專利名稱：用于制造有機(jī)電致發(fā)光顯示設(shè)備的方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及用于制造有機(jī)電致發(fā)光(EL)顯示設(shè)備的方法。
背景技術(shù)：
有機(jī)電致發(fā)光(EL)顯示設(shè)備是包括作為自發(fā)光元件的有機(jī)電致發(fā)光(EL)元件的顯示設(shè)備(顯示器)。因此，不僅與液晶顯示器的情況不同地不需要背光，而且能夠?qū)崿F(xiàn)輕重量和小厚度。因此，有機(jī)電致發(fā)光顯示設(shè)備作為具有良好的響應(yīng)速度、視角和顏色再現(xiàn)性的下一代顯示器已經(jīng)引起注意。雖然有機(jī)電致發(fā)光顯示設(shè)備具有這種優(yōu)秀的性能，但是它們沒有被廣泛出售的理由在于，難以處理具有發(fā)光性能的有機(jī)化合物層(發(fā)光層)。通常，為了制造全色的有機(jī)電致發(fā)光顯示設(shè)備，必須分開形成構(gòu)成有機(jī)電致發(fā)光顯示設(shè)備的各種發(fā)光顏色(R、G和B)的有機(jī)電致發(fā)光元件。為了針對不同的顏色分開形成這種有機(jī)電致發(fā)光元件，特別是在用于發(fā)光層的材料是低分子量材料時，通常采用使用掩模的氣相沉積工藝。然而，在這種氣相沉積工藝中使用的掩模是昂貴的。另外，由于掩模的精度確定了有機(jī)電致發(fā)光顯示設(shè)備的精度，因此，與其精度由光刻工藝確定的液晶顯示器相比，這種有機(jī)電致發(fā)光顯示設(shè)備從實現(xiàn)高分辨率的顯示設(shè)備的觀點來說不是令人滿意的。用于制造有機(jī)電致發(fā)光顯示設(shè)備的陰影掩模(shadow mask)大致被分成通過鍍敷來形成的鍍敷掩模和通過刻蝕來形成的刻蝕掩模。使用陰影掩模來形成其發(fā)光顏色是紅色、藍(lán)色和綠色中的任何一種并且其構(gòu)成有機(jī)電致發(fā)光顯示設(shè)備的有機(jī)電致發(fā)光元件的發(fā)光層，使得分開地布置各個發(fā)光顏色的發(fā)光層。更具體地說，用于形成某一發(fā)光層的陰影掩模被放置在蒸發(fā)源與其上具有TFT和其它組件的襯底之間。通過打開和閉合設(shè)置在蒸發(fā)源與陰影掩模之間的遮蔽板來控制沉積時間，以便形成具有預(yù)定厚度和圖案的發(fā)光層。至于在該情況下使用的方法，PTL 1和PTL 2具體公開了用于通過氣相沉積分開地形成各種顏色的發(fā)光層的方法。同時，近來，移動設(shè)備等所需的顯示器(有機(jī)電致發(fā)光顯示設(shè)備)的分辨率的增大已經(jīng)快速地發(fā)展。例如，在與3英寸對應(yīng)的顯示器中，已經(jīng)普遍地使用視頻圖形陣列(VGA) 規(guī)范(垂直方向上的480像素X水平方向上的640像素)。然而，在根據(jù)VGA規(guī)范制造有機(jī)電致發(fā)光顯示設(shè)備的情況下，用于形成構(gòu)成有機(jī)電致發(fā)光顯示設(shè)備的有機(jī)電致發(fā)光元件的陰影掩模的開口具有95微米的間距。另外，在發(fā)光層被形成在布置在有機(jī)電致發(fā)光顯示設(shè)備中的有機(jī)電致發(fā)光元件的預(yù)定位置處時，在形成發(fā)光層之前在掩模與襯底之間的對準(zhǔn)精度是重要的。這是因為通過從陰影掩模的開口的間距中減去對準(zhǔn)精度而計算的值與構(gòu)成每個有機(jī)電致發(fā)光顯示元件的發(fā)光層的寬度對應(yīng)。 在VGA規(guī)范的情況下，必須使發(fā)光層的每個開口的寬度為40微米或更小，并且因此，還必須將掩模的每個開口的寬度設(shè)計為40微米或更小。為了實現(xiàn)高分辨率的有機(jī)電致發(fā)光顯示設(shè)備，必須根據(jù)掩模的開口的寬度來減少掩模的膜厚。這是因為在形成掩模中使用刻蝕。也就是說，在制作包括具有窄寬度的開口的掩模時，為了確保掩模的精度必須減少掩模的膜厚。然而，在膜厚減少時，掩模的機(jī)械強(qiáng)度降低。掩模的機(jī)械強(qiáng)度的降低導(dǎo)致如下的問題，即在例如為了去除構(gòu)成有機(jī)電致發(fā)光(EL) 層且附著于掩模的材料而在液體中定期地清潔掩模以使得能夠再次使用掩模時，掩模容易變形。更具體地說，在從清潔液中取出掩模時，由于附著于掩模的開口的清潔液的表面張力而使開口彼此吸引。結(jié)果，在掩模中產(chǎn)生狹縫變形。因此，在掩模的膜厚減少時，掩模的壽命縮短，導(dǎo)致有機(jī)電致發(fā)光顯示設(shè)備的制作成本顯著增大的問題。在用于消除在掩模的膜厚方面的上述問題的已知方法中，通過鍍敷在掩模的表面上形成膜。在該情況下，能夠在確保開口的窄寬度的同時增大掩模的膜厚。然而，在該方法中，成本增大，并且結(jié)果形成的掩模相當(dāng)昂貴。另外，通常被用作通過鍍敷形成的這種膜的NiCo具有比通常被用作掩模的因瓦合金(Invar)材料更高的熱膨脹系數(shù)。因此，為了確保使用的掩模的精度，必要的是掩模被應(yīng)用于框架材料處的張力比因瓦合金材料的情況下的大。因此，結(jié)果形成的掩模容易經(jīng)受塑性變形。因此，掩模的制造中的成品率降低并且掩模自身變得更昂貴，導(dǎo)致有機(jī)電致發(fā)光顯示設(shè)備的制作成本顯著增大的問題。此外，在其中在確保開口的窄寬度的同時通過上述鍍敷方法增大掩模的膜厚的情況下，有機(jī)電致發(fā)光元件的膜厚根據(jù)從蒸發(fā)源向掩模的開口行進(jìn)的蒸發(fā)物質(zhì)的入射角而變化。這是因為蒸發(fā)源通常從與掩模相比十分小的點狀或線狀的開口放出蒸發(fā)物質(zhì)。因此， 在蒸發(fā)物質(zhì)進(jìn)入掩模的開口時，根據(jù)蒸發(fā)物質(zhì)的入射角而發(fā)生其中蒸發(fā)物質(zhì)彈回離開掩模的開口的壁表面的“遮蔽(shading)”。結(jié)果圖案形成的薄膜的厚度由于該遮蔽而變化。遮蔽的出現(xiàn)取決于在蒸發(fā)物質(zhì)進(jìn)入掩模的開口時的入射角和掩模的膜厚而不取決于掩模的寬度。然而，隨著掩模的開口的寬度減少，遮蔽的效果增大，因此遮蔽顯著地影響有機(jī)電致發(fā)光面板的顏色純度。另一種想得到的用于增大掩模強(qiáng)度的方法是在其中在掩模的開口中以恒定間隔形成橋的方法。然而，在形成這種橋時，掩模的對準(zhǔn)精度不僅取決于像通常方法中一樣的在水平方向上的對準(zhǔn)精度，而且取決于在垂直方向上的對準(zhǔn)精度。結(jié)果，必須預(yù)先形成有機(jī)電致發(fā)光元件的有機(jī)發(fā)光層的開口以使得不僅在水平方向上而且在垂直方向上具有減小的尺寸。因此，每個有機(jī)電致發(fā)光元件的發(fā)光部分的每一像素的開口率顯著地降低。引用文獻(xiàn)列表專利文獻(xiàn)PTL 1 日本專利公開 No. 2002-110345PTL 2 日本專利公開 No. 10-31288
發(fā)明內(nèi)容
已經(jīng)提出本發(fā)明來解決上述問題。本發(fā)明提供了一種用于制造有機(jī)電致發(fā)光顯示設(shè)備的方法，在該方法中，能夠在確保掩模的開口的寬度的同時增大掩模的壽命并且能夠提高生產(chǎn)效率。具體地，本發(fā)明提供了一種用于制造有機(jī)電致發(fā)光顯示設(shè)備的方法，所述有機(jī)電致發(fā)光顯示設(shè)備包括襯底和多個像素，所述多個像素中的每個像素包括兩種或更多種類型的子像素，所述像素被布置在所述襯底的顯示區(qū)域中，并且在所述子像素之中，一種類型的子像素是以一定的間隔設(shè)置的指定子像素。在所述方法中，通過如下步驟來形成所述指定子像素(i)通過使用在與從所述顯示區(qū)域的側(cè)端起計數(shù)的第2n-l個指定子像素對應(yīng)的位置處具有開口的掩模來選擇性地形成從所述顯示區(qū)域的所述側(cè)端起計數(shù)的第2n-l個指定子像素，其中η表示1或更大的整數(shù)；以及(ii)通過使用在與從所述側(cè)端起計數(shù)的第2η個指定子像素對應(yīng)的位置處具有開口的掩模來選擇性地形成從所述側(cè)端起計數(shù)的第2η個指定子像素，其中η表示1或更大的整數(shù)。根據(jù)本發(fā)明，可以提供一種用于制造有機(jī)電致發(fā)光顯示設(shè)備的方法，在該方法中， 能夠在確保掩模的開口的寬度的同時增大掩模的壽命并且能夠提高生產(chǎn)效率。


