生的雜質(zhì)(小結(jié)節(jié))或來(lái)自放電部的金屬雜質(zhì)，在GZO膜可能發(fā)生吸收。專(zhuān)利文獻(xiàn)1公開(kāi)了形成了以5原子％以下的濃度含有作為摻雜劑的氮原子的氧化鋅膜的太陽(yáng)能電池。其記載了通過(guò)在電極和半導(dǎo)體層的界面設(shè)置含有氮原子的氧化鋅膜， 能夠提高層間的密閉性。非專(zhuān)利文獻(xiàn)1公開(kāi)了使用了 ZnO靶材的噴鍍制膜中，利用Ar及N2混合環(huán)境形成 ZnxNyOz薄膜，通過(guò)添加氮來(lái)縮小禁帶寬度。專(zhuān)利文獻(xiàn)1 特許第四08617號(hào)公報(bào)(權(quán)利要求項(xiàng)1 2、段落W023]
)非專(zhuān)利文獻(xiàn) 1 “Optical properties of zincoxynitride thin films，，, MasanobuFutsuhara et al. , Thin Solid Films,317(1998), p322_325本發(fā)明人們經(jīng)過(guò)探討的結(jié)果，發(fā)現(xiàn)有時(shí)會(huì)出現(xiàn)GZO膜的吸收只在可見(jiàn)光短波長(zhǎng)區(qū)域發(fā)生的情況，其原因是由于環(huán)境中的氮?dú)馑a(chǎn)生的ai氮化物造成的?？紤]環(huán)境中的氮?dú)馐怯捎谛孤┒魅胫颇な覂?nèi)的空氣引起的。從而，在GZO膜適用于基板側(cè)透明電極層、中間接觸層及背面?zhèn)韧该麟姌O層的情況下，需要控制制膜環(huán)境中的隊(duì)氣體量，降低GZO膜的吸收。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的目的在于提供一種制造作為基板側(cè)透明電極層、中間接觸層或背面?zhèn)韧该麟姌O層通過(guò)抑制可見(jiàn)光短波長(zhǎng)區(qū)域的光吸收具有高光電轉(zhuǎn)換效率的光電轉(zhuǎn)換裝置的方法。為了解決上述課題，本發(fā)明的第一方面提供一種光電轉(zhuǎn)換裝置的制造方法，其中， 在基板上形成基板側(cè)透明電極層的工序、以及在光電轉(zhuǎn)換層上形成背面?zhèn)韧该麟姌O層的工序的至少一個(gè)工序中，作為所述基板側(cè)透明電極層或所述背面?zhèn)韧该麟姌O層，控制隊(duì)氣體分壓來(lái)制膜以摻雜了 ( 的aio為主的透明導(dǎo)電膜，以使該透明導(dǎo)電膜每單位膜厚的所述N2 氣體分壓相對(duì)惰性氣體分壓之比在規(guī)定值以下。本發(fā)明第二方面提供一種光電轉(zhuǎn)換裝置的制造方法，其中，在基板上形成基板側(cè)透明電極層的工序、在構(gòu)成光電轉(zhuǎn)換層的多個(gè)電池層中鄰接的兩個(gè)電池層之間形成中間接觸層的工序、以及在光電轉(zhuǎn)換層上形成背面?zhèn)韧该麟姌O層的工序中的至少一個(gè)工序中，作為所述基板側(cè)透明電極層、所述中間接觸層、及所述背面?zhèn)韧该麟姌O層，控制隊(duì)氣體分壓來(lái)制膜以摻雜了 ( 的ZnO為主的透明導(dǎo)電膜，以使該透明導(dǎo)電膜每單位膜厚的所述隊(duì)氣體分壓相對(duì)惰性氣體分壓之比在規(guī)定值以下。根據(jù)本發(fā)明者們的探討，發(fā)現(xiàn)相同膜厚下，即使GZO膜中的摻雜劑臨203)量變化， 也能夠得到基本相同的光吸收光譜。另外，伴隨著制膜中的相對(duì)惰性氣體量的隊(duì)氣體量的增加或膜厚的增加，波長(zhǎng)450 600nm區(qū)域的光吸收率增加。在GZO膜的光吸收是導(dǎo)致光電轉(zhuǎn)換裝置短路電流降低的原因。從而，本發(fā)明中，在作為基板側(cè)透明電極層、中間接觸層、或背面?zhèn)韧该麟姌O層制作GZO膜的情況下，作為環(huán)境氣體中容許的隊(duì)氣體量，規(guī)定GZO膜每單位膜厚隊(duì)氣體分壓相對(duì)惰性氣體分壓之比怳氣體分壓比)。這樣，能夠不依賴(lài)于( 摻雜量，降低在GZO膜的光吸收損失，抑制光電轉(zhuǎn)換裝置短路電流的降低。其結(jié)果為，能夠制造出體現(xiàn)高轉(zhuǎn)換效率的光電轉(zhuǎn)換裝置。另外，如上述，從環(huán)境中的N2氣體量和GZO膜的波長(zhǎng)450 600nm區(qū)域的光吸收率具有關(guān)聯(lián)關(guān)系的觀點(diǎn)出發(fā)，優(yōu)選每單位膜厚的N2氣體分壓比根據(jù)GZO膜的光吸收率來(lái)確定。上述發(fā)明中，優(yōu)選控制隊(duì)氣體分壓來(lái)制膜所述基板側(cè)透明電極層，以使該基板側(cè)透明電極層每單位膜厚的所述隊(duì)氣體分壓相對(duì)惰性氣體分壓之比在0. 001% /nm以下。為了確保充分的導(dǎo)電性，基板側(cè)透明電極層形成為相比中間接觸層或背面?zhèn)韧该麟姌O層較厚。在從基板側(cè)入射光的情況下，基板側(cè)透明電極層入射可見(jiàn)光全波長(zhǎng)范圍的光。 