[圖1Α]圖IA是示出由本發(fā)明的方法制造的有機(jī)電致發(fā)光顯示設(shè)備的第一示例的示意性平面圖。[圖1Β]圖IB是示出由本發(fā)明的方法制造的有機(jī)電致發(fā)光顯示設(shè)備的第一示例的示意性截面圖。[圖2Α]圖2Α是示出在根據(jù)本發(fā)明第一實施例的方法中形成有機(jī)電致發(fā)光層的步驟的示意圖。[圖2Β]圖2Β是示出在根據(jù)本發(fā)明第一實施例的方法中形成有機(jī)電致發(fā)光層的步驟的示意圖。[圖3]圖3是示出在形成與指定子像素對應(yīng)的有機(jī)電致發(fā)光層中使用的三種類型掩模的清潔之后產(chǎn)生的變形的狹縫的數(shù)量的曲線圖。[圖4Α]圖4Α是示出由本發(fā)明的方法制造的有機(jī)電致發(fā)光顯示設(shè)備的第二示例的示意性平面圖。[圖4Β]圖4Β是示出由本發(fā)明的方法制造的有機(jī)電致發(fā)光顯示設(shè)備的第二示例的示意性截面圖。[圖5Α]圖5Α是示出在根據(jù)本發(fā)明第二實施例的方法中形成有機(jī)電致發(fā)光層的步驟的示意圖。[圖5Β]圖5Β是示出在根據(jù)本發(fā)明第二實施例的方法中形成有機(jī)電致發(fā)光層的步驟的示意圖。[圖5C]圖5C是示出在根據(jù)本發(fā)明第二實施例的方法中形成有機(jī)電致發(fā)光層的步驟的示意圖。[圖5D]圖5D是示出在根據(jù)本發(fā)明第二實施例的方法中形成有機(jī)電致發(fā)光層的步驟的示意圖。[圖6Α]圖6Α是示出由本發(fā)明的方法制造的有機(jī)電致發(fā)光顯示設(shè)備的第三示例的示意性平面圖。[圖6Β]圖6Β是示出由本發(fā)明的方法制造的有機(jī)電致發(fā)光顯示設(shè)備的第三示例的示意性截面圖。[圖7Α]圖7是示出在根據(jù)本發(fā)明第三實施例的方法中形成有機(jī)電致發(fā)光層的步驟的示意圖。[圖7Β]圖7Β是示出在根據(jù)本發(fā)明第三實施例的方法中形成有機(jī)電致發(fā)光層的步驟的示意圖。[圖7C]圖7C是示出在根據(jù)本發(fā)明第三實施例的方法中形成有機(jī)電致發(fā)光層的步驟的示意圖。[圖7D]圖7D是示出在根據(jù)本發(fā)明第三實施例的方法中形成有機(jī)電致發(fā)光層的步驟的示意圖。[圖8]圖8是在形成提岸(bank)中使用的掩模的示意圖。[圖9]圖9是在示例1中使用的用于形成有機(jī)電致發(fā)光層的設(shè)備的示意圖。[圖10A]圖IOA是示出在形成示例1中的上電極和有機(jī)電致發(fā)光層的過程中的步驟的示意性截面圖。[圖10B]圖IOB是示出在形成示例1中的上電極和有機(jī)電致發(fā)光層的過程中的步驟的示意性截面圖。[圖10C]圖IOC是示出在形成示例1中的上電極和有機(jī)電致發(fā)光層的過程中的步驟的示意性截面圖。[圖10D]圖IOD是示出在形成示例1中的上電極和有機(jī)電致發(fā)光層的過程中的步驟的示意性截面圖。[圖10E]圖IOE是示出在形成示例1中的上電極和有機(jī)電致發(fā)光層的過程中的步驟的示意性截面圖。[圖10F]圖IOF是示出在形成示例1中的上電極和有機(jī)電致發(fā)光層的過程中的步驟的示意性截面圖。[圖10G]圖IOG是示出在形成示例1中的上電極和有機(jī)電致發(fā)光層的過程中的步驟的示意性截面圖。[圖10H]圖IOH是示出在形成示例1中的上電極和有機(jī)電致發(fā)光層的過程中的步驟的示意性截面圖。[圖101]圖101是示出在形成示例1中的上電極和有機(jī)電致發(fā)光層的過程中的步驟的示意性截面圖。[圖10J]圖IOJ是示出在形成示例1中的上電極和有機(jī)電致發(fā)光層的過程中的步驟的示意性截面圖。[圖11A]圖IlA是在形成示例1中的綠色(G)發(fā)光層的步驟中使用的掩模的示意圖。[圖11B]圖IlB是圖IlA中的部分XIB的局部放大示意圖。[圖12]圖12是示出了在示例2中使用的用于形成上電極和有機(jī)電致發(fā)光層的設(shè)備的示意圖。[圖13A]圖13A是示出在形成示例2中的上電極和有機(jī)電致發(fā)光層的過程中的步驟的示意性截面圖。[圖13B]圖1 是示出在形成示例2中的上電極和有機(jī)電致發(fā)光層的過程中的步驟的示意性截面圖。[圖13C]圖13C是示出在形成示例2中的上電極和有機(jī)電致發(fā)光層的過程中的步驟的示意性截面圖。[圖13D]圖13D是示出在形成示例2中的上電極和有機(jī)電致發(fā)光層的過程中的步驟的示意性截面圖。[圖13E]圖13E是示出在形成示例2中的上電極和有機(jī)電致發(fā)光層的過程中的步驟的示意性截面圖。[圖13F]圖13F是示出在形成示例2中的上電極和有機(jī)電致發(fā)光層的過程中的步驟的示意性截面圖。[圖13G]圖13G是示出在形成示例2中的上電極和有機(jī)電致發(fā)光層的過程中的步驟的示意性截面圖。[圖13H]圖13H是示出在形成示例2中的上電極和有機(jī)電致發(fā)光層的過程中的步驟的示意性截面圖。[圖14A]圖14A是在形成示例2中的紅色(R)發(fā)光層的步驟中使用的掩模的示意圖。[圖14B]圖14B是在形成示例2中的藍(lán)色(B)發(fā)光層的步驟中使用的掩模的示意圖。[圖15A]圖15A是示出在形成示例3中的上電極和有機(jī)電致發(fā)光層的過程中的步驟的示意性截面圖。[圖15B]圖15B是示出在形成示例3中的上電極和有機(jī)電致發(fā)光層的過程中的步驟的示意性截面圖。[圖15C]圖15C是示出在形成示例3中的上電極和有機(jī)電致發(fā)光層的過程中的步驟的示意性截面圖。[圖15D]圖15D是示出在形成示例3中的上電極和有機(jī)電致發(fā)光層的過程中的步驟的示意性截面圖。[圖15E]圖15E是示出在形成示例3中的上電極和有機(jī)電致發(fā)光層的過程中的步驟的示意性截面圖。[圖15F]圖15F是示出在形成示例3中的上電極和有機(jī)電致發(fā)光層的過程中的步驟的示意性截面圖。[圖15G]圖15G是示出在形成示例3中的上電極和有機(jī)電致發(fā)光層的過程中的步驟的示意性截面圖。[圖15H]圖15H是示出在形成示例3中的上電極和有機(jī)電致發(fā)光層的過程中的步驟的示意性截面圖。
具體實施例方式第一實施例 首先，將描述由本發(fā)明的方法制造的有機(jī)電致發(fā)光顯示設(shè)備。由本發(fā)明的方法制造的有機(jī)電致發(fā)光顯示設(shè)備包括襯底和多個像素，每個像素包括兩種或更多種類型的子像素?，F(xiàn)在將參考附圖描述有機(jī)電致發(fā)光顯示設(shè)備。圖IA是示出由本發(fā)明的方法制造的有機(jī)電致發(fā)光顯示設(shè)備的第一示例的示意性平面圖。圖IB是有機(jī)電致發(fā)光顯示設(shè)備的示意性截面圖。圖IA和圖IB所示出的有機(jī)電致發(fā)光顯示設(shè)備1包括襯底10和布置在襯底10的
7預(yù)定區(qū)域中、更具體地說在襯底10的顯示區(qū)域中的多個像素11。在本申請中，術(shù)語“布置” 具體意指像素11被布置成矩陣形狀，如圖IA所示。在下面的描述中，襯底10上的設(shè)置像素11的區(qū)域可以被稱為“顯示區(qū)域”。構(gòu)成有機(jī)電致發(fā)光顯示設(shè)備1的每個像素11是包括紅色(R)子像素llr、綠色(G) 子像素Ilg和藍(lán)色(B)子像素lib的組件。構(gòu)成像素11的這三種類型的子像素IlrUlg 和lib具有矩形形狀并且是分別發(fā)射紅光、綠光和藍(lán)光的有機(jī)電致發(fā)光元件。這些有機(jī)電致發(fā)光元件中的每一個是設(shè)置在襯底10上并且其中依次堆疊下電極12、有機(jī)電致發(fā)光層 13和上電極14的電子元件。在下面的描述中，有機(jī)電致發(fā)光層13可以被稱為分別與子像素llr、Ilg和lib對應(yīng)的有機(jī)電致發(fā)光層13r、13g和13b。在圖IA和圖IB所示出的有機(jī)電致發(fā)光顯示設(shè)備1中，將電信號傳送到與像素的單元中的各個子像素IlrUlg和lib對應(yīng)的有機(jī)電致發(fā)光元件。與各個子像素IlrUlg和 lib對應(yīng)的有機(jī)電致發(fā)光元件中的任何一個由該電信號驅(qū)動，由此圖IA和圖IB所示出的有機(jī)電致發(fā)光顯示設(shè)備1能夠執(zhí)行全色顯示。在圖IA和圖IB所示出的有機(jī)電致發(fā)光顯示設(shè)備1中，構(gòu)成每個像素11的子像素 IlrUlg和lib具有基本上相同的面積。此外，以一定的間隔均勻地排列子像素IlrUlg和 1 Ib。在本實施例中，參照圖IA和圖1B，子像素的排列序列是從顯示區(qū)域的左端開始RGBRGB 的順序，但是排列序列不限于此。圖IA和圖IB所示出的有機(jī)電致發(fā)光顯示設(shè)備1具有顯示區(qū)域，并且包括每個顏色在水平方向上的480線(line)和每個顏色在垂直方向上的640線，該顯示區(qū)域具有例如約3英寸的對角線和3 4的高寬比(垂直與水平的比)。為了說明的方便起見，在圖IA 和圖IB中示出了這些線中的一些。圖IA和圖IB所示出的有機(jī)電致發(fā)光顯示設(shè)備1的驅(qū)動方法可以是無源矩陣方法或有源矩陣方法。在采用有源矩陣方法時，如圖IB所示，包括基底101和設(shè)置在基底101 上的TFT電路102的襯底可以被用作襯底10。在圖IA和圖IB所示出的有機(jī)電致發(fā)光顯示設(shè)備1中，每個TFT電路102被電連接到對應(yīng)的下電極12，以便控制來自外部電路15的電信號。接下來，將描述用于制造圖IA和圖IB所示出的有機(jī)電致發(fā)光顯示設(shè)備1的方法。制備襯底的步驟(第一實施例)首先，制備作為有機(jī)電致發(fā)光顯示設(shè)備的組件的襯底10。由玻璃等組成的基底101可以按照原樣被用作襯底10，并且在下述的步驟中可以在基底101上形成電極層和有機(jī)電致發(fā)光層。在有機(jī)電致發(fā)光顯示設(shè)備被制造作為有源矩陣有機(jī)電致發(fā)光顯示設(shè)備的情況下，在該步驟中，TFT電路102(即用于驅(qū)動各個有機(jī)電致發(fā)光元件的元件電路)和用于驅(qū)動元件電路的驅(qū)動電路被形成在基底101上。在該步驟中， 還形成用于將電路彼此連接的布線以及用于將電路連接到外部的連接端子。在其中要在后面的步驟中形成有機(jī)電致發(fā)光元件的顯示區(qū)域中形成元件電路。另一方面，在顯示區(qū)域外部形成驅(qū)動電路。使用薄膜晶體管技術(shù)來形成每個電路。在分別形成電路、布線和連接端子之后，在每個元件電路上形成由SiN等組成的保護(hù)膜和由丙烯酸樹脂等組成的平坦化膜。在形成保護(hù)膜和平坦化膜之后，使用光刻技術(shù)等形成用于電連接的接觸孔。