當(dāng)作為基板側(cè)透明電極層的GZO膜的氮?dú)庖鸬奈赵龃髸r(shí)，特別是可見(jiàn)光短波長(zhǎng)區(qū)域的光大幅衰減。其結(jié)果為，在光電轉(zhuǎn)換層發(fā)生的短路電流降低。本發(fā)明中，在作為基板側(cè)透明電極層制作GZO膜的情況下，將每單位膜厚的N2氣體分壓比設(shè)為0. 001% /nm以下。由此，能夠降低基板側(cè)透明電極層的光損失，抑制光電轉(zhuǎn)換裝置短路電流的降低?？紤]基板側(cè)透明電極層為厚膜，需要將上述隊(duì)氣體分壓比設(shè)為比中間接觸層或背面?zhèn)韧该麟姌O層的情況更低的值。上述發(fā)明中，優(yōu)選控制所述隊(duì)氣體分壓來(lái)制膜所述中間接觸層或所述背面?zhèn)韧该麟姌O層，以使該中間接觸層或背面?zhèn)韧该麟姌O層每單位膜厚的隊(duì)氣體分壓相對(duì)惰性氣體分壓之比在0. 025% /nm以下。例如，在作為背面?zhèn)韧该麟姌O層設(shè)置含有氮的GZO膜，將光電轉(zhuǎn)換層設(shè)為非晶質(zhì)硅的光電轉(zhuǎn)換裝置中，在光電轉(zhuǎn)換層吸收波長(zhǎng)400 550nm的光的大部分。在到達(dá)并入射到背面?zhèn)韧该麟姌O層的光在背面電極層反射并從背面?zhèn)韧该麟姌O層射出的過(guò)程中，由于在背面?zhèn)韧该麟姌O層的吸收而衰減了波長(zhǎng)陽(yáng)0 700nm的光。另外，例如在中間接觸層設(shè)置含有氮的GZO膜的串聯(lián)型光電轉(zhuǎn)換裝置中，在從基板側(cè)入射光的情況下，在背面?zhèn)入姵貙又袃H僅是在中間接觸層所衰減的光量部分短路電流降低。另外，在基板側(cè)的電池層中，在透過(guò)中間接觸層在背面電極層反射后再次從中間接觸層射出的過(guò)程中被中間接觸層所吸收的光量部分的短路電流減少。本發(fā)明中，在作為中間接觸層、或背面?zhèn)韧该麟姌O層制作GZO膜的情況下，將每單位膜厚的隊(duì)氣體分壓比設(shè)為0. 025% /nm以下。由此，能夠降低在GZO膜的光損失，抑制光電轉(zhuǎn)換裝置的短路電流的降低。根據(jù)本發(fā)明，因?yàn)槟軌蚩刂艷ZO制膜時(shí)的N2氣體量降低，所以，能夠抑制由于氮原子混入膜中所引起的在可見(jiàn)光短波長(zhǎng)區(qū)域的光吸收。其結(jié)果為，能夠制造出具有高轉(zhuǎn)換效率的光電轉(zhuǎn)換裝置。


圖1是表示根據(jù)本發(fā)明的光電轉(zhuǎn)換裝置的制造方法制造的光電轉(zhuǎn)換裝置的構(gòu)成的概略圖；圖2是說(shuō)明使用本發(fā)明的光電轉(zhuǎn)換裝置的制造方法制造太陽(yáng)能電池面板之一實(shí)施方式的概略圖；圖3是說(shuō)明使用本發(fā)明的光電轉(zhuǎn)換裝置的制造方法制造太陽(yáng)能電池面板之一實(shí)施方式的概略圖；圖4是說(shuō)明使用本發(fā)明的光電轉(zhuǎn)換裝置的制造方法制造太陽(yáng)能電池面板之一實(shí)施方式的概略圖；圖5是說(shuō)明使用本發(fā)明的光電轉(zhuǎn)換裝置的制造方法制造太陽(yáng)能電池面板之一實(shí)施方式的概略圖；圖6是表示將Gei2O3摻雜量設(shè)為5. 7wt %的GZO膜的光吸收光譜；
圖7是表示將Gei2O3摻雜量設(shè)為0. 5wt %的GZO膜的光吸收光譜；圖8是表示將Gei2O3摻雜量設(shè)為5. 7wt %的GZO膜的光吸收光譜；圖9是表示將Gei2O3摻雜量設(shè)為0. 5wt %的GZO膜的光吸收光譜；圖10是表示作為背面?zhèn)韧该麟姌O層形成了 GZO膜的單型太陽(yáng)能電池單電池的短路電流和隊(duì)氣體添加量的關(guān)系的坐標(biāo)圖；圖11是表示作為背面?zhèn)韧该麟姌O層形成了 GZO膜的單型太陽(yáng)能電池單電池的開(kāi)路電壓和隊(duì)氣體添加量的關(guān)系的坐標(biāo)圖；圖12是表示作為背面?zhèn)韧该麟姌O層形成了 GZO膜的單型太陽(yáng)能電池單電池的形狀因子和隊(duì)氣體添加量的關(guān)系的坐標(biāo)圖；圖13是表示作為背面?zhèn)韧该麟姌O層形成了 GZO膜的單型太陽(yáng)能電池單電池的光電轉(zhuǎn)換效率和隊(duì)氣體添加量的關(guān)系的坐標(biāo)圖14是表示作為中間接觸層形成了 GZO膜的串聯(lián)型太陽(yáng)能電池單電池的短路電流和隊(duì)氣體添加量的關(guān)系的坐標(biāo)圖；圖15是表示作為中間接觸層形成了 GZO膜的串聯(lián)型太陽(yáng)能電池單電池的開(kāi)路電壓和隊(duì)氣體添加量的關(guān)系的坐標(biāo)圖；圖16是表示作為中間接觸層形成了 GZO膜的串聯(lián)型太陽(yáng)能電池單電池的形狀因子和隊(duì)氣體添加量的關(guān)系的坐標(biāo)圖；圖17是表示作為中間接觸層形成了 GZO膜的串聯(lián)型太陽(yáng)能電池單電池的光電轉(zhuǎn)換效率和隊(duì)氣體添加量的關(guān)系的坐標(biāo)圖；圖18是表示作為基板側(cè)透明電極層形成了 GZO膜的單型太陽(yáng)能電池單電池的短路電流和隊(duì)氣體添加量的關(guān)系的坐標(biāo)圖；圖19是表示作為基板側(cè)透明電極層形成了 GZO膜的單型太陽(yáng)能電池單電池的開(kāi)路電壓和隊(duì)氣體添加量的關(guān)系的坐標(biāo)圖；圖20是表示作為基板側(cè)透明電極層形成了 GZO膜的單型太陽(yáng)能電池單電池的形狀因子和隊(duì)氣體添加量的關(guān)系的坐標(biāo)圖；圖21是表示作為基板側(cè)透明電極層形成了 GZO膜的單型太陽(yáng)能電池單電池的光電轉(zhuǎn)換效率和隊(duì)氣體添加量的關(guān)系的坐標(biāo)圖。符號(hào)說(shuō)明
1基板
2基板側(cè)透明電極層
3光電轉(zhuǎn)換層
4背面電極層
5中間接觸層
6背面?zhèn)韧该麟姌O層
7太陽(yáng)能電池模塊
31非晶質(zhì)硅ρ層
32非晶質(zhì)硅i層
33非晶質(zhì)硅η層
41結(jié)晶質(zhì)硅ρ層
42結(jié)晶質(zhì)硅i層
43結(jié)晶質(zhì)硅η層
91第一電池層
92第二電池層
100光電轉(zhuǎn)換裝置
具體實(shí)施例方式
圖1是表示本發(fā)明的光電轉(zhuǎn)換裝置構(gòu)成的概略圖。光電轉(zhuǎn)換裝置100為串聯(lián)型硅系太陽(yáng)能電池，其具備基板1、基板側(cè)透明電極層2、作為太陽(yáng)能電池光電轉(zhuǎn)換層3的第一電池層91 (非晶質(zhì)硅系)及第二電池層92(結(jié)晶質(zhì)硅系)、中間接觸層5、背面?zhèn)韧该麟姌O層6、及背面電極層4。本實(shí)施方式中，基板側(cè)透明電極層2、中間接觸層5、及背面?zhèn)韧该麟姌O層6中的至少一個(gè)，形成為摻雜了 ( 的SiO(GZO)膜。另外，上述硅系為包括硅(Si)或碳化硅(SiC)或鍺化硅(SiGe)的總稱(chēng)。另外，結(jié)晶質(zhì)硅系是指非晶質(zhì)硅系以外的硅系，也包括微結(jié)晶硅或多結(jié)晶硅。<第一實(shí)施方式>舉例制造太陽(yáng)能電池面板的工序來(lái)說(shuō)明第一實(shí)施方式的光電轉(zhuǎn)換裝置的制造方法。圖2 圖5是表示本實(shí)施方式的太陽(yáng)能電池面板的制造方法的概略圖。(1)圖2(幻作為基板1使用鈉鈣浮法玻璃基板(例如，面積為Im2以上、1. 4mX 1. ImX板厚 3. 5mm 4. 5mm)。為了防止由于熱應(yīng)力或沖擊等引起的破損，優(yōu)選對(duì)基板端面進(jìn)行拐角倒角或R倒角加工。(2)圖 2 (b)作為基板側(cè)透明電極層2，通過(guò)DC磁控濺射裝置形成膜厚400nm以上IOOOnm以下的GZO膜。制膜條件設(shè)定為例如，靶材( 摻雜ZnO燒結(jié)體、導(dǎo)入氣體Ar氣體及仏氣體、 制膜壓力0.2Pa、基板溫度120°C。作為基板側(cè)透明電極層只要能夠確保適宜的導(dǎo)電性及透明性，則靶材中的( (Gii2O3)摻雜量可以設(shè)定為任意的值。根據(jù)上述條件的制膜，在透明電極膜的表面形成具有適宜的凹凸的網(wǎng)紋。在此，在將GZO制膜中的隊(duì)氣體分壓相對(duì)于Ar氣體分壓之比設(shè)為隊(duì)氣體分壓比時(shí)，控制作為基板側(cè)透明電極層2的GZO制膜時(shí)的N2氣體分壓比，以使每單位膜厚的N2氣體分壓比為0. 001 % /nm以下。每單位膜厚的N2氣體分壓比，例如可利用在規(guī)定膜厚的GZO膜的光吸收特性和N2氣體分壓比的關(guān)系由在可見(jiàn)光的短波長(zhǎng)區(qū)域(例如，波長(zhǎng)450 600nm) 的光吸收率取得。將GZO制膜中的每單位膜厚的N2氣體分壓比設(shè)為上述范圍的方法為，例如預(yù)先取得GZO制膜前的排氣中的到達(dá)壓力和隊(duì)氣體分壓比的關(guān)系，在達(dá)到得到期望的隊(duì)氣體分壓比的到達(dá)壓力前，控制制膜裝置以執(zhí)行室內(nèi)真空排氣。另外，因?yàn)镹2氣體的主要混入源為來(lái)自空氣的泄漏，所以，使用He檢漏器進(jìn)行泄漏源的指定，通過(guò)相對(duì)于Ar氣體流量設(shè)定為容許量以下的泄漏率，來(lái)控制隊(duì)氣體分壓比。使用Q-mass等質(zhì)量分析儀測(cè)量GZO制膜中的Ar氣體分壓及N2氣體分壓，當(dāng)N2氣體分壓比超過(guò)設(shè)定值時(shí)，可以將所制膜的基板側(cè)透明電極層作為不良品選出。另外，在作為中間接觸層5或背面?zhèn)韧该麟姌O層6形成GZO膜的情況下，基板側(cè)透明電極層2也可以不是GZO膜。例如，作為基板側(cè)透明電極層2，通過(guò)熱CVD裝置以約500°C 下制膜以氧化錫(SnO2)為主成分的膜厚500nm以上SOOnm以下的透明導(dǎo)電膜。作為基板側(cè)透明電極層2，在透明電極膜的基礎(chǔ)上，也可以在基板1和透明電極膜之間形成堿性絕緣膜(未圖示)。堿性絕緣膜是通過(guò)熱CVD裝置以約500°C下對(duì)氧化硅膜 (SiO2)進(jìn)行50nm 150nm制膜處理。(3)圖 2 (C)之后，將基板1設(shè)置于X-Y工作臺(tái)，如圖中箭頭所示，從透明電極膜的膜面?zhèn)日丈?YAG激光器第一高諧波(1064nm)。調(diào)整激光功率以獲得適合的加工速度，將透明電極膜向與發(fā)電單電池的串聯(lián)連接方向垂直的方向，將基板1和激光進(jìn)行相對(duì)移動(dòng)，激光蝕刻寬度約6mm 15mm的規(guī)定寬度的長(zhǎng)條狀以形成槽10。