注意，還可以使用比一個有機(jī)電致發(fā)光顯示設(shè)備1大的并且其上預(yù)先形成有多個有機(jī)電致發(fā)光顯示設(shè)備1的元件電路的襯底。形成下電極的步驟(第一實施例)接下來，在襯底10上形成下電極12。下電極12可以是光反射性的電極層或光透射性的電極層。然而，下述的下電極12或上電極14是光透射性的電極層。在下電極12被形成為光透射性的電極層的情況下，具體地，由諸如氧化銦鋅或氧化銦錫之類的透明的氧化物導(dǎo)電體組成的層被用作電極層?；蛘?，作為由透明的氧化物導(dǎo)電體組成的層的替代，可以使用光透射通過其的具有小厚度的金屬層。或者，還可以使用包括由透明的氧化物導(dǎo)電體組成的這種層和這種薄金屬層的疊層。另一方面，在下電極12被形成為光反射性的電極層的情況下，電極層的具體示例包括由金屬元素或合金組成的金屬薄膜以及包括這種金屬薄膜和由透明的氧化物導(dǎo)電體組成的層的疊層。能夠使用公眾已知的方法作為用于形成下電極12的方法。在形成下電極12之后，可以形成由丙烯酸樹脂等組成的提岸(未示出)。提岸限定下電極12的暴露的區(qū)域，以便限定在后面的步驟中形成的有機(jī)電致發(fā)光層的發(fā)光區(qū)域。 在這種情況下，提岸可以進(jìn)一步具有覆蓋由下電極的圖案引起的高度差的功能以便防止短路。另外，提岸還可以用作間隔件，使得在下述的氣相沉積的步驟(形成有機(jī)電致發(fā)光層的步驟)中使用的掩模不接觸諸如下電極12之類的發(fā)光部分。接下來，結(jié)果形成的其上如上所述地可選地形成有提岸的襯底被裝載在真空沉積設(shè)備中以便進(jìn)行熱處理或表面處理。熱處理是去除附著于或吸附于提岸和平坦化膜上的水氣的加熱步驟。例如，具有鎳鉻合金線(nichrome wire)等的熱線處理能夠作為熱處理被執(zhí)行。表面處理是清潔下電極的步驟。具體地，例如，進(jìn)行在減壓下的UV處理。形成有機(jī)電致發(fā)光層的步驟(第一實施例)接下來，在下電極12上形成有機(jī)電致發(fā)光層13。圖2A和圖2B是各示出了形成有機(jī)電致發(fā)光層的步驟的示意圖。如圖2A和圖2B所示，在這些步驟中，放置襯底10以使得其上要沉積膜的表面被布置在下方。然后從布置在下方位置處的蒸發(fā)源21順序地沉積用于有機(jī)電致發(fā)光層的材料，以便形成有機(jī)電致發(fā)光層。在這些步驟之前，首先，在圖IA和圖IB所示出的子像素之中指定一種類型的子像素作為指定子像素，并且形成與這些指定子像素對應(yīng)的有機(jī)電致發(fā)光層。以一定的圖案布置各具有一定的寬度的除指定子像素以外的子像素，并且因此以一定的間隔設(shè)置指定子像素。具體地，指定子像素是圖IA所示出的R子像素llr、G子像素Ilg或B子像素lib。在本發(fā)明中，通過下面的步驟(i)和(ii)來形成這些指定子像素。在步驟(i)中， 從顯示區(qū)域的側(cè)端起計數(shù)的第On-I)個指定子像素(其中η表示1或更大的整數(shù))通過使用在與從側(cè)端起計數(shù)的第On-I)個指定子像素對應(yīng)的位置處具有開口的掩模而被選擇性地形成。在步驟(ii)中，從側(cè)端起計數(shù)的第On)個指定子像素(其中η表示1或更大的整數(shù))通過使用在與從側(cè)端起計數(shù)的第On)個指定子像素對應(yīng)的位置處具有開口的掩模而被選擇性地形成。在上述步驟⑴和(ii)中，術(shù)語“顯示區(qū)域的側(cè)端”指的是在平面中觀看有機(jī)電致發(fā)光顯示設(shè)備時位于最左側(cè)或最右側(cè)的像素的外周。在本發(fā)明中，顯示區(qū)域的側(cè)端可以是像素的右側(cè)的外周或像素的左側(cè)的外周。此外，在執(zhí)行步驟(i)和(ii)時，步驟的順序不受特別地限制。現(xiàn)在將描述更具體的方法。首先，如圖2A所示，在與在被選為指定子像素的G子像素Ilg之中從顯示區(qū)域的左端起計數(shù)的第On-I)個G子像素Ilg對應(yīng)的位置處具有開口 22的掩模23在襯底10的下方位置處被對準(zhǔn)。隨后，從蒸發(fā)源21蒸發(fā)用于有機(jī)電致發(fā)光層13的材料，以便選擇性地形成與從顯示區(qū)域的左端起計數(shù)的第On-I)個G子像素Ilg對應(yīng)的有機(jī)電致發(fā)光層。結(jié)果，形成與位于圖IA中的位置“a”處的子像素對應(yīng)的有機(jī)電致發(fā)光層13g。接下來，如圖2B所示，在與在G子像素Ilg之中的從顯示區(qū)域的左端起計數(shù)的第 (2n)個G子像素Ilg對應(yīng)的位置處具有開口 22的掩模23在襯底10的下方位置處被對準(zhǔn)。 隨后，從蒸發(fā)源21蒸發(fā)用于有機(jī)電致發(fā)光層13的材料，以便選擇性地形成與從顯示區(qū)域的左端起計數(shù)的第On)個G子像素Ilg對應(yīng)的有機(jī)電致發(fā)光層。結(jié)果，形成與位于圖IA中的位置“b”處的子像素對應(yīng)的有機(jī)電致發(fā)光層13g。接下來，在與R子像素Ilr之中的從顯示區(qū)域的左端起計數(shù)的第Qn-I)個R子像素Ilr對應(yīng)的位置處具有開口 22的掩模23在襯底10的下方位置處被對準(zhǔn)。隨后，從蒸發(fā)源21蒸發(fā)用于有機(jī)電致發(fā)光層13的材料，以便選擇性地形成與從顯示區(qū)域的左端起計數(shù)的第On-I)個R子像素Ilr對應(yīng)的有機(jī)電致發(fā)光層。結(jié)果，形成與位于圖IA中的位置“C” 處的子像素對應(yīng)的有機(jī)電致發(fā)光層13r。接下來，在與R子像素Ilr之中的從顯示區(qū)域的左端起計數(shù)的第Qn)個R子像素 Ilr對應(yīng)的位置處具有開口 22的掩模23在襯底10的下方位置處被對準(zhǔn)。隨后，從蒸發(fā)源 21蒸發(fā)用于有機(jī)電致發(fā)光層13的材料，以便選擇性地形成與從顯示區(qū)域的左端起計數(shù)的第Qn)個R子像素Ilr對應(yīng)的有機(jī)電致發(fā)光層。結(jié)果，形成與位于圖IA中的位置“d”處的子像素對應(yīng)的有機(jī)電致發(fā)光層13r。接下來，在與B子像素lib之中的從顯示區(qū)域的左端起計數(shù)的第On-I)個B子像素lib對應(yīng)的位置處具有開口 22的掩模23在襯底10的下方位置處被對準(zhǔn)。隨后，從蒸發(fā)源21蒸發(fā)用于有機(jī)電致發(fā)光層13的材料，以便選擇性地形成與從顯示區(qū)域的左端起計數(shù)的第On-I)個B子像素lib對應(yīng)的有機(jī)電致發(fā)光層。結(jié)果，形成與位于圖IA中的位置“e” 處的子像素對應(yīng)的有機(jī)電致發(fā)光層13b。接下來，在與B子像素lib之中的從顯示區(qū)域的左端起計數(shù)的第Qn)個B子像素 lib對應(yīng)的位置處具有開口 22的掩模23在襯底10的下方位置處被對準(zhǔn)。隨后，從蒸發(fā)源 21蒸發(fā)用于有機(jī)電致發(fā)光層13的材料，以便選擇性地形成與從顯示區(qū)域的左端起計數(shù)的第Qn)個B子像素lib對應(yīng)的有機(jī)電致發(fā)光層。結(jié)果，形成與位于圖IA中的位置“f ”處的子像素對應(yīng)的有機(jī)電致發(fā)光層13b。通過上述步驟形成與各個子像素對應(yīng)的有機(jī)電致發(fā)光層。在形成與G子像素Ilg對應(yīng)的有機(jī)電致發(fā)光層13g的步驟中，可以按圖IA所示出的“b”和“a”的順序或者“a”和“b”的順序形成有機(jī)電致發(fā)光層13g。類似地，在形成與R 子像素Ilr對應(yīng)的有機(jī)電致發(fā)光層13r的步驟中，可以按圖IA所示出的“d”和“C”的順序或者“C”和“d”的順序形成有機(jī)電致發(fā)光層13r。類似地，在形成與B子像素lib對應(yīng)的有機(jī)電致發(fā)光層Hb的步驟中，可以按圖IA所示出的“f”和“e”的順序或者“e”和“f”的順序形成有機(jī)電致發(fā)光層13b。