(4)圖 2 (d)作為第一電池層91，通過(guò)等離子體CVD裝置制膜由非晶質(zhì)硅薄膜形成的ρ層、i層及η層進(jìn)行。以SiH4氣體及H2氣體為主原料，在減壓環(huán)境30Pa以上10001 以下、基板溫度約200°C，在基板側(cè)透明電極層2上從太陽(yáng)光的入射側(cè)按非晶質(zhì)硅ρ層31、非晶質(zhì)硅i 層32、非晶質(zhì)硅η層33的順序進(jìn)行制膜。非晶質(zhì)硅ρ層31以非晶質(zhì)的B摻雜硅為主，膜厚為IOnm以上30nm以下。非晶質(zhì)硅i層32膜厚為200nm以上350nm以下。非晶質(zhì)硅η層 33以在非晶質(zhì)硅中含有微結(jié)晶硅的P摻雜硅為主，膜厚為30nm以上50nm以下。為了提高界面特性，在非晶質(zhì)硅P層31和非晶質(zhì)硅i層32之間也可以設(shè)置緩沖層。為了改善接觸性并同時(shí)獲得電流匹配性，在第一電池層91和第二電池層92之間設(shè)置作為半反射膜的中間接觸層5。作為中間接觸層5，通過(guò)DC磁控濺射裝置形成膜厚 20nm以上IOOnm以下的GZO膜。作為中間接觸層，只要能夠確保適宜的導(dǎo)電性及透明性，則靶材中的( 摻雜量可以設(shè)置為任意的值。制膜條件與作為基板側(cè)透明電極層設(shè)置GZO膜的情況相同。中間接觸層的情況下，制膜中的每單位膜厚的N2氣體分壓比控制為0. 025% /nm 以下。將GZO制膜中的每單位膜厚的N2氣體分壓比設(shè)為上述范圍的方法可以采用與上述基板側(cè)透明電極層2相同的方法。使用質(zhì)量分析儀測(cè)量中間接觸層制膜中的Ar氣體分壓及N2氣體分壓，當(dāng)N2氣體分壓比超過(guò)設(shè)定值時(shí)，可以將所制膜的中間接觸層作為不良品選出。另外，在作為基板側(cè)透明電極層2或背面?zhèn)韧该麟姌O層6形成GZO膜的情況下，中間接觸層5也可以形成為摻雜了 F的Sn02、IT0等其它透明導(dǎo)電性氧化物。另外，有時(shí)也可不設(shè)置中間接觸層5。然后，在第一電池層91上通過(guò)等離子體CVD裝置在減壓環(huán)境3000Pa以下、基板溫度約200°C、等離子體發(fā)生頻率40MHz以上IOOMHz以下，依次制膜作為第二電池層92 的結(jié)晶質(zhì)硅ρ層41、結(jié)晶質(zhì)硅i層42、及、結(jié)晶質(zhì)硅η層43。結(jié)晶質(zhì)硅ρ層41以摻雜了 B 的微結(jié)晶硅為主，膜厚為IOnm以上50nm以下。結(jié)晶質(zhì)硅i層42以微結(jié)晶硅為主，膜厚為 1. 2 μ m以上3. 0 μ m以下。結(jié)晶質(zhì)硅η層43以摻雜了 P摻雜的微結(jié)晶硅為主，膜厚為20nm 以上50nm以下。在通過(guò)等離子體CVD法形成以微結(jié)晶硅為主的i層膜時(shí)，等離子放電電極和基板1 表面的距離d優(yōu)選為3mm以上IOmm以下。當(dāng)比3mm更小時(shí)，根據(jù)對(duì)應(yīng)于大型基板的制膜室內(nèi)的各構(gòu)成設(shè)備精度，難以保證距離d固定，同時(shí)，過(guò)近則可能會(huì)產(chǎn)生放電不穩(wěn)定的問(wèn)題。 當(dāng)比IOmm大時(shí)，則難以得到充分的制膜速度(lnm/s以上)，同時(shí)，等離子體的均一性降低， 由于離子沖擊而導(dǎo)致膜質(zhì)降低。(5)圖 2 (e)將基板1設(shè)置于X-Y工作臺(tái)，如圖中箭頭所示，從光電轉(zhuǎn)換層3的膜面?zhèn)日丈浼す舛O管激勵(lì)YAG激光器第二高諧波(532nm)。設(shè)置脈沖振蕩10kHz 20kHz，調(diào)整激光功率以獲得適合的加工速度，將基板側(cè)透明電極層2的激光蝕刻線的約IOOym 150μπι的橫向側(cè)進(jìn)行激光蝕刻以形成槽11。另外，該激光器也可以從基板1側(cè)進(jìn)行照射，該情況下， 因?yàn)榭梢岳猛ㄟ^(guò)由光電轉(zhuǎn)換層3的非晶質(zhì)硅系第一電池層吸收的能量產(chǎn)生的高蒸汽壓對(duì)光電轉(zhuǎn)換層3蝕刻，所以可進(jìn)行更穩(wěn)定的激光蝕刻加工。激光蝕刻線的位置以與在前一工序的蝕刻線不交差的方式考慮定位公差進(jìn)行選定。(6)圖 3 (a)以降低結(jié)晶質(zhì)硅η層43和背面電極層4的接觸電阻和提高光反射為目的，在光電轉(zhuǎn)換層3和背面電極層4之間設(shè)置背面?zhèn)韧该麟姌O層6。作為背面?zhèn)韧该麟姌O層6，通過(guò)DC 磁控濺射裝置形成膜厚50nm以上IOOnm以下的GZO膜。該情況下，作為背面?zhèn)韧该麟姌O層只要能夠確保適宜的導(dǎo)電性及透明性，則靶材中的( 摻雜量也可設(shè)定為任意值。制膜條件與作為基板側(cè)透明電極層設(shè)置GZO膜的情況相同。與中間接觸層5相同，控制作為背面?zhèn)韧该麟姌O層6的GZO制膜時(shí)的隊(duì)氣體分壓比，以使每單位膜厚的N2氣體分壓比為0. 025% /nm以下。將GZO制膜中的每單位膜厚的 N2氣體分壓比設(shè)為上述范圍的方法，可采用與上述基板側(cè)透明電極層2相同的方法。另外， 使用質(zhì)量分析儀測(cè)量GZO制膜中的Ar氣體分壓及隊(duì)氣體分壓，當(dāng)隊(duì)氣體分壓比超過(guò)設(shè)定值時(shí)，可以將所制膜的背面?zhèn)韧该麟姌O層作為不良品選出。在作為基板側(cè)透明電極層2或中間接觸層5形成GZO膜的情況下，背面?zhèn)韧该麟姌O層6也可以形成為其它透明導(dǎo)電性氧化物。另外，有時(shí)也可不設(shè)置基板側(cè)透明電極層6。作為背面電極層4，利用噴鍍裝置在減壓環(huán)境、制膜溫度150°C 200°C下制膜Ag 膜/Ti膜。本實(shí)施方式中，按順序?qū)盈BAg膜150nm以上500nm以下、以及作為保護(hù)該Ag 膜的防腐蝕效果高的Ti膜10nm以上20nm以下?；?，也也可將背面電極層4形成為具有 25nm IOOnm膜厚的Ag膜和具有15nm 500nm膜厚的Al膜的層疊構(gòu)造。(7)圖 3 (b)將基板1設(shè)置于X-Y工作臺(tái)，如圖中箭頭所示，從基板1側(cè)照射激光二極管激勵(lì) YAG激光器第二高諧波(532nm)。由光電轉(zhuǎn)換層3吸收激光，利用此時(shí)發(fā)生的高氣體蒸汽壓爆裂除去背面電極層4。設(shè)置脈沖振蕩1kHz以上IOkHz以下，調(diào)整激光功率以獲得適合的加工速度，激光蝕刻基板側(cè)透明電極層2的激光蝕刻線250 μ m 400 μ m的橫向側(cè)以形成槽12。(8)圖 3(c)和圖 4(a)劃分發(fā)電區(qū)域，對(duì)基板端周邊的膜端部進(jìn)行激光蝕刻，去除在串聯(lián)連接部分易于短路的影響。將基板1設(shè)置于X-Y工作臺(tái)，從基板1側(cè)照射激光二極管激勵(lì)YAG激光器第二高諧波(532nm)。激光被基板側(cè)透明電極層2和光電轉(zhuǎn)換層3吸收，利用此時(shí)發(fā)生的高氣體蒸汽壓將背面電極層4爆裂，除去背面電極層4/光電轉(zhuǎn)換層3/基板側(cè)透明電極層2。 設(shè)置脈沖振蕩1kHz以上IOkHz以下，調(diào)整激光功率以獲得適宜的加工速度，如圖3(c)所示，對(duì)相距基板1的端部5mm 20mm的位置進(jìn)行激光蝕刻以形成X方向絕緣槽15。另外， 圖3(c)為沿串聯(lián)連接光電轉(zhuǎn)換層3的方向切斷的X方向斷面圖，因此，原本應(yīng)該表示在絕緣槽15位置具有進(jìn)行了背面電極層4/光電轉(zhuǎn)換層3/基板側(cè)透明電極層2的膜研磨除去的周?chē)とコ齾^(qū)域14的狀態(tài)(參照?qǐng)D4(a))，為了便于說(shuō)明對(duì)基板1端部的加工，將在該位置表示Y方向斷面形成的絕緣槽作為X方向絕緣槽15進(jìn)行說(shuō)明。此時(shí)，由于在后工序進(jìn)行基板1周?chē)とコ齾^(qū)域的膜面研磨除去處理，因此不需要設(shè)置Y方向絕緣槽。通過(guò)在距離基板1端部5mm 15mm的位置結(jié)束對(duì)絕緣槽15的蝕刻，對(duì)抑制外部濕氣從太陽(yáng)能電池面板端部向太陽(yáng)能電池模塊7內(nèi)部浸入呈現(xiàn)出有效的效果。故而優(yōu)選。此外，到以上為止的工序的激光來(lái)自YAG激光器，有時(shí)也同樣可以使用YV04激光器或光纖維激光器等。(9)圖4(a 從太陽(yáng)能電池膜面?zhèn)扔^察的圖、b 從受光面的基板側(cè)觀察的圖)為了確保后續(xù)工序的經(jīng)由EVA等的與后片材M完整粘接·密封面，基板1周邊 (周?chē)とコ齾^(qū)域14)的層疊膜因?yàn)榇嬖谂_(tái)階并且易于剝離，所以，除去該膜形成周?chē)とコ齾^(qū)域14。對(duì)于在相距基板1的端部5 20mm處遍及基板1的整個(gè)周?chē)ツさ倪^(guò)程，在 X方向上比在上述圖3(c)工序設(shè)置的絕緣槽15更靠近基板端部一側(cè)、Y方向上比基板端側(cè)部附近的槽10更靠近基板端部一側(cè)，利用磨具研磨或噴沙研磨等除去背面電極層4/光電轉(zhuǎn)換層3/基板側(cè)透明電極層2。對(duì)基板1進(jìn)行清洗處理除去研磨屑或磨粒。(10)圖 5(a) (b)端子箱23的安裝部分在后片材M設(shè)置開(kāi)口貫通窗取出集電板。在該開(kāi)口貫通窗部分設(shè)置多層絕緣材料以抑制外部的濕氣等的浸入。以從由串聯(lián)排列的一端的太陽(yáng)能電池發(fā)電單電池和另一端部的太陽(yáng)能電池發(fā)電單電池使用銅箔進(jìn)行集電，并從太陽(yáng)能電池面板背側(cè)的端子箱23的部分輸出電力的方式進(jìn)行處理。