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在這些步驟中形成的有機(jī)電致發(fā)光層13g、13i 和1 中的每一個是由其中堆疊至少包含發(fā)光層的一個或多個層的疊層組成的層。在該步驟中，在形成分別與子像素IlgUlr 和lib對應(yīng)并且由圖IA中的“a”到“f”示出的有機(jī)電致發(fā)光層13gU3r和13b時，優(yōu)選地， 考慮到掩模的壽命而使用單獨(dú)的掩模。具體地，在形成有機(jī)電致發(fā)光層13g、13i 和1 時， 優(yōu)選地總計制備六個掩模。然而，在除發(fā)光層以外的有機(jī)化合物層被形成為各種類型的子像素所共有的層的情況下，沒有必要在形成除發(fā)光層以外的層中使用掩模，并且因此在形成相同顏色的子像素時可以使用相同的掩模。在這種情況下，相同的掩?？杀挥糜谕ㄟ^氣相沉積形成各種顏色的發(fā)光層的步驟中，并且所使用的掩模的數(shù)量能夠被減少，但是制造吞吐量 (throughput)降低。另外，可以在形成相同顏色的發(fā)光層的步驟中使用單個沉積設(shè)備。在這種情況下，能夠使用裝載在單個沉積設(shè)備中的相同材料來沉積有機(jī)電致發(fā)光層，并且能夠在沉積設(shè)備中的坩堝中的材料的體積沒有顯著變化的狀態(tài)下沉積用于有機(jī)電致發(fā)光層的材料。結(jié)果，可以預(yù)先防止諸如由材料批次差異引起的顏色變化以及由坩堝中的材料的體積變化引起的沉積速率差異而導(dǎo)致的膜厚變化所引起的亮度變化之類的問題。在通過氣相沉積形成與各種類型的子像素對應(yīng)的有機(jī)電致發(fā)光層中，可以在各種類型的子像素中改變掩模的開口的寬度。在形成與各種子像素對應(yīng)的有機(jī)電致發(fā)光層中使用的掩模優(yōu)選地具有95微米或更大的開口間距以及40微米或更小的開口寬度。在形成與各種子像素對應(yīng)的有機(jī)電致發(fā)光層中，從加工精度的觀點來說，必須將掩模的厚度控制為小于開口寬度的約1.2倍。然而，在掩模的開口寬度為40微米或更小時，掩模的厚度小于50微米。結(jié)果，掩模自身的機(jī)械強(qiáng)度顯著地降低。為了解決該問題，掩模的開口的間距被控制為95微米或更大，由此抑制在清潔掩模期間狹縫變形的出現(xiàn)。注意，術(shù)語“間距”表示在掩模的相鄰的開口之間的間隔。更具體地說，間距是掩模的開口的寬度和在掩模的相鄰的開口之間的距離的總和。如上所述，在上述步驟中，在形成與至少指定子像素對應(yīng)的有機(jī)電致發(fā)光層中，使用其中開口被設(shè)置為使得交替地形成有機(jī)電致發(fā)光層的掩模。結(jié)果，與現(xiàn)有技術(shù)中的掩模相比，掩模的相鄰的開口之間的距離能夠被增大到兩倍或更大。因此，掩模自身的機(jī)械強(qiáng)度增大，由此即使在掩模具有小厚度的情況下也提高掩模的壽命。在形成有機(jī)電致發(fā)光層中使用的掩模被清潔和再次使用。在該情況下，在清潔掩模期間，在一些情況下掩模的開口中的一些可能變形。該變形被稱為狹縫變形，其是確定掩模的壽命的因素。能夠在清潔掩模之后的步驟中校正狹縫變形。然而，每當(dāng)校正狹縫變形時，就發(fā)生掩模自身的機(jī)械變形，并且狹縫變形不能被校正的可能性增大。當(dāng)即使在一個位置處產(chǎn)生不能校正的這種狹縫變形時，也不能再使用該掩模。因此，掩模的壽命由每一狹縫變形產(chǎn)生不能校正的狹縫變形的概率的乘積表示。因此，與變形的狹縫的數(shù)量的差異相比掩模的壽命更受該乘積的影響。另一方面，當(dāng)在兩個步驟中分開形成與至少指定子像素對應(yīng)的有機(jī)電致發(fā)光層時，使用掩模的以下兩種方法是想得到的。(1)其中兩次使用相同的掩模的方法。(2)其中在第一步驟和第二步驟中分別使用不同的掩模的方法。圖3是示出在形成與指定子像素對應(yīng)的有機(jī)電致發(fā)光層中使用的三種類型掩模
11的清潔之后產(chǎn)生的變形的狹縫的數(shù)量的曲線圖。該曲線圖的縱軸表示變形的狹縫的數(shù)量。 自然，該數(shù)量越小，掩模能被再次使用的次數(shù)越大。在圖3所示出的曲線圖中，樣本A C是下述的掩模。注意，用作樣本A C的原型(original)的掩模的共同點在于它們具有0. 03mm的膜厚并且具有3英寸的VGA規(guī)范。樣本A 在通過上述方法(1)來形成指定子像素時使用的掩模。樣本B 在通過上述方法( 來形成指定子像素時使用的掩模之中，在第一步驟中使用的掩模。樣本C 在通過上述方法( 來形成指定子像素時使用的掩模之中，在第二步驟中使用的掩模。圖3中的曲線圖示出了樣本B和樣本C中的每一掩模的變形的狹縫的數(shù)量小于樣本A的一半。該結(jié)果示出了通過改變在形成與指定子像素對應(yīng)的有機(jī)電致發(fā)光層時使用的掩模能夠提高掩模的壽命至少兩倍。在上述步驟中，能夠在至少步驟(i)和(ii)中使用具有每個在垂直方向上連續(xù)的開口的掩模。通過使用這種具有每個在垂直方向上連續(xù)的開口的掩模，能夠降低在垂直方向上的對準(zhǔn)精度。結(jié)果，能夠使用適合于高分辨率并且具有高開口率的掩模，并且因此，能夠制造具有高分辨率和長壽命的有機(jī)電致發(fā)光顯示設(shè)備。另外，還能夠通過使用具有每個在垂直方向上連續(xù)的開口的掩模而確保掩模的壽命。在上述步驟中，在至少步驟(i)和(ii)中，能夠使用相同的蒸發(fā)源。在這種情況下，即使在兩個步驟中分開地執(zhí)行形成與相同顏色的子像素對應(yīng)的有機(jī)電致發(fā)光層的過程時，也能夠使材料的成分和膜厚的變化減到最少。其理由如下。從蒸發(fā)源產(chǎn)生和蒸發(fā)的有機(jī)電致發(fā)光層材料受蒸發(fā)源中剩余的材料的量、蒸發(fā)源的溫度等的顯著影響。因此，在形成有機(jī)電致發(fā)光層時分開地設(shè)置多個蒸發(fā)源時，沉積速率等相當(dāng)難以被控制并且可能顯著地變化。為了防止該問題，通過在形成相同顏色的有機(jī)電致發(fā)光層中使用相同的蒸發(fā)源，能夠在第一和第二沉積步驟兩者中基本上同時從蒸發(fā)源產(chǎn)生蒸發(fā)的有機(jī)電致發(fā)光材料的環(huán)境下形成有機(jī)電致發(fā)光層。因此，與相同顏色的子像素對應(yīng)的有機(jī)電致發(fā)光層能夠被形成為使得材料的成分和膜厚是一致的。形成上電極的步驟(第一實施例)在形成有機(jī)電致發(fā)光層13之后，在有機(jī)電致發(fā)光層13上形成上電極14。如上所述，如在下電極12中一樣，上電極14可以是光透射性的電極層或光反射性的電極層。必要的是下電極12或上電極14被用作陽極或者陰極，但是，可以使用任意一個。下電極12可以與元件電路連接，并且上電極14可以與公共布線連接?；蛘撸梢葬槍γ總€子像素而獨(dú)立地設(shè)置上電極14。具體地，如下獨(dú)立地形成這種上電極14。通過在有機(jī)電致發(fā)光層13 的一部分中執(zhí)行激光燒蝕來形成接觸孔，并且使用掩模將上電極14形成作為用于元件的獨(dú)立電極并且與元件電路連接。密封步驟(第一實施例)在由本發(fā)明的方法制造的有機(jī)電致發(fā)光顯示設(shè)備中，能夠使用密封部件來保護(hù)構(gòu)成顯示設(shè)備的有機(jī)電致發(fā)光層和電極層不受大氣中的氧氣和水氣影響。例如，除連接端子以外的組件由玻璃帽(glass cap)覆蓋，并且利用粘合劑將襯底接合到玻璃帽，由此將構(gòu)成子像素的有機(jī)電致發(fā)光元件與外界空氣阻隔。因此，制造有機(jī)電致發(fā)光顯示設(shè)備。注意，可以通過設(shè)置由SiN等組成的保護(hù)膜以作為使用這種玻璃帽的替代來將有機(jī)電致發(fā)光元件與外界空氣阻隔。隨后，將電源、圖像信號和驅(qū)動信號從外部電路供應(yīng)到所制造的有機(jī)電致發(fā)光顯示設(shè)備，以便切換TFT電路，由此在顯示區(qū)域上顯示期望的圖像。第二實施例接下來，將描述本發(fā)明的第二實施例。首先，將描述在本實施例中制造的有機(jī)電致發(fā)光顯示設(shè)備。圖4A是示出由本發(fā)明的方法制造的有機(jī)電致發(fā)光顯示設(shè)備的第二示例的示意性平面圖。圖4B是有機(jī)電致發(fā)光顯示設(shè)備的示意性截面圖。與圖IA和圖IB所示出的有機(jī)電致發(fā)光顯示設(shè)備1的組件相同的組件被分配給相同的附圖標(biāo)記。下面將主要描述與第一實施例中描述的第一示例的差別。圖4A和圖4B所示出的有機(jī)電致發(fā)光顯示設(shè)備4具有從顯示區(qū)域的左側(cè)起 RGBGRGBG的子像素的排列圖案。然而，包括在一個像素內(nèi)的兩個G子像素能夠由單獨(dú)的信號分別驅(qū)動。因此，G子像素能夠由產(chǎn)生比為R子像素和B子像素產(chǎn)生的分辨率精細(xì)兩倍的分辨率的信號驅(qū)動。在本實施例中，例如，在具有約3英寸的對角線的顯示設(shè)備中，可以提供包括在列方向上具有96微米的間距(重復(fù)間隔)的640線的G子像素以及在列方向上各具有192微米的間距的320線的R子像素和320線的B子像素的配置。接下來，將具體地描述本實施例。在下面的描述中，將主要描述與第一實施例的差別。在本實施例中，能夠與第一實施例中一樣地進(jìn)行除形成有機(jī)電致發(fā)光層的步驟以外的步驟。形成有機(jī)電致發(fā)光層的步驟(第二實施例)當(dāng)在本實施例中形成有機(jī)電致發(fā)光層時，例如，G子像素被選為指定子像素，并且通過上述步驟(i)和(ii)來形成與G子像素對應(yīng)的有機(jī)電致發(fā)光層。