為了防止與各部的短路，對(duì)銅箔配置比銅箔寬度寬的絕緣薄膜。集電用銅箔等被配置于規(guī)定位置后，覆蓋太陽(yáng)能電池模塊7的整體，并配置 EVA (乙烯-醋酸乙烯酷共聚物)等的粘接充填材料薄膜以使其不會(huì)從基板1露出。在EVA上設(shè)置防水效果高的后片材24。后片材M在本實(shí)施方式中由PET板/Al 箔/PET板的3層構(gòu)造形成以獲得較高的防水防濕效果。將到后片材M為止配置于規(guī)定位置的薄膜通過(guò)層壓機(jī)在減壓環(huán)境下進(jìn)行內(nèi)部除氣，一邊以約150 160°C下進(jìn)行擠壓一邊使EVA交聯(lián)使其密封。(11)圖 5 (a)在太陽(yáng)能電池模塊7的背側(cè)用粘接劑安裝端子箱23。(12)圖 5(b)將銅箔和端子箱23的輸出電纜用錫焊等連接，將端子箱23的內(nèi)部用密封劑(澆注劑)充填密閉。至此，完成太陽(yáng)能電池面板50。(13)圖 5 (c)對(duì)到圖5(b)的工序所形成的太陽(yáng)能電池面板50進(jìn)行發(fā)電檢查以及規(guī)定的性能試驗(yàn)。發(fā)電檢查使用AMI. 5、全天日射基準(zhǔn)太陽(yáng)光(1000W/m2)的日光模擬裝置進(jìn)行。(14)圖 5(d)在發(fā)電檢查(圖5(c))前后進(jìn)行如外觀檢查這樣的規(guī)定的性能檢查。上述實(shí)施方式中，作為太陽(yáng)能電池說(shuō)明了串聯(lián)型太陽(yáng)能電池，但本發(fā)明不限定于該例。例如，對(duì)于非晶質(zhì)硅太陽(yáng)能電池、以微結(jié)晶硅為代表的結(jié)晶質(zhì)硅太陽(yáng)能電池、鍺化硅太陽(yáng)能電池、三重型太陽(yáng)能電池等其它種類(lèi)薄膜太陽(yáng)能電池也同樣可適用。<根據(jù)摻雜劑組成確定的GZO膜的光吸收率>使用5. 7wt % Ga2O3-ZnO靶材或0. 5wt % Ga2O3-ZnO靶材，通過(guò)DC磁控濺射裝置在玻璃基板上制膜GZO膜。制膜條件設(shè)為制膜前的到達(dá)壓力lX10_4Pa以下、制膜氣體Ar 氣體、O2氣體(0. 15sccm)、N2氣體、相對(duì)Ar氣體量的N2氣體添加量(N2氣體分壓比)0 4%、制膜壓力:0. 2Pa、基板溫度120°C、靶材-基板間距離:90mm,目標(biāo)膜厚:80nm。另夕卜，N2氣體分壓比設(shè)為根據(jù)Ar氣體流量及隊(duì)氣體流量求得的值。測(cè)定在波長(zhǎng)300 1200nm的各GZO膜的透過(guò)率及反射率，將光吸收率作為100-透過(guò)率-反射率(％)算出。圖6及圖7表示Ga2O3摻雜量分別為5. 7wt%、0. 5wt%的GZO膜的光吸收光譜。上述圖中，橫軸為波長(zhǎng)，縱軸為光吸收率。圖8及圖9表示以光子能量及吸收系數(shù)表達(dá)圖6及圖7中的光吸收光譜。該圖中， 橫軸為光子能量，縱軸為吸收系數(shù)。在波長(zhǎng)400nm以下的區(qū)域，Ga2O3含有量的增加引起的GZO吸收端向短波長(zhǎng)側(cè)偏移。 在波長(zhǎng)450nm(2. 76eV) 600nm(2. 07eV)區(qū)域，隨著N2分壓比增高，即使Gei2O3添加量相差 10倍，也可得到基本相同的光吸收率及吸收系數(shù)。這顯示出450 600nm的波長(zhǎng)域的吸收因?yàn)樵贕ZO膜中混入了氮?dú)舛a(chǎn)生。<GZ0制膜時(shí)的N2分壓比和太陽(yáng)能電池性能的關(guān)系>(背面?zhèn)韧该麟姌O層)對(duì)將作為背面?zhèn)韧该麟姌O層的GZO膜制膜時(shí)的N2分壓比改變后的單型非晶質(zhì)硅太陽(yáng)能電池單電池的電池性能進(jìn)行了評(píng)價(jià)。使用大小為IjmXl. Im的玻璃基板，制作了具有以下層構(gòu)成的單型非晶質(zhì)硅太陽(yáng)能電池單電池。在作為背面?zhèn)韧该麟姌O層的GZO膜的制膜中，將相對(duì)于Ar氣體的N2氣體添加量(N2氣體分壓比)設(shè)為O^U^d^d^j^。其它制膜條件與確認(rèn)了上述GZO膜的光吸收系數(shù)的試驗(yàn)相同。基板側(cè)透明電極層=Sr^2膜、平均膜厚400nm非晶質(zhì)硅ρ層膜厚IOOnm非晶質(zhì)硅i層膜厚200nm結(jié)晶質(zhì)硅η層膜厚30nm背面?zhèn)韧该麟姌O層GZO膜(Gei2O3O. 5wt % )、膜厚80nm背面電極層Ag膜、膜厚250nm圖10 圖13表示作為背面?zhèn)韧该麟姌O層形成了 GZO膜的單型太陽(yáng)能電池單電池的電池特性和GZO制膜時(shí)的隊(duì)氣體添加量的關(guān)系。上述圖中，橫軸為隊(duì)氣體添加量?？v軸在圖10中為短路電流，在圖11中為開(kāi)路電壓，在圖12中為形狀因子，在圖13中為光電轉(zhuǎn)換效率，分別將各隊(duì)氣體添加量0%時(shí)的值作為1進(jìn)行了標(biāo)準(zhǔn)化。隨著GZO膜制膜時(shí)的隊(duì)氣體添加量增加，短路電流及光電轉(zhuǎn)換效率減小。另一方面，開(kāi)路電壓及形狀因子不依存于N2氣體添加量。GZO膜中混入的氮?dú)馑鸬奶?yáng)能電池單電池光電轉(zhuǎn)換效率的降低可以容許至5%。從而，在作為背面?zhèn)韧该麟姌O層制作GZO膜的情況下，需要將N2氣體添加量管理在2%以下。參照?qǐng)D6及圖7，在GZO膜厚SOnm及N2氣體添加量2 %以下的情況下，在波長(zhǎng) 450 600nm的區(qū)域能夠不依靠摻雜量而可靠地實(shí)現(xiàn)光吸收率20%以下。若使用這樣的 GZO膜的光吸收率和隊(duì)氣體添加量的關(guān)系，則能夠根據(jù)GZO膜的光吸收率取得合適的N2氣體添加量汎氣體分壓比)。在此，含有氮?dú)獾腉ZO膜的光損失A用式(1)表達(dá)。A = I0X {l-exp(_a d)}... (1)(IQ 入射光強(qiáng)度、α 吸收系數(shù)、d:GZO膜厚)
在ad 0.2、gp，光吸收率20%以下時(shí)，1 -exp ( - ad) = ad，所以，光損失
A可用式⑵表達(dá)。A I0X a d— (2)因?yàn)楣鈸p失部分的短路電流減少，所以，短路電流的減少量與GZO膜厚成正比。因此，在作為背面?zhèn)韧该麟姌O層制作GZO膜的情況下，每單位膜厚的隊(duì)氣體分壓比設(shè)為2% /80nm = 0. 025% /nm 以下。此外，以背面?zhèn)韧该麟姌O層的膜厚為50nm IOOnm進(jìn)行了相同的實(shí)驗(yàn)，可以確認(rèn)， 通過(guò)將N2氣體分壓比設(shè)為0. 025% /nm以下，可以抑制短路電流及光電轉(zhuǎn)換效率的降低。(中間接觸層)對(duì)改變了作為中間接觸層的GZO膜制膜時(shí)的N2分壓比的串聯(lián)型硅太陽(yáng)能電池單電池的電池性能進(jìn)行了評(píng)價(jià)。使用大小為1.4mXl. Im的玻璃基板，串聯(lián)型硅太陽(yáng)能電池單電池的層構(gòu)成如下所示。在作為中間接觸層的GZO膜的制膜中，將相對(duì)于Ar氣體的N2氣體添加量(N2氣體分壓比)設(shè)為0%、1(%、2(%、4(%、8(%。其它GZO制膜條件與確認(rèn)了上述GZO膜的光吸收系數(shù)的試驗(yàn)相同?；鍌?cè)透明電極層=Sr^2膜、平均膜厚400nm非晶質(zhì)硅ρ層膜厚IOnm非晶質(zhì)硅i層膜厚200nm結(jié)晶質(zhì)硅η層膜厚30nm中間接觸層GZ0膜(Gei2O3O. 5wt% )、膜厚 80nm結(jié)晶質(zhì)硅ρ層膜厚20nm結(jié)晶質(zhì)硅i層膜厚2000nm結(jié)晶質(zhì)硅η層膜厚30nm背面?zhèn)韧该麟姌O層GZ0膜(Gei2O3O. 5wt %、N2氣體添加量0 % )、膜厚80nm背面電極層Ag、膜厚250nm圖14 圖17表示作為基板側(cè)透明電極層形成了 GZO膜的串聯(lián)型太陽(yáng)能電池單電池的電池特性和GZO制膜時(shí)的隊(duì)氣體添加量的關(guān)系。上述圖中，橫軸為隊(duì)氣體添加量。縱軸在圖14中為短路電流，在圖15中為開(kāi)路電壓，在圖16中為形狀因子，在圖17中為光電轉(zhuǎn)換效率，將各隊(duì)氣體添加量0%時(shí)的值設(shè)為1進(jìn)行標(biāo)準(zhǔn)化。隨著GZO膜制膜時(shí)的隊(duì)氣體添加量增加，短路電流及光電轉(zhuǎn)換效率減小。另一方面，開(kāi)路電壓及形狀因子不依存于隊(duì)氣體添加量。由GZO膜中混入的氮?dú)庖鸬奶?yáng)能電池單電池光電轉(zhuǎn)換效率的降低可以容許至5%。從而，在作為中間接觸層制作了 GZO膜的情況下，需要將N2氣體添加量管理在2%以下。如上所述，短路電流與含有氮?dú)獾腉ZO膜厚成正比，所以，在作為中間接觸層制作 GZO膜的情況下，每單位膜厚的N2氣體分壓比設(shè)為0. 025% /nm以下。此外，在中間接觸層的膜厚為20nm IOOnm時(shí)，也可以確認(rèn)，通過(guò)將N2氣體分壓比設(shè)為0. 025% /nm以下，可以抑制短路電流及光電轉(zhuǎn)換效率的降低。(基板側(cè)透明電極層)對(duì)改變了作為基板側(cè)透明電極層的GZO膜制膜時(shí)的N2分壓比的單型結(jié)晶質(zhì)硅太陽(yáng)能電池單電池的電池性能進(jìn)行了評(píng)價(jià)。使用大小為IjmXl. Im的玻璃基板，制作了具有以下層構(gòu)成的單型結(jié)晶質(zhì)硅太陽(yáng)能電池單電池。基板側(cè)透明電極層GZ0膜(Ga2O3O. 5wt % )、平均膜厚400nm結(jié)晶質(zhì)硅ρ層膜厚20nm結(jié)晶質(zhì)硅i層膜厚2000nm結(jié)晶質(zhì)硅η層膜厚30nm背面?zhèn)韧该麟姌O層GZ0膜(Gei2O3O. 5wt %、N2氣體添加量0 % )、膜厚80nm背面電極層Ag膜、膜厚250nm作為基板側(cè)透明電極層的GZO膜的制膜中，將相對(duì)于Ar氣體的N2氣體添加量(N2 氣體分壓比)設(shè)為0%、0. 4%、1%、2%、4%、8%。