具體地，首先，如圖5A所示，在與在G子像素1 Ig之中的從顯示區(qū)域的左端起計數(shù)的第On-I)個G子像素Ilg對應(yīng)的位置處具有開口 22的掩模23在襯底10的下方位置處被對準(zhǔn)。隨后，從蒸發(fā)源21蒸發(fā)用于有機(jī)電致發(fā)光層13的材料，以便選擇性地形成與從顯示區(qū)域的左端起計數(shù)的第On-I)個G子像素Ilg對應(yīng)的有機(jī)電致發(fā)光層。結(jié)果，形成與位于圖4A中的位置“a”處的子像素對應(yīng)的有機(jī)電致發(fā)光層13g。接下來，如圖5B所示，在與在G子像素Ilg之中的從顯示區(qū)域的左端起計數(shù)的第 (2n)個G子像素Ilg對應(yīng)的位置處具有開口 22的掩模23在襯底10的下方位置處被對準(zhǔn)。 隨后，從蒸發(fā)源21蒸發(fā)用于有機(jī)電致發(fā)光層13的材料，以便選擇性地形成與從顯示區(qū)域的左端起計數(shù)的第On)個G子像素Ilg對應(yīng)的有機(jī)電致發(fā)光層。結(jié)果，形成與位于圖4A中的位置“b”處的子像素對應(yīng)的有機(jī)電致發(fā)光層13g。與第一實施例中的一樣，在進(jìn)行步驟⑴和(ii)時，步驟的順序不受特別地限制。在進(jìn)行步驟(ii)之后，通過下述的步驟(iii)和(iv)來順序地形成R子像素和 B子像素。(iii)形成R子像素的步驟(iv)形成B子像素的步驟
在步驟(iii)中，具體地，如圖5C所示，在與R子像素Ilr對應(yīng)的位置處具有開口 22的掩模23在襯底10的下方位置處被對準(zhǔn)，并且從蒸發(fā)源21蒸發(fā)用于有機(jī)電致發(fā)光層 13的材料。結(jié)果，形成與位于圖4A中的位置“C”處的R子像素Ilr對應(yīng)的有機(jī)電致發(fā)光層 13r。在步驟(iv)中，具體地，如圖5D所示，在與B子像素lib對應(yīng)的位置處具有開口 22的掩模23在襯底10的下方位置處被對準(zhǔn)，并且從蒸發(fā)源21蒸發(fā)用于有機(jī)電致發(fā)光層 13的材料。結(jié)果，形成與位于圖4A中的位置“d”處的B子像素lib對應(yīng)的有機(jī)電致發(fā)光層 13b。在本實施例中，如圖5A 5D所示，用于形成與R子像素和B子像素對應(yīng)的有機(jī)電致發(fā)光元件的掩模的開口的寬度比用于形成與G子像素對應(yīng)的有機(jī)電致發(fā)光元件的掩模的開口的寬度大。也就是說，在本實施例中，G子像素被設(shè)置為具有小的寬度，并且R子像素和B子像素被設(shè)置為具有大的寬度。根據(jù)該結(jié)構(gòu)，能夠在確保掩模壽命的同時并且在不顯著地降低顯示器的分辨率感覺的情況下減少使用的掩模的數(shù)量以及分開地形成有機(jī)電致發(fā)光層的步驟的數(shù)量。使G子像素Ilg的寬度變窄的理由在于，人的可見度對綠色最敏感。也就是說，理由在于，在利用高分辨率間距在襯底10上至少布置與G子像素對應(yīng)的有機(jī)電致發(fā)光元件時，觀看者能夠在分辨率感覺沒有顯著劣化的情況下觀看在顯示設(shè)備上顯示的圖像。在本實施例中，用于形成與R子像素和B子像素對應(yīng)的有機(jī)電致發(fā)光元件的掩模的開口的間距與用于形成與G子像素對應(yīng)的有機(jī)電致發(fā)光元件的掩模的開口的間距相同。 結(jié)果，用于形成與R子像素和B子像素對應(yīng)的有機(jī)電致發(fā)光元件的掩模能夠具有等于或高于用于形成與G子像素對應(yīng)的有機(jī)電致發(fā)光元件的掩模的掩模強(qiáng)度的掩模強(qiáng)度。此外，用于形成與R子像素和B子像素對應(yīng)的有機(jī)電致發(fā)光元件的掩模中的每一個被使用一次是足夠的。因此，在本實施例中，在形成有機(jī)電致發(fā)光層的步驟中使用掩模的總次數(shù)是四次，由此減少了制作成本。另一方面，在本實施例中，優(yōu)選地，在步驟(i)中使用的掩模和在步驟(ii)中使用的掩模是不同的。在本實施例中，在形成各種類型的子像素的步驟中，形成有機(jī)電致發(fā)光層的步驟的數(shù)量是不同的。因此，在需要大量步驟的G子像素Ilg的有機(jī)電致發(fā)光層的形成中，制備掩模以使得掩模的數(shù)量等于形成有機(jī)電致發(fā)光層的步驟的數(shù)量。在該情況下，能夠同時執(zhí)行形成每種顏色的有機(jī)電致發(fā)光層的所有步驟。因此，能夠在不中斷各個步驟的情況下以恒定速度實現(xiàn)制造過程。第三實施例接下來，現(xiàn)在將描述本發(fā)明的第三實施例。首先，將描述在本實施例中制造的有機(jī)電致發(fā)光顯示設(shè)備。圖6A是示出由本發(fā)明的方法制造的有機(jī)電致發(fā)光顯示設(shè)備的第三示例的示意性平面圖。圖6B是有機(jī)電致發(fā)光顯示設(shè)備的示意性截面圖。與圖IA和圖IB所示出的有機(jī)電致發(fā)光顯示設(shè)備1的組件相同的組件被分配給相同的附圖標(biāo)記。下面將主要描述與第一實施例中描述的第一示例的差別。圖6A和圖6B所示出的有機(jī)電致發(fā)光顯示設(shè)備6具有從顯示區(qū)域的左側(cè)起(R) RGBBGRRGBBGR的子像素的排列圖案。
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接下來，將具體地描述本實施例。在下面的描述中，將主要描述與第一實施例的差別。在本實施例中，能夠與第一實施例中一樣地進(jìn)行除形成有機(jī)電致發(fā)光層的步驟以外的步驟。形成有機(jī)電致發(fā)光層的步驟(第三實施例)當(dāng)在本實施例中形成有機(jī)電致發(fā)光層時，例如，G子像素被選為指定子像素，并且通過上述步驟(i)和(ii)來形成與G子像素對應(yīng)的有機(jī)電致發(fā)光層。具體地，首先，如圖7A所示，在與在G子像素1 Ig之中的從顯示區(qū)域的左端起計數(shù)的第On-I)個G子像素Ilg對應(yīng)的位置處具有開口 22的掩模23在襯底10的下方位置處被對準(zhǔn)。隨后，從蒸發(fā)源21蒸發(fā)用于有機(jī)電致發(fā)光層13的材料，以便選擇性地形成與從顯示區(qū)域的左端起計數(shù)的第On-I)個G子像素Ilg對應(yīng)的有機(jī)電致發(fā)光層。結(jié)果，形成與位于圖6A中的位置“a”處的子像素Ilg對應(yīng)的有機(jī)電致發(fā)光層13g。接下來，如圖7B所示，在與在G子像素Ilg之中的從顯示區(qū)域的左端起計數(shù)的第 (2n)個G子像素Ilg對應(yīng)的位置處具有開口 22的掩模23在襯底10的下方位置處被對準(zhǔn)。 隨后，從蒸發(fā)源21蒸發(fā)用于有機(jī)電致發(fā)光層13的材料，以便選擇性地形成與從顯示區(qū)域的左端起計數(shù)的第On)個G子像素Ilg對應(yīng)的有機(jī)電致發(fā)光層。結(jié)果，形成與位于圖6A中的位置“b”處的子像素Ilg對應(yīng)的有機(jī)電致發(fā)光層13g。與第一實施例中的一樣，在進(jìn)行步驟⑴和(ii)時，步驟的順序不受特別地限制。 由于與第二實施例相同的原因，同樣在本實施例中，優(yōu)選地，在步驟(i)中使用的掩模和在步驟(ii)中使用的掩模是不同的。在進(jìn)行步驟(ii)之后，通過下述的步驟(ν)和(Vi)來順序地形成R子像素和B
子像素。(ν)形成R子像素的步驟(vi)形成B子像素的步驟在步驟(ν)中，具體地，如圖7C所示，在與R子像素Ilr對應(yīng)的位置處具有開口 22 的掩模23在襯底10的下方位置處被對準(zhǔn)，并且從蒸發(fā)源21蒸發(fā)用于有機(jī)電致發(fā)光層13 的材料。結(jié)果，同時形成與位于圖6Α中的位置“C”和“d”處的R子像素Ilr對應(yīng)的有機(jī)電致發(fā)光層13r。在步驟(vi)中，具體地，如圖7D所示，在與B子像素lib對應(yīng)的位置處具有開口 22的掩模23在襯底10的下方位置處被對準(zhǔn)，并且從蒸發(fā)源21蒸發(fā)用于有機(jī)電致發(fā)光層 13的材料。結(jié)果，同時形成與位于圖6A中的位置“e”和“f”處的B子像素lib對應(yīng)的有機(jī)電致發(fā)光層13b。根據(jù)本實施例，例如，在具有約3英寸的對角線的顯示設(shè)備中，可以提供包括在列方向上具有96微米的間距的640線的各種類型子像素的配置。在本實施例中使用掩模的次數(shù)和氣相沉積的次數(shù)與第二實施例中的相同。然而， 由于在每行中R子像素的數(shù)量、G子像素的數(shù)量和B子像素的數(shù)量是相同的，因此與第二實施例相比，本實施例在能夠提高分辨率感覺方面是有利的。在本實施例中，R子像素的發(fā)光面積和B子像素的發(fā)光面積中的每一個通常比G子像素的發(fā)光面積大。這是因為，在相同類型的相鄰子像素(即，在B與B之間以及在R與R