其它GZO制膜條件與確認(rèn)了上述GZO膜的光吸收系數(shù)的試驗(yàn)相同。圖18 圖21表示作為基板側(cè)透明電極層形成了 GZO膜的單型太陽(yáng)能電池單電池的電池特性和GZO制膜時(shí)的隊(duì)氣體添加量的關(guān)系。上述圖中，橫軸為隊(duì)氣體添加量?？v軸在圖18中為短路電流，在圖19中為開(kāi)路電壓，在圖20中為形狀因子，在圖21中為光電轉(zhuǎn)換效率，將各隊(duì)氣體添加量0%時(shí)的值設(shè)為1進(jìn)行標(biāo)準(zhǔn)化。隨著GZO膜制膜時(shí)的隊(duì)氣體添加量增加，短路電流及光電轉(zhuǎn)換效率減小。另一方面，開(kāi)路電壓及形狀因子不依存于隊(duì)氣體添加量。由GZO膜中混入的氮?dú)庖鸬奶?yáng)能電池單電池光電轉(zhuǎn)換效率的降低可以容許至5%。因此，在作為基板側(cè)透明電極層制作了 GZO 膜的情況下，需要將N2氣體添加量管理在0. 4%以下。即，在作為基板側(cè)透明電極層制膜 GZO膜的情況下，每單位膜厚的N2氣體分壓比設(shè)為0. 4% /400nm = 0. 001 % /nm以下。由于基板側(cè)透明電極層相對(duì)光電轉(zhuǎn)換層位于光入射側(cè)形成為厚膜，因此，在基板側(cè)透明電極層的情況下，相比中間接觸層或背面?zhèn)韧该麟姌O層的情況，需要縮小GZO膜的光吸收率。在太陽(yáng)能電池中可以根據(jù)配置GZO膜的位置，適宜設(shè)定所需的GZO膜的光吸收率，從而來(lái)決定 N2分壓比。 此外，在基板側(cè)透明電極層的膜厚為400nm IOOOnm時(shí)，也可以確認(rèn)，通過(guò)將N2氣體分壓比設(shè)為0. 001% /nm以下，可以抑制短路電流及光電轉(zhuǎn)換效率的降低。
權(quán)利要求
1.一種光電轉(zhuǎn)換裝置的制造方法，其特征在于，在基板上形成基板側(cè)透明電極層的工序、以及在光電轉(zhuǎn)換層上形成背面?zhèn)韧该麟姌O層的工序的至少一個(gè)工序中，作為所述基板側(cè)透明電極層或所述背面?zhèn)韧该麟姌O層，控制隊(duì)氣體分壓來(lái)制膜以摻雜了 ( 的ZnO為主的透明導(dǎo)電膜，以使該透明導(dǎo)電膜每單位膜厚的所述隊(duì)氣體分壓相對(duì)惰性氣體分壓之比在規(guī)定值以下。
2.一種光電轉(zhuǎn)換裝置的制造方法，其特征在于，在基板上形成基板側(cè)透明電極層的工序、在構(gòu)成光電轉(zhuǎn)換層的多個(gè)電池層中鄰接的兩個(gè)電池層之間形成中間接觸層的工序、以及在光電轉(zhuǎn)換層上形成背面?zhèn)韧该麟姌O層的工序中的至少一個(gè)工序中，作為所述基板側(cè)透明電極層、所述中間接觸層、及所述背面?zhèn)韧该麟姌O層，控制N2氣體分壓來(lái)制膜以摻雜了 ( 的SiO為主的透明導(dǎo)電膜，以使該透明導(dǎo)電膜每單位膜厚的所述N2 氣體分壓相對(duì)惰性氣體分壓之比在規(guī)定值以下。
3.如權(quán)利要求2所述的光電轉(zhuǎn)換裝置的制造方法，其特征在于，控制隊(duì)氣體分壓來(lái)制膜所述中間接觸層，以使該中間接觸層每單位膜厚的所述隊(duì)氣體分壓相對(duì)惰性氣體分壓之比在0. 025% /nm以下。
4.如權(quán)利要求1 3中任一項(xiàng)所述的光電轉(zhuǎn)換裝置的制造方法，其特征在于，控制隊(duì)氣體分壓來(lái)制膜所述基板側(cè)透明電極層，以使該基板側(cè)透明電極層每單位膜厚的所述N2氣體分壓相對(duì)惰性氣體分壓之比在0. 001% /nm以下。
5.如權(quán)利要求1 4中任一項(xiàng)所述的光電轉(zhuǎn)換裝置的制造方法，其特征在于，控制隊(duì)氣體分壓來(lái)制膜所述背面?zhèn)韧该麟姌O層，以使該中間接觸層或背面?zhèn)韧该麟姌O層每單位膜厚的所述N2氣體分壓相對(duì)惰性氣體分壓之比在0. 025% /nm以下。
全文摘要
本發(fā)明提供一種制造通過(guò)抑制可見(jiàn)光短波長(zhǎng)區(qū)域的光吸收而具有高的光電轉(zhuǎn)換效率的光電轉(zhuǎn)換裝置的方法。該光電轉(zhuǎn)換裝置(100)的制造方法，在基板(1)上形成基板側(cè)透明電極層(2)的工序、在鄰接的兩個(gè)電池層(91、92)之間形成中間接觸層(5)的工序、及、在光電轉(zhuǎn)換層(3)上形成背面?zhèn)韧该麟姌O層(6)的工序中，作為基板側(cè)透明電極層(2)、中間接觸層(5)、及背面?zhèn)韧该麟姌O層(6)，控制N2氣體分壓來(lái)制膜以摻雜了Ga的ZnO為主的透明導(dǎo)電膜，以使透明導(dǎo)電膜每單位膜厚的N2氣體分壓相對(duì)惰性氣體分壓之比在規(guī)定值以下。
文檔編號(hào)H01L31/0224GK102414842SQ20108001850
公開(kāi)日2012年4月11日 申請(qǐng)日期2010年6月23日 優(yōu)先權(quán)日2009年9月10日
發(fā)明者山下信樹(shù), 山口賢剛 申請(qǐng)人:三菱重工業(yè)株式會(huì)社