15之間)中，不必要考慮掩模的精度和子像素之間的距離而使用布局。因此，在本實施例中， 在相同類型的相鄰子像素之間的距離能夠比不同類型的相鄰子像素之間(即，B和G之間以及R和G之間)的距離小。因此，由于與第一實施例中描述的方法相比能夠減少相同類型的相鄰子像素之間的距離，因此能夠利用與該距離對應(yīng)的面積使得增大與子像素對應(yīng)的有機(jī)電致發(fā)光元件的發(fā)光面積。結(jié)果，與R子像素和B子像素對應(yīng)的有機(jī)電致發(fā)光元件的發(fā)光面積增大。另一方面，能夠利用上述的有機(jī)電致發(fā)光元件的發(fā)光面積的增大，以使得增大與不同類型的子像素對應(yīng)的有機(jī)電致發(fā)光元件的發(fā)光面積。在這種情況下，特別地，優(yōu)選地利用發(fā)光面積的增大，以使得增大與G子像素對應(yīng)的有機(jī)電致發(fā)光元件的發(fā)光面積。在該情況下，能夠在確保G子像素與其它類型子像素之間的距離的同時增大G子像素自身的發(fā)光面積。在能夠增大G子像素的發(fā)光面積時，還增大與G子像素對應(yīng)的掩模的開口的寬度，并且能夠增大在氣相沉積中使用的掩模的膜厚。在增大掩模的膜厚時，在清潔掩模的步驟中不傾向于發(fā)生狹縫變形，這在延長掩模的壽命方面是有利的。本實施例還在電力消耗方面是有利的。其理由如下。通過增大與G子像素對應(yīng)的有機(jī)電致發(fā)光元件的發(fā)光面積，每單位發(fā)光面積供應(yīng)的電流的量減少，并且因此在供應(yīng)相同量的電流時施加在有機(jī)電致發(fā)光元件之間的電壓降低。此外，與G子像素對應(yīng)的有機(jī)電致發(fā)光元件顯著地有助于亮度信號，并且在典型的圖像信號中，供應(yīng)給與G子像素對應(yīng)的有機(jī)電致發(fā)光元件的電流明顯地大于供應(yīng)給與R子像素和B子像素對應(yīng)的有機(jī)電致發(fā)光元件的電流。因此，這在能夠?qū)崿F(xiàn)減少電力消耗的最大效果方面也是有利的。注意，各種顏色的發(fā)光層的形成的順序不受特別限制。示例 1由第一實施例的方法來制造圖IA和圖IB所示出的有機(jī)電致發(fā)光顯示設(shè)備。現(xiàn)在將充分參考附圖描述具體的方法。在示例1中，在具有垂直方向上為360mm和水平方向上為460mm的尺寸的玻璃襯底上同時制造布置成4行和5列的總共二十個有機(jī)電致發(fā)光顯示設(shè)備。這里，所制造的每個有機(jī)電致發(fā)光顯示設(shè)備具有約3英寸的對角線，并且包括在垂直方向上的480個像素和水平方向上的640個像素。每個像素包括按RGB順序排列的三種類型的條帶狀的子像素。 每個像素的形狀是具有96微米的邊長(111)的正方形，并且與一個子像素對應(yīng)的有機(jī)電致發(fā)光元件被設(shè)置在垂直方向上為96微米且水平方向上為32微米的區(qū)域中。制備襯底的步驟(示例1)阻擋層(未示出)被形成在玻璃襯底(基底101)上。具體地，通過使用SiH4、NH3 和H2作為源氣體的等離子體化學(xué)氣相沉積(CVD)方法來形成具有200nm的厚度的硅氮化物(SiN)層。接下來，通過等離子體CVD方法在阻擋層上形成由非晶硅組成的且具有50nm的厚度的薄膜。這里，該非晶硅薄膜用作溝道層。接下來，非晶硅通過激光退火而被多晶化，并且隨后通過使用光刻技術(shù)的圖案化而被處理為具有預(yù)定形狀。因此，分別形成用于驅(qū)動、切換和控制電路的晶體管的溝道層。接下來，通過CVD方法在溝道層上沉積二氧化硅(SiO2)以便形成柵極絕緣膜。在該步驟中，柵極絕緣膜的厚度被控制為lOOnm。接下來，通過濺射方法等在柵極絕緣膜上順序地沉積鉭(Ta)和鋁(Al)以便形成金屬薄膜的疊層。在該步驟中，Ta薄膜的厚度被控制為50nm，并且Al薄膜的厚度被控制為200nm。接下來，金屬薄膜通過使用光刻技術(shù)的圖案化而被處理為具有預(yù)定形狀，以便形成柵極電極。接下來，利用抗蝕劑保護(hù)除溝道層的N區(qū)以外的區(qū)域。然后通過離子注入技術(shù)對溝道層的N區(qū)摻雜磷。接下來，利用抗蝕劑保護(hù)除溝道層的P區(qū)以外的區(qū)域。然后通過離子注入技術(shù)對溝道層的P區(qū)摻雜硼。接下來，利用激光束照射溝道層以便激活摻雜劑。接下來，通過等離子體CVD方法在溝道層和柵極電極上沉積SiN以便形成保護(hù)膜。 在該步驟中，保護(hù)膜的厚度被控制為500nm。接下來，通過使用光刻技術(shù)的圖案化而在保護(hù)膜的預(yù)定位置處形成用于連接的接觸孔。接下來，通過濺射方法在保護(hù)膜上順序地沉積鈦 (Ti)和鈦-鋁(TiAl)合金，以便形成具有雙層結(jié)構(gòu)的電極層。在該步驟中，Ti薄膜的膜厚被控制為lOOnm，并且TiAl合金薄膜的膜厚被控制為300nm。接下來，通過使用光刻技術(shù)的圖案化將具有雙層結(jié)構(gòu)的該電極層處理為具有預(yù)定形狀。處理后的具有雙層結(jié)構(gòu)的電極層根據(jù)其位置而用作源極電極、漏極電極、電容器電極和連接端子中的任何組件。接下來，通過CVD方法在具有雙層結(jié)構(gòu)的電極層上沉積SiN以便形成第一層間絕緣層。在該步驟中，第一層間絕緣層的厚度被控制為300nm。接下來，為了與對應(yīng)的下電極連接而通過光刻技術(shù)刻蝕第一層間絕緣層的期望的位置。接下來，在第一層間絕緣層上形成第二層間絕緣層。將丙烯酸樹脂(由JSR公司制造的PC415)施加到第一層間絕緣層上并且以1200rpm的轉(zhuǎn)數(shù)旋涂，以便形成薄膜。隨后，該薄膜被前烘并且隨后利用具有用于將每個薄膜晶體管電連接到對應(yīng)的下電極的開口的圖案的光掩模而暴露在lOOmW/cm2的照明強(qiáng)度下。接下來，薄膜被用顯影劑(由Tokyo Ohka Kogyo Co. ,Ltd.制造的NMDD顯影，并且然后在200攝氏度下被后烘，以便形成第二層間絕緣層。第二層間絕緣層的厚度為1.5微米。由上述方法制備的襯底被用作襯底10并且被用于下述的步驟中。形成下電極的步驟(示例1)通過濺射方法等在襯底10上依次沉積鋁硅(AlSi)合金和氧化銦錫(ITO)以便形成電極堆疊薄膜。在該步驟中，AlSi薄膜的厚度被控制為50nm，并且ITO薄膜的厚度被控制為lOOnm。接下來，通過光刻技術(shù)處理電極堆疊薄膜以便形成下電極12。下電極12覆蓋與薄膜晶體管電路連接的部分，并且具有長度為85微米且寬度為25微米的尺寸，其比其中形成下述的有機(jī)電致發(fā)光層的區(qū)域大。接下來，通過旋涂將丙烯酸樹脂(由JSR公司制造的PC415)施加到襯底10和下電極12上以便形成膜。在旋涂中，轉(zhuǎn)數(shù)被設(shè)定為1200rpm。接下來，結(jié)果形成的丙烯酸樹脂膜被前烘，并且隨后利用圖8所示的并且在要形成與各個子像素對應(yīng)的有機(jī)電致發(fā)光元件的位置處具有開口 81的光掩模82而暴露于具有l(wèi)OOmW/cm2的照明強(qiáng)度的光。接下來， 丙烯酸樹脂膜被用顯影劑(由iTokyo Ohka Kogyo Co.，Ltd.制造的NMD-3)顯影，并且然后在200攝氏度下被后烘，以便在除要設(shè)置有機(jī)電致發(fā)光元件的區(qū)域以外的區(qū)域中形成提岸 25。這里，提岸25的厚度為1.5微米。提岸25的邊緣被布置在下電極12上并且具有約40 度的錐形形狀。暴露下電極的區(qū)域具有長度為75微米且寬度為8微米的矩形形狀，并且在相鄰的暴露的區(qū)域之間的在水平方向上的距離為M微米。注意，考慮到用于形成下電極的圖案等的光刻技術(shù)中的對準(zhǔn)精度，能夠控制在相鄰的暴露的區(qū)域之間的在水平方向上的距離為正/負(fù)5微米或更小。另一方面，在該示例中，在相鄰的暴露的區(qū)域之間的在水平方向上的距離被設(shè)定為M微米的理由在于，考慮到金屬掩模的對準(zhǔn)精度(正/負(fù)約12微米)。形成有機(jī)電致發(fā)光層的步驟(示例1)接下來，通過下述的方法來形成有機(jī)電致發(fā)光層。圖9是用于形成有機(jī)電致發(fā)光層的設(shè)備的示意圖。圖IOA IOJ是示出形成上電極和有機(jī)電致發(fā)光層的過程的示意性截面圖。首先，將在形成提岸25之后獲得的襯底10放置在設(shè)備中，使得襯底10的要被處理的表面(即，其上設(shè)置有下電極12、提岸25等的表面)朝向向下的方向，并且然后將設(shè)備抽成真空。接下來，通過加熱襯底10來充分地執(zhí)行襯底10的脫水處理。圖IOA示出了在該狀態(tài)下的襯底10的截面結(jié)構(gòu)。接下來，襯底10被傳送到第一沉積室91，并且α -NPD被沉積在提岸25和下電極 12上以便形成空穴傳輸層131(圖10B)。在空穴傳輸層131的沉積中，使用圖8所示出的在與顯示區(qū)域?qū)?yīng)的位置處具有開口 81的掩模82，并且空穴傳輸層131被沉積作為每個顯示區(qū)域共有的層。在空穴傳輸層131的沉積中，鉬坩堝被用于蒸發(fā)源，并且通過利用以螺旋方式包圍坩堝的鞘(sheath)加熱器加熱坩堝來進(jìn)行氣相沉積。接下來，在形成空穴傳輸層131之后獲得的襯底10被移到第二沉積室92，并且通過真空沉積方法在空穴傳輸層131上形成綠色(G)發(fā)光層132g。圖IlA是在形成G發(fā)光層132g中使用的掩模23的整體示意圖，并且圖IlB是圖IlA中的部分XIB的局部放大示意圖。掩模23的材料是因瓦合金。掩模23的開口 22具有46. 2mm的長度、32微米的寬度 (dn)，在相鄰開口之間的距離(d12)為160微米，并且重復(fù)間距(d13( = dn+d12))為192微米。掩模23包括由因瓦合金組成并且具有20mm的厚度和寬度的框架M。具有30微米的厚度的箔被設(shè)置在開口 22的周邊處。通過刻蝕方法來形成該箔，并且在施加基本上能夠抵消由熱膨脹引起的伸長的張力的同時將該箔焊到掩模。在形成G發(fā)光層132g中，首先，掩模23被放置為使得掩模23的開口 22的位置與對應(yīng)于位于從每個顯示區(qū)域的左端起計數(shù)的第On-I)個位置處的G子像素Ilg的區(qū)域的位置對準(zhǔn)。接下來，沉積用于G發(fā)光層132g的材料、即從蒸發(fā)源產(chǎn)生的材料，以便在空穴傳輸層131上形成G發(fā)光層132g(圖10C)。通過分別在兩個蒸發(fā)源中裝載用作主體(host) 的Alq3和用作客體(guest)(發(fā)光化合物)的香豆素(coumarin) 6并且共同沉積這些化合物使得香豆素6的重量比為99 1來形成G發(fā)光層132g。在形成G發(fā)光層132g 中，在利用石英振蕩器厚度計測量沉積速率和膜厚、將結(jié)果反饋到蒸發(fā)源的溫度控制以便控制沉積速率、并且打開和閉合設(shè)置在蒸發(fā)源上方的閘門的同時，控制層的膜厚。接下來，在相同的沉積室中改變掩模的位置，使得掩模的開口的位置與對應(yīng)于位于從每個顯示區(qū)域的左端起計數(shù)的第On)個位置處的G子像素Ilg的區(qū)域的位置對準(zhǔn)。接下來，沉積用于G發(fā)光層132g的材料、即從蒸發(fā)源產(chǎn)生的材料，以便在空穴傳輸層131上形成G發(fā)光層132g(圖10D)。接下來，襯底10被移到第四沉積室94，并且放置用于形成紅色(R)發(fā)光層132r 的掩模，使得該掩模的開口的位置與對應(yīng)于位于從每個顯示區(qū)域的左端起計數(shù)的第On-I) 個位置的R子像素Ilr的區(qū)域?qū)?zhǔn)。接下來，沉積用于R發(fā)光層132r的材料、即從蒸發(fā)源產(chǎn)生的材料，以便在空穴傳輸層131上形成R發(fā)光層132r (圖10E)。通過共同沉積用作主體的和用作客體的W-(二氰亞甲基)-2-甲基-6 (ρ- 二甲氨基苯乙烯-4H-吡喃] ([4- (dicyanomethylene) -2-methyl-6 (p-dimethylaminostyryl) -4H-pyra η], DCM)使得 Alq3 DCM的重量比為99 1來形成R發(fā)光層132r。接下來，在相同的沉積室中改變掩模的位置，使得掩模的開口的位置與對應(yīng)于位于從每個顯示區(qū)域的左端起計數(shù)的第On)個位置處的R子像素Ilr的區(qū)域的位置對準(zhǔn)。接下來，沉積用于R發(fā)光層132r的材料、即從蒸發(fā)源產(chǎn)生的材料，以便在空穴傳輸層131上形成R發(fā)光層132r(圖10F)。接下來，襯底10被移到第五沉積室95，并且放置用于形成藍(lán)色(B)發(fā)光層132b 的掩模，使得該掩模的開口的位置與對應(yīng)于位于從每個顯示區(qū)域的左端起計數(shù)的第On-I) 個位置的B子像素lib的區(qū)域?qū)?zhǔn)。接下來，沉積用于B發(fā)光層132b的材料、即從蒸發(fā)源產(chǎn)生的材料，以便在空穴傳輸層131上形成B發(fā)光層132b (圖10G)。通過共同沉積二萘嵌苯染料和三[8-羥基喹啉]鋁(Alq3)使得二萘嵌苯染料Ah3的體積比為1 99來形成 B發(fā)光層132b0接下來，在相同的沉積室中改變掩模的位置，使得掩模的開口的位置與對應(yīng)于位于從每個顯示區(qū)域的左端起計數(shù)的第On)個位置處的B子像素lib的區(qū)域的位置對準(zhǔn)。接下來，沉積用于G發(fā)光層132b的材料、即從蒸發(fā)源產(chǎn)生的材料，以便在空穴傳輸層131上形成B發(fā)光層132b (圖10H)。接下來，襯底10被傳送到第六沉積室96，并且使用在與顯示區(qū)域?qū)?yīng)的位置處具有開口的掩模在第六沉積室96中共同沉積氟化鋰和鄰二氮雜菲化合物，使得氟化鋰與鄰二氮雜菲化合物的體積比為0.9 99.1。因此，在各個發(fā)光層132g、132r和132b上形成電子傳輸層133(圖101)。形成上電極的步驟(示例1)接下來，襯底10被傳送到第七沉積室97，并且在第七沉積室97中通過濺射方法在電子傳輸層133上沉積氧化銦鋅(IZO)，以便形成上電極14 (圖10J)。在該步驟中，上電極 14的厚度被控制為lOOnm。接下來，在形成上電極14之后獲得的襯底10在不被暴露于大氣的情況下被密封玻璃覆蓋，使得阻擋來自外部的氧氣、水分等，并且利用在其之間的粘合劑將襯底10接合到密封玻璃。在密封玻璃中設(shè)置凹槽，并且在凹槽內(nèi)部的空間的周邊中設(shè)置由沸石組成的吸濕性材料(未示出)。接下來，利用固定有金剛石的旋轉(zhuǎn)葉片對其上總計具有二十個有機(jī)電致發(fā)光顯示設(shè)備的基底101進(jìn)行劃片，以便將有機(jī)電致發(fā)光顯示設(shè)備彼此分離。最后，將市場上可買到的用于顯示器的偏振器接合到密封玻璃的表面，以便獲得有機(jī)電致發(fā)光顯示設(shè)備。連接端子(未示出)與外部電路15連接，以便驅(qū)動有機(jī)電致發(fā)光顯示設(shè)備。結(jié)果，能夠在玻璃的其上具有凹槽一側(cè)(即，上電極14側(cè))執(zhí)行全色顯示。示鑼Ij 2由第二實施例的方法來制造圖4A和圖4B所示出的有機(jī)電致發(fā)光顯示設(shè)備。在下面的描述中，將主要描述與示例1的差別。包括在示例2中制造的有機(jī)電致發(fā)光顯示設(shè)備內(nèi)的像素由按RGBG順序排列的三種類型條帶狀子像素構(gòu)成。在該示例中，顯示區(qū)域包括在垂直方向上的480行R子像素Ilr 和480行B子像素lib以及在水平方向上的320列R子像素Ilr和320列B子像素lib。與此對比，顯示區(qū)域包括在垂直方向上的480行G子像素lib以及在水平方向上的640列 G子像素lib。因此，顯示區(qū)域包括在垂直方向上的480個像素以及在水平方向上的320個像素。然而，由于具有高可見度的G子像素Ilg在垂直方向上存在480行并且在水平方向上存在640列，因此能夠?qū)崿F(xiàn)基本上與示例1相同的圖像質(zhì)量。在該示例中，一個像素具有 96微米的長度(121)和192微米的寬度(122)。形成下電極的步驟(示例2)通過與示例1中使用的方法相同的方法來在襯底10上形成提岸25和下電極12。 在該示例中，其上要設(shè)置G子像素Ilg的下電極12具有沈微米的寬度，并且其上要設(shè)置G 子像素Ilg的提岸25具有16微米的開口寬度。另一方面，其上要設(shè)置R子像素Ilr或B 子像素lib的下電極12具有42微米的寬度，并且其上要設(shè)置R子像素Ilr或B子像素lib 的提岸25具有32微米的開口寬度。形成有機(jī)電致發(fā)光層的步驟(示例2)接下來，利用圖12所示出的一列式的(in-line)設(shè)備形成上電極14和有機(jī)電致發(fā)光層13。圖13A 13H是示出形成上電極14和有機(jī)電致發(fā)光層13的過程的示意性截面圖。首先，將在形成提岸25之后獲得的襯底10放置在設(shè)備中，使得襯底10的要被處理的表面(即，其上設(shè)置有下電極12、提岸25等的表面)朝向向下的方向，并且然后將設(shè)備抽成真空。接下來，通過加熱襯底10來充分地執(zhí)行襯底10的脫水工藝。圖13A示出了在該狀態(tài)下的襯底10的截面結(jié)構(gòu)。接下來，襯底10被傳送到第一沉積室121，并且α -NPD被沉積在提岸25和下電極 12上以便形成空穴傳輸層131(圖13Β)。在空穴傳輸層131的沉積中，如圖8所示，使用在與顯示區(qū)域?qū)?yīng)的位置處具有開口 81的掩模82，并且空穴傳輸層131被沉積作為每個顯示區(qū)域共有的層。在空穴傳輸層131的沉積中，長方體盒形的由鉬組成的鉬坩堝被用于蒸發(fā)源，并且通過利用鞘加熱器加熱坩堝的側(cè)面來進(jìn)行氣相沉積。接下來，在形成空穴傳輸層131之后獲得的襯底被傳送到第二沉積室122，并且在其中要設(shè)置G子像素Ilg的區(qū)域中形成G發(fā)光層132g。在該步驟中，與示例1中的一樣，選擇性地形成與位于從每個顯示區(qū)域的左端起計數(shù)的第On-I)個位置處的G子像素Ilg對應(yīng)的G發(fā)光層132g(圖13C)。接下來，襯底10被傳送到第三沉積室123，并且選擇性地形成與位于從每個顯示區(qū)域的左端起計數(shù)的第On)個位置處的G子像素Ilg對應(yīng)的G發(fā)光層132g(圖13D)。注意，在利用圖12所示出的設(shè)備形成G發(fā)光層132g時，使用的掩模能夠被充分地分離并且隨后通過平行地設(shè)置的掩模傳送路徑120回到先前的位置。因此，能夠多次地使用單個掩模。接下來，襯底10被傳送到第四沉積室124，并且用于形成R發(fā)光層132r的掩模在預(yù)定位置處被對準(zhǔn)。圖14A是在形成示例2中的R發(fā)光層132r的步驟中使用的掩模的示意圖。使用的掩模具有46. 2mm的開口的長度、56微米的寬度(d21)，在相鄰開口之間的距離 (d22)為136微米，并且重復(fù)間距(d23( = d21+d22))為192微米。在形成R發(fā)光層132r時， 制備其中分別放置在示例1中使用的主體和客體的盒形的坩堝，并且進(jìn)行這些主體和客體化合物的共同沉積。接下來，襯底10被傳送到第五沉積室125，并且用于形成B發(fā)光層132b的掩模被
20對準(zhǔn)在預(yù)定位置處。圖14B是在形成示例2中的B發(fā)光層132b的步驟中使用的掩模的示意圖。使用的掩模具有與用于形成R發(fā)光層132r的掩模相同的開口的長度、寬度、在相鄰開口之間的距離以及重復(fù)間距的尺寸。接下來，襯底10被傳送到第六沉積室126。接下來，使用如圖8所示的在與顯示區(qū)域?qū)?yīng)的位置處具有開口 81的掩模82在第六沉積室126中共同沉積氟化鋰和鄰二氮雜菲化合物，使得氟化鋰與鄰二氮雜菲化合物的體積比為0.9 99.1。因此，在各個發(fā)光層 132g、132r和132b上形成電子傳輸層133(圖13G)。形成上電極的步驟(示例2)接下來，襯底10被傳送到第七沉積室127，并且在第七沉積室127中通過濺射方法在電子傳輸層133上沉積ΙΖ0，以便形成上電極14 (圖13H)。在該步驟中，上電極14的厚度被控制為lOOnm。接下來，在形成上電極14之后獲得的襯底10在不被暴露于大氣的情況下被密封玻璃覆蓋，使得阻擋來自外部的氧氣、水分等，并且利用在其之間的粘合劑將襯底10接合到密封玻璃。在密封玻璃中設(shè)置凹槽，并且在凹槽內(nèi)部的空間的周邊中設(shè)置由沸石組成的吸濕性材料(未示出)。接下來，利用固定有金剛石的旋轉(zhuǎn)葉片對其上總計具有二十個有機(jī)電致發(fā)光顯示設(shè)備的基底進(jìn)行劃片，以便將有機(jī)電致發(fā)光顯示設(shè)備彼此分離。最后，將市場上可買到的用于顯示器的偏振器接合到密封玻璃的表面，以便獲得有機(jī)電致發(fā)光顯示設(shè)備。連接端子(未示出)與外部電路15連接，以便驅(qū)動有機(jī)電致發(fā)光顯示設(shè)備。結(jié)果，能夠在玻璃的其上具有凹槽一側(cè)(即，上電極14側(cè))執(zhí)行全色顯示。示例 3由第三實施例的方法來制造圖6A和圖6B所示出的有機(jī)電致發(fā)光顯示設(shè)備。在下面的描述中，將主要描述與示例1和示例2的差別。包括在示例3中制造的有機(jī)電致發(fā)光顯示設(shè)備內(nèi)的像素由按RGB或BGR順序排列的三種類型條帶狀子像素構(gòu)成。在該示例中，顯示區(qū)域包括在垂直方向上的480行各種類型子像素以及在水平方向上的640列各種類型子像素。在該示例中，每個像素的形狀是具有96微米的邊長(131)的正方形，并且與一個子像素對應(yīng)的有機(jī)電致發(fā)光元件被設(shè)置在垂直方向上為96微米且水平方向上為32微米的區(qū)域中。形成下電極的步驟(示例3)通過與示例1中使用的方法相同的方法來在襯底10上形成提岸25和下電極 12 (圖15A)。在該示例中，其上要設(shè)置G子像素Ilg或B子像素lib的下電極12具有21 微米的寬度，并且其上要設(shè)置G子像素Ilg或B子像素lib的提岸25具有11微米的開口寬度。另一方面，其上要設(shè)置R子像素Ilr的下電極12具有20微米的寬度，并且其上要設(shè)置R子像素Ilr的提岸25具有10微米的開口寬度。形成有機(jī)電致發(fā)光層的步驟(示例3)通過與示例2中使用的方法相同的方法來形成包括與各種類型子像素對應(yīng)的發(fā)光層的有機(jī)電致發(fā)光層(圖15B 15G)。在示例3中，如圖6A所示，子像素的排列圖案是從顯示區(qū)域的左端開始的RRGBBGR，并且具體地，兩個R列(RR)被布置在末端處。這是因為用于形成R發(fā)光層的掩模的開口具有與兩個子像素對應(yīng)的寬度。這里，位于最左的列的R 子像素是偽(dummy)子像素。然而，如果使用的掩模格外在顯示區(qū)域的左端處具有窄的開
21口寬度，則位于顯示區(qū)域中的最左列的R子像素能夠具有與一個子像素對應(yīng)的寬度。形成上電極的步驟(示例3)通過與示例2中使用的方法相同的方法在有機(jī)電致發(fā)光層13上形成上電極 14 (圖 15H)。接下來，與示例2中一樣地進(jìn)行襯底的處理和有機(jī)電致發(fā)光元件的密封，以便獲得有機(jī)電致發(fā)光顯示設(shè)備。最后，將市場上可買到的用于顯示器的偏振器接合到密封玻璃的表面，以便獲得有機(jī)電致發(fā)光顯示設(shè)備。連接端子(未示出)與外部電路15連接，以便驅(qū)動有機(jī)電致發(fā)光顯示設(shè)備。結(jié)果，能夠在玻璃的其上具有凹槽一側(cè)(即，上電極14側(cè))執(zhí)行全色顯示。雖然已經(jīng)參考示例性實施例描述了本發(fā)明，但是應(yīng)當(dāng)理解，本發(fā)明不限于所公開的示例性實施例。以下權(quán)利要求的范圍將被給予最寬的解釋從而包括所有這樣的修改、等同的結(jié)構(gòu)與功能。本申請要求2009年5月20日提交的日本專利申請No. 2009-1221 的權(quán)益，該日本專利申請其整體通過參考被并入于此。附圖標(biāo)記列表
1、4、6有機(jī)電致發(fā)光顯示設(shè)備
10襯底
11像素
Ilg G子像素
Ilr R子像素
lib B子像素
權(quán)利要求
1.一種用于制造有機(jī)電致發(fā)光顯示設(shè)備的方法，所述有機(jī)電致發(fā)光顯示設(shè)備包括襯底和多個像素，所述多個像素中的每個像素包括兩種或更多種類型的子像素，所述像素被布置在所述襯底的顯示區(qū)域中，并且在所述子像素之中，一種類型的子像素是以一定的間隔設(shè)置的指定子像素，所述方法包括如下步驟在形成所述指定子像素中，(i)通過使用在與從所述顯示區(qū)域的側(cè)端起計數(shù)的第2Π-1個指定子像素對應(yīng)的位置處具有開口的掩模來選擇性地形成從所述顯示區(qū)域的所述側(cè)端起計數(shù)的第2n-l個指定子像素，其中η表示1或更大的整數(shù)；以及( )通過使用在與從所述側(cè)端起計數(shù)的第2η個指定子像素對應(yīng)的位置處具有開口的掩模來選擇性地形成從所述側(cè)端起計數(shù)的第2η個指定子像素，其中η表示1或更大的整數(shù)。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中在步驟⑴和(ii)中使用的掩模的開口中的每一個開口是在垂直方向上連續(xù)的。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中在步驟(i)和(ii)中使用相同的蒸發(fā)源。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法， 其中所述指定子像素是綠色(G)子像素，子像素在水平方向上按RGBGRGBG的順序布置，并且，在步驟(ii)之后， 通過以下步驟來順序地形成紅色(R)子像素和藍(lán)色(B)子像素(iii)形成紅色子像素；以及(iv)形成藍(lán)色子像素。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中所述子像素具有三種顏色，并且包括紅色(R)子像素、綠色(G)子像素和藍(lán)色(B) 子像素，所述指定子像素是綠色(G)子像素，相同顏色的子像素的對在相鄰的對之間具有指定子像素的情況下被重復(fù)地布置，子像素的對的顏色在紅色和藍(lán)色之間交替，以及通過以下步驟來順序地形成紅色(R)子像素和藍(lán)色(B)子像素(ν)使用在與紅色(R)子像素對應(yīng)的位置處具有開口的掩模一次形成紅色(R)子像素；以及(vi)使用在與藍(lán)色(B)子像素對應(yīng)的位置處具有開口的掩模一次形成藍(lán)色(B)子像ο
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中在步驟(i)中使用的掩模與在步驟(ii)中使用的掩模不同。
7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中所述掩模的開口的間距為95微米，并且所述掩模的開口的寬度為40微米或更小。
全文摘要
本發(fā)明提供了一種用于制造有機(jī)電致發(fā)光顯示設(shè)備的方法，所述有機(jī)電致發(fā)光顯示設(shè)備包括襯底和多個像素，每個像素包括兩種或更多種類型的子像素，所述像素被布置在所述襯底的顯示區(qū)域中，并且在子像素之中，一種類型的子像素為以一定的間隔設(shè)置的指定子像素。通過使用在與從顯示區(qū)域的側(cè)端起計數(shù)的第(2n-1)個指定子像素對應(yīng)的位置處具有開口的掩模選擇性地形成從顯示區(qū)域的側(cè)端起計數(shù)的第(2n-1)個指定子像素(其中n表示1或更大的整數(shù))、并且使用在與從側(cè)端起計數(shù)的第(2n)個指定子像素對應(yīng)的位置處具有開口的掩模選擇性地形成從側(cè)端起計數(shù)的第(2n)個指定子像素，來形成所述指定子像素。
文檔編號H01L51/50GK102428756SQ201080021158
公開日2012年4月25日 申請日期2010年5月13日 優(yōu)先權(quán)日2009年5月20日
發(fā)明者三村敏彥, 唐木哲也, 大矢克典, 海部紀(jì)之, 鹽崎篤志 申請人:佳